「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the substrate formed by disposing an SiO_2 layer 102 on an Si substrate 101 and forming a Ti electrode layer 103 and a Pt electrode layer 104 thereon is used as a ground surface substrate and a ferroelectric seed layer 106 and a thin ferroelectric film layer 105 are successively formed on this substrate.例文帳に追加

その際、Ｓｉ基板１０１上にＳｉＯ__2層１０２を設け、その上にＴｉ電極層１０３、Ｐｔ電極層１０４を形成したものを下地基板とし、この基板上に、強誘電体シード層１０６と強誘電体薄膜層１０５を順次形成する。 - 特許庁

With this manufacturing method, a semiconductor substrate 28 is selectively removed after an insulating substrate (sapphire substrate 27) and the semiconductor substrate 28, having a layer structure (epitaxial layer 29) formed are adhered with the layer structure on an adhesion surface side, and the part of the remaining layer structure is used to form an island-shaped semiconductor substrate 31-1 on the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板（サファイア基板２７）と層構造（エピタキシャル層２９）が形成された半導体基板２８とを、層構造を接着面側にして接着した後、半導体基板２８を選択的に除去し、残った層構造の部分を用いて絶縁基板上に島状の半導体装置３１−１を形成する。 - 特許庁

This disk D has the same outside dimension as a usual CD-R or the like and has a lamination structure constituted of a substrate layer 101, a substrate layer 102, a thermosensitive layer 103, a reflecting layer 104, a protective layer 105 and a protective layer 106.例文帳に追加

このディスクＤ’は通常のＣＤ−Ｒ等と外形寸法は同一であり、基板層１０１、基板層１０２、感熱層１０３、反射層１０４、保護層１０５および保護層１０６の積層構造となっている。 - 特許庁

The thermal barrier coating member is formed by stacking a substrate layer 12 and a surface layer 13 on the surface of a metal base material 11 and, as an intermediate layer 14, a rare earth oxide layer is interposed between the substrate layer 12 and the surface layer 13.例文帳に追加

本発明の遮熱コーティング部材は、金属基材１１上に下地層１２と表面層１３とを積層して形成し、下地層１２と表面層１３との間に、中間層１４として希土酸化物層を介装させる。 - 特許庁

Concretely, the film which includes the metal foil layer, an intermediate substrate layer, and a sealant layer and has at least one hole in the metal foil layer and in which no hole is formed in the intermediate substrate layer and the sealant layer is provided.例文帳に追加

具体的には、金属箔層、中間基材層、シーラント層を含み、前記金属箔層に１つ以上の孔を有し、前記中間基材層と前記シーラント層に孔を設けないことを特徴とするフィルムを提供する。 - 特許庁

Peeling is caused on the interface between the element forming layer and separating layer, on the interface between the substrate and separating layer, or inside the separating layer, and the element forming layer is separated from the substrate by winding the element forming layer and supporting base material using a roller.例文帳に追加

素子形成層と剥離層との界面、基板と剥離層との界面、又は剥離層の内部で剥離を生じさせ、素子形成層と支持基材とをローラを用いて巻き取ることにより、基板から素子形成層を分離する。 - 特許庁

The organic light-emitting element is obtained by successively laminating a transparent anode layer 2, a hole transport layer 3, a luminescent layer 4, a hole block layer 5, an electron transport layer 6 and a cathode layer 7 to a glass substrate 1 by vapor deposition.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明陽極層２、正孔輸送層３、発光層４、正孔ブロック層５、電子輸送層６および陰極層７を蒸着により、順次積層してなる。 - 特許庁

A buffer layer 22, an n-type clad layer 23, an MQW layer 24, a p-type clad layer 25, an intermediate layer 26, and a part of a p-type contact layer 27 are grown on a substrate 21 using an MBE method.例文帳に追加

基板２１上にバッファ層２２,ｎ型クラッド層２３,ＭＱＷ層２４,ｐ型クラッド層２５,中間層２６,ｐ型コンタクト層２７の一部をＭＢＥ法で成長する。 - 特許庁

A collector contact layer 33, a collector layer 34, a base layer 35, an emitter layer 36, an emitter cap layer 37, and an emitter contact layer 38 are laminated on the substrate 31 successively by the MBE method.例文帳に追加

この基板３１の上に、ＭＢＥ法によりコレクタコンタクト層３３、コレクタ層３４、ベース層３５、エミッタ層３６、エミッタキャップ層３７及びエミッタコンタクト層３８を順次積層する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 100 has a first orientation controlling layer 2, second orientation controlling layer 4, soft magnetic layer 6, nonmagnetic layer 8, recording layer 12 and carbon protective layer 14 on a substrate 1.例文帳に追加

磁気記録媒体１００は、基板１上に、第１配向制御層２、第２配向制御層４、軟磁性層６、非磁性層８、記録層１２及びカーボン保護層１４を備える。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁

An AlN/GaN superlattice buffer layer 2, an undoped GaN layer 3 and an undoped InGaN layer 4 are grown in the order of the layer 2, the layer 3 and the layer 4 on a sapphire substrate 1 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により、サファイア基板１上にＡｌＮ／ＧａＮ超格子バッファ層２、アンドープＧａＮ層３およびアンドープＩｎＧａＮ層４を順に成長させる。 - 特許庁

A base sacrifice layer 14, a first metal layer 16, a first sacrifice layer 20, a second metal layer 22, a second sacrifice layer 26 and a third metal layer 28 are sequentially laminated on a silicon substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板１２の上に、ベース犠牲層１４，第１金属層１６、第１犠牲層２０、第２金属層２２、第２犠牲層２６、第３金属層２８を順に積層する。 - 特許庁

A lower dielectric layer 12, a crystallization promoting layer 13, a recording layer 14, an upper dielectric layer 15, a reflective radiation layer 16 and a protective layer 17 are successively laminated on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、下部誘電体層１２、結晶化促進層１３、記録層１４、上部誘電体層１５、反射放熱層１６、及び、保護層１７順に積層する。 - 特許庁

A lower layer wiring layer 6 comprising a barrier metal layer 4 and a metal wiring layer 5 is formed in a lower layer wiring trench 3 formed in a lower layer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の下層用絶縁膜２に設けられた下層配線溝３内にバリアメタル層４及び金属配線層５からなる下層配線層６を形成する。 - 特許庁

The transfer part includes a hologram forming layer, a reflecting layer and the information accepting layer in this sequence from the substrate side, and the reflecting layer includes a reflective pattern layer and a visible light transmitting reflective layer.例文帳に追加

転写部は、基材側から、ホログラム形成層、反射層および情報受容層をこの順に有し、かつ、反射層は反射性パターン層および可視光透過性反射層を含む。 - 特許庁

The optical disk has at least a recording layer, a reflective layer, a protective layer, and a print layer on a transparent substrate in this order, wherein total film thickness of the protective layer and the print layer is 20 to 40 μm.例文帳に追加

１．透明基板上に少なくとも記録層、反射層、保護層、印刷層をこの順に有し、保護層と印刷層の合計膜厚が２０〜４０μｍである光ディスク。 - 特許庁

An HBT1 comprises a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a sub-collector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 50, a base layer 60, an emitter layer 70, and an emitter contact layer 80 formed on the emitter layer 70.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層５０と、ベース層６０と、エミッタ層７０と、エミッタ層７０上に形成されたエミッタコンタクト層８０とを有する。 - 特許庁

An HBT 1 includes a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a subcollector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 80, a base layer 90, an emitter layer 100, and an emitter contact layer 110 formed on the emitter layer 100.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。 - 特許庁

An optical recording medium is provided with a substrate 11 and a light transmission layer 12 and further provided with a dielectric layer 31, a noble metal oxide layer 23, a dielectric layer 32, a light absorption layer 22 and a dielectric layer 33 disposed in this order when viewed from the light transmission layer 12 between the light transmission layer 12 and the substrate 11.例文帳に追加

支持基板１１と、光透過層１２と、光透過層１２と支持基板１１との間に光透過層１２から見てこの順に配置された誘電体層３１、貴金属酸化物層２３、誘電体層３２、光吸収層２２及び誘電体層３３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes at least two wiring layers on a substrate or in a surface layer of the substrate, and also includes a silicon carbide layer between the lower-layer wiring layer and upper-layer wiring layer of the two wiring layers when the lower-layer wiring layer is made of silicon.例文帳に追加

基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 - 特許庁

A resin layer 5 having a thickness nearly half a gap E between an array substrate 2 and a counter substrate 21 is provided on a glass substrate 3 of the array substrate 2.例文帳に追加

アレイ基板２と対向基板21との間のギャップＥの約半分の厚さの樹脂層５をアレイ基板２のガラス基板３上に設ける。 - 特許庁

An n-type clad layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer, a p-type clad layer, a ZnSSe cap layer, a ZnSe cap layer 19, a graded composition superlattice layer 20 and a low defect contact layer 21 are laminated sequentially on an n-type substrate.例文帳に追加

ｎ型基板の上にｎ型クラッド層，第１のガイド層，活性層，第２のガイド層，ｐ型クラッド層，ＺｎＳＳｅキャップ層，ＺｎＳｅキャップ層１９，組成傾斜超格子層２０および低欠陥コンタクト層２１を順次積層する。 - 特許庁

The SOI substrate includes a silicon substrate 11, a silicon oxide layer 12 formed on the silicon substrate 11, a silicon layer 13 formed on the silicon oxide layer 12, a getter layer 14 formed in the silicon substrate 11, and a damaged layer 15 formed in the silicon oxide layer 12 and consisting of an impurity implantation region.例文帳に追加

シリコン基板１１と、前記シリコン基板１１上に形成された酸化シリコン層１２と、前記酸化シリコン層１２上に形成されたシリコン層１３と、前記シリコン基板１１中に形成されたゲッター層１４と、前記酸化シリコン層１２に形成された不純物注入領域からなるダメージ層１５を備えている。 - 特許庁

A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 - 特許庁

The transfer method for a large-area graphene includes a step of sequentially forming a graphene layer, a protective layer and an adhesion layer on a substrate, a step of removing the substrate, and a step of arraying the graphene layer so as to bring the graphene layer into contact with a transfer substrate.例文帳に追加

基板上にグラフェン層、保護層及び接着層を順次に形成した後、基板を除去し、次に、転写基板上に、グラフェン層が接触するように、グラフェン層を整列する段階を含む大面積グラフェン転写方法である。 - 特許庁

A trench 41 extending to a field stopping layer 47 or a substrate 31 is formed in a semiconductor substrate where the field stopping layer 47, a drift layer 32, a current spreading layer 48, a body region 33, and a source contact layer are sequentially laminated on the substrate 31.例文帳に追加

基板３１の上にフィールドストッピング層４７、ドリフト層３２、電流広がり層４８、ボディー領域３３およびソースコンタクト層が順次積層された半導体基体に、フィールドストッピング層４７または基板３１に達するトレンチ４１を形成する。 - 特許庁

The bonded substrate body 40 is separated at the defective layer 4 formed in the piezoelectric substrate 2 so that a separation layer 3 between the surface 2a of the piezoelectric substrate 2 and the defective layer 4 is separated from the piezoelectric substrate 2 and bonded to the supporting substrate 10 to form a composite piezoelectric substrate 30, and a surface 3a of the separation layer 3 of the composite piezoelectric substrate 30 is smoothed.例文帳に追加

基板接合体４０を、圧電体基板２内に形成された欠陥層４で分離して、圧電体基板２の表面２ａと欠陥層４との間の剥離層３が圧電体基板２から剥離されて支持基板１０に接合された複合圧電基板３０を形成し、複合圧電基板３０の剥離層３の表面３ａを平滑化する。 - 特許庁

The micro machine device includes a substrate 10, a first material layer 12 provided on the surface of the substrate and a second material layer 16 supported by a sacrifice layer 14 through the space from the first material layer 12.例文帳に追加

基板１０と、該基板の表面に設置された第一材料層１２と、前記第一材料層との間に隙間があり、犠牲層１４に支持された第二材料層１６とを含む。 - 特許庁

A substrate 10 which has stiffness, the storage phosphor layer 20 and a protective layer 30 for the substrate 10 and the layer 20 are laminated in order of mention, and an anti-reflection treatment is given to a side face 31 of the protective layer 30.例文帳に追加

剛性を有する基板１０と、蓄積性蛍光体層２０と、上記保護層３０とをこの順に積層し、保護層３０の側面３１に反射防止処理を施す。 - 特許庁

In a reinforcing tape for multi-row wiring provided with a substrate layer and an adhesive layer, the substrate layer is formed to have an electromagnetic interference suppressing function by mixing soft magnetic power in the layer.例文帳に追加

基材層と接着層とを備えた多列配線用補強テープにおいて、前記基材層が軟磁性粉末を含有して電磁干渉抑制機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

The vertical magnetic recording medium is constituted of a substrate 11 and a soft magnetic backing layer 12, a magnetic flux control layer 101, a recording layer 16, a protective film 18 and a lubricant layer 19 which are sequentially layered on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、磁束制御層１０１、記録層１６、保護膜１８、及び潤滑層１９を順次積層した構成からなる。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 6 is formed on the substrate 3, and an n-type buried diffusion layer 10 is formed on a p-type buried diffusion layer 7 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板３にはＰ型の埋込拡散層６が形成され、基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層１０がＰ型の埋込拡散層７上に形成されている。 - 特許庁

In a mask blanks 1 having a hard mask layer 3 on a substrate 2, the hard mask layer 1 includes a lamination structure where a first layer 5 and a second layer 6 are arranged from the substrate 2 side.例文帳に追加

基板２上にハードマスク層３を有するマスクブランクス１において、前記ハードマスク層１は、前記基板２の側から第一層５と第二層６とが配される積層構造を有する。 - 特許庁

A control gate layer covering the substrate 100 via a gate oxide layer is formed on the substrate 100, the control gate layer is patterned to form a control gate, an interlayer insulating layer pattern and a floating gate on the cell array part.例文帳に追加

半導体基板１００上にゲート酸化層を介して覆うコントロールゲート層を形成し、パタニングしてセルアレー部にコントロールゲート、層間絶縁層パターン及び浮遊ゲートを形成する。 - 特許庁

In the case of the disk substrate, a coating layer is formed on the recording layer, and in the case of the resin sheet, the recording layer is stuck to a recording layer formed on the disk substrate in a different process.例文帳に追加

次に、ディスク基板の場合は記録層上に被覆層を形成し、樹脂シートの場合は上記記録層と別工程でディスク基板に形成した記録層とを貼り合わせる。 - 特許庁

After a gate insulating layer is formed on a silicon substrate, a metal gate substance layer including at least a metal layer is deposited on the silicon substrate on which the gate insulating layer is formed.例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁層を形成した後、前記ゲート絶縁層が形成されたシリコン基板上に少なくとも金属層を含む金属ゲート物質層を蒸着する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 comprises a substrate 11 made of glass or the like, a backing layer 12 laminated on the substrate 11, an intermediate layer 13, a recording layer 14 and a protective layer 15.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、ガラス等からなる基板１１と、その基板１１上に積層された裏打層１２、中間層１３、記録層１４及び保護層１５とにより構成される。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element, an overflow barrier layer 20 is formed on an n-type silicon substrate 10, which serves as the lower- layer substrate of the element and a high-resistance epitaxially grown layer 30, is formed on the barrier layer 20.例文帳に追加

下層基板となるｎ型シリコン基板１０の上に、オーバーフローバリア層２０が形成されており、その上層に高抵抗エピタキシャル成長層３０が形成されている。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1, and a trench h is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3 to expose the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基材１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基材１を露出させるトレンチｈを形成する。 - 特許庁

After an epitaxial layer 15 is formed on the low porosity porous layer 12 and a substrate body is arranged on the epitaxial layer 15, the epitaxial layer 15 is separated from the formation substrate 11.例文帳に追加

次いで、低多孔率多孔質層１２上にエピタキシャル層１５を形成し、エピタキシャル層１５上に基板本体を配設したのち、エピタキシャル層１５を形成用基板１１から分離する。 - 特許庁

The optical recording layer 3 is formed on a recording layer substrate 1 with an optical recording area 1b formed all over the recording layer substrate 1, and further, a UV cured resin 4 is applied to the optical recording layer 3.例文帳に追加

光記録領域１ｂが一面に形成された記録層基板１に、光記録層３が形成され、この光記録層３上にさらにＵＶ硬化樹脂４が塗布される。 - 特許庁

Further, both the first substrate and the second substrate are formed of glass, and each deposition layer of silver or gold is formed on each side face of the first substrate and the second substrate, and the deposition layer of the first substrate and the deposition layer of the second substrate are bonded together with silver soldering or soldering.例文帳に追加

さらには、第１の基板と第２の基板は共にガラスであって、第１の基板と第２の基板の側面に銀または金の蒸着層を形成し、第１の基板の蒸着層と第２の基板の蒸着層を銀ロウまたはハンダで接合したことを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate; a first alignment layer installed on the first substrate; a second alignment layer installed on the second substrate; a first electrode; and a second electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、第一電極と、第二電極と、を含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor substrate, a silicon substrate is immersed in pure water, an ultrasonic wave is applied to the substrate, thereafter OSF cores are formed on the surface of the silicon substrate by applying heat treatment to the substrate, and the SiGe layer or the SiGe layer, and a Si layer are formed on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を純水中に浸漬させて超音波を印加した後、熱処理することにより、シリコン基板表面にＯＳＦ核を形成し、前記シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層、または、ＳｉＧｅ層とＳｉ層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁