「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin-type lithium cell and its manufacturing method capable of thinning a solid electrolyte layer.例文帳に追加

固体電解質層を薄くすること可能な薄型のリチウム電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method and apparatus for manufacturing a thin layer transistor panel having a high performance and high reliability.例文帳に追加

高性能で高信頼性の薄層トランジスタパネルを製造する新しい方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film solar cell suppressing generation of cracks in a light absorbing layer.例文帳に追加

光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

IMPROVED METHOD OF FORMING BOTTOM-GATE THIN-FILM TRANSISTOR BY USING BLENDED SOLUTION TO FORM SEMICONDUCTOR LAYER AND INSULATING LAYER例文帳に追加

半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法 - 特許庁

The alignment layer is usually a thin layer of an insulating electron transporting or hole transporting material and is deposited by a friction transferring method.例文帳に追加

アラインメント層は、一般に絶縁性の電子輸送または正孔輸送材料の薄層であり、摩擦転移法によって堆積される。 - 特許庁

To provide a method for stably forming a device separation layer in a thin semiconductor layer and prevent formation of a bird's beak.例文帳に追加

薄い半導体層に素子分離層を安定して形成することができると共に、バーズビークの形成を抑制する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head and its manufacturing method which can reduce the resistance of a coil layer and increase the thickness of the coil layer.例文帳に追加

コイル層の膜厚を大きくでき、コイル層の抵抗値を低減できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor capable of forming a film by overlapping a channel layer having excellent electron mobility to a gate insulating layer.例文帳に追加

電子移動性に優れたチャネル層をゲート絶縁層に重ねて成膜可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor wherein a color filter is formed not on the substrate side of the thin film transistor, but rather on the upper layer or inside the thin film transistor, to provide a method for manufacturing the thin film transistor, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a functional thin film having a small amount of defects by easily and completely carrying out peeling on the interface between functional thin-film structure and a separation layer by a substrate using the separation layer.例文帳に追加

分離層を用いた基板を用いることで、機能性薄膜構造と分離層の界面で容易かつ完全に剥離させ、欠陥の少ない機能性薄膜を得る方法である。 - 特許庁

By the film formation method described above, at least one of an n-channel thin-film transistor and a p-channel thin-film transistor with the stacked-layer film 20 functioning as an active layer may be manufactured.例文帳に追加

前記方法により、積層膜２０を活性層として機能させるｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can accurately form a high-density impurity layer in a thin silicon film, due to the diffusion of impurities from an intermediate layer to the thin silicon film.例文帳に追加

太陽電池において、中間層からシリコン薄膜への不純物の拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor suppressing damage to an active layer in forming source and drain electrodes while a process for manufacturing the thin-film transistor can be simplified, and to provide a method for manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for continuously separating/retransferring thin layers from a donor wafer applicable even when the objective material of thin layer separating operation from the donor wafer became extremely thin.例文帳に追加

ドナーウエハからの薄層分離操作の対象となる材料が極めて薄くなったときでも適用可能なドナーウエハからの薄層の継続的な分離移し換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor using a compound semiconductor containing oxygen as an active layer, to provide a method of manufacturing the thin film transistor, and to provide a flat panel display having the thin film transistor.例文帳に追加

本発明は、酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a thin film element from deteriorating in characteristics or breaking caused by the use of a thin film which has relatively large stress as a protection layer for the thin film element and to provide a thin film electronic component using the method.例文帳に追加

応力が比較的大きな薄膜を、薄膜素子の保護層として用いるために、保護層形成によって生じる素子の特性劣化や破壊を防止する方法を提供し、その方法を用いた薄膜電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a curing method of thin layer coated part which facilitates curing of the thin layer coated part even in the thin layer application particularly for sealing material for building with respective to hardenable composition consisting essentially of hydrolyzable silyl group-containing isobutylene polymer.例文帳に追加

本発明は、加水分解性シリル基含有イソブチレン系ポリマーを主成分とする硬化性組成物について、特に建築用シーリング材として薄層施工になった場合にも該薄層塗布部の硬化を促進させる、薄層塗布部の硬化方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si semiconductor device having the quantum well structure comprises steps of forming an Si insulating layer 120 on an Si substrate 110, and further forming a thin metal layer 130 having a thickness of 10 nm or less on the layer 120.例文帳に追加

Ｓｉ系基板１１０の上にＳｉ系絶縁層１２０を形成し、さらにその上に、厚みが１０ｎｍ以下の薄い金属層１３０を形成する。 - 特許庁

To provide a stable method of manufacturing a microcatheter with good workability and the manufactured thin-diameter microcatheter consisting of an inner layer, a reinforcement layer, and an outer layer.例文帳に追加

内層、補強層、外層からなり、操作性が良好で、細径のマイクロカテーテルの安定した製造方法及びその製造方法により製造されたマイクロカテーテルを提供する。 - 特許庁

To provide a manhole cover and a method of forming a heat insulating layer of the manhole cover for making the thickness of the heat insulating layer extremely thin and easily forming the heat insulating layer.例文帳に追加

断熱層の厚さを極薄く形成すると共に、断熱層を簡単に形成することができるマンホール蓋及びマンホール蓋の断熱層形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a substrate capable of precisely controlling the thickness of a semiconductor layer in a substrate with a partial insulation layer under a thin semiconductor layer.例文帳に追加

薄い半導体層の下に部分的な絶縁層を有する基板における該半導体層の厚さを精密に制御可能な基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

THIN LAYER BONDING MEMBER, ITS BONDING METHOD, LIQUID DROP EJECTION HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INK JET RECORDER例文帳に追加

薄層接合部材、薄層部材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法及びインクジェット記録装置 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform thin coating layer on a base supporter and to provide a powder used in the method.例文帳に追加

薄い均一なコーティング層を基礎支持体に形成する方法及びその方法において使用する粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single-crystal silicon layer, having high crystallinity, and to provide a method of manufacturing a thin-film transistor (TFT) that uses the same.例文帳に追加

単結晶シリコン層の製造方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method includes forming the phase change layer (80) on a substrate (60), forming a thick cap layer (90) on the phase change layer (80), changing the phase change layer (80) from an amorphous to crystalline state, removing the thick cap layer (90) and forming the thin cap layer (110) on the phase change layer (100).例文帳に追加

本方法は、相変化層(80)を基板(60)上に形成し、厚いキャップ層(90)を相変化層(80)上に形成し、相変化層(80)を非晶質から結晶状態へ変化させ、該厚いキャップ層(90)を除去し、薄いキャップ層(110)を相変化層(100)上に形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor active layer, capable of arbitrarily controlling a compositional ratio of cations, a method of manufacturing a thin film transistor using the same and a thin film transistor having the semiconductor active layer.例文帳に追加

陽イオンの組成比を任意に調節することができる半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film deposition substrate which is excellent in high density recording property and surface flatness, in a method of depositing thin film of a single layer or a multi-layer, and a disk for recording and playback.例文帳に追加

基板上に単層または多層の薄膜を形成する方法であって、高密度記録特性および表面平坦性に優れた薄膜形成基板の製造方法および記録再生用ディスクを提供する。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of a thin film transistor element having an electrode with a dissimilar material as a constituent layer, the thin film transistor element manufactured by the manufacturing method and a thin film transistor element sheet.例文帳に追加

異種材料を構成層として有する電極を有する薄膜トランジスタ素子の簡便な製造方法及び、前記製造方法により製造された薄膜トランジスタ素子及び薄膜トランジスタ素子シートを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process.例文帳に追加

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a silicon thin film having a structure wherein a contact layer of high conductivity and an intrinsic silicon layer are laminated by a simpler method to which a coating method is applied.例文帳に追加

塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the ornament comprises forming a thin layer 8 consisting of a clayey composition of noble metals on the surface of the heat resistant substrate 1, drying the above thin layer 8, making the thin layer 8 coexist with the heat resistant substrate 1 on the surface by peeling and removing a part of the thin layer 8 with the use of a tool 12, and burning it.例文帳に追加

本発明の装飾品は、耐熱性基体１の表面に貴金属粘土状組成物の薄膜層８を設け、前記薄膜層８が乾燥したら治具１２を使用して薄膜層８の一部を剥離除去することにより、表面に耐熱性基体１と薄膜層８とを混在させてから焼成するようにしてなる。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of: providing a substrate; coating the substrate with an organic material layer through patterning; baking the substrate and the organic material layer; forming a metal thin film over the substrate and the organic material layer; and removing the organic material layer and the metal thin film over the organic material layer and forming a thin film antenna from the substrate and the metal thin film over the substrate.例文帳に追加

基板を提供する工程と、パターンによって有機材料層を基板に塗布する工程と、基板と有機材料層をベークする工程と、金属薄膜を基板と有機材料層に形成する工程と、有機材料層と有機材料層にある前記金属薄膜を除去し、基板と基板の上にある金属薄膜で薄膜アンテナを形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a thin-film-device substrate having few occurrence of a substandard thin film pattern and a defective foundation layer, with high yield and reliability; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜パターン不良や下地層の欠陥の発生が少なく、歩留まり、及び信頼性の高い薄膜デバイス基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a thin film transistor that improves interface characteristics of an active layer; a method of manufacturing the same; and a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加

活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flat continuous metal-containing thin film with a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明の課題は、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor as an active layer, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a flat panel display device having the thin film transistor.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor device by which an ion concentration in a silicon layer which becomes a cause for a variable factor of element characteristics of a thin film transistor is detected with sufficient precision to stabilize the characteristics.例文帳に追加

薄膜半導体の素子特性変動要因となるシリコン層中のイオン濃度を十分な精度で検出し特性安定化を行うこと。 - 特許庁

The method of manufacturing the superconductive thin-film material includes a gas-phase process for forming a superconductive layer 3 by a gas-phase method, and a liquid-phase process for forming a superconductive layer 4 by a liquid-phase method so that the superconductive layer 4 is in contact with the superconductive layer 3.例文帳に追加

超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層３を形成する気相工程と、超電導層３に接するように、液相法により超電導層４を形成する液相工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a wavefront aberration correction mirror for fixing an adhesive layer thickness and forming an adhesive layer thin.例文帳に追加

接着層厚みを一定にすると共に、接着層を薄く形成することの可能な波面収差補正ミラーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated substrate and a thin film device which increases the adhesion force between a resin layer and an inorganic layer thereon.例文帳に追加

樹脂層とその上の無機層との間の密着力の強化が図られた積層基板及び薄膜デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which high durability can be obtained even if the surface oxide layer of a magnetic layer is made thin, and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性層の表面酸化層を薄くしても高い耐久性を得ることができる磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an adhesion layer, by which an adhesion layer of a thin film can be stably formed by overcoming the defects in the dispense, stamping, screen printing method and the like.例文帳に追加

ディスペンス、スタンピング、スクリーン印刷方法等の持つ欠点を克服し、薄膜の接着層を安定して形成することができる接着層の形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor TFT1 comprises continuously forming a first protective film 16 (an Al_2O_3 layer) and an Al layer on a source-drain electrode 15 in this order by using a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴ１の製造プロセスにおいて、ソース・ドレイン電極１５上に、第１保護膜１６（Ａｌ_2Ｏ_3層）とＡｌ層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する。 - 特許庁