「semiconductor structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device 100 includes a seal ring 6 formed on an outer circumference of an element forming region 50 when seen from the top in a multilayer interconnect structure 3 formed on a silicon layer 4, and dummy metal structures 30a to 30i formed on a further outer circumference of the seal ring 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン層４上に形成された多層配線構造３内で、平面視において素子形成領域５０の外周に形成されたシールリング６と、シールリング６のさらに外周に形成されたダミーメタル構造３０ａ〜ダミーメタル構造３０ｉを含む。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a laser diode (semiconductor laser region 10) provided on a semiconductor substrate and having a first optical waveguide including a gain waveguide, three photodiodes (two photodiode structures 22 and one photodiode element) optically coupled to the first optical waveguide, a ring resonator (optical waveguide 213) optically coupled between one photodiode structure 22 and the first optical waveguide, and an etalon filter optically coupled between the photodiode element and the first optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第１の光導波路を有するレーザダイオード（半導体レーザ領域１０）と、第１の光導波路と光結合された３つのフォトダイオード（２つのフォトダイオード構造２２及び一つのフォトダイオード素子）と、一つのフォトダイオード構造２２と第１の光導波路との間に光結合されたリング共振器（光導波路２１３）と、フォトダイオード素子と第１の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。 - 特許庁

The method related to this invention forms primary and secondary active regions (1a, 1b, 1c and 14a, 14b) on a front face of a support material, wherein the active regions are respectively formed with primary and secondary single-crystal semiconductor materials having different, but preferably the same crystal structures.例文帳に追加

本発明の方法によれば、第１および第２の活性領域（１ａ，１ｂ，１ｃおよび１４ａ，１４ｂ）を支持体の前面上に形成することができ、前記活性領域はそれぞれ、互いに異なり且つ好ましくは同一の結晶構造を有する第１および第２の単結晶半導体材料によって形成されている。 - 特許庁

The substrate may use metal, ceramic, glass, heat-resistive plastic, and other possible substances durable at sintering temperatures, and semiconductor devices, light emitting elements or solar cells can be directly assembled on possible constructions such as roofs, walls, etc., possible structures such as cars and aircraft, or other possible substances.例文帳に追加

また、その基板として、金属、セラミック、ガラス、耐熱プラスチックその他、焼成温度に耐えられるあらゆる物質を用いることが可能となり、屋根や壁などあらゆる建造物、自動車や航空機などの構造物、その他あらゆる物質上に太陽電池や発光素子、半導体デバイスを直接作り込むことが可能となる。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

In the electronic circuit device, terminal boards 23 and 24 at both ends of the circuit board 20 where electronic parts 30 and semiconductor chips 31 are mounted are inserted into the grooves 11 of connection members 10 by using the connection members 10 having connector structures and the circuit boards 20 are connected in vertically overlapped states.例文帳に追加

コネクタ構造をした接続部材１０を用いてこの接続部材１０の溝部１１に電子部品３０や半導体チップ３１が実装された回路基板２０の両端の端子板２３、２４を差込み、これによって回路基板２０を上下に重ねた状態で接続するようにした電子回路装置に関するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which uses an organic insulation film as an interlayer insulation film and has opening portions therein for forming wirings by etching with oxygen containing gas plasma, and to provide its fabrication method, in which the degradation of the electrical characteristics of an interlayer insulation film and the failure of wiring structures do not occur.例文帳に追加

層間絶縁膜に有機絶縁膜を使用し、酸素を含有するガスのプラズマによってエッチングして配線形成用の開口部を形成する半導体装置において、層間絶縁膜の電気特性の劣化や、配線構造の不良を招くことがない、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the operating characteristic and reliability of a semiconductor device, achieve lower power consumption, reduce the number of processes and manufacturing costs, and improve a yield by making structures of TFTs disposed in various circuits appropriate in accordance with the function of the circuit.例文帳に追加

各種回路に配置されるＴＦＴの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。 - 特許庁

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption as well as to achieve reduced manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors arranged in various circuits in response to functions required by the circuits.例文帳に追加

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。 - 特許庁

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption and to achieve reduction in manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors to be arranged in various circuits in response to functions required by the circuits.例文帳に追加

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。 - 特許庁

To provide a light guide which has large refractive index differences, a compound semiconductor in an expected position and a multidimensional structure consisting of one, two, and three dimensional structures, glass which has at least either photonic crystal or nonlinear optical area, an optical device element with it and an easy method for manufacturing them.例文帳に追加

屈折率差が大きく、かつ、所望の位置に化合物半導体を有し、１次元、２次元および３次元構造からなる多次元構造の光導波路、フォトニック結晶および非線形光学領域の少なくとも１つを有するガラス、それを用いる光デバイス素子、および、それらの容易な製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an integrated fluid supplying device of such a configuration that a plurality of fluid treatment devices are connected by a passage block to allow flowing of the fluid and also provide a seal material and a semiconductor manufacturing device, wherein fluid treatment devices having different seal structures are made connectable with the passage block.例文帳に追加

本発明は複数の流体処理装置を流路ブロックにより接続し流体を流す構成とされた集積化流体供給装置及びこれに用いるシール材及び半導体製造装置に関し、異なる種類のシール構造を有した流体処理装置と流路ブロックとを接続可能とすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

The present invention comprises an antenna including at least two radiation structures (110, 111)(100, 113), each of the radiation structure takes a form of two arms made of conductor, superconductor or semiconductor materials and the two arms are mutually coupled via regions (200, 201) on first and second arms.例文帳に追加

本発明は、少なくとも２つの放射構造（１１０，１１１）（１００，１１３）を備えたアンテナよりなり、放射構造は、導体、超伝導体又は半導体材料で作られた２つのアームの形式をとり、２つのアームは、第１及び第２のアーム上の領域（２００，２０１）を介して互いに結合される。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a base layer and flattened film are removed by photolithography and etching around a predetermined region 70, and there is formed a protrusion 51 that not only includes the predetermined region 70 but also has a side surface which is curved or twisted along structures 62, 64 viewed from the thickness direction of the base layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びエッチングによって、基体層及び平坦化膜を所定領域７０の周囲において除去し、所定領域７０を含むと共に、基体層の厚み方向から見て、構造物６２，６４に沿うように湾曲又は屈曲した側面を有する凸状部５１を形成する。 - 特許庁

To improve a manufacturing yield by reducing a short-circuit failure of wiring and also shorten a process time by eliminating a heat treatment process to fulfill voids by forming an insulation film without the generation of voids between wirings of fine structures in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、微細構造を有する配線間にボイドを発生させること無く絶縁膜を成膜することによって、配線のショート不良を低減させて歩留まりの向上を図るとともに、ボイドを埋めるための加熱処理工程を不要にしてプロセス時間の短縮化を図る。 - 特許庁

This solid-state imaging element includes: avalanche photodiodes each having a structure including an n+ region 2 and a p+ region 3 each formed by extending in the thickness direction of a semiconductor substrate 7, and an avalanche region 4 interposed between the n+ region 2 and the p+ region 3; and a pixel repeatedly including the plurality of structures of the avalanche photodiodes.例文帳に追加

それぞれ半導体基体７の厚さ方向に延びて形成された、ｎ^＋領域２と、ｐ^＋領域３と、ｎ^＋領域２とｐ^＋領域３とに挟まれているアバランシェ領域４とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

To solve the following problem that the operation of a transponder having a structure of an antenna conductor connecting the both sides of a radio recognizing semiconductor chip having a double-sided electrode structures by an anisotropic conductive adhesive agent fails by a short-circuit between the surface of the electrode and a silicon substrate caused by conductive particles in the anisotropic conductive adhesive agent.例文帳に追加

両面電極構造をもつ無線認識用半導体チップを用いて、その上下を異方導電性接着剤でアンテナ導体で接続する構造のトランスポンダでは、異方導電性接着剤の中にある導電性粒子によって、表面の電極とシリコン基板がショートして、トランスポンダが動作不能となってしまう。 - 特許庁

The organic semiconductor material has a repeated unit having such partial structures that at least an aromatic ring A having substitutional groups and an aromatic ring B having no substitutional group are coupled to each other therein, and compounds having Head-To-Tail type solid regularity are included in the repeated unit.例文帳に追加

置換基を有する芳香族環Ａの少なくとも一つと、無置換の芳香族環Ｂの少なくとも一つとが連結している部分構造を有する繰返し単位を有し、且つ、該繰り返し単位の中に、Ｈｅａｄ−Ｔｏ−Ｔａｉｌ型の立体規則性を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 - 特許庁

The organic semiconductor material is a compound having at least three or above aromatic condensed rings where aromatic heterocycle formed of at least one benzene ring and two rings adjacent to the benzene ring is condensed as partial structures, and a compound having an alkyl group or a substituent having the alkyl group in the aromatic heterocycle.例文帳に追加

少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも２つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも３環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。 - 特許庁

To provide a photoelectric composite device permitting to utilize a mounting structure and a mounting process of an existing printed circuit board, eliminate large-scale structures, realize high-density wiring, and shorten a wiring length between a semiconductor chip and an optical element, to provide an optical waveguide used for this device, and to provide a mounting structure of the photoelectric composite device.例文帳に追加

既存のプリント配線板の実装構造及び実装プロセスを利用でき、大掛かりな構造物を排除し得、配線の高密度化が可能であり、半導体チップ−光素子間の配線長を短くできる光電複合装置、この装置に用いられる光導波路、並びに光電複合装置の実装構造を提供すること。 - 特許庁

In the middle of the growth of single wall carbon nanotubes, defects are introduced, and five-membered rings or seven-membered rings are introduced into a six-membered ring structures of graphene sheets, thereby the chirality modification is induced, and single wall carbon nanotubes heterojunctions are formed in which semiconductor single wall carbon nanotubes 11 and metallic single wall carbon nanotubes 12 join in those longitudinal directions mutually.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。 - 特許庁

A power amplifier of one embodiment comprises: at least one or more first growth ring gate structure formed in a semiconductor layer to perform power amplification operation; multiple second growth ring gate structures formed in the semiconductor layer to be adjacently positioned to surround the first growth ring gate structure in order to isolate the first structure from the surroundings by forming a depletion region by applying reverse bias when the first structure performs power amplification operation.例文帳に追加

一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the horizontal MISFET formed on the main surface of a SOI substrate 2, and on the substrate 2 where concave-convex structures 6 for expanding the current pathway between a source region 3 of the MISFET and the drain region 4 are disposed, and the boundary of the concave part 11 and the convex part 12 of the concave-convex structure 6 is constituted by a slanting face.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ基板２の主表面に横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成り、基板２の主表面には、ＭＩＳＦＥＴのソース領域３とドレイン領域４間の電流経路を拡大させるための凹凸構造６が設けられており、凹凸構造６の凹部１１と凸部１２の境界が斜めに傾斜している面によって構成されている。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加

樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁