si seとは 意味・読み方・使い方

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

A width BE of the small rib 26E at the vehicle mounting outside SE is wider than a width BI of the small rib 26I at the vehicle mounting inside SI.例文帳に追加

車輌装着外側ＳＥの小リブ２６Ｅの幅ＢＥは、車輌装着内側ＳＩの小リブ２６Ｉの幅ＢＩよりも広い。 - 特許庁

To prevent shift of pn junction and prevent deterioration of crystal quality of optical layer by using Se or S as the dopant at the time of growth of lower guide layer and using Si as the dopant at the time of growth of upper guide layer.例文帳に追加

ｐｎ接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

In an electromagnetic steel sheet that contains Al and/or Si as essential elements and has an insulating coating film on its surface, one or more kinds of nitriding suppressing components selected from Se, Te, As, Sb, P, Bi, Sn and B in a range from 0.005 to 0.5 mass % are contained in the whole steel sheet including the insulating coating film.例文帳に追加

Alおよび／またはSiを必須元素として含有し、表面に絶縁被膜をそなえる電磁鋼板において、絶縁被膜を含む鋼板全体中に、Se, Te, As, Sb, Ｐ, Bi, SnおよびＢのうちから選んだ１種または２種以上の窒化抑制成分を 0.005〜0.5 mass％の範囲で含有させる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a surface layer of Si dope without affecting a device characteristic even though VI element such as Se attaches on the surface of an epitaxial by memory effect, or removing the surface in a very high Se concentration caused by the memory effect before proceeding to a device forming process.例文帳に追加

エピタキシャル表面にメモリー効果でＳｅ等のＶＩ族元素が付着しても、デバイス特性に影響を与えないＳｉドープの表面層を形成するか、メモリー効果によって表面のＳｅ濃度が非常に高くなっていても、その部分をデバイス作成プロセスに入る前に予め除去する。 - 特許庁