「surface morphology」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manner, the etching rate of the AX is made effectively equal to that of the BX, the roughness and lattice inconformity on the etched surface caused by the difference between their etching rates can be suppressed, and the ABX layer 12 surface can be obtained with an excellent morphology.例文帳に追加

こうして、ＡＸとＢＸのエッチングレートを実効的に等しくして、両者のエッチングレートの差に起因するエッチング表面の荒れや格子不整合を抑制し、良好なモフォロジーをもつＡＢＸ層１２表面を得る。 - 特許庁

The area (c) exhibits a very flat surface morphology in a range of the off angle of not less than 0.2° and not more than 1.0° in a <1-100> direction and not less than -0.3° and not more than +0.3° in a <1-210> direction.例文帳に追加

エリア（ｃ）は、＜１−１００＞方向に０．２度以上１．０度以下及び＜１−２１０＞方向に−０．３度以上＋０．３度以下のオフ角の範囲における、非常に平坦な表面モフォロジを示す。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with surface morphology of a source electrode and a drain electrode, and ductility improved to improve the withstand voltage, and with an increase in on resistance suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース電極およびドレイン電極の表面モフォロジーおよび延性を向上させて耐圧を向上させ、オン抵抗の増加を抑制した化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which the shape (morphology) of the growth surface of a diamond can be easily controlled when a diamond single crystal is grown on a diamond substrate by a microwave plasma CVD process.例文帳に追加

マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the soft magnetic properties and corrosion resistance of a thin strip of an Fe-based nanocrystalline alloy having fine crystalline nuclei formed in the thin strip of the alloy, which has been rapidly cooled, by controlling the surface morphology of the thin strip and suppressing the segregation of an element in the vicinity of the surface of the thin strip.例文帳に追加

急冷後の合金薄帯に微細結晶核を有するFe基ナノ結晶合金薄帯の表面形態を制御し、薄帯表面近傍の元素の偏析を抑えて軟磁気特性の向上と耐食性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The form comprises a surface having a morphology of complex lenses wherein the surface asperities have an amplitude of between 1 and 40 μm, a spatial frequency of between 1 and 100 complex lenses per 1 mm^2, and between 1 and 40 minor lenses per a major lens.例文帳に追加

複合レンズ形状を有する表面を含んでなる型であって、前記表面凹凸が１〜４０μｍの振幅、１平方ミリメートル当たり１〜１００個の複合レンズ空間周波数、および１個の大レンズ当たり１〜４０個の小レンズを有する型。 - 特許庁

The carbide coating is then polished or textured by a suitable process, such as laser etching, chemical etching or the like, to provide a surface morphology which makes the coating more hydrophilic, and further reduces a contact resistance on its surface.例文帳に追加

次いで、被覆をより親水性にし、その表面上の接触抵抗をさらに低減させる表面形態を与えるために、カーバイド被覆５０、５２は、レーザーエッチングまたは化学的エッチングなどの適切な方法によって研磨されるかまたはテクスチャード加工される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of preventing deterioration of the surface morphology of a Ni-containing film caused by dependence on a foundation and of forming a continuous film in a thin film region.例文帳に追加

Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The titanium nitride particles are characterized in that major axis diameters are ≤0.1 μm, the aspect ratio of each particle is about 1.0-1.2 μm, wherein the morphology of each particle is equiaxial and nearly spherical, and the surface of each particle is free from corners and has a round shape.例文帳に追加

窒化チタン粒子は長軸径が０．１μｍ以下であり、アスペクト比が１．０〜１．２程度の等軸的で球状粒子に近い形態を主とし、その表面は角の無い丸みを帯びた形状とする。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film excellent in various kinds of film properties (particularly in the morphology of a film surface), a forming method of such a transparent conductive film, and an electronic device and an electronic apparatus with high reliability.例文帳に追加

各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method has a step of adjusting a surface morphology of the galvanized steel sheet, by spouting a liquid jet into a liquid in the vicinity of the surface of the galvanized steel sheet to cause cavitation thereon, and by causing plastic deformation on the surface of the galvanized steel sheet by impulsive force produced when cavitation bubbles collapse.例文帳に追加

液体中において液体噴流を噴出することにより、亜鉛めっき鋼板の表面付近でキャビテーションを発生させ、キャビテーション気泡が崩壊する際の衝撃力により亜鉛めっき鋼板の表面に塑性変形を生じさせて、亜鉛めっき鋼板の表面形態を調整する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.例文帳に追加

異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor element capable of processing shapes with different etching depths in a same plane easily while suppressing unevenness of a surface without generating induction of defects (group-V atom vacant lattices) nor deterioration in surface morphology caused by desorption of constituent atoms of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing a high-quality nitride crystal by which occurrence of steps of crystals is suppressed and there is no generation of inclusion which is a phenomenon of roughness of surface morphology or of intrusion of impurities between steps.例文帳に追加

結晶のステップの発生を抑制し、表面モホロジーの荒れやステップの間に不純物が入り込む現象であるインクルージョンの発生のない高品質の窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deterioration of the surface morphology of an Ni-containing film caused by dependence on an under layer and of forming a continuous film in a thin film region, and to provide a method and an apparatus of processing a substrate.例文帳に追加

Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

To provide an oxide coating film having a good surface morphology and crystal quality, in forming an oxide coating film by organo-metallo-chemical vapor phase growth method using at least two organometallic compound feed gases and oxygen gas.例文帳に追加

二種類以上の有機金属化合物原料ガスおよび酸素ガスを使用して有機金属化学的気相成長法によって酸化物被膜を成膜するのに際して、良好な表面モフォロジーと結晶品質とを有する酸化物被膜を形成する。 - 特許庁

To achieve high reliability by reducing the contact resistance between a nitride compound semiconductor device and an electrode using a very simple means, and by maintaining the good morphology of the electrode surface and the electrode pattern edge.例文帳に追加

極めて簡単な手段を採ることで、窒化物系化合物半導体と電極との接触抵抗を低下させ、また、電極表面及び電極パターンエッジのモフォロジを良好に維持することを可能にして高い信頼性を実現できるようにする。 - 特許庁

The electrode 11 is formed of the amorphous transparent conductive oxide film which is free from such trade off that the resistance value or transparency of the film deteriorates and has smooth surface morphology and an amorphous semiconductor film 6 composed of a-Se, etc., is formed on the electrode 11.例文帳に追加

抵抗値や透明性が劣化するといったトレードオフが無く、また、表面のモフォロジーが滑らかな非晶質透明導電酸化膜で電荷収集電極１１を形成し、その上にａ−Ｓｅに代表される非晶質状態の半導体膜６を形成する。 - 特許庁

The polyamide resin molded product having at least one hinge structure part is characterized in that the morphology up to a depth of 50 μm from the surface layer of the hinge structure part has a specific layered structure.例文帳に追加

少なくとも一個のヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品において、ヒンジ構造部の表層から深さ５０μｍまでのモルフオロジーが、特定の層構造を有していることを特徴とする、ヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品を要旨とする。 - 特許庁

To solve the problems that the surface of a crystal is damaged, and the morphology of the outermost surface of the crystal is deteriorated since a high temperature of 700 to 900°C is required for heat treatment in the manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor that heat-treats the group III nitride semiconductor where p-type impurities are doped in atmosphere without hydrogen substantially.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたＩＩＩ族窒化物半導体を実質的に水素を含まない雰囲気中で熱処理するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法では、熱処理に７００℃〜９００℃の高温を必要とするため、結晶表面にダメージを与え、結晶の最表面のモルフォロジーの劣化を引き起こす。 - 特許庁

To provide an aluminum sheet for a substrate for a printing plate capable of obtaining a highly accurate print quality by preventing an irregular reflection caused by the surface morphology of the aluminum sheet from occurring, and a method for manufacturing it in relation to a substrate for a lithographic printing plate consisting of the aluminum sheet suitable for a printing plate for CTP.例文帳に追加

ＣＴＰ用の印刷版に好適な、アルミニウム板からなる平版印刷版用支持体に関し、アルミニウム板の表面形態に起因する乱反射を防ぐことにより、高精度の印刷品質が得られる印刷版支持体用アルミニウム板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an InGaAs non-alloy ohmic contact layer formed on a GaAs substrate, which can prevent non-uniform device characteristics caused by deterioration of surface morphology resulting from a difference in lattice constant between the non-alloy ohmic contact layer and a layer located thereunder.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板の上に形成されたＩｎＧａＡｓノン・アロイ・オーミック・コンタクト層を有する半導体装置において、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト層とその下の層との間での格子定数の差によって生じる表面モホロジの劣化によって、デバイス特性が不均一になることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing technique by which the deterioration of morphology on the surface of a metal or in the interface of the metal and a semiconductor and the expansion of the interface can be suppressed and, at the same time, contact resistance values can be stabilized and the joinability between electrodes and wiring bonding materials can be improved.例文帳に追加

金属の表面や金属と半導体との界面のモホロジの劣化や、界面の拡張を抑えると共に、接触抵抗の抵抗値の安定性や、電極とワイヤーボンド材との接合性を向上させることができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing sufficiently a monocrystal GaN substrate which is a growing substrate capable of obtaining a semiconductor layer of a good surface morphology or a monocrystal GaN substrate which can be suitably used as a semiconductor substrate, by reducing a defect in a polishing process and shortening a polishing time.例文帳に追加

研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶ＧａＮ基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶ＧａＮ基板を効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite for forming a thin film consisting of strontium titanate and manganese additive strontium titanate which are homogenous to suppress occurrence of micro-cracks along a grain boundary, with which the thin film of satisfactory surface morphology is formed, which does not deteriorate operation environment, and which is excellent in stability; and also to provide a method of forming the thin film using them.例文帳に追加

均質で結晶粒界に沿ったマイクロクラックの発生が抑制され、表面モホロジーが良好な薄膜形成が可能で、かつ作業環境の悪化を招かず、安定性に優れたチタン酸ストロンチウムおよびマンガン添加チタン酸ストロンチウムの薄膜形成用組成物、それらを用いた薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Namely, in the initial stage, evaporation is performed under the condition where the nuclear forming rate of ruthenium is higher than the growing rate, and ruthenium is finely evaporated, and in the latter stage, ruthenium is evaporated under the condition where the growing rate is higher than the nuclear forming rate, and its growth to various directions is made uniform, so that a ruthenium film having good surface morphology while being fine is obtained.例文帳に追加

すなわち、初期にはルテニウムの核形成速度が成長速度より速い条件で蒸着して稠密にルテニウムを蒸着し、後では核形成速度より成長速度が速い条件でルテニウムを蒸着してさまざまな方向への成長を均一にすることにより、稠密でありつつ表面モーフォロジが良好なルテニウム膜を得る。 - 特許庁

Flowable chips are a polycrystalline silicon piece group which comprises polycrystalline silicon pieces prepared by a chemical vapor deposition process and having bulk impurities at a level not exceeding 0.03 ppma and surface impurities at a level not exceeding 15 ppba, and which moreover has a controlled particle size distribution and generally has nonspherical morphology.例文帳に追加

本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 - 特許庁

The determination system 17 determines a polarized state of mitochondria 9, 11 in living cells 5, 7 on a substrate 3 by using a surface plasmon resonance phenomenon and includes a polarized state determination section 21 to determine three-dimensional distribution/intensity/morphology of the polarized state of mitochondria 9, 11 based on at least two kinds of incident light 13 to the substrate 3.例文帳に追加

判定装置１７は、表面プラズモン共鳴現象を用いて基板３上の生細胞５及び７内のミトコンドリア９及び１１の分極状態を判定するものであって、基板３に対し、少なくとも２種類の入射光１３に基づいてミトコンドリア９及び１１の分極状態の三次元的な分布・強度・形態を判定する分極状態判定部２１を備える。 - 特許庁