「step junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The buffer layer includes a step part that extends over a buried part of the junction termination extension.例文帳に追加

前記バッファ層は、前記接合終端拡張領域の埋め込み部分上を延びる階段部分を含む。 - 特許庁

The first junction surface 51 is joined to the second junction surface 61 via a sealing member 7, and one part of the sealing member 7 is held in the extension surface 52 and the step portion 62.例文帳に追加

第１接合面５１と第２接合面６２とはシール部材７を介して接合され、シール部材７の一部は、延長面５２と段部６２とに保持される。 - 特許庁

A chip mounting step is performed to perform the eutectic junction of an LED chip 10 to a submount member 30 (Fig.1(a)), and then a submount mounting step is performed to perform the eutectic junction of the submount member 30 to a heat transfer plate 21 (Fig.1(b)).例文帳に追加

ＬＥＤチップ１０をサブマウント部材３０に共晶接合するチップ搭載工程を行い（図１（ａ））、その後、サブマウント部材３０を伝熱板２１に共晶接合するサブマウント搭載工程を行う（図１（ｂ））。 - 特許庁

A junction electrode 127 provided on a step part 129 of the anchor part 124a and a junction electrode 111 provided on a fixed electrode 106 are press-contact with each other and are electrically connected.例文帳に追加

アンカー部１２４ａの段差部１２９に設けた接合電極１２７と固定電極１０６に設けた接合電極１１１は互いに圧接して電気的に接続される。 - 特許庁

A method of switching the magnetization orientation of a ferromagnetic free layer of an out-of-plane magnetic tunnel junction cell comprises a step of passing an AC switching current through the out-of-plane magnetic tunnel junction cell.例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法であって、ＡＣスイッチング電流を上記面外磁気トンネル接合セルに通すステップを含む。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

To improve backward breakdown voltage of a Schottky diode or a pn junction diode without adding an intricate step or processing.例文帳に追加

複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやｐｎ接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。 - 特許庁

The entrance end face 1a of the multi-step junction crystal body is formed perpendicular to the incident direction of the input beam.例文帳に追加

この多段接合結晶体の入射端面１ａを入力ビームの入射方向に対して垂直に形成する。 - 特許庁

The production method includes: a step of forming an insulating film equipped with a plurality of openings having a predetermined interval; a step of forming a first electrode on the bottom face and the sidewall of the opening; a step of forming a magnetic tunnel junction layer on the first electrode; and a step of forming a second electrode filled in residual openings on the magnetic tunnel junction layer.例文帳に追加

所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

A step voltage of the SNS-type superconducting junction group 43 is generated between a ground 49 and the left side terminal of output terminals 60.例文帳に追加

接地４９と出力端子６０の左側端子間にＳＮＳ型超伝導接合群４３のステップ電圧が発生する。 - 特許庁

The lead is joined onto the side of a package, and a step is provided at the side being lower than the junction part between the lead and package so that the side of the junction part between the lead and package becomes thick, and the opening end side of the lead becomes thin.例文帳に追加

パッケージの側面にリードを接合し、リードとパッケージの接合部よりも下側に、リードとパッケージの接合部側が太くリードの開放端側が細くなるように段差を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the mounting product in which an electrode 11 of a photo-diode array and an electrode 71 of an ROIC (Read-Out IC) 50 are joined together via the junction bumps 79, 9 includes the step of forming the junction bump 79 on the electrode 71 of the ROIC, and the step of chemical-mechanical-polishing (CMP) the junction bumps 79 on the entire of the ROIC.例文帳に追加

フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method of peeling the metal-resin junction consists of (1) a step for immersing the object having the metal-resin junction and opposing electrodes into an alkaline liquid and (2) a step for impressing a voltage between the metallic portion of the junction and the opposing electrodes for the specified time in such a manner that the potential of the metallic portion is made baser than the standard hydrogen electrode.例文帳に追加

（１）金属−樹脂接合部を有する物体と、対極とを、アルカリ性の液中に浸漬する工程、（２）前記接合部の金属部分と、前記対極との間に、前記金属部分の電位が標準水素電極に対して卑になるように、一定時間にわたり電圧を印加する工程、からなる金属−樹脂接合部の剥離方法。 - 特許庁

In a step of forming a pn junction by diffusion, a diffusion control layer 24 is provided at a part of an opening 28 of a diffusion mask 26.例文帳に追加

拡散によりｐｎ接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

The first junction insulation film 16 inhibits the etching damage in the nonmagnetic intermediate layer 214 during the step of forming the reproducing head 11.例文帳に追加

第１ジャンクション絶縁膜１６は、再生ヘッド１１の形成工程において、非磁性中間層２１４のエッチング・ダメージを抑制する。 - 特許庁

In the second step, a mask formed of a photo resist film forming the PIN junction side wall is formed on the silicon oxide film.例文帳に追加

第２工程は、上記酸化シリコン膜上に上記ＰＩＮ接合部側壁を形成するホトレジスト膜からなるマスクを形成する。 - 特許庁

Then, a surface side of the flat-shaped substrate 15 is opposed to the inner wall step portion of the container main body 7 fixing the IC chip 1, and a first junction terminal 5a of the inner wall step portion and a second junction terminal 5b of the flat-shaped substrate 15 are connected by a solder.例文帳に追加

次に、ＩＣチップ１が固着された容器本体７の内壁段部に前記平板状基板１５の表面側を対向させ、内壁段部の第１接合端子５ａと前記平板状基板１５の第２接合端子５ｂとを半田によって接続した構成とする。 - 特許庁

In the bonded structure formed by bonding a plurality of substrates directly to each other, the substrates have junction surfaces to be bonded directly on their principal planes, and also have step portions formed on the junction surfaces at peripheral edges.例文帳に追加

複数の基板同士を直接接合にて接合した接合構造体において、基板はその主平面に直接接合するための接合面を有しており、基板の周縁部の接合面に段部が形成されている。 - 特許庁

This method comprises: a step of heating a magnetic tunnel junction at a temperature higher than a high-temperature threshold; and a step of orienting a first storage magnetization direction to a second magnetization direction at a certain angle.例文帳に追加

本発明の方法は、前記磁気トンネル接合を高温閾値より上で加熱するステップと前記第１記憶磁化方向を前記第２磁化方向に対して或る角度で指向させるステップとを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

In a step of producing the membrane-electrode junction, in which a water content of a membrane varies, a change in form is prevented by clipping a polymerelectrolyte membrane under pressure to provide it as a membrane-electrode junction high in gas-sealing property, discharge performance and reliability.例文帳に追加

膜の含水量が変化する膜電極接合体の製造工程では、高分子電解質膜を加圧挟持することで形状変化を抑え、ガスシール性の高い、放電特性および信頼性の高い膜電極接合体を供給する。 - 特許庁

Then whether the actual vehicle arrives at a junction point with the determined route or not, is judged (step S104), the actual present position of the vehicle and the virtual position are compared when the arrival is judged (step S105), and a result of the comparison is displayed on the display part (step S106).例文帳に追加

そして、実際の車両が設定ルートとの合流地点に到達したか否かを判断し（ステップＳ１０４）、到達したと判断した場合には実際の車両の現在位置と仮想位置とを比較し（ステップＳ１０５）、比較結果を表示部に表示する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

This method of manufacturing an impeller with a shroud includes a process step of splitting an impeller with a shroud into a member 5 on the outer diameter side and another member 6 on the inner diameter side and processing each member 5 and 6 into a predetermined shape respectively, and a junction step of diffusion-joining the members after the processing.例文帳に追加

シュラウド付インペラーを外径側部品５と内径部側部品６とに分割してそれぞれ所定の形状に加工する加工工程と、加工後の両部品を拡散接合する接合工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is easy and simple for producing a variable capacitance element with a super step junction structure.例文帳に追加

超階段接合構造をもつ可変容量素子を容易かつ簡便に作製することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a top plate for an X-ray fluoroscopic radiography table having a structure without a gap or a step difference in junction parts between a metal frame in both end parts of the top plate and a central plate.例文帳に追加

天板両端部の金属枠と中央の板との接合部に隙間や段差を作らない構造のＸ線透視撮影台用天板を提供する。 - 特許庁

An electrode 7 forming a Schottky junction together with the semiconductor layer 1 is formed on the semiconductor layer 1 from which N atoms on the surface have been removed in this step.例文帳に追加

この工程によって表面のＮ原子４が除去された半導体層１上に、半導体層１とショットキー接合を形成する電極７を形成する。 - 特許庁

Examination is performed in a modified logic junction chart as to if there exists a dummy cell among the detected dummy cells having a modified logic cell function to replace an unnecessary cell, at step S7.例文帳に追加

変更された論理接続図上で不要セルと置換される修正論理セルの機能を有するダミーセルが検索されたダミーセル内に存在するかを調べる（Ｓ７）。 - 特許庁

A folded part 7a is formed at the junction 7 of the extremity of the FFC conductor 5 in such a way that its surface to be joined to the land 6 is oriented to the inside (step of forming a folded part).例文帳に追加

ＦＦＣ導体５の端部の接合部７にランド６と接合される面が内側になるように折れ曲がる折曲部７ａを形成する（折曲部形成工程）。 - 特許庁

An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses.例文帳に追加

段差部１１を有するサファイア基板１０上にＣｅＯ_2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パターン２０を構成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a bonded silicon wafer includes a thinning step of thinning one wafer to 0.1 μm or higher and 20 μm or lower after adhesion and an internal oxygen sucking step of removing a junction interface oxide by sucking oxygen from the vicinity of the junction interface by accelerating thickening a surface oxide film via heat treatment in a mixed atmosphere of chlorine and oxygen.例文帳に追加

接着後に一方のウェーハを０．１μｍ以上２０μｍ以下に薄厚化する薄厚化工程と、 塩素・酸素混合雰囲気で熱処理することで、表面酸化膜の増厚を促進することにより接合界面付近からの酸素を吸い上げて接合界面酸化物を除去する内部酸素吸い上げ工程と、を有してなる。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁

A DC power supply or a DC output is divided by a capacitor, and a reverse blocking IGBT or a bidirectional switch is connected between a junction point in a switching element series circuit and a junction point in a capacitor series circuit to form a switching waveform into a two-step operation waveform.例文帳に追加

直流電源又は直流出力をコンデンサで分割し、スイッチ素子直列回路内部の接続点とコンデンサ直列回路内部の接続点との間に逆阻止形ＩＧＢＴ又は双方向スイッチを接続し、スイッチング波形を２ステップ動作波形とする。 - 特許庁

A annular recess 21 communicated with a space S between the inner circumferential surface 13y of a circumferential step 13s and the outer circumferential surface 14y of the cover member 14 is formed in at least one of the junction surface 13x of the bearing sleeve 13 and the junction surface 14x of the cover member 14.例文帳に追加

軸受スリーブ１３の接合面１３ｘと蓋部材１４の接合面１４ｘの少なくとも一方に、円周段部１３ｓの内周面１３ｙと蓋部材１４の外周面１４ｙの間のすき間Ｓに連通する環状凹部２１を形成する。 - 特許庁

In the second case 6, a step portion 62 provided with an opposite surface 621 opposite to the extension surface 52 via a gap in the center axis J1 of the second junction surface 61 and a coupling surface 622 coupling the second junction surface 61 to the opposite surface 621 is formed.例文帳に追加

第２のケース６には、第２接合面６１の中心軸Ｊ１側に延長面５２と間隙を介して対向する対向面６２１および第２接合面６１と対向面６２１とを連結する連結面６２２を備える段部６２が形成される。 - 特許庁

Paired component junction 2a and 2b for connecting electronic components 3a, 3b, 3c and 3d one by one are formed to reduce a width, such as to reduce the width step by step, for example, in mutual approach directions and the electronic components 3a, 3b, 3c and 3d sized corresponding to the respective steps can be connected.例文帳に追加

一つの電子部品３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを接続する組となる部品接続部２ａ，２ｂを、互いの接近方向に向けて幅狭に、例えば段階的に幅狭になるよう形成し、各段階に対応した大きさの電子部品３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを接続可能とする。 - 特許庁

In a step of bringing bumps closer to other bumps or to an electrode to bond both bumps or the bumps and electrode together, especially in a step of bonding by thermal solder fusion, the position of the approaching side is monitored to examine a state of junction.例文帳に追加

バンプ同士またはバンプと電極部とを近接させて接合する工程において、特に熱による半田の溶融による接合に関して、近接していく側の位置をモニタリングすることで、接合状態を検査することを特徴とする構成である。 - 特許庁

In the transformer wound core, a plurality of blocks of the core as the inner layers form a block 6 have junction parts of a butt-step-lap system, while a plurality of blocks of the core as outer layers form blocks 7 have junction parts for an overlap system, thus suppressing the lap height.例文帳に追加

変圧器巻鉄心において、該巻鉄心の内側層の複数ブロックはバットステップラップ方式による接合部を備えたブロック６とし、該巻鉄心の外側層の複数ブロックは、オーバーラップ方式による接合部を備えたブロック７とすることにより、ラップ高さを抑える。 - 特許庁

To make it possible that a uniform film pattern having even a large area is formed, by preventing ununiformity of mechanical pressing power, deformation of a substrate itself and the like in a step of heating and pressing for junction.例文帳に追加

接合のための加熱加圧工程における機械的加圧力の不均一性や基板自体の変形などを防止し、大面積であっても均一な膜パターンの形成を可能とする。 - 特許庁

The method further includes a step of deciding the coefficient of a relational formula of both the phase growth evaluating parameter S_i and a heat fatigue crack generating lifetime N_i for generating a fatigue crack in the solder of the junction.例文帳に追加

はんだ接合部のはんだに疲労亀裂が生じる相成長評価パラメータＳ_ｉと熱疲労亀裂発生寿命Ｎ_ｉから、この両者の関係式の係数を決定する。 - 特許庁

To provide an SQUID element having a step type Josephson junction which allows the cost down of elements and the use of a large-area substrate.例文帳に追加

段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a metal-ceramic junction body manufacturing method in which widths and thicknesses of a step and a fillet can be freely changed and higher reliability is exhibited for repeated heat cycles.例文帳に追加

段部やフィレットの幅や厚さを自由に変更することができ且つ繰り返しヒートサイクルに対してより高い信頼性の金属−セラミックス接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A difference between time features of charge relaxation in reverse bias is monitored by irradiating wafer under a step with an electron beam at a predetermined intervals plurality of times on condition that junction becomes reverse bias.例文帳に追加

工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。 - 特許庁

In addition, light emitting-side alloying heat treatment which is performed for alloying a light emitting surface-side metallic junction layer 9a' and a compound semiconductor layer 50 is performed before the element substrate sticking step.例文帳に追加

また、光取出面側接合金属層９ａ’と化合物半導体層５０とを合金化する光取出側合金化熱処理が、素子基板貼り合わせ工程の前に実施される。 - 特許庁

A space 10 which is of the size suitable for soldering is formed near the folded part 7a and between the junction 7 and the land 6 by pressing the junction 7 against the land 6 at its boundary 7c by a pressing jig 16 and bringing the boundary 7c and the edge 7b of the junction 7 into contact with the land 6 respectively (step of holding).例文帳に追加

該接合部７をその境界位置７ｃにおいてランド６に対し押さえ治具１６により押し当てて、該接合部７の境界位置７ｃ及び先端縁部７ｂをそれぞれランド６に当接させることにより、折曲部７ａの近傍において接合部７及びランド６の間にはんだ付けのために好適な大きさの空間部１０を形成する（保持工程）。 - 特許庁

The method for manufacturing the hetero junction bipolar transistor comprises a step of sequentially laminating semiconductor layers to become a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6 on a semi-insulating substrate 1, and a step of forming an electrode layer 10 an the emitter cap layer 6.例文帳に追加

半絶縁性基板１上に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６となる各半導体層を順次積層して形成する工程と、エミッタキャップ層６上に、電極層１０を形成する工程とを有する。 - 特許庁