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si seの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 25



例文

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Si及びSiGe、Si及びGe、又は、Si及びアモルファスSeであり得る。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたn型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたn型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

A width BE of the small rib 26E at the vehicle mounting outside SE is wider than a width BI of the small rib 26I at the vehicle mounting inside SI.例文帳に追加

車輌装着外側SEの小リブ26Eの幅BEは、車輌装着内側SIの小リブ26Iの幅BIよりも広い。 - 特許庁

To prevent shift of pn junction and prevent deterioration of crystal quality of optical layer by using Se or S as the dopant at the time of growth of lower guide layer and using Si as the dopant at the time of growth of upper guide layer.例文帳に追加

pn接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはO、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青/青紫色半導体レーザ又は高出力青/青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁


例文

In an electromagnetic steel sheet that contains Al and/or Si as essential elements and has an insulating coating film on its surface, one or more kinds of nitriding suppressing components selected from Se, Te, As, Sb, P, Bi, Sn and B in a range from 0.005 to 0.5 mass % are contained in the whole steel sheet including the insulating coating film.例文帳に追加

Alおよび/またはSiを必須元素として含有し、表面に絶縁被膜をそなえる電磁鋼板において、絶縁被膜を含む鋼板全体中に、Se, Te, As, Sb, P, Bi, SnおよびBのうちから選んだ1種または2種以上の窒化抑制成分を 0.005〜0.5 mass%の範囲で含有させる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a surface layer of Si dope without affecting a device characteristic even though VI element such as Se attaches on the surface of an epitaxial by memory effect, or removing the surface in a very high Se concentration caused by the memory effect before proceeding to a device forming process.例文帳に追加

エピタキシャル表面にメモリー効果でSe等のVI族元素が付着しても、デバイス特性に影響を与えないSiドープの表面層を形成するか、メモリー効果によって表面のSe濃度が非常に高くなっていても、その部分をデバイス作成プロセスに入る前に予め除去する。 - 特許庁

A glass containing one or more kinds of nonmetal compounds containing Si, B, C, P, Se and Te is irradiated with pulse laser light to selectively precipitate nonmetal particles in the glass.例文帳に追加

Si、B、C、P、Se、Teの1種又は2種以上を含む非金属化合物を含有するガラスへパルスレーザー光を照射することにより非金属粒子がガラス内部に選択析出させる。 - 特許庁

The resin contains at least one kind selected from resins, organic compounds and organic-inorganic compounds containing the atoms of one or more kinds of elements selected from Si, B, Ti, F, Ge and Se.例文帳に追加

樹脂中には、Si、B、Ti、F、Ge、Seの1種又は2種以上の原子を含有する樹脂、有機化合物、有機・無機複合物を少なくとも1種類含む。 - 特許庁

例文

An alloy selected from elements Ag, Ga and Se is made the main element of the recording material, while the material of the reflecting layer is constituted mainly of Ni, Zn, BiTe, SnTe, Sn, Si, In or Sb.例文帳に追加

記録材料の主元素をAg, Ga, Seの元素から選ばれる合金とし、反射層材料がNi,Zn,BiTe,SnTe,Sn,Si,In,またはSbを主成分とするように構成する。 - 特許庁

例文

At scan shift operation, a signal of a signal level Hi is inputted to an operation mode switching signal input terminal SE of a selector 29 to select a scan test signal of SI.例文帳に追加

スキャンシフト動作時は、セレクタ29の動作モード切替信号入力端子SEに信号レベルHiの信号を入力してSIのスキャンテスト信号を選択する。 - 特許庁

As for the photoconductor, for example, a photoconductor having a current amplifying a mechanism by the avalanche effect is used, and c-Si, a-Se, a-SiC or the like can be used.例文帳に追加

この光導電体としては、例えばアバランシェ効果による電流増幅機構を有するものがあり、具体的にはc−Si、a−Se、又はa−SiC等を用いることができる。 - 特許庁

A selector 30 receives the n bits internal repair signal Si generated by the repair signal generation portion 10 and an n bits external repair signal Se input from outside, and outputs whichever selected.例文帳に追加

セレクタ30は、リペア信号生成部10により生成されたnビットの内部リペア信号Siと、外部から入力されるnビットの外部リペア信号Seを受け、選択されたいずれかを出力する。 - 特許庁

The electrode catalyst consists of an alloy which contains at least one platinum group element and at least one element selected from a group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se, and the crystalline structure of which is amorphous.例文帳に追加

電極触媒は、少なくとも一つの白金族元素と、B、C、Be、Si、P、S、Ga、As及びSeからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる。 - 特許庁

The charge generating layer comprises one or two or more compositions selected from a group of S, Se, Te, Si, SiC, and Ge, and is constituted of an amorphous film.例文帳に追加

電荷発生層がS・Se・Te・Si・SiC・Geの群から選択される1種もしくは2種以上の組成物からなり、かつ非晶質膜で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

By the action of Se, Sb, Zn and Ba, the concentration of easily oxidizable elements such as Si and Mn onto the surface of the steel sheet caused by selective oxidation upon annealing is suppressed, and the reduction of its plating properties and alloying treatability is prevented.例文帳に追加

鋼板表面に濃化しやすいSe、Sb、Zn、Baの作用により、Si、Mnなどの易酸化性元素の焼鈍時の選択酸化による鋼板表面への濃化が抑制され、めっき性や合金化処理性の低下が防止される。 - 特許庁

The organic compound contains a hetero five-membered ring having at least one of an element selected from the group consisting of B, Si, P, Ge, As, Se, Sb, Te, Bi and Po in the ring and a hole transporting structure.例文帳に追加

本発明に係る有機化合物は、B、Si、P、Ge、As、Se、Sb、Te、Bi、及びPoよりなる群から選択される元素を環内に少なくとも1つ有するヘテロ五員環と、正孔輸送性構造とを含有する。 - 特許庁

When an N-type conductive layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1 through an MOVPE method, a mixture of Si2H6 and H2Se as N-type dopant is fed to enable Si and Se to reside in the N-type conductive layer.例文帳に追加

半導体基板1上に、MOVPE法によってn型導電性層2を成長させる場合に、n型ドーパントとしてSi_2H_6およびH_2Seを供給してn型導電性層中にSiおよびSeを存在させる。 - 特許庁

A bonding wire is a silver wire 40 coated with a gold film 41, where the gold film 41 contains at least one element selected out of Na, Se, Ca, Si, Ni, Be, K, C, Al, Ti, Rb, Cs, Mg, Sr, Ba, La, Y, and Ce.例文帳に追加

銀線40と、銀線40を被覆する金膜41とを有し、金膜41は、Na、Se、Ca、Si、Ni、Be、K、C、Al、Ti、Li、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、La、Y、Ceのうちの少なくとも一つの元素を含むことを特徴とするボンディングワイヤ。 - 特許庁

The corrosion resistant steel for shipbuilding has a composition comprising 0.01 to 0.30% C, 0.01 to 2.0% Si, 0.01 to 2.0% Mn and 0.005 to 0.10% Al, and further comprising 0.005 to 0.50% Se, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の造船用耐食鋼は、C:0.01〜0.30%、Si:0.01〜2.0%、Mn:0.01〜2.0%、Al:0.005〜0.10%を夫々含有する他、Se:0.005〜0.50%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなるものである。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、B、C、Be、Si、P、S、Ga、As及びSeからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

The iron based consumable welding material has a composition containing 0.005 to 0.40% C, 0.2 to 8.0% Mn and >1.1 to 8.0% Si, and further containing 0.01 to 1% Se and/or 0.01 to 1% Te.例文帳に追加

本発明の鉄系消耗溶接材料は、C:0.005〜0.40%,Mn:0.2〜8.0%およびSi:1.1%超、8.0%以下を夫々含有すると共に、Se:0.01〜1%および/またはTe:0.01〜1%を含有するものである。 - 特許庁

It is preferable to have aspects that the catalyst contains further a cesium (Cs)-containing catalyst, the reaction is a homo-coupling reaction, the atom in the alkene compound is any of Si, S, Se, O, Ge, Sn, Pb and B atoms and two of the alkene compounds are the same as each other.例文帳に追加

触媒が更にセシウム(Cs)含有触媒を含む態様、反応がホモカップリング反応である態様、アルケン化合物における原子が、Si原子、S原子、Se原子、O原子、Ge原子、Sn原子、Pb原子及びB原子のいずれかである態様、アルケン化合物の2つが互いに同じである態様、などが好ましい。 - 特許庁

The ferrous filler metal is used when the steel members are welded with a laser beam by using a shield gas consisting essentially of nitrogen, and includes an element selected from the group consisting of S, Se and Te by at least 0.03 to 0.6 % (hereafter meaning " mass %" with respect to the total mass of the filler metal) and Si by 1 to 8 %.例文帳に追加

窒素を主成分とするシールドガスを用いて鋼材同士をレーザ溶接する際に用いる鉄系溶加材であって、S,SeおよびTeよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素:合計で0.03〜0.6%(溶加材の全質量に対する「質量%」の意味、溶加材については以下同じ)、および、Si:1〜8%を含有する。 - 特許庁

例文

This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加

天然水に土壌前駆物質より抽出したリン(P),セレン(Se),モリブデン(Mo),アンチモン(Sb),亜鉛(Zn),ニッケル(Ni),コバルト(Co),スズ(Sn),ホウソ(B),マンガン(Mn),鉄(Fe),クロム(Cr),マグネシウム(Mg),ケイ素(Si),バナジウム(V),ベリウム(Be),銅(Cu),チタン(Ti),ジルコニウム(Zr),アルミニウム(Al),ストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca),バリウム(Ba),ナトリウム(Na),カリウム(K),リチウム(Li),リビシウム(Rb)を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁

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