「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for thin-film solar cells that allows control of the composition of a light absorbing layer by using a single precursor.例文帳に追加

単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film solar battery capable of controlling a composition of an optical absorption layer using a single precursor.例文帳に追加

単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。 - 特許庁

SYNTHETIC RESIN FILM BALOON WITH THIN LAYER, ON OUTER SURFACE OF WHICH PRINTING WITH AQUEOUS INK IS POSSIBLE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

外表面に水性インキで印刷可能な薄膜を形成させた合成樹脂フィルム製風船及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING TRANSFER FILM HAVING METAL THIN FILM LAYER, AND TRANSFER FILM MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

金属薄膜層を有する転写フィルムの製造方法及び製造装置、並びにそれにより製造された転写フィルム - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF LIGHT ABSORPTION LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL, AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide an antireflection member in which a metal thin film layer is not corroded by a moisture and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

水分によって金属薄膜層が腐食することがない反射防止部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive thin film sheet with a wire and a method of making the same at low cost, where the wire can be connected to the conductor layer of the thin film surely.例文帳に追加

薄膜の導体層に電線を確実に接続出来かつ低コストな電線付き導体薄膜シート及び該電線付き導体薄膜シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-piece element arrayed substrate, which is high in productivity and in which thin-piece elements are arranged in a single layer on a substrate, with high density.例文帳に追加

生産性が高く、高密度で基板上に薄片状素子を単層配列することができる薄片状素子配列化基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a cutting method and cutter for cutting a film without causing a crack on a hard thin film, and deformation or alteration of lower layer of the hard thin film.例文帳に追加

硬質薄膜の割れや硬質薄膜の下層の変形・変質を発生させることなく、フィルムを裁断することのできる裁断方法及び装置を提供する。 - 特許庁

THIN-FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH HEAT GENERATING LAYER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY PROVIDED WITH THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC DISK DEVICE PROVIDED WITH THE HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND MAGNETIC SPACING CONTROL METHOD例文帳に追加

発熱層を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、並びにマグネティックスペーシング制御方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a thin film transistor which can evade almost permeation of light into a channel forming layer in a thin film transistor and has few processes.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおけるチャンネル形成層に光が侵入する恐れを略除去することが可能な、工程数の少ない薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film electronic element, with which a thin film electronic material layer formed on a transfer die can be excellently released from the transfer die and transferred.例文帳に追加

転写型に形成された薄膜電子材料層を、転写型から良好に離型して転写することのできる薄膜電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film resistor, which improves controllability of a resistance value by forming a thin-film resistance layer without damaging it, and is advantageous even for miniaturization.例文帳に追加

薄膜抵抗層を損傷することなく形成して、抵抗値の制御性を向上するとともに、微細化にも有利な薄膜抵抗体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a thin film transistor, a first thick photoresist layer 123A formed using a first multi-tone mask is used as a mask to perform ion doping, and a semiconductor layer 111 is doped with phosphor through a region where the semiconductor layer 111 is exposed, and a first thin photoresist layer 123B.例文帳に追加

第１多階調マスクを用いて形成した第１厚フォトレジスト層１２３Ａをマスクとしてイオンドーピングを行い、半導体層１１１が露出している領域と、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとを透過させて半導体層１１１中にリンのドーピングを行う。 - 特許庁

By the method for forming the oxide superconducting thin film on the sapphire substrate, a CeO_2 buffer layer 2 is formed on the R-surface sapphire substrate 1, an LaAlO_3 is formed as a slanting layer 3 on the CeO_2 buffer layer 2, and an EBCO thin film 4 is formed on the slanting layer 3.例文帳に追加

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_2 バッファ層２を形成し、次に、このＣｅＯ_2バッファ層２上にＬａＡｌＯ_3 を傾斜層３として形成し、次に、この傾斜層３上にＥＢＣＯ薄膜４を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.例文帳に追加

薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁

To provide a sputtering device for manufacturing a thin film solid battery and a method for manufacturing the thin film solid battery, in which, according to planar directional sizes of an active material layer and a solid electrolyte layer to be molded, the molding of the active material layer and solid electrolyte layer can be simplified.例文帳に追加

成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin-film solar cell provided with the transparent conductive layer having characteristic uneven surface originated from a depositing method and the photoelectric conversion layer on a transparent substrate at least, the manufacturing method of the thin-film solar cell treats the surface of the transparent conductive layer with a chemical containing a chelating agent.例文帳に追加

少なくとも、透光性基板上に堆積方法由来の固有の表面凹凸を持つ透明導電層、及び光電変換層を備えた薄膜太陽電池において、透明導電層表面をキレート剤を含有してなる薬液にて処理する薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which adhesion of copper to a lower layer is improved without increasing a thickness of an adhesive layer so as to prevent copper from being diffused to the lower layer, and to provide metal wiring for a display panel, a thin film transistor display panel including the same, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The transfer material comprising at least one layer of organic thin film 14 on a print block 10 has a release layer 15 between a print block 10 and an organic thin film layer 14, and a manufacturing method of an organic electroluminescent element using the same is provided.例文帳に追加

版10上に少なくとも一層の有機薄膜層14を有する転写材料において、版10と有機薄膜層14との間に剥離層15を有することを特徴とする転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor whose transistor performance is stable owing to a protective layer containing a siloxane compound, and to provide a manufacturing method of the organic thin-film transistor which does not damage an organic semiconductor layer when forming the protective layer.例文帳に追加

シロキサン化合物を含有する保護層を設けることで、トランジスタ性能が安定している有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、前記保護層の形成時に、有機半導体層にダメージを与えない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

SOLUTION FOR FORMING BLACK OXIDE LAYER ON THIN METALLIC FILM, METHOD FOR FORMING BLACK OXIDE LAYER ON THIN METALLIC FILM OF ELECTROMAGNETIC SHIELDING FILTER BY USING THE SOLUTION, AND ELECTROMAGNETIC SHIELDING FILTER WITH BLACK OXIDE LAYER FORMED THEREBY例文帳に追加

金属薄膜に黒色酸化層を形成させるための溶液、その溶液を用いた電磁波遮蔽フィルターの金属薄膜に黒色酸化層を形成させる方法、及び、その方法により形成された黒色酸化層を備えた電磁波遮蔽フィルター - 特許庁

The method comprises a step for forming the thin film (220) to be patterned on a substrate (210), a step for forming an anti-reflective coating (ARC) layer (240) on the thin film (220), and a step for forming a mask layer (250) on the (ARC) layer (240).例文帳に追加

当該方法は、基板（２１０）上にパターニングされる薄膜（２２０）を形成する工程、その薄膜（２２０）上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層（２４０）を形成する工程、及びそのＡＲＣ層（２４０）上にマスク層（２５０）を有する工程を有する。 - 特許庁

In the method, the super-thin line circuit layer can be formed by electrolytic plating without depending on an etching means, and a carrier object and a metal avoiding layer, which are required for forming the super-thin line circuit layer, are removed during a manufacture process or when it is terminated.例文帳に追加

本発明方法においては、電解メッキによりエッチング手段に頼らず超細線回路層を形成することができ、製造工程中或いは終了時に超細線回路層形成に必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

The method comprises the steps of providing a substrate 12, depositing a thin-film dielectric layer 24 on the substrate, forming a channel in the thin-film dielectric layer, and providing a second silicon layer 20 in the channel.例文帳に追加

本発明の方法は、基板１２を提供する段階と、薄膜誘電体層２４を基板上に堆積させる段階と、薄膜誘電体層内にチャネルを形成する段階と、チャネル内に第２シリコン層２０を設ける段階と、で構成されている。 - 特許庁

The method for producing the carbon thin film includes: forming a polymer layer on a substrate by using a coating process; forming a protective layer on the polymer layer; and heat-treating the substrate to form a carbon thin film on the substrate.例文帳に追加

基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 - 特許庁

(3) In the method of manufacturing the organic thin film transistor, the organic semiconductor layer is formed by the inkjet method using ink containing an organic semiconductor material.例文帳に追加

（３）有機半導体材料を含むインクを用い、インクジェット法により有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film solar cell battery which makes the surface of a photoelectric conversion layer made of a crystallite silicon layer irregular in a simple and versatile method.例文帳に追加

簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a silver receiving layer and a silver receiving layer transfer material for forming a light shielding layer for a display apparatus having high light shielding performance in a thin film state at low cost, and to provide a method for manufacturing a light shielding layer for a display apparatus for producing a layer having high light shielding performance in a thin film state at low cost.例文帳に追加

薄膜で遮光性能が高く、かつ低コストで表示装置用遮光層を作製することができる銀受容層用組成物及び銀受容層転写材料、さらには、薄膜で遮光性能が高く、かつ低コストで作製しうる表示装置用遮光層の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step to form a sacrifice layer on a substrate, a step to form the thin film fuel cell layer on the sacrifice layer and to connect it to the substrate, and a step to remove the sacrifice layer and to form a gap to become a reaction gas pathway between the thin film fuel cell layer and the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、燃料電池の製造方法は、基板上に犠牲層を形成するステップ、犠牲層上に薄膜燃料電池層を形成させ基板に接続するステップ、犠牲層を除去し薄膜燃料電池層と基板との間に反応ガス経路となる間隙を形成させるステップからなる。 - 特許庁

A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.例文帳に追加

テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor at least having a gate electrode, a gate insulating layer, an oxide semiconductor layer, and a protective layer contacting the oxide semiconductor layer on a base body, includes a step of forming the protective layer by a coating method.例文帳に追加

基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a tape-like oxide superconducting thin-film wire rod involves forming oxide superconducting thin-film on the intermediate layer formed on the orientation metal substrate by using the method for forming an intermediate layer of a tape-like oxide superconducting thin-film wire rod described above, thereby manufacturing a tape-like oxide superconducting thin-film wire rod.例文帳に追加

前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin-film element including a semiconductor single-crystal layer other than Si including a semiconductor element on an Si single-crystal layer, to provide a semiconductor wafer, and to provide the semiconductor thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

To provide the planarization method of a thin film surface, which can efficiently and selectively remove a projecting part, when it exists on the surface of a thin film formed on a wafer and can efficiently and selectively remove the projecting part, without damaging a weak layer, even if the weak layer exists around the projecting part.例文帳に追加

ウエハ上に形成された薄膜表面に凸部がある場合において、その凸部の選択的除去を効率よく行うことができる薄膜表面の平坦化方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin layer solar cell, along with a manufacturing method for a thin-film solar cell, which uses a compound semiconductor film in which both high throughput and carrier occurrence of an n-type semiconductor layer are ensured for providing a high energy efficiency.例文帳に追加

高いエネルギー効率を実現するためにｎ型半導体層のキャリア発生と高スループットとを両立した化合物半導体膜を用いた薄層太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法の提供。 - 特許庁

Specifically, when forming the piezoelectric thin film layer 16 by a sputtering method, a bias not less than -30V nor more than 0V is applied to the substrate 11 at the time of sputtering to apply compressive stress to the piezoelectric thin film layer 16.例文帳に追加

具体的には、スパッタ法により圧電体薄膜層１６を形成する場合、そのスパッタ時に、基板１１に−３０Ｖ以上０Ｖ以下のバイアスを印加することで、圧電体薄膜層１６に圧縮応力を付与する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a double metal thin tube in which the first layer consists of a metal such as Au, Ag and Cu, and the second layer consists of metal different from the above metal, and to provide a method of producing the double metal thin tube.例文帳に追加

１層目がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属からなり、２層目が前記金属と異なる種類の金属からなる２重金属細管およびこの２重金属細管の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method includes at least a local reduction and/or oxidation of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide to change the degree of oxidation of iron atoms of a part of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide.例文帳に追加

この方法は、半導体性酸化鉄の薄層（９）の一部の鉄原子の酸化の程度を変更するために半導体性酸化鉄の薄層（９）の局所還元及び／又は酸化の工程を少なくとも含む。 - 特許庁

There are provided a method of forming a thin-film crystal, and a semiconductor element using the crystal including a high-temperature buffer layer 2 formed on a substrate 1 and a low-temperature thin film 3 which is formed on this high-temperature buffer layer 2.例文帳に追加

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板１上に形成される高温バッファー層２と、この高温バッファー層２上に形成される低温薄膜３とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film electrode, which improves an adhesive force between a thin-film metal electrode layer and an electrically insulative substrate, and further forms the thin-film metal electrode layer approximately uniformly, simultaneously and easily on the surface or the both sides of the substrate.例文帳に追加

薄膜金属電極層と電気絶縁性基板との付着力の向上を図り、さらに、基板の表面もしくは表裏両面に薄膜金属電極層が、ほぼ均一かつ同時に容易に形成可能な薄膜電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor loading board includes at least a step of forming an amorphous oxide thin film 13 as the active layer on the plastic board 10 or above the plastic board, and the step of irradiating the amorphous oxide thin film 13 in at least the active layer with a pulse laser 20.例文帳に追加

プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜１３に向けてパルスレーザー２０を照射する工程とを少なくとも有する。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor stable in performance and having a protective layer obtained by coating a molten wax material thereon, and a manufacturing method of an organic thin film transistor that does not damage the organic thin film transistor when the protective layer is formed.例文帳に追加

ワックス材料を溶融状態にして保護層を成膜してトランジスタ性能が安定している有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、前記保護層の形成時に、有機半導体層にダメージを与えない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming metal thin layers on the inner wall of a capacitor hole and the inner wall of a contact hole, forming the lower part electrode of a polysilicon capacitor inscribed with the metal thin layer in the capacitor hole, and forming the connecting plug of the polysilicon inscribed with the metal thin layer in the contact hole.例文帳に追加

キャパシタホールの内壁とコンタクトホールの内壁にメタル薄層を形成し、キャパシタホール内にこのメタル薄層に内接するポリシリコンのキャパシタ下部電極を形成し、併せて、コンタクトホール内にメタル薄層に内接するポリシリコンの接続プラグを形成する。 - 特許庁