「semiconductor structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The trench separate structures provide insulating separation between areas in the substrate and the separated areas may include a semiconductor element.例文帳に追加

トレンチ分離構造は、基板内の領域間の絶縁分離を提供し、分離された領域が半導体素子を含み得る。 - 特許庁

To provide compositions and methods for forming patterned semiconductors and patterned semiconductor thin films and/or to provide structures.例文帳に追加

パターン形成された半導体や半導体薄膜を形成する組成物及び方法或いは構造体を提供すること - 特許庁

The first semiconductor layer includes a plurality of structures provided on a first principal surface on a side opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。 - 特許庁

These structures, including drive and detection electrodes, are manufactured on an SOI wafer by using semiconductor manufacturing technologies.例文帳に追加

これらの構造は、ＳＯＩウェーハ上に駆動、検出電極を含めて半導体製造技術を用いて製造される。 - 特許庁

Preferably, a heat sink is attached to the surface of the upper semiconductor chip 40 in the three kinds of structures.例文帳に追加

前述した３種類の構造の中、上部半導体チップの表面にヒットシンクが付着されることが望ましい。 - 特許庁

On a nitride semiconductor substrate 10 of AlN, element structures 103-111 having a nitride semiconductor layer containing Al are formed to produce a laser element.例文帳に追加

ＡｌＮからなる窒化物津半導体基板１０１の上に、Ａｌを含む窒化物半導体からなる層を有する素子構造１０３〜１１１が形成されたレーザ素子とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element is constituted by forming a pair of laminated structures each of which is composed of a first-conductivity clad layer and an active layer and has a triangular cross section on a mask layer having selectively formed openings and second-conductivity clad layers on the structures.例文帳に追加

よって、本発明は、特にＧａＮ系半導体を用い、傾斜結晶層を有する半導体素子でレーザー発振を実現する素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURES EMPLOYING STRAINED MATERIAL LAYER WITH DEFINED IMPURITY GRADIENT, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加

画定された不純物勾配を有するひずみ材料層を使用する半導体構造、およびその構造を製作するための方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including quantum structures such as quantum dots, quantum rings, and quantum wires, and to provide a method of manufacturing them.例文帳に追加

量子のドット、リング及びワイヤーのような量子構造を含む半導体素子及びそれらの製作方法を提供する。 - 特許庁

Block copolymer films formed by the above-described method as well as semiconductor structures comprising such block copolymer films are also provided.例文帳に追加

上述の方法によって形成されたブロック・コポリマー膜、ならびに、このようなブロック・コポリマー膜を含む半導体構造も含む。 - 特許庁

For example, the method according to embodiments may be used to form copper containing interconnect structures in a semiconductor device.例文帳に追加

例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 - 特許庁

One cell structure of the plurality of cell structures which locates in a central portion CR of the principal surface of the semiconductor substrate 1 is constituted so that it has a current application lower than the ones of the other cell structures which locate in an outer peripheral portion PR of the principal surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

複数のセル構造のうち主表面の中央部ＣＲに位置する一のセル構造は、複数のセル構造のうち主表面の外周部ＰＲに位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている。 - 特許庁

A plurality of semiconductor structures 22 having a rewiring pattern 30 formed on a silicon substrate (semiconductor chip) 24 are bonded on an adhesive layer 21 on a base plate 20 corresponding to a plurality of semiconductor devices.例文帳に追加

複数の半導体装置に対応するサイズのベース板２０上の接着層２１上に、シリコン基板（半導体チップ）２４上に再配線３０を設けてなる複数の半導体構成体２２を接着する。 - 特許庁

For example, the method according to preferred embodiments may be used to form copper comprising interconnect structures in a semiconductor device.例文帳に追加

例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a logic-system CMOS transistor and a power DMOS transistor have optimum structures respectively.例文帳に追加

ロジック系ＣＭＯＳトランジスタおよびパワー系ＤＭＯＳトランジスタのそれぞれが最適な構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package capable of forming buildup type multilayer interconnection structures with occurrence of metal board warpage prevented.例文帳に追加

金属板の反り発生を防止してビルドアップ多層配線構造を形成できる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

Outer walls of the coolers 113, 114 are constituted of bellows structures, expandable into directions wherein the semiconductor modules 110, 120... are installed continuously.例文帳に追加

冷却器１１３，１１４の外壁は、半導体モジュール１１０，１２０，…が連設される方向に伸縮可能なベローズ構造からなる。 - 特許庁

To provide a visual inspection device capable of intuitively and quantitatively evaluating fluctuation of complex structures of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of predicting failure in the superposition of circuit structures formed on adjacent layers through the lithography of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハのリソグラフィで生成される、近接するレイヤーの回路構成の重ね合せ不良を予測する方法を提供すること。 - 特許庁

The apparatus comprises the wafer substrate of a semiconductor or a dielectric and first and second multi-layer structures arranged on the wafer substrate.例文帳に追加

装置が半導体もしくは誘電体のウェハ基板、およびウェハ基板の上に配置された第１および第２の多層構造を有する。 - 特許庁

Next, other lattice like and sheet-like insulation materials 12a, 12b called as a prepreg material are arranged between the semiconductor structures 2.例文帳に追加

次に、半導体構成体２間に、プリプレグ材と呼ばれる格子状でシート状の他の絶縁材材料１２ａ、１２ｂを配置する。 - 特許庁

Thereby, the pad 16 can be scaled down, and the effective area 10 for manufacturing the semiconductor structures can be expanded.例文帳に追加

これにより、パッド１６を小型化することができ、半導体構造を製造できる有効領域１０の面積を拡大することができる。 - 特許庁

The present invention is directed to structures and methods of manufacturing such structures for providing optical connections between spaced-apart, opposing surfaces of substrates having optically active areas that are compatible with semiconductor processing steps.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセス工程と互換性のある、光学的に活性の領域を有する基板の離間した対向する面の間に光接続を与える構造及びかかる構造の製造方法に関連する。 - 特許庁

Thin line voids 8 are formed in an interlayer insulation film 7 between gate structures adjacent to each other due to a narrowed interval between the gate structures attended with micronization of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置の微細化に伴いゲート構造同士の間隔が狭くなっていることに起因して、互いに隣接するゲート構造同士の間において、細線状のボイド８が層間絶縁膜７内に形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a pair of structures each having organic or inorganic compound fabrics built up in a plurality of layers, particularly, in three or more layers and impregnated with an organic resin, and an element layer provided between the pair of structures.例文帳に追加

有機化合物または無機化合物の繊維体を複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂を含浸した一対の構造体と、該一対の構造体の間に設けられた素子層とを有する。 - 特許庁

After step structures 2 are formed on a compound semiconductor substrate 1 by using lithography, quantum dots 6 are selectively formed only in specific portions on the substrate 1 having the step structures 2 by using a crystal growing technique.例文帳に追加

化合物半導体基板１にリソグラフィー技術を用いて段差構造２を形成し、結晶成長技術により上記段差構造を有する基板上の特定の部位にのみ選択的に量子ドット６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser integrated element capable of highly accurately aligning the optical axes of a plurality of semiconductor laser structures having different output wavelengths, and to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる半導体レーザ集積素子及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the first semiconductor structure 11a, and second and third semiconductor structures 11b and 11c overlap with each other partially to reduce the mounting area.例文帳に追加

これにより、第１の半導体構成体１１ａと第２および第３の半導体構成体１１ｂ、１１ｃとに互いに重なり合う部分が生じ、実装面積を小さくすることができる。 - 特許庁

At first, planar square-shaped frame-like positioning films 8, made of resin are formed on a semiconductor wafer 31, indicating an region for forming 2×2=4 semiconductor structures.例文帳に追加

まず、２×２＝４個の半導体構成体を形成するための領域を示す半導体ウエハ３１上に樹脂からなる平面正方形で枠状の位置決め膜８を形成する。 - 特許庁

To simplify the process, reduce the cost and meet the demand for multiple pin structures in a semiconductor device with a semiconductor element mounted in a package such as BGA.例文帳に追加

ＢＧＡ等のパッケージに半導体素子を搭載した半導体装置において、プロセスの簡略化及びコストの低減化を図ると共に、多ピン化の要求に十分に応えることを目的とする。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device having semiconductor components which are mounted on the same face of the same substrate through bump electrodes different in heights and whose package structures differ.例文帳に追加

同一基板の同一面に、高さの異なるバンプ電極を介して実装されたパッケージ構成の異なる半導体部品を有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A first semiconductor element 4 and a second semiconductor element 7 having long side one pad structures are laminated on a wiring board 2 having connection pads 3.例文帳に追加

接続パッド３を有する配線基板２上には、それぞれ長辺片側パッド構造を有する第１の半導体素子４と第２の半導体素子７とが積層されて実装されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which can be manufactured through manufacturing processes optimum for the individual circuits by forming circuits of different device structures, and by giving temperature control appropriate for the individual device structures, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

一つの半導体基板に異なるデバイス構造を有した回路を作り、半導体装置を製造する時に、各デバイス構造に適応した温度管理を行い、各回路に最適な製造プロセスで製造可能な半導体基板及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the semiconductor chips 16, 17 are covered with the first and second shield structures 32, 33, noises generated by the semiconductor chips 16, 17 can be confined by a lower shield case 1 and the first and second shield structures 32, 33 even when an upper shield case is not present.例文帳に追加

このように、第１及び第２のシールド構造部３２、３３によって半導体チップ１６、１７を覆っているので、上シールドケースがなくても、下シールドケース１と第１及び第２のシールド構造部３２、３３とによって半導体チップ１６、１７から発せられるノイズを封じ込めることができる。 - 特許庁

To assure breakdown strength of an outer peripheral resistant part even if substrate structures for a cell part and the outer peripheral resistant part are unified in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のうちセル部および外周耐圧部の基板の構造を共通化したとしても、外周耐圧部の耐圧を確保する。 - 特許庁

The system inspecting patterning structures formed on semiconductor wafers using an optical measurement model includes a first manufacturing system measurement processor.例文帳に追加

光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer 15 which is thereby obtained has an indium concentration distribution in accordance with the shapes of the columnar nano-structures 13.例文帳に追加

これによって得られたIII-Ｖ族化合物半導体層１５は、柱状ナノ構造体１３の形状に応じたインジウムの濃度分布を有する。 - 特許庁

In the process S104, after removing the first mask, an active layer is grown on the first-nth periodic structures in the semiconductor region.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、第１のマスクを除去した後に、半導体領域の第１〜第ｎの周期構造上に活性層を成長する。 - 特許庁

To reduce an area of a check pattern of a semiconductor device in which the resistance of two through-hole chains having different structures is measured simultaneously.例文帳に追加

２つの異なる構造を有するスルーホールチェーン抵抗を同時に測定する半導体装置のチェックパターンの小面積化を可能とする。 - 特許庁

Other lattice-like and sheet-like insulating materials 12a and 12b referred to prepreg material, for example, are then arranged between the semiconductor structures 2.例文帳に追加

次に、半導体構成体２間に、例えばプリプレグ材と呼ばれる格子状でシート状の他の絶縁材材料１２ａ、１２ｂを配置する。 - 特許庁

OPTICAL-MECHANICAL-TYPE STRUCTURE PREPARATION METHOD DURING MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR HAVING MICRON AND SUBMICRON STRUCTURES, ANOTHER MICROAPPARATUS, AND NANO APPARATUS例文帳に追加

ミクロンおよびサブミクロン構造を有する半導体および他のマイクロ装置およびナノ装置の製造中の光学−機械式構造作製方法 - 特許庁

To simultaneously form end-face window structures at the time of integrating a plurality of semiconductor laser chips having different wavelengths on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に複数の波長の異なる半導体レーザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構造を形成する。 - 特許庁

In semiconductor structures each including semiconductor link sections 30C, 50C and two adjacent pad sections 30A, 30B, 50A, 50B, the sidewalls of the semiconductor link sections are oriented to maximize hole mobility for a first semiconductor structure, and to maximize electron mobility for a second semiconductor structure.例文帳に追加

各々が半導体リンク部３０Ｃ，５０Ｃと２つの隣接するパット部３０Ａ，３０Ｂ，５０Ａ，５０Ｂを含む半導体構造体で、半導体リンク部の側壁は、第１の半導体構造体の場合には正孔の移動度を最大化するように、第２の半導体構造体の場合には電子の移動度を最大化するように方位を定める。 - 特許庁

Spacer structures 242p and 242n of a field effect transistor have sections where bound charge carriers are concentrated, and zones 13n and 13p where mobile charge carriers are concentrated are generated in a semiconductor substrate 1 under the spacer structures.例文帳に追加

電界効果トランジスタのスペーサー構造２４２ｐ、２４２ｎには、束縛された電荷キャリアが部分的に濃縮されており、移動可能な電荷キャリアの濃縮帯１３ｎ、１３ｐが該スペーサー構造の下の半導体基板１の中に生じる。 - 特許庁