「semiconductor structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device for reducing a semiconductor memory region including semiconductor memory cells having different structures.例文帳に追加

異なる構造の半導体メモリセルを備えた半導体メモリ領域を縮小化するための半導体装置を提供する。 - 特許庁

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH STRAIN-ABSORBING INTERLAYER TRANSITION MODULES例文帳に追加

歪吸収中間層遷移モジュールを有するＩＩＩ族窒化物半導体構造 - 特許庁

The semiconductor laminates A, B have different layer structures.例文帳に追加

半導体積層体Ａと半導体積層体Ｂとでは層構造が異なる構成となる。 - 特許庁

CONSECUTIVE MEASUREMENT OF STRUCTURES FORMED ON SEMICONDUCTOR WAFER USING POLARIZED REFLECTOMETER例文帳に追加

偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定 - 特許庁

To provide integrated semiconductor structures including a multijunction solar cell having a metamorphic layer.例文帳に追加

変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。 - 特許庁

PASSIVE-ELEMENT PACKAGE AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR MODULE, AND MOUNTING STRUCTURES OF THEM例文帳に追加

受動素子パッケージ及びその製造方法、半導体モジュール、並びにこれらの実装構造 - 特許庁

WIRING NETWORK BETWEEN SEMICONDUCTOR STRUCTURES, INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR TRANSMITTING SIGNAL例文帳に追加

半導体構造間の配線網、集積回路及び信号を送信するための方法 - 特許庁

A method of coupling semiconductor structures directly to each other is provided.例文帳に追加

本発明の実施形態は、半導体構造同士を直接結合する方法を含む。 - 特許庁

A bonding/interlaminar region is formed inside inlaid structures (400, 500) of a semiconductor wafer.例文帳に追加

接着／層間領域は、半導体ウェハのインレイド構造（４００，５００）内に形成する。 - 特許庁

Semiconductor layers 2 to 6 which are processes into mesa structures are formed on a semi-insulating board 1.例文帳に追加

半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor heater in which the thermal insulation between adjacent element structures is improved.例文帳に追加

隣接する素子構造間の熱絶縁を改良した半導体ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser array device that can carry out phase locking between array structures in a semiconductor laser array device where the plurality of array structures are combined.例文帳に追加

前記アレイ構造が複数個組み合せてなる半導体レーザアレイ装置において、各アレイ構造間でいわゆるフェーズロックさせることが可能な半導体レーザアレイ装置を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF COUPLING SEMICONDUCTOR STRUCTURES DIRECTLY TO EACH OTHER, AND COUPLED SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED BY USING THAT METHOD例文帳に追加

半導体構造同士を直接結合する方法、およびこの方法を使用して形成された結合された半導体構造 - 特許庁

A method includes providing a semiconductor wafer having a plurality of pillar structures extending orthogonally from the semiconductor wafer.例文帳に追加

方法は、半導体ウェハから垂直に伸延する複数のピラー構造を有する半導体ウェハを提供するステップを含む。 - 特許庁

Thinning by oxidation of the semiconductor structures reduces the width of the semiconductor link sections at different rates for each different crystal orientation.例文帳に追加

半導体構造体の酸化による薄化で、半導体リンク部の幅は、異なる結晶方位ごとに異なる速度で小さくされる。 - 特許庁

Respective divided structures 110, 120, 130, 140 constitute a single semiconductor device.例文帳に追加

そして、各分割構造体１１０、１２０、１３０、１４０が、１つの半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide structures of a semiconductor fin and a fin type field effect transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体フィンとフィン型電界効果トランジスタの構造、及び、製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICES OF BGA AND LGA STRUCTURES, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＢＧＡ構造の半導体装置及びＬＧＡ構造の半導体装置並びにその製造方法 - 特許庁

To provide various semiconductor structures including strain-absorbing III-Nitride interlayer modules.例文帳に追加

歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。 - 特許庁

To provide a technique by which semiconductor crystalline structures with a decreased surface roughness can be formed.例文帳に追加

表面粗さが低減された半導体結晶の構造体を形成する技術を提供する。 - 特許庁

First and second dummy structures 201, 202 are formed on a semiconductor device substrate 10.例文帳に追加

第１および第２ダミー構造（２０１，２０２）が半導体装置基板（１０）上に形成される。 - 特許庁

The semiconductor element is provided with sub-structures 115 arranged on both the sides of the ridge 111.例文帳に追加

この発明の半導体素子では、リッジ部１１１の両側方に副構造体１１５を備える。 - 特許庁

In order to cover gate structures 5 and 6, a lower layer insulating film 10 is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造５，６を覆うように、半導体基板１上に、下層絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

VERTICAL AXIS FOR SEMICONDUCTOR WELL HOLDER AND REVOLVING SLIDE PREVENTION DEVICE BETWEEN SUPPORT STRUCTURES AND METHOD OF THE SAME例文帳に追加

半導体ウェーハホルダ用垂直軸及び支持構造間の回転滑り防止装置及び方法 - 特許庁

The optical multilayered films 13 having multilayered structures are formed at both ends of a semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０の両端に多層構造を有する光学多層膜１３を形成する。 - 特許庁

The top surfaces of the semiconductor substrate 101 on both sides of the respective gate structures G1, G2 are turned into silicide with the first and second gate structures masked.例文帳に追加

第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２をマスクした状態で、各ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の両脇における半導体基板１０１上を、シリサイド化させる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate SUB, a pair of elements DR from which electrons are emitted, active barrier structures AB, and p-type ground regions PGD.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢと、１対の注入元素子ＤＲと、アクティブバリア構造ＡＢと、ｐ型接地領域ＰＧＤとを備える。 - 特許庁

When the mutually adjacent semiconductor structures are cut therebetween, a plurality of semiconductor devices having the solder ball 37 are obtained.例文帳に追加

次に、互いに隣接する半導体構成体２２間において切断すると、半田ボール３７を備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser provided with a plurality of semiconductor laser elements having different compound semiconductor layers constituting light emitting structures in a monolithic structure.例文帳に追加

発光構造を構成する化合物半導体層が相互に異なる、複数個の半導体レーザ素子をモノリシック構造で備えた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

First and second semiconductor chips have first and second MIS transistor structures of first conductivity types.例文帳に追加

第１、第２半導体チップは、それぞれ第１導電型の第１、第２ＭＩＳトランジスタ構造を有する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the protection element 1 and a MOS transistor 15 share a part of their structures.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、保護素子１とＭＯＳトランジスタ１５との構成の一部を共用する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the protection element 1 and an NPN transistor 11 share a part of their structures.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、保護素子１とＮＰＮトランジスタ１１との構成の一部を共用する。 - 特許庁

Thereby, the semiconductor light emitting device is obtained whose thin substrate has fine irregular structures at an optical projection side.例文帳に追加

これによって、光射出面に微細凹凸構造を持つ薄い基板の半導体発光装置を得る。 - 特許庁

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductors relate to heterojunction bipolar transistors.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに関連する、半導体構造体及び半導体の製造方法が提供される。 - 特許庁

A nitride film 6 is formed covering an oxide film 5 on gate structures G1, G2 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造Ｇ１，Ｇ２と半導体基板１上の酸化膜５を覆うように、窒化膜６を形成する。 - 特許庁

The first and second transition bodies reduce strain for the semiconductor structures.例文帳に追加

前記第一遷移本体および前記第二遷移本体は前記半導体構造の歪みを減少させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an air gap or gaps within solid structures and specifically semiconductor structures to reduce dielectric capacitive coupling between electrical elements such as metal lines.例文帳に追加

固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer reinforcing region 3 whose elastic modulus is larger than a semiconductor structure forming region 5 is formed at vicinity of an outer periphery of the semiconductor structure forming region 5 where semiconductor structures 6 of the semiconductor wafer 1 are formed.例文帳に追加

半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。 - 特許庁

Consequently, the need for high-accuray positioning for the arrangement of the semiconductor structures 11 on the semiconductor wafer 31 is eliminated.例文帳に追加

これにより、半導体構成体１１の半導体ウエハ３１上への配置に際し、高精度の位置決めが要求されないようにすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which a silicide film of proper film thickness can be formed between gate structures on a semiconductor substrate even if the distance between the gate structures is small.例文帳に追加

本発明は、たとえゲート構造間の距離が小さくなったとしても、ゲート構造間の半導体基板上に適正な膜厚のシリサイド膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The GaN system semiconductor is grown while forming a facet structure, and adjacent facet structures are combined.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。 - 特許庁

The space between these structures A and B is filled with an embedding layer 32 of a high resistance semiconductor layer.例文帳に追加

これら構造部Ａ，Ｂの間は、高抵抗半導体層である埋め込み層３２によって埋められている。 - 特許庁

To provide a method for designing a semiconductor integrated circuit suitable for fine structures and high integration density.例文帳に追加

微細化・高集積化に好適な半導体集積回路の設計方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of consecutive measurement of structures formed on a semiconductor wafer using a polarized reflectometer.例文帳に追加

偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定の方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-IC mounting substrate which has via holes with respective low impedances of simple structures and easy workabilities.例文帳に追加

簡単な構造で加工が容易な低インダクタンスのビアホールを有した半導体ＩＣ実装基板を提供する。 - 特許庁