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substrate solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2912件
This manufacturing method is characterized by including a process of forming the hole transport layers 4 by applying a coating liquid containing a hole transport material between the pixel barrier ribs 3 formed on the substrate 1, thereafter arranging a solution used as a solvent of the hole transport material on the surfaces of the hole transport layers 4, furthering leveling, and thereafter drying it.例文帳に追加
基板1上に形成した画素隔壁3間に、正孔輸送材料を含む塗工液を塗布し正孔輸送層4を形成した後、正孔輸送材料の溶媒となる液を正孔輸送層4表面上に配置し、レベリングを促し、その後乾燥する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a paste for a barrier rib and a manufacturing method of PDP using the paste for the barrier rib wherein a problem that a dry film formed by the paste for the barrier rib comes off from a glass substrate in developing by an alkali developer solution in a sand blast method can be solved even in the case of using unleaded or low-leaded alkali-containing glass.例文帳に追加
無鉛または低鉛のアルカリ含有ガラスを使用した場合でも、サンドブラスト法においてアルカリ現像液による現像時に隔壁用ペーストから形成された乾燥膜がガラス基板からはがれるという問題を解消できる隔壁用ペーストおよび該隔壁用ペーストを用いたPDPの製造方法の提供する。 - 特許庁
In the method for producing an optical product where an optical thin film is formed on a substrate using two targets by sputtering, the two targets for the sputtering are each composed of Si, and a mixed solid solution composed of at least one transition metal selected from Ti, Nb, Ta, Zr, Hf and Mo, and Si.例文帳に追加
スパッタリングにより2つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の2つのターゲットが、Siおよび、Ti、Nb、Ta、Zr、HfおよびMoから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とSiからなる混合固溶体である。 - 特許庁
Cleaning the semiconductor substrate with the solution containing a small amount of CN^- ion and adjusted at pH 9 to 14 at a temperature of 50°C or below, preferably at a range of 30 to 40°C, removes the initial metallic contamination of a surface copper concentration of about 10^13 atom/cm^2 to 10^9 atom/cm^2 or below.例文帳に追加
半導体基板を、少量のCN^−イオン含有,pH9〜14に調整された溶液によって、50℃以下、好ましくは30℃〜40℃の範囲の温度で洗浄処理することで、当初の表面銅濃度約10^13原子/cm^2の金属汚染が、10^9原子/cm^2以下にまで除去される。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor film includes applying a solution containing semiconductor particles and a binder onto a first conductive substrate, drying the application liquid, and then warming it in a range of 130-300°C; while by giving a pressure of 20-40 MPa thereto, a semiconductor layer is formed.例文帳に追加
第1の導電性基材上に、半導体微粒子とバインダーとを含む溶液を塗布し、該塗布液を乾燥させた後、20〜40MPaの圧力を加え、該圧力と並行して130〜300℃の範囲内で加温することにより、半導体層を形成することを特徴とする半導体膜の製造方法。 - 特許庁
There are provided the dye solution containing a melanin precursor produced by an enzymatic oxidation reaction of at least one substrate compound selected from the group consisting of DOPA(3-(3,4-dihydroxyphenyl)alanine) and an analog thereof, and ethanol, wherein the chloride ion concentration is 300 ppm or less; and a method for producing the same.例文帳に追加
DOPA(3-(3,4-ジヒドロキシフェニル)アラニン)及びこれらの類縁体からなる群より選ばれる少なくとも1種の基質化合物の酵素酸化反応により製造されたメラニン前駆体、及びエタノールを含有する染料溶液であって、塩化物イオン濃度が300 ppm以下であることを特徴とする染料溶液、並びにその製造方法。 - 特許庁
The sulfur-doped silicon film is produced in such a way that by performing a second heat treatment after a solution containing the sulfur-modified silicon compound is coated on a substrate in an inert atmosphere, the sulfur-modified silicon compound is decomposed and silicon atoms contained in the sulfur-modified silicon compound are conbimned to other silicon atoms or sulfur atoms.例文帳に追加
硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第2の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 - 特許庁
A method for removing resist includes an irradiation step of irradiating ion-implanted resist with ultraviolet light to an extent such that the cured layer of the resist formed by implanting ions becomes alkali-soluble, and a removing step of bringing the resist into contact with an alkali solution to peel the resist from a silicon substrate.例文帳に追加
レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。 - 特許庁
In the electroluminescence element having a cathode and an anode on a substrate and a plurality of organic layers between them, at least one organic layer is formed using a dispersion solution and one of the organic layer contains a compound composed of an isomer.例文帳に追加
基板上に陰極と陽極を有し、その間に複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも1層が分散液を用いて形成される層であり、且つ該有機層のいずれかに異性体からなる化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11.例文帳に追加
素子分離溝が設けられた前記半導体基板10上に、ブタノール濃度が30ppm以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜15を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜11とする。 - 特許庁
To provide the positive photoresist composition good in sensitivity to deep ultraviolet rays, especially, ArF excimer laser beams and good in resolution and adhesion to a substrate and good in developability in developing solutions used for the conventional resists, such as an aqueous solution of 2.38% tetramethylammonium hydroxide.例文帳に追加
深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、良好な感度、解像度を有し、且つ基板との密着性が良好で、従来のレジストに使用していた現像液(例えば2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)に対しても良好な現像性を示すポジ型フォトレジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
This positive resist composition contains a substrate component (A) where solubility to an alkali developing solution is increased by the action of an acid, and an acid generator component (B) for generating an acid by exposure.例文帳に追加
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、前記基材成分(A)は、一般式(a0−1)で表される基を含む構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 特許庁
This is the gel polymer electrolyte in which lithium ions can be conducted, and this is adopted while a matrix polymer formed by polymerizing substrate monomers having either one or both of an acrylate group and a methacrylate group and a reactive monomer having a dioxolane ring and a non-aqueous electrolytic solution are mixed.例文帳に追加
リチウムイオンを伝導可能なゲルポリマー電解質であって、アクリレート基またはメタクリレート基のいずれか一方または両方を有する基質モノマーとジオキソラン環を有する反応性モノマーとが重合されてなるマトリックスポリマーと、非水電解液とが混合されてなることを特徴とするゲルポリマー電解質を採用する。 - 特許庁
The method for manufacturing the inkjet recording medium comprises: the first coating liquid preparing process which prepares the first coating liquid by mixing a zirconium compound-containing liquid comprising inorganic fine particles and a zirconium compound with an acetoacetyl-modified polyvinyl alcohol water solution; and a coating layer forming process which forms a coating layer by coating a substrate with the first coating liquid.例文帳に追加
無機微粒子及びジルコニウム化合物を含有するジルコニウム化合物含有液とアセトアセチル変性ポリビニルアルコール水溶液とを混合して第1の塗布液を調製する第1の塗布液調製工程と、支持体上に前記第1の塗布液を塗布して塗布層を形成する塗布層形成工程と、を有している。 - 特許庁
To provide a sealing agent composition for dye-sensitized solar cell which has a superior durability to an electrolyte solution used for dye-sensitized solar cell and is superior in adhesion with an electrode substrate, and has a sealing performance with high reliability, and a sealing agent for dye-sensitized solar cell using the same.例文帳に追加
色素増感型太陽電池に使用される電解液に対して優れた耐性を有し、電極基板との接着性に優れ、信頼性の高いシール性能を有する色素増感型太陽電池用封止材組成物およびそれを用いた色素増感型太陽電池用封止材を提供する。 - 特許庁
The method of forming the high dielectric constant oxide film is performed by forming a high dielectric constant oxide film using an organic metallic compound on a semiconductor substrate and cleaning the resultant high dielectric constant oxide film with an oxidizing gas or ozone aqueous solution to remove organic contamination produced in the formation of the oxide film.例文帳に追加
半導体基板上に有機金属化合物を用いて高誘電率酸化膜を形成し、得られた高誘電率酸化膜を酸化性ガスまたはオゾン水溶液で清浄化処理してその酸化膜形成時に発生した有機系汚染物を除去する高誘電率酸化膜の形成方法である。 - 特許庁
In the manufacturing method for the ink jet recording sheet and in regard to the ink jet recording sheet (1), the ink receiving layer containing at least the polyurethane resin having water-swelling properties is formed on a substrate, and a water solution containing at least a urea and/or a 2-pyrrolidone is applied to the surface of the ink receiving layer.例文帳に追加
(1)支持体上に、少なくとも水膨潤性ポリウレタン系樹脂を含むインク受容層を形成し、該インク受容層の表面に、少なくとも尿素および/または2−ピロリドンを含む水溶液を付与することを特徴とするインクジェット用記録シートの製造方法およびインクジェット用記録シート。 - 特許庁
The original plate of the lithographic printing plate has an organic compound layer, which is treated with an aqueous solution containing an organic acid or alkaline metal ions, and an image recording layer developable with the dampening water and/or the ink as an upper layer of the organic compound layer, on a substrate for the lithographic printing plate obtained by anodizing an aluminum plate.例文帳に追加
アルミニウム板に陽極酸化処理を施して得られる平版印刷版用支持体上に、有機化合物層を有し、該有機化合物層を、有機酸またはアルカリ金属イオンを含む水溶液で処理し、その上層に、湿し水および/またはインキで現像可能な画像記録層を有する平版印刷版原版。 - 特許庁
This adhesive sheet 1 comprises a substrate sheet layer 2, an adhesive layer 3, a permeating material layer 4 and a sticking agent layer 5 from the surface side in this order, wherein a sticking agent capable of being dissolved or dissociated in a neutral or alkaline aqueous solution is used as a sticking agent forming the sticking agent layer 5.例文帳に追加
基材シート層2と接着層3と浸透性材層4と粘着剤層5とを表面側から順に備えており、この粘着剤層5を構成する粘着剤として中性水又はアルカリ性水溶液に溶解又は離解する粘着剤が用いられている粘着シート1である。 - 特許庁
A Co silicide layer 17 is formed as a cap layer in a specified region of a silicon substrate 1 provided with a polymetal gate electrode 9 including tungsten by using a TiN film 16, and the TiN film 16 is wet-etched using an H_2SO_4 solution, for example, so that a TiN/W selection ratio becomes 5 or larger.例文帳に追加
タングステンを含むポリメタルゲート電極9が設けられたシリコン基板1の所定の領域に、キャップ膜としてTiN膜16を用いてCoシリサイド層17を形成した後、TiN/W選択比が5以上となるように、TiN膜16に対して例えばH_2SO_4溶液を用いてウェットエッチングを行なう。 - 特許庁
For example, a washing method wherein the surface of the substrate is scrubbing washed, ultrasonically washed by a 20-50 kHz low frequency ultrasonic wave in an alkaline detergent solution, successively washed with warm pure water, a pure water and an ultra pure water in this order and finally dryed by using IPA vapor is applied.例文帳に追加
例えば、基板表面をスクラブ洗浄した後、アルカリ洗剤溶液中で20kHz〜50kHzの低周波超音波で超音波洗浄を行い、続いて、通常行われる温純水洗浄,純水洗浄,超純水シャワーを順次行った後、IPAベーパーを用いて乾燥する洗浄方法を適用する。 - 特許庁
An ozone solution is brought into contact with a substrate 6 arranged with a filler member 4 in a prescribed pattern in a resin and the resin portion is selectively activated and is etched to expose the surface of the filler member 4; thereafter, an electroless plating film 7 is formed on a portion exclusive of the surface of the filler member exposed by the electroless plating treatment.例文帳に追加
樹脂中に所定パターンでフィラー部材4を配置した基板6にオゾン溶液を接触させ、樹脂部分を選択的に活性化するとともにエッチングしてフィラー部材4の表面を露出させた後、無電解めっき処理により露出するフィラー部材の表面を除く部分に無電解めっき被膜7を形成する。 - 特許庁
This equipment comprises arranging several anodes 48a, 48b, and 48c concentrically divided from one anode 48 in a plating tank 50 having a plating solution 45 therein, so as to face them with a substrate W, and connecting these divided anodes 48a, 48b, and 48c individually with plating power sources 51a, 51b, and 51c.例文帳に追加
めっき液45を保有するめっき槽50内に位置して基板Wに対峙した位置に配置されるアノード48を同心状に分割した複数の分割アノード48a,48b,48cから構成し、これらの各分割アノード48a,48b,48cを個別にめっき電源51a,51b,51cに接続できるようにした。 - 特許庁
At the time of joining the conducive layer 2 formed on the substrate 3 and the terminal lead 6 provided on the electronic component 5 with the lead by flow soldering, the solder 7 forming the joining part is composed of a hyper-eutectic alloy whose main component is an Sn solid solution whose purity is 99.9 wt.% or higher.例文帳に追加
基板3に形成された導電層2とリード付き電子部品5に備える端子リード6とをフロー半田付けによって接合するとき、この接合部を形成する半田7を、純度が99.9重量%以上であるSn固溶体を主成分とする過共晶合金からなるものとする。 - 特許庁
Alternatively, after the primary coat is applied with an applying solution containing a plurality of: hydrolizable silicon compounds having a functional group selected from a methacryloxy group, a vinyl group, an allyl group or an amino group; a silicon compound different from each other of their hydrolysis products; and/or their hydrolysis products, the substrate obtained by drying may be used.例文帳に追加
又は、上記第一次被膜は、メタクリロキシ基、ビニル基、アリル基またはアミノ基から選ばれる官能基を有する加水分解性珪素化合物もしくはその加水分解物の内の互いに異なる珪素化合物もしくはその加水分解物を複数含む塗布液を塗布した後、乾燥させて得られるものを用いても良い。 - 特許庁
A surface conduction type electron emission element group made of a conductive thin film is formed by injecting and imparting, by an ink jet head 33 having a discharge opening diameter Φ below 25 μm, droplets 42 of a solution containing a material for forming the conductive thin film between a plurality of pairs of respective element electrodes 2 and 3 on a substrate 14.例文帳に追加
基板14上の複数対の各素子電極2,3間に導電性薄膜を形成するための材料を含有する溶液の液滴42を吐出口径Φ25μm以下のインクジェットヘッド33により噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁
The method of manufacturing semiconductor device has a step (a step S10) for forming a silicon oxynitride film on a semiconductor substrate, a step (a step S12) for performing treatment to make the surface of the silicon oxynitride film hydrophilic, and a step (a step S14) for performing hydrofluoric acid solution treatment on the surface of the silicon oxynitride film.例文帳に追加
本発明は、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程(ステップS10)と、酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程(ステップS12)と、酸化窒化シリコン膜の表面にフッ酸水溶液処理を行う工程(ステップS14)と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
The method for obtaining a conductive coating film comprises steps of: applying the colloidal solution of metal, using an ink jet device, on a surface of a substrate where a receptive layer for jetted ink is formed; and drying the resultant film at a temperature of 100°C or below.例文帳に追加
金属コロイド溶液をインクジェット方式により基材に塗布して、導電性コーティング膜を得る方法において、上記塗布が行われる基材表面にインクジェットインク用受容層が形成されており、塗布後の乾燥が100℃以下で行われることを特徴とする導電性コーティング膜の形成方法。 - 特許庁
An image formation material comprises a lower layer containing a polymer which has a carboxylic group in a side chain and at least a part of which forms a salt structure together with a univalent basic compound, and an infrared absorbent; and an upper layer of which solubility in alkali aqueous solution is increased by heating; which are sequentially arranged on a substrate.例文帳に追加
支持体上に、カルボン酸基を側鎖に有し、該カルボン酸基の少なくとも一部が一価の塩基性化合物と塩構造を形成しているポリマー及び赤外線吸収剤を含む下層と、熱によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する上層とを、順次備える画像形成材料。 - 特許庁
This coating membrane for evaluating the infiltrating ability of the cells, including (a) a porous membrane and (b) a composition on the surface of the porous membrane, is characterized in that the composition includes a reconstituted flocculated extracellular substrate originated from Englebreth-Holm-Swarm mouse tumor, a pH 7.8 to 8.2 buffer solution, and a polyol.例文帳に追加
a)多孔膜と、b)前記膜の表面上にある組成物とを含み、前記組成物が、Englebreth−Holm−Swarmマウス腫瘍由来の再構成凝集細胞外基質、pH7.8〜8.2の緩衝液、およびポリオールを含むことを特徴とする細胞の浸潤能を評価するための被覆膜。 - 特許庁
In the color filter with respective pixel parts for red, green and blue on a transparent substrate, the color filter is characterized by using the solid solution pigment composed of nonsubstituted quinacridone and 4,11- dichloroquinacridone with 50-150 m^2/g BET (Brunauer-Emmett-Teller) specific surface area measured by a nitrogen adsorption method as the red pixel part.例文帳に追加
透明基板上に赤色、緑色及び青色の各画素部を有するカラーフィルターにおいて、前記赤色画素部として、窒素吸着法によるBET比表面積が50〜150m^2/gである、無置換キナクリドンと4,11−ジクロロキナクリドンとの固溶体顔料を用いることを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁
This is the separator whose substrate part consists of polyolefinic resin 20 to 80 wt.% and inorganic powder 80 to 20 wt.%, and which is the separator for the nonaqueous electrolytic solution battery characterized that it is composed of a mineral material containing a porous membrane wherein at least a surface part of one side is substantially consisting of polyolefinic resin only.例文帳に追加
基体部分がポリオレフィン系樹脂20〜80質量%と無機粉体80〜20質量%で構成され、かつ、少なくとも片面の表面部が実質的にポリオレフィン系樹脂のみで構成される無機質含有多孔膜からなることを特徴とする非水電解液電池用セパレータである。 - 特許庁
The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加
ウエハWに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハWにエッチング処理を行うための処理部10と、処理部10にあるウエハWにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部27と、を備える。 - 特許庁
The method for forming a brilliant coating film comprises forming a brilliant base coating film on a substrate to be coated using a brilliant base coating material containing a solution that contains noble metal or copper colloidal particles, heating or setting the brilliant base coating film, and then forming a clear coating film by the predetermined subsequent step.例文帳に追加
被塗基材に、貴金属または銅のコロイド粒子を含む貴金属または銅のコロイド粒子溶液を含有する光輝性ベース塗料により光輝性ベース塗膜を形成した後、上記光輝性ベース塗膜を加熱またはセッティングし、次いで所定の工程によりクリヤー塗膜を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁
A substrate provided with a bottom semiconductor film 12 including a lattice constant of which difference from the lattice constant of a semiconductor film 13 is within 10%, as well as including band gap energy smaller than that of the semiconductor film 13, in a bottom layer of an etching region 14 of the semiconductor film 13 is dipped in etching solution.例文帳に追加
半導体膜13のエッチング領域14の下層に、半導体膜13のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有するとともに、半導体膜13の格子定数との差が10%以内の格子定数を有する下地半導体膜12を設けた基板を、エッチング液に浸漬する。 - 特許庁
A metal oxide layer to be formed into a crystal nucleus is preformed on a substrate (first step), and thereafter, a zinc oxide precursor solution is applied thereto, and thermolysis is performed at ≤200°C (second step), thus a transparent zinc oxide thin film having c-axis orientation can be easily formed on the crystal nucleus inexpensively.例文帳に追加
基板上にあらかじめ結晶核となる金属酸化物層を形成させた(第一工程)後、これに酸化亜鉛前駆体溶液を塗布し、200℃以下の温度で加熱分解する(第二工程)ことによって、結晶核上に、c軸配向性を持ち、かつ透明な酸化亜鉛薄膜を、低コストかつ簡易に形成することができる。 - 特許庁
A hydrogenation silizane polymer solution is coated and deposited a coating film (PZT film) on the silicon substrate 30 on which the STI trench 33 is formed, then the PZT film on the mask member is removed, leaving only the part of the PZT film in the trench, so that the PZT film is thinned with the height from the bottom of the STI trench 33 being the order of 600 nm or less.例文帳に追加
STI溝33が形成されたシリコン基板30に、過水素化シラザン重合体溶液の塗布膜(PSZ膜)を堆積し、その後、PSZ膜を溝中にのみ残置し、マスク部材上のPSZ膜を除去してSTI溝33の底部より600nm程度以下になるように薄膜化する。 - 特許庁
A resin solution, comprising a hydrophilic polymer, a good solvent of the hydrophilic polymer, a weak solvent of the hydrophilic polymer and an organic acid, whose solubility with respect to water 100 g at 20°C is the degree of 0.01-2 g/100 ml, is applied on at least one side of a substrate and, thereafter, a porous layer is formed through a phase converting method.例文帳に追加
基材の少なくとも一方の面に、親水性重合体、親水性重合体の良溶媒、親水性重合体の貧溶媒、及び20℃における水100gに対する溶解性が0.01〜2g/100ml程度の有機酸を含む樹脂溶液を塗布した後、相転換法により多孔質層を形成する。 - 特許庁
In regard to the lithographic printing plate material which has a thermal layer using plastics as a substrate and enabling direct platemaking, the back layer is formed by applying a back layer coating solution containing a glycol type surfactant of 0.01-1 mass% in this manufacturing method.例文帳に追加
プラスチックを支持体とするダイレクト製版可能な感熱性層を有する平版印刷版材料において、裏面層塗布液中にグリコール型界面活性剤を0.01〜1質量%含有した塗布液を塗布することにより裏面層を形成することを特徴とする平版印刷版材料及びその製造方法。 - 特許庁
The polybenzazole film is obtained in which a polyazomethine solution having a substituted or unsubstituted hydroxyl group, a thiol group or an amino group at an ortho-position in a benzene ring connected to a nitrogen atom of the azomethine group is cast on a substrate to form the film, and thereafter, the azole ring is formed by heating/treating the film.例文帳に追加
アゾメチン基の窒素原子に接続するベンゼン環においてオルト位に置換または無置換の水酸基、チオール基またはアミノ基を有するポリアゾメチン溶液を基板上にキャストしてフィルムを形成した後、加熱処理することによりアゾール環を形成することを特徴とするポリベンザゾールフィルムを得る。 - 特許庁
The metal oxide structure is obtained by dipping a substrate, having a crystal face comprising a metal-containing material with a regular crystal orientation structure to a fixed orientation, in a reaction solution, in which the metal oxide can be deposited, and depositing the metal oxide crystal on the crystal face comprising the metal-containing material.例文帳に追加
一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。 - 特許庁
To provide a ceramic jointed body which is able to completely remove a cleaning liquid in a short time even when the cleaning liquid permeates into a fine gap formed between a ceramic substrate and a jointing member when the ceramic jointed body is cleaned with the cleaning solution of water, an organic solvent, or the like.例文帳に追加
セラミック接合体を、水や有機溶媒等の洗浄液で洗浄することで、セラミック基板と接合部材との間に形成される微小なすき間内に上記洗浄液が浸入した場合であっても、短時間で完全に上記洗浄液を除去することができるセラミック接合体を提供する。 - 特許庁
An organic semiconductor layer is formed by providing the composition of a homogeneous solution, comprising one or more solvents selected from among one or more organic semiconductive compounds, one or more surfactant compounds, and nonpolar and nonalcoholic solvent on a substrate and arbitrarily removing the solvent.例文帳に追加
1つまたは2つ以上の有機半導性化合物、1つまたは2つ以上の界面活性化合物および非極性および非アルコール有機溶媒から選択した1つまたは2つ以上の溶媒を含む、均質な溶液の配合体を基質上に提供し、任意に溶媒を除去することにより、有機半導体層を形成する。 - 特許庁
The surface-treated metallic plate 5 includes an inorganic surface-treated layer 52 formed by being precipitated by cathode electrolytic treatment from an aqueous solution on a surface of a metal substrate 51, wherein the inorganic surface-treated layer 52 contains aluminum hydroxide or oxyhydroxide mainly containing Al, O, and F.例文帳に追加
金属基体51の表面に、水溶液からの陰極電解処理により析出して形成された無機表面処理層52を有する表面処理金属板5であって、前記無機表面処理層52が、Al,O及びFを主体とするアルミニウムの水酸化物又はオキシ水酸化物を含有することを特徴とする。 - 特許庁
A method of forming bright coating film comprises the steps of: forming a bright base coating film on a substrate by using a bright base coating material containing a colloidal particle solution of copper or a noble metal including colloidal particles of a noble metal or copper; heating or setting the bright base coating film; and then forming a clear coating film by a predetermined process.例文帳に追加
被塗基材に、貴金属または銅のコロイド粒子を含む貴金属または銅のコロイド粒子溶液を含有する光輝性ベース塗料により光輝性ベース塗膜を形成した後、上記光輝性ベース塗膜を加熱またはセッティングし、次いで所定の工程によりクリヤー塗膜を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁
In an organic electroluminescent element which has an electrode, a luminous layer, and a counter electrode on a substrate, the luminous layer is formed by a coating method or a printing method using a luminous layer forming solution made of at least a polymer material and a solvent, and has a polarization of 0.3 or more of the degree of polarization.例文帳に追加
基板上に電極と発光層と対向電極とを設けた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が少なくとも高分子材料と溶媒からなる発光層形成用溶液を用いる塗工法または印刷法にて形成されてなり、かつ、偏光度0.3以上の偏光性を有する。 - 特許庁
A coating solution containing dispersed fine particles having shape anisotropy is applied to the substrate to form a coating film and, after or during the orientation of the long axis direction of the dispersed fine particles in the film thickness direction of the coating film using a electric field, the coating film is cured to obtain the cured film oriented in the dispersed fine particles.例文帳に追加
形状異方性を有する分散微粒子を含有する塗布液を基体に塗布して塗膜を形成し、電界を用いて前記分散微粒子の長軸方向を前記塗膜の膜厚方向に配向させた後又は配向中に、該塗膜を硬化させて前記分散微粒子の配向した硬化膜を得る。 - 特許庁
To provide a film-formed body which requires no firing step when it is produced, is excellent in strength, electron conductivity, dye adsorptivity, and the diffusibility of an electrolyte solution, and includes a porous membrane made of an inorganic substance formed on a substrate; and to provide a photoelectrode provided with the film-formed body and a dye-sensitized solar cell provided with the photoelectrode.例文帳に追加
製造時に焼成工程が不要であり、強度、電子伝導性、色素吸着性及び電解液の拡散性に優れた、無機物質からなる多孔質膜が基材上に形成された製膜体、該製膜体を備えた光電極、及び該光電極を備えた色素増感太陽電池の提供。 - 特許庁
Only a metal film comprising ≥90% Al or a metal film comprising ≥90% Ti deposited on an electrically conductive substrate having an electric resistivity of ≤100 Ω is exposed to a solution, so as to be an anode, and its angle formed with a cathode is controlled to ≤5°, thus the growth rate in the plane of an anodized film is made uniform.例文帳に追加
電気抵抗率100Ω以下の導電性基板上に堆積したAlを90%以上含有する金属膜もしくはTiを90%以上含有する金属膜のみを溶液中に露出させ陽極とし、陰極となす角を5度以下とすることで、陽極酸化皮膜の面内の成長速度を均一にした。 - 特許庁
A resist 104 on an aluminum pad 102 formed on a semiconductor substrate 100 is patterned to expose the pad 102 by using a resist developing solution containing at least one kind of compound selected from a group consisting of triazole, benzimidazole, benzothiazole, thiadiazole and derivatives of these.例文帳に追加
トリアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、チアジアゾール、およびこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物を含むレジスト現像液を用いて、半導体基板100上に形成されたアルミニウムのパッド102上のレジスト104を所定形状にパターニングし、パッド102を露出させる。 - 特許庁
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