「substrate solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of cleaning reflective photomask blanks 10 in which the conductive film is formed on one surface of a glass substrate and attractively held by the electrostatic chuck using the organic dielectric for the attractive holding surface is characterized in installing the mask blanks 10 in a spin cleaning apparatus 20 with the conductive film up and in cleaning the surface of the conductive film by supplying a 0.1 to 5 normal alkali metal hydroxide aqueous solution from a cleaning discharge port 23.例文帳に追加

ガラス基板の一方の面に導電膜が形成され、吸着保持面に有機系の誘電体を用いた静電チャックにより、該導電膜が吸着保持される反射型マスクブランクス１０の洗浄方法であって、マスクブランクス１０を導電膜を上にしてスピン式洗浄装置２０に設置し、洗浄吐出口２３より、０．１〜５規定のアルカリ金属水酸化物水溶液を供給して前記導電膜表面を洗浄することを特徴とする反射型マスクブランクスの洗浄方法。 - 特許庁

When a silver halide photographic sensitive material having at least one photosensitive silver halide photographic emulsion layer on the substrate is developed, fixed, stabilized and dried with an automatic processing machine having a developing tank, a fixing tank, a stabilizing tank and a drying part, a stabilizing solution not substantially containing aldehydes is used, the stabilizing tank is divided into two or more tanks and heat drum drying is carried out.例文帳に追加

支持体上に少なくとも一層の感光性ハロゲン化銀写真乳剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料を現像槽、定着槽、安定化槽及び乾燥部を有する自動現像機を用いて現像、定着、安定化及び乾燥処理するハロゲン化銀写真感光材料の処理方法において、実質的にアルデヒド類を含有しない安定化液を用い、安定化槽を２槽以上とし、かつ乾燥処理をヒートドラム乾燥とすることを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料の処理方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the polymer electrolyte membrane by coating a solvent solution containing a polymer electrolyte on a substrate and then removing the solvent, a mixture of a first solvent comprising at least one selected from lower alcohols and ether alcohols and a second solvent comprising non-alcoholic organic solvent selected from haloalkans, ethers, ketones, nitriles, and aprotic polar solvents, having lower boiling point than the first solvent is used.例文帳に追加

高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去することによる高分子電解質膜の製造方法において、溶媒として、低級アルコール及びエーテルアルコール類から選ばれる少なくとも１種からなる第一の溶媒と、第一の溶媒よりも沸点の低い、ハロアルカン類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類及び非プロトン性極性溶媒から選ばれる非アルコール系有機溶媒からなる第二の溶媒とを含有する混合溶媒を用いる製造法によって得られた高分子電解質膜。 - 特許庁

In order to locate the particles 30 at the intersections, a solution with the particles 30 dispersed in a solvent is discharged as drips from a supply port with a potential applied toward a row line formed surface of the first substrate 10, or a column line formed surface of the second substrate 20 before the first and second substrates are located to face each other.例文帳に追加

平行配置された複数本の行線１１が設けられた第１の基板１０と、平行配置された複数本の列線２１が設けられ、該列線２１が行線１１と交差するように第１の基板１０と間隙を介して対向配置された第２の基板２０と、行線１１と列線２１との各交差部に選択的に配置され、且つ対向する行線１１と列線２１間及び隣接する交差部間で移動可能な粒子３０とを備えた記憶装置の製造方法であって、粒子３０を交差部に配置するために、第１及び第２の基板を対向配置する前に、第１の基板１０の行線形成面又は第２の基板２０の列線形成面に向けて、粒子３０を溶媒に分散させた状態の溶液を、電界が印加された供給口から液滴として吐出させる。 - 特許庁

The wiring formation method includes: a process for forming a coating layer 3 having a dispersed solution including conductive fine particles, on a resin substrate 1; a process for forming a conductive fine wiring 4 by consecutively irradiating a specific area of the coating layer 3 with a laser beam 6; and a process for removing material in the area other than the conductive fine wiring 4.例文帳に追加

樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ_0、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ_1とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。 - 特許庁

A resist solution is applied on a substrate and dried and the formed resist film is patternwise exposed and developed to form a pattern.例文帳に追加

基板上にレジスト溶液を塗布し、乾燥した後、形成されたレジスト膜をパターン状に露光し、次いで、現像する工程を含むパターン形成方法において、基板上にレジスト溶液を塗布した後、乾燥する前に、基板表面の端部に過剰に存在するレジスト溶液(a) 、レジスト溶液の塗布時に基板側面から裏面に回り込んで付着したレジスト溶液(b) 、または、これらのレジスト溶液(a) 及び(b) の両方を、プロピレングリコールモノメチルエーテル６０〜９５重量％と酢酸ブチル５〜４０重量％との混合物からなる洗浄液を用いて洗浄し除去する工程を配置することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁