「semiconductor structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Substrate surfaces are exposed on the sides forming semiconductor laminating structures 2 to 4 as light emitters, and irregularities are formed to the exposed substrate surfaces in each semiconductor light-emitting element 100.例文帳に追加

個々の半導体発光素子１００が、発光部である半導体積層構造２〜４を形成した側において、基板面が露出しており、且つ当該露出した基板面に凹凸が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including one or more ferrite structures for relaxing a high frequency noise to be generated in a signal line and termination point in a semiconductor device in a wafer level, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体デバイス内の信号線とターミネーションポイントに発生する高周波ノイズを緩和させる１つ以上のフェライト構造をウェーハレベルで含む半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxygen filler fills at least the two STI structures (305, 306) in which the first and second depths are based on the characteristics of the semiconductor element.例文帳に追加

酸化物充填物は、少なくとも二つのＳＴＩ構造を充填し、第一深さと第二深さは、半導体素子の半導体素子特徴に基づく。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the structures of measurement pads and external connection pads for forming bumps are optimized in accordance with the purpose of each of them in a multilayer wiring structure.例文帳に追加

多層配線構造において、測定パッドとバンプ等形成用の外部接続パッドの構造をそれぞれの用途に合わせて最適化する。 - 特許庁

A plurality of the semiconductor thin-films being mutually isolated in the direction along the surface of the substrate and having crystal structures respectively are joined with the conductive layers.例文帳に追加

導通層には、基板の表面に沿った方向に互いに分離され、それぞれが結晶構造を有する複数の半導体薄膜が接合されている。 - 特許庁

To provide a fuse structure for semiconductor devices and the manufacturing method thereof wherein it can be fused at a relatively low voltage and it gives no damage to its peripheral structures.例文帳に追加

比較的低電圧で溶断でき、かつ周囲の構造体に損傷を与えない半導体デバイス用ヒューズ構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make a mounting area small and to reduce total thickness even when a plurality of semiconductor structures called CSP (Chip Size Package) are mounted on a circuit board.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を複数個回路基板上に実装しても、実装面積を小さくし、且つ、全体としての厚さを薄くする。 - 特許庁

To provide an avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser which is easily manufactured by including a simple compact structure which consists of a little laminated structures.例文帳に追加

少ない数の積層構造からなる単純なコンパクト構造を有し、これにより、製造が容易なアバランシェ量子サブバンド遷移半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

Semiconductor structures and electronic devices include at least one layer of an interfacial dielectric material located on an upper surface of a carbon-based material.例文帳に追加

炭素ベース材料の上面上に配置された少なくとも一層の界面誘電体材料を含む、半導体構造体及び電子デバイスが提供される。 - 特許庁

To realize the structures of a recording medium and of a reading device suited to random access by minimizing movable parts and constituting the parts of only semiconductor components.例文帳に追加

記録媒体および読取装置をランダムアクセスに適した構造にするために、可動部を最小限とし、半導体部品のみで構成できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus comprises at least two rows of protruding structures 8 and 9 arrayed on a peripheral portion of a lid 1 on the inner side thereof and opposed to an etchant 3.例文帳に追加

蓋１のエッチング液３と対向する内側には、その周縁部に少なくとも２列の突起構造物８、９が複数配列されている（例えば、２列）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a gate charge, furthermore, a gate capacitance without extending a distance between cell pitches or trench structures.例文帳に追加

セルピッチまたはトレンチ構造間の距離を拡大することなくゲート電荷ひいてはゲートキャパシタンスを低減することのできる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of non-contact communication without forming a resonance circuit on an IC and simplifies structures of a wiring pattern and an antenna formed on the IC and is easy to manufacture.例文帳に追加

ＩＣ上に共振回路を形成することなく非接触な通信が可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Through etching using the first mask, a plurality of periodic structures corresponding to the plurality of pattern parts respectively are formed in the semiconductor region in a stage S108.例文帳に追加

第１のマスクを用いたエッチングにより、複数のパターン部にそれぞれ対応する複数の周期構造を半導体領域に工程Ｓ１０８で形成する。 - 特許庁

Impurity ion implantation is performed with a first concentration in order to form sources/drains 116 in the semiconductor substrate with the gate structures 120 serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０をマスクとして前記半導体基板にソース／ドレーン１１６を形成するために第１濃度で不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor structure which has a continuous buried oxide layer 24 and multiple trench separate structures 33 and 35 and its formation are disclosed.例文帳に追加

連続的な埋め込み酸化物層２４及び複数のトレンチ分離構造３３、３５を有する半導体構造、及びその形成方法を開示する。 - 特許庁

Two conductive structures 105 are formed on a semiconductor substrate 100 and comprise a first conductive layer 102 and a silicon nitride film mask layer 104.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成され、第１導電層１０２およびシリコン窒化膜マスク層１０４を含む二つの導体構造物１０５を備える。 - 特許庁

The gate electrode structure 31 is formed on a semiconductor substrate 10 in a region between the gate electrode structures 21, 22 via a gate insulation film 14.例文帳に追加

ゲート電極構造３１は、ゲート電極構造２１，２２間の領域で半導体基板１０上にゲート絶縁膜１４を介して形成されている。 - 特許庁

In equipment panels 15a, 15b and 15c, structures in recess and projection shapes are arranged on sides facing a thermally treated semiconductor wafer taken out from a vertical furnace 12.例文帳に追加

装置パネル１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、縦型炉１２から取り出された熱処理後の半導体ウェハに面する側に、凹凸形状の構造体を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, six structures S11, S12, S13, S21, S22, S23 respectively having IGBTs 11-16 mounted on respective insulating substrates 21-26 by soldering are integrally modularized by adjacently arranging these structures on the same plane of a radiating board 51 by soldering.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁基板２１〜２６に半田付けにより実装されたＩＧＢＴ１１〜１６を有する６つの構造体Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３が、放熱板５１の同一平面上に半田付けによって隣接配置されるかたちで一体にモジュール化されている。 - 特許庁

To provide a tool for manufacturing a semiconductor device capable of positioning a base plate (heat sink), an insulative substrate and a terminal block while avoiding complication of their structures, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

この発明は、ベース板（放熱板）、絶縁基板および端子台を、それらの構造の複雑化を回避しつつ位置決めすることができる半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an upper re-wiring, an upper insulation film and a solder ball etc. are formed thereon, and subsequently, the product is cut between the adjacent semiconductor structures 3, and thus, a plurality of semiconductor devices each provided with a solder ball can be obtained.例文帳に追加

そして、その上に、上層再配線、上層絶縁膜、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体３間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminous element capable of improving light emitting efficiency by disposing structures arranged in a predetermined period on a light-emitting surface and a manufacturing method of the semiconductor luminous element.例文帳に追加

光取り出し面に所定の周期で配列する構造体を設けることにより、光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Upper layer rewiring, an upper layer insulating film, solder balls, and the like, are formed thereon and then it is cut between adjacent semiconductor structures 3 thus obtaining a plurality of semiconductor devices provided with solder balls.例文帳に追加

そして、その上に、上層再配線、上層絶縁膜、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体３間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a high dielectric film is usable as a gate insulating film without causing deterioration in element characteristics in the case where MOS (metal oxide semiconductor) structures, each having a different film thickness, material or the like from the others, are mixedly present, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

膜厚、材料等の異なるゲート絶縁膜を有するＭＯＳ構造が混在する場合に、素子特性の劣化を招くことなく高誘電率膜をゲート絶縁膜として用いうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).例文帳に追加

集積回路（３００）は、基板（３０２）と、基板（３０２）中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造（３０５，３０６）と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a semiconductor substrate 2 having an electrode 3 disposed on one surface thereof; a first electronic component 6 disposed on the one surface of the semiconductor substrate 2 and electrically connected to the electrode 3; and a plurality of structures 8 disposed around the first electronic component on one surface side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１は、一面に電極３が配された半導体基板２と、半導体基板２の一面側に配され、電極３と電気的に接続された第一電子部品６と、半導体基板２の一面側にあって、第一電子部品の周囲に配された、複数個の構造体８と、を備える。 - 特許庁

A laminated structure 100, formed by using available lamination method, is divided into the plurality of divided structures 110, 120, 130, 140 by using the available method, thus increasing the number of obtainable semiconductor devices by the number of divided structures.例文帳に追加

利用可能な積層方法で形成した積層構造体１００を、利用可能な方法で複数の分割構造体１１０、１２０、１３０、１４０に分割することで、分割された分割構造体の数だけ、得られる半導体装置を増やすことが可能となる。 - 特許庁

Accordingly, the second material gas containing the indium compound is decomposed based on near field light generated in accordance with the shapes of the columnar nano-structures 13, and a group III-V compound semiconductor layer 15 grows on the outer surfaces of the columnar nano-structures 13.例文帳に追加

これによって、柱状ナノ構造体１３の形状に応じて発生させられる近接場光に基づき、インジウム化合物を含む第２の原料ガスが分解され、III-Ｖ族化合物半導体層１５が柱状ナノ構造体１３の外面上に成長される。 - 特許庁

The tunnel junction structures 50 can be used for VCSEL which has an active layer 60 between a first mirror 12 and a second mirror 14 constituted together from n type semiconductor layers.例文帳に追加

本発明のトンネル接合構造(50)は、共にｎ型半導体層から構成される第1のミラー(12)と第2のミラー(14)との間に活性層(60)を有するVCSELに使用され得る。 - 特許庁

A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁

To provide an improved method of controlling critical dimensions of structures, formed on a substrate using an etching processing, in a semiconductor substrate processing system.例文帳に追加

半導体基板処理システムにおいて、エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の最小寸法を制御する改善された方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a connecting lead for a power conversion device for solving various problems occurring in conventional connecting structures for semiconductor devices.例文帳に追加

本発明は、従来の半導体素子接続構造で発生する各種問題を解決するための電力変換デバイスの接続リードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wiring method which can realize a good interlayer connection while not deteriorating the characteristics of an entire semiconductor integrated circuit of a multi-layered structures.例文帳に追加

多層構造を有する半導体集積回路において、回路全体の特性を悪化させることなく良好な層間接続を実現できる配線方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an improved metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) device with stress-inducing structures located at the source and drain (S/D) regions.例文帳に追加

ソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ）領域に位置する応力誘導構造を備えた改良された金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a power switching element having a plurality of totem-pole connection structures can be mounted on an integral type package therewith, at a low price and with high reliability.例文帳に追加

複数のトーテムポール接続構造を有する電力スイッチング素子を一体型パッケージに安価に且つ信頼性良く実装可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Gate electrodes 122 and a plurality of gate structures 120 comprising insulation films 124 for covering upper surfaces of the gate electrodes 122 are formed on a semiconductor substrate 110.例文帳に追加

半導体基板上１１０に、ゲート電極１２２と、前記ゲート電極１２２の上面を覆う絶縁膜１２４よりなる複数のゲート構造１２０を形成する。 - 特許庁

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.例文帳に追加

本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The second semiconductor layers and the third semiconductor layers are arranged in a dotted manner when viewed from a direction perpendicular to a principal surface of the first semiconductor layer, and a periodic structure of an outermost periphery of the periodic array structure is different from periodic structures of the periodic array structure other than the outermost periphery.例文帳に追加

第１半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、第２半導体層と、第３半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、周期的配列構造の最外周の周期構造は、最外周以外の周期的配列構造の周期構造と異なる。 - 特許庁

A first semiconductor structure 11a is embedded faceup in a recessed portion 2 formed on a top-surface side of a circuit board 1, and second and third semiconductor structures 11b and 11c are mounted facedown above the first semiconductor structure 11a and circuit board 1.例文帳に追加

回路基板１の上面側に形成された凹部２内には第１の半導体構成体１１ａがフェースアップ方式で埋設され、第１の半導体構成体１１ａおよび回路基板１の上方には第２、第３の半導体構成体１１ｂ、１１ｃがフェースダウン方式で搭載されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes a semiconductor substrate and an active layer which is formed on the substrate and has a cascade structure formed by multistage-laminating unit laminate structures 16 each including an emission layer 17 and an injection layer 18.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて半導体発光素子を構成する。 - 特許庁

Subsequently, the base board 31 is removed and solder balls, and the like, are formed on one insulating material 13a on the semiconductor structures 2 under face up state and when it is diced, a plurality of semiconductor devices provided with solder balls are obtained.例文帳に追加

そして、ベース板３１を除去し、フェースアップ状態とした半導体構成体２上の一の絶縁材材料１３ａ上に半田ボール等を形成し、ダイシングすると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁