「step junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A junction electrode 25 and an extraction electrode 23 are connected together with an inter-electrode joint 27, the junction electrode 25 and a peripheral glass film 33 are bonded together by anodic bonding, the extraction electrode 23 and a through-hole glass film 34 are bonded together by anodic bonding, and the inter-electrode joint 27 is cut off after an anodic bonding step is finished.例文帳に追加

接合電極２５及び引出し電極２３間を電極間接続部２７で接続して形成し、接合電極２５と周縁ガラス膜３３とを陽極接合するとともに、引出し電極２３と貫通孔ガラス膜３４とを陽極接合し、陽極接合後に、電極間接続部２７を切断する。 - 特許庁

To obtain a MOS semiconductor device which enables a high speed operation without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of a silicon substrate and an adjacent growing layer and has a structure for easy controlling in a manufacture step.例文帳に追加

シリコン基板と隣接する成長層とのＰＮ接合による静電容量がなく高速動作が可能であって、製造工程における制御が容易な構造を有するＭＯＳ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The obtained Mahalonobis distance is compared with a predetermined threshold value to distinguish whether it is good or bad for bonding condition, thereby, the quality of the bonding condition of the junction can be determined (step S4).例文帳に追加

このようにして得られるマハラノビス距離を、接合状態の良否を区別するための所定の閾値と比較することによって、上記した接合部における接合状態の良否判定が可能となる（ステップＳ４）。 - 特許庁

This DC-DC converter discharges surge energy to its output side, while absorbing and suppressing it with a capacitor by boosting the surge voltage generated at the junction between the primary winding of a transformer and a switching element by means of a step-up circuit utilizing it, and charging the capacitor connected between the junction and an output end to substantially the output voltage.例文帳に追加

トランスの１次巻き線とスイッチング素子との接続点に発生するサージ電圧を、それを利用する昇圧回路によって昇圧して、接続点と出力端間に接続されたコンデンサを略出力電圧に充電することで、サージエネルギをコンデンサに吸収して抑制しながらＤＣ／ＤＣコンバータの出力側に放出する。 - 特許庁

Image forming processing is performed for paper sheets existing downstream of the jam position 2000, and after waiting passing of all the paper sheets through a junction point 1500 from the paper sheet feeding stage 1210a to a paper sheet carrying route in a step 68, the image forming processing is continued by changing paper sheet feeding from the paper sheet feeding stage 1210a in a step 69.例文帳に追加

ジャム位置２０００より下流にある用紙に対して画像形成処理を順に行い、給紙段１２１０ａから紙搬送路への合流地点１５００を全ての用紙が通過するのを待ち（ステップ（６８））、給紙段１２１０ａからの給紙に切り替わり画像形成処理は継続する（ステップ（６９））。 - 特許庁

Desirably, the diode has a structure in which p-n junction parts 6 are separated by a multiplicity of grooves 7 made deep in a step-wise manner, from end parts of the element toward the center and the interior of the grooves 7 is filled with silicone rubber.例文帳に追加

このダイオードとしては、素子端部から中心に向かって段階的に深くなった多数個の溝７によりｐｎ接合部６が分離され、この溝７内部にシリコーンゴムが埋まった構造を有するものが好適である。 - 特許庁

An injection step using high energy and a small amount of dose is added, thus providing the method for manufacturing the field effect transistor, where the capacity at a p-n junction part between a source and/or the drain and the substrate is reduced.例文帳に追加

高いエネルギー及びわずかなドーズ量を用いた注入ステップを追加することによって、ソース及び／又はドレインと基板との間のｐｎ接合部容量が減少した電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a continuous tire cord that can smoothly pass through the tire cord manufacturing line including the dicing step and the like by simply connecting two cords in a short time through a junction that can be formed through a simple method.例文帳に追加

２本のコードを簡易な方法によって形成される接合部を介して簡単に、短時間に接続し、ダイス工程等を持つ製造ラインにおいて円滑にコードを通過せしめることができる長尺のタイヤコードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, in which a cell region is formed as a shallow junctional region by forming a single crystal silicon in a selective epitaxial growth method, and a deep junction region with a uniform depth is formed at the surrounding region in an ion implantation step.例文帳に追加

セル領域は、選択的エピタキシャル成長方法で単結晶シリコン層を形成して浅い接合領域を形成し、周辺領域はイオン注入で均一な深さの深い接合領域を形成した半導体素子を提供する。 - 特許庁

A main circuit MC of a converter CV is a step up/down chopper circuit including a serially-connected body of main switches M1, M2, an inductor 16 which connects a junction of the serially-connected body and a high-voltage battery 12, and a capacitor 20 connected in parallel to the serially-connected body.例文帳に追加

コンバータＣＶの主回路ＭＣは、メインスイッチＭ１，Ｍ２の直列接続体と、その接続点と高電圧バッテリ１２とを接続するインダクタ１６と、直列接続体に並列接続されるコンデンサ２０とを備える昇降圧チョッパ回路である。 - 特許庁

The solar cell manufacturing method is composed by including a step for crystallizing a hydrogenated amorphous silicon film 16 by heat treatment after forming the hydrogenated amorphous silicon film 16 on a semiconductor substrate already formed with a PN junction.例文帳に追加

ＰＮ接合が形成された後の半導体基板に水素化アモルファスシリコン膜１６を形成し、そのあと熱処理によって水素化アモルファスシリコン膜１６を結晶化させる工程を含んで構成される太陽電池セルの製造方法とする。 - 特許庁

The highly reliable process comprises a step of depositing a metallic pad on an organic light emitting diode device, a step of providing a cutting window for covering at least a portion of a part of the periphery of the metallic pad, and a step of forming a junction having the electrode by cutting the metallic pad and the organic light emitting diode device using the cutting window.例文帳に追加

該電極との接続のために金属性パッドを設け、金属性パッドを有機発光ダイオードデバイス上に沈着するステップと、該金属性パッドの縁辺の少なくとも一部を少なくとも部分的にカバーする切除窓を設けるステップと、前記切除窓を使用して該金属性パッドおよび該有機発光ダイオードデバイスを切除して、電極との接続部を形成するステップとを有することを特徴とする方法によって解決される。 - 特許庁

To provide a superconducting tunnel junction element wherein the magnitude of a critical current and step voltage required for applied electronics is accurately controlled using an oxide superconductor which does not require a very low temperature, with well and designed characteristics provided.例文帳に追加

極低温を必要としない酸化物超伝導体を用いて、エレクトロニクス応用に必要な臨界電流値やステップ電圧の大きさの正確な制御が可能であり、かつ良好かつ設計通りの特性を有する超伝導トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein continuous radar rainfall cannot be precisely determined since when combined with the observation results of an adjacent radar rain gauge, the difference in observation characteristics in each radar rain gauge cannot be perfectly corrected and a step occurs at the junction therebetween.例文帳に追加

隣接するレーダ雨量計の観測結果と合成する場合、個々のレーダ雨量計における観測特性の差を補正しきれないため、互いの接合部に段差が現れてしまうといった問題があり、連続的なレーダ雨量を精度良く求めることができない。 - 特許庁

The method for manufacturing a fuel cell includes a hydrogen treatment step of performing the hydrogen treatment for a hydrogen separation film-electrolyte film junction (10) where an electrolyte film (14) having the proton conductivity is provided on a hydrogen separation film (12) for transmitting the hydrogen in a state of proton and/or hydrogen atom prior to power generation of the hydrogen separation film-electrolyte film junction.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池の製造方法は、水素をプロトンおよび／または水素原子の状態で透過する水素分離膜（１２）上にプロトン伝導性を有する電解質膜（１４）が設けられた水素分離膜−電解質膜接合体（１０）に対し、水素分離膜−電解質膜接合体の発電前に、水素処理を施す水素処理工程を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The manufacturing method of hydrogen separation film-electrolyte membrane junction 100 comprises a step of treating to contain at least one of hydrogen or OH at least in one of the surface or the inside of the hydrogen separation film 10 having an oxygen permeability, and forming the film of the oxidized electrolyte membrane 20 having a proton conductivity on the hydrogen separation film after the treating step.例文帳に追加

水素分離膜−電解質膜接合体（１００）の製造方法は、水素透過性を有する水素分離膜（１０）の表面および内部の少なくとも一方に酸素およびＯＨの少なくとも一方を保持させる処理工程と、処理工程の後に水素分離膜上にプロトン伝導性を有する酸化物型の電解質膜（２０）を成膜する成膜工程と、を含む。 - 特許庁

Still further, a method for manufacturing the semiconductor device from structure elements comprises a step for applying the thin film composition onto an insulating film, and a step for calcining a semiconductor, the insulating film, and the thin film composition to form the electrode, where the structure elements are the semiconductor having a p-n junction and the insulating film formed on a main surface.例文帳に追加

さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor thin film comprises a step of coating a substrate with organic molecules containing both anion atoms an cation atoms of a semiconductor as constituent components by various methods such as spraying, dipping, spin coating and evaporating, and heating to react them, resulting in p-type and n-type semiconductors with a p-n junction formed therebetween.例文帳に追加

本願発明は、半導体のアニオン原子とカチオン原子の双方をその分子構成元素に持つ有機分子をスプレー法、ディップ法、スピンコート法、蒸着法など様々な方法で基板に塗布し、加熱反応させて半導体薄膜を作製する製造方法である。 - 特許庁

The method also comprises the step of manufacturing the magnetoresistance effect element having the ferromagnetic tunnel junction of the constitution in which the oxide layer 106 of the second stage is interposed between the first ferromagnetic layer 103 and the second ferromagnetic layer 107.例文帳に追加

その絶縁層上に第２の強磁性体層（フリー層）１０７を作製することで、第１の強磁性体層１０３と第２の強磁性体層１０７で第２段階の酸化物層１０６を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。 - 特許庁

A DC supply circuit 30 is considered, for example, as a "low side switch type step-down chopper system", and a bipolar transistor 31 as a pn-junction device is connected to a wiring circuit 34 on the positive side in series in the forward direction (arrangement for allowing current to flow in the current direction of the operating current Id).例文帳に追加

直流供給回路３０は、例えば「ローサイドスイッチ型降圧チョッパー方式」としてあり、プラス側の配線経路３４には、ｐｎ接合素子としてのバイポーラトランジスタ３１が直列で順方向（動作電流Ｉｄの電流方向に電流を流す配置）に接続してある。 - 特許庁

An auxiliary circuit part 1 added to a step-up/down converter is equipped with capacitors C1 and C2 which are connected between the collectors and the emitters of transistors Q1 and Q2, and upper and lower auxiliary current paths are constituted between a junction X and a high-voltage power terminal T2 and a reference voltage terminal TS.例文帳に追加

昇降圧コンバータに付加される補助回路部１は、トランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタ・エミッタ間に接続されるコンデンサＣ１、Ｃ２を備え、接続点Ｘと高圧電源端子Ｔ２及び基準電圧端子ＴＳとの間に上方及び下方補助電流径路が構成される。 - 特許庁

A step-up converter 12B includes: IGBT elements Q1B, Q2B connected in series between the node ND1 and a ground node; and a reactor L1B connected between the point of junction between the IGBT elements Q1B, Q2B and the node ND1 and converts voltage VLB into voltage VH.例文帳に追加

昇圧コンバータ１２Ｂは、ノードＮＤ１と接地ノードとの間に直列に接続されるＩＧＢＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ２Ｂと、ＩＧＢＴ素子Ｑ１Ｂ，Ｑ２Ｂの接続点と、ノードＮＤ１とに接続されるリアクトルＬ１Ｂとを含み、電圧ＶＬＢを電圧ＶＨに変換する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device is provided that comprises a step for evaporating a solvent by heating an adhesive and reducing vapor pressure of the solvent in an atmosphere to contact with the adhesive, and a step for forming the junction layer by heating the adhesive, when the adhesive having a resin and the solvent is adhered to a second surface opposed to a first surface on which a circuit pattern of a wafer is formed.例文帳に追加

ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode.例文帳に追加

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。 - 特許庁