「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The decorative sheet 11 comprises a substrate layer 12 and a coating layer 13 laminated on at least one side of the substrate layer 12 and is ≤10% in the total luminous transmittance.例文帳に追加

化粧シート11は基体層12と、基体層12の少なくとも片面に積層された被覆層13とからなり、全光線透過率が10％以下である。 - 特許庁

An oxide film layer 130 is formed on a substrate 110, and a silicon layer 150 is formed to make an energizing structure with the substrate 110 on the oxide film layer 130.例文帳に追加

基板１１０上に酸化膜層１３０を形成し、酸化膜層１３０上に基板１１０と通電構造をなすようシリコン層１５０を形成する。 - 特許庁

A prism sheet 30 includes an adhesive layer 34 which is disposed between a prism layer 32 and a substrate 36 and bonds the prism layer 32 and the substrate 36 together.例文帳に追加

プリズムシート３０は、プリズム層３２と基体３６との間に設けられ、プリズム層３２と基体３６とを接着する接着層３４を備える。 - 特許庁

A black matrix and the colored layer are formed on the glass substrate on which the transparent layer is formed, wherein the transparent layer is formed on the surface of the glass substrate, by the etching.例文帳に追加

ガラス基板の表面にエッチングで透明層を形成する、透明層が形成されたガラス基板上にブラックマトリックス、着色層を形成すること。 - 特許庁

The conductive film includes the transparent substrate, an adhesion auxiliary layer formed on both surfaces of the transparent substrate, and a conductive polymer layer formed on the adhesion auxiliary layer.例文帳に追加

透明基材、前記透明基材の両面に形成された接着補助層、及び前記接着補助層に形成された伝導性高分子層を含む。 - 特許庁

The adhesive layer 12 securely bonds the copper wiring layer 14 to the glass substrate 11 to prevent the copper wiring layer 14 from peeling from the glass substrate 11.例文帳に追加

接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。 - 特許庁

The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate in a direction separating from the substrate.例文帳に追加

前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。 - 特許庁

A substrate 1, an electronic transit layer 2 formed on the substrate, and an electronic supply layer 3 formed on the electronic transit layer 2 are provided at a compound semiconductor device.例文帳に追加

基板１と、基板１上方に形成された電子走行層２と、電子走行層２上方に形成された電子供給層３と、が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate which obviates the occurrence of peeling and destruction between the substrate and adhesive layer and between the adhesive layer and a clad layer.例文帳に追加

基板／接着層間、接着層／クラッド層間に剥がれや破壊を生じることのない光導波路基板の製造法を提供すること。 - 特許庁

After the lamination, the surface of the substrate 21 formed with the layer 31 is ground until the substrate 21 is formed in a prescribed thickness and a silicon active layer 24 is formed on the layer 22.例文帳に追加

貼り合わせ後、ゲッタリング層３１が形成されたシリコン基板２１の表面を所定の厚さになるまで研削し、シリコン活性層２４を形成する。 - 特許庁

A substrate layer which is composed of a (002)-oriented hexagonal crystal system metal and an antiferromagnetic layer, which is formed on the substrate layer constitute this direction of magnetization controlled film.例文帳に追加

（００２）配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。 - 特許庁

The laminated body 2 includes the substrate 4, a primer layer 6 contacting with the substrate 4, and the functional layer 8 contacting with the primer layer 6.例文帳に追加

本発明の積層体２は、基材４と、この基材４に接しているプライマー層６と、このプライマー層６に接している機能層８とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon semiconductor substrate of which a surface layer part of a silicon substrate is formed of a silicon oxide layer and a single crystalline silicon carbide layer.例文帳に追加

シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An optical disk 1 is structured by laminating a 1st substrate 5, a reflection layer 7, a protection layer 9, a recording layer 11 for hologram recording, and a 2nd substrate 13.例文帳に追加

光ディスク１は、第１基板５、反射層７、保護層９、ホログラム記録用の記録層１１、第２基板１３が積層された構造をしている。 - 特許庁

The wiring layer of each supporting substrate gets into the spaces in the opposite wiring layer, and is held on the supporting substrate 12 with the insulation layer 17 (molten insulation sheet 17a).例文帳に追加

各支持基板の配線層は相互にその間隙に入組んで、融けた絶縁シートの絶縁層１７により同層で支持基板１２上に保持される。 - 特許庁

The bonding layer 26 includes a brazing material layer 28 and metal films 30 which are respectively adhered to the first substrate 10 and the second substrate 24 interposing the brazing material layer 28.例文帳に追加

接合層２６は、ロウ材層２８と、ロウ材層２８を挟んで第１基板１０及び第２基板２４にそれぞれ密着する金属膜３０と、を含む。 - 特許庁

This MOSFET comprises a semiconductor substrate 20, an insulating layer 30 formed on the semiconductor substrate, and an SOI layer 40 formed on the insulating layer.例文帳に追加

半導体基板２０と、半導体基板上に設けられた絶縁層３０と、絶縁層上に設けられたＳＯＩ層４０とを備えるＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

The thin plate 38 is provided with a substrate layer having a main surface formed with plural fine projections and an adhesive layer stuck to the rear surface of the substrate layer.例文帳に追加

薄板部材３８は、複数の微細突起を形成した主表面を有する基材層と、基材層の裏面に添着される粘着剤層とを備える。 - 特許庁

The separator for the fuel cell includes a metal substrate layer, and a carbon layer to contain conductive carbon formed on the surface of the metal substrate layer.例文帳に追加

金属基材層と、前記金属基材層の表面に形成された導電性炭素を含有する炭素層とを含む燃料電池用セパレータである。 - 特許庁

The electronic equipment 1 includes a substrate 2, a conductive layer 3 disposed on the substrate, and an insulating coating layer 4 covering the conductive layer 3.例文帳に追加

電子機器１は、基板２と、基板上に配置された導電層３と、導電層３を覆う絶縁コーティング層４とを備えた電子機器である。 - 特許庁

In an integrated device, a via 14 is formed in a substrate layer 12 and a barrier layer 16 is formed on the substrate layer 12 in the via 14.例文帳に追加

集積されたデバイスにおいて、基板層１２の中に孔が作成され、そして孔１４の中の基板層１２の上に障壁層１６が作成される。 - 特許庁

In the laminate, the polymethylpentene resin layer can be formed on the surface of the substrate in which the center line average roughness Ra of the surface is 0.01-10 μm, and a porous resin layer can exist between the substrate and the polymethylpentene resin layer.例文帳に追加

また、前記積層体は、基材とポリメチルペンテン系樹脂層との間に、樹脂で構成された多孔質層が介在していてもよい。 - 特許庁

A measurement layer 2, that has electrical resistance larger than that of a substrate layer 1 and is formed as one portion of the substrate layer 1 at a side where a contact 6 is formed, is formed.例文帳に追加

基板層１よりも電気抵抗が大きくコンタクト６が形成される側で基板層１の一部として形成される計測用層２を形成する。 - 特許庁

This polyester film for optical use comprises a substrate layer made of a biaxially-stretched polyester and an adhesive layer or layers that are easily adhered to at least one surface of the substrate layer.例文帳に追加

本発明は、二軸延伸ポリエステルでなる基材層と、前記基材層の少なくとも片面に易接着された接着層とを備える。 - 特許庁

The optical waveguide part 20 has a lower clad layer 21, a core layer 24, and an upper clad layer 22 formed on a part of a silicon substrate 73 as a substrate.例文帳に追加

光導波路部２０は、基板としてのシリコン基板７３上の一部に形成された下部クラッド層２１、コア層２４及び上部クラッド層２２を有する。 - 特許庁

INORGANIC POWDER-CONTAINING RESIN COMPOSITION, FILM-FORMING MATERIAL LAYER, TRANSFER SHEET, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH DIELECTRIC LAYER FORMED THEREON AND SUBSTRATE WITH DIELECTRIC LAYER FORMED THEREON例文帳に追加

無機粉体含有樹脂組成物、膜形成材料層、転写シート、誘電体層形成基板の製造方法、および誘電体層形成基板 - 特許庁

1 is the different kind substrate, 2 is a buffer layer grown on the different kind substrate 1 and 3 is the nitride semiconductor crystal layer grown on the buffer layer 2.例文帳に追加

１は異種基板、２は異種基板１上に成長したバッファ層、３はバッファ層２上に成長した窒化物半導体結晶層である。 - 特許庁

A gate insulation layer 102 is formed on an active layer 101 comprising a polysilicon layer formed on a transparent insulation substrate 100 such as a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上にゲート絶縁層１０２が形成されている。 - 特許庁

Then, a release layer 20 between the substrate 10 and the resin layer 30 is dissolved with alkaline solution, so that the resin layer 30 is eliminated from the substrate.例文帳に追加

その後、基板１０と樹脂層３０との間にある剥離層２０をアルカリ溶液で溶解させ、樹脂層３０を基板１０上から除去する。 - 特許庁

A texture in peripheral direction is disposed on a nonmagnetic substrate 11, and an adhesive layer 12 comprising a nonmagnetic amorphous layer is formed in the upper layer of the nonmagnetic substrate 11.例文帳に追加

非磁性基板１１上に周方向のテクスチャーを設け、非磁性基板１１の上層には、非磁性アモルファス層からなる密着層１２を形成している。 - 特許庁

A transparent substrate 21 is provided which is pasted to the transparent substrate 31 via the light-shielding layer 33, and the transparent substrate 31, the light-shielding layer 33, the transparent substrate 21 and the light-shielding layer 22 are laminated in this order.例文帳に追加

遮光層３３を介して透明基板３１に対して貼り合わされた透明基板２１を備え、透明基板３１、遮光層３３、透明基板２１、及び遮光層２２が、この順で積層されている。 - 特許庁

The substrate 6 for an outer layer and the substrate 8 for an inner layer are stacked by bonding the circuit pattern 1-formed face of the substrate 6 for an outer layer and the circuit pattern 7-formed face of the substrate 8 for an inner layer by means of a prepreg 9.例文帳に追加

外層用基材６の回路パターン１が形成された片面と内層用基材８の回路パターン７が形成された片面とをプリプレグ９で接着することにより外層用基材６と内層用基材８とを積層する。 - 特許庁

The head H is manufactured by using a substrate which is formed by pinching a stopper layer by an Si monocrystal substrate and an Si monocrystal layer, and the Si monocrystal substrate forms the ink chamber substrate 200 while the Si monocrystal layer and the stopper layer form the diaphragm 300.例文帳に追加

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。 - 特許庁

A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加

高濃度のＰ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である基板Ｐ^+層２６上に、基板Ｐ^+層２６よりも不純物濃度が低いＰ型層２７を形成し、Ｐ型層２７の上側位置にＮ型光電変換領域１４を設ける。 - 特許庁

A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer.例文帳に追加

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。 - 特許庁

The multilayer molded body comprises a substrate layer, an intermediate layer and a surface layer, and the surface is formed flat, and the intermediate layer 2 has a linear surface layer side protruding portion on the surface layer side or a linear substrate side protruding portion on the substrate layer side opposite to the linear surface layer side protruding portion together with the linear surface layer side protruding portion.例文帳に追加

基材層、中間層および表面層からなり、表面が平坦である多層成形体であって、中間層２が表面層側に凸の線状表面層側凸部を有することまたは線状表面層側凸部と共に該凸部と対峙し基材層側に凸の線状基材層側凸部を有することを特徴とする多層成形体。 - 特許庁

The MTJ structure 100 is formed on a substrate 1 by laminating, in the following order, an antiferromagnetic layer 2, a pinned layer 3, a non-magnetic layer 4, a reference layer 5, a tunneling barrier layer 6, a free layer 7, a non-magnetic layer 8, a drive layer 9, a non-magnetic layer 10 and a pinned layer 12.例文帳に追加

ＭＴＪ構造１００は、基体１の上に、反強磁性層２、ピンド層３、非磁性層４、リファレンス層５、トンネルバリア層６、フリー層７、非磁性層８、ドライブ層９、非磁性層１０、ピンド層１１、反強磁性層１２が順に積層されたものである。 - 特許庁

On a substrate 1, a lower dielectric layer 2, a lower interface layer 3, a nuclei generating layer 4, a recording layer 5, an upper interface layer 6, an upper dielectric layer 7, an adjusting layer 8, and a heat releasing layer 9 are laminated in this order, and the outer surface of each layer is covered with a protecting layer 10.例文帳に追加

基板１上に、下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８、放熱層９をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層１０にて覆う。 - 特許庁

Bonding wires 30Lg1 and 30Lg2 connect exposed part at two position of an upper ground substrate on the substrate side (substrate surface layer ground layer) 26L with a bonding pad connected with a ground layer on the chip side (chip ground layer) 15.例文帳に追加

ボンディングワイヤ３０Ｌｇ１と３０Ｌｇ２は、基板側の上部グランド板（基板表層グランド層）２６Ｌの２箇所の露出部と、チップ側のグランド層（チップグランド層）１５に接続されたボンディングパッドを接続している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate insulating layer 11 composed of a single layer of a silicon oxide film on a glass substrate 12, and a semiconductor layer 1a formed on the substrate insulating layer 11.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ガラス基板１２上に、酸化シリコン膜の単層にて構成された下地絶縁層１１と、該下地絶縁層１１上に形成された半導体層１ａとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

The wallpaper has a substrate layer containing at least wood pulp and an upper layer formed on the substrate layer, wherein the substrate layer contains a compound in which an alkylene oxide is added in an average amount of 4-16 mol to glycerol.例文帳に追加

少なくとも木材パルプを含む支持層と、該支持層上に形成された上層とを有する壁紙であって、グリセリンにアルキレンオキサイドを平均で４〜１６モル付加した化合物を支持層に含有してなる壁紙。 - 特許庁

In the adhesion substrate 1 having a substrate layer 2 made of an inorganic filler-containing resin and an adhesive layer 3 arranged on at least one side of the substrate layer 2, the adhesion substrate 1 has the content of the inorganic filler in the substrate layer 2 of 60-90 mass%.例文帳に追加

無機フィラーを含有する樹脂よりなる基材層２と、該基材層２の少なくとも一方の面に設けられた粘着層３とを有する粘着基材１において、該基材層２中の該無機フィラーの含有量が６０〜９０質量％であることを特徴とする粘着基材１。 - 特許庁

The product being an object has a substrate, and an organic layer in which a refractive index is lower than that of the substrate or the underlying layer formed on an underlying layer consisting of at least one layer that is arranged at the substrate or the surface of the substrate, and in which the difference of the refractive index to the substrate or the underlying layer is at least 0.1.例文帳に追加

基材と、基材または基材の表面に設けられた少なくとも一層からなる下地層の上に形成された、基材または下地層よりも低屈折率の有機層であって、基材または下地層に対する屈折率差が少なくとも０．１である有機層とを有する製品を対象とする。 - 特許庁

The SOI substrate includes: an Si substrate; an SiO_2 layer arranged on one principal surface of the Si substrate; and an Si layer which is arranged on the SiO_2 layer and has adhesion strength with the SiO_2 layer smaller than the adhesion strength between the Si substrate and the SiO_2 layer and further has a thickness thinner compared with the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の一主面上に配置されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上に配置され、前記Ｓｉ基板と前記ＳｉＯ_２層との密着強度に比べ、前記ＳｉＯ_２層との密着強度が小さいと共に、前記Ｓｉ基板に比べて厚みの小さいＳｉ層と、を含むＳＯＩ基板である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate (a lightly-doped substrate 11), an insulating layer (an oxide film 12) formed on the substrate, an active layer 13 formed on the insulating layer, and the metal layer (a metal thin film 15) formed on the backside of the substrate, the substrate and the metal layer having ohmic contact with each other.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、基板（低濃度基板１１）と、基板上に形成された絶縁層（酸化膜１２）と、絶縁層上に形成された活性層１３と、基板の裏面に形成された金属層（金属薄膜１５）と、を有し、基板と金属層はオーミック接触する、ことを特徴とする。 - 特許庁