| 意味 | 例文 |
thin layer methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2066件
To provide a method for manufacturing a semiconductor chip with a thin adhesive layer, which enables miniaturization of a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置を小型化することが可能な、厚さの薄い接着剤層付半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming Si_3N_4 and SiO_2 thin films through atomic layer vapor deposition using TDMAS as a reaction material.例文帳に追加
反応物質としてTDMASを用いた原子層蒸着によるSi_3N_4およびSiO_2薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a focused ion beam processing method and the device by which a sectional structure can be easily observed even when each layer constituting a layered structure is extremely thin.例文帳に追加
積層構造を構成する各層が極めて薄いとき、その断面構造を観察することが困難になっている。 - 特許庁
To provide a method for producing a lamination structure capable of avoiding all defects by thinning an initial substrate before combining a thin layer with a target substrate.例文帳に追加
薄層をターゲット基板に結合する前に初期基板を薄化するならば、上述の全欠陥を回避することができる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element having an oxide semiconductor thin film layer with a high thermal stability.例文帳に追加
熱的安定性の高い酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法を提供することを解決課題とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head capable of accurately etching the bottom part of an upper layer core for constituting the thin film magnetic head and preventing the over-etching of the peak part of the upper layer core and re-deposition to the side face of the upper layer core.例文帳に追加
薄膜磁気ヘッドを構成する上層コアの裾部分を精度良くエッチングすることができ、かつ、上層コアの頂部のオーバーエッチングや上層コアの側面への再デポジションを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solar cell which forms an organic thin-film electromotive force layer and an electrode layer on an insulating substrate and efficiently divides the organic thin-film electromotive force layer into unit cells by laser scribing.例文帳に追加
絶縁基板に電極層及び有機薄膜起電力層を成膜し、レーザスクライブによって単位セルに分割するようにした太陽電池の製造方法において、有機薄膜起電力層を効率よく分割することができる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
To enhance the speed for etching a sacrifice layer and to diminish the speed for etching an etching stop layer in a manufacturing method of a display device which is formed by transferring thin film transistors.例文帳に追加
薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a substrate having a semicon ductor layer, which can obtain the thin film-shaped semiconductor layer which has a high-accuracy film thickness and has a small surface roughness.例文帳に追加
膜厚精度が高く、かつ表面粗さが小さい薄膜状の半導体層を得ることが可能な、半導体層を有する基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for depositing a silicon nitride layer and an amorphous silicon layer on a thin film transistor substrate in a sufficient rate of deposition and for maintaining a high level quality of the film.例文帳に追加
薄膜トランジスタ基板上へ窒化珪素層及びアモルファスシリコン層を充分な堆積速度で堆積し、なお膜の品質を非常に高く維持する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that obtains excellent electrical conductivity between an inner layer interconnection and a via even if the inner layer interconnection is thin, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
内層配線が薄くても内層配線とビアとの間の優れた電気伝導性を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The present invention is a manufacturing method of a thin film transistor including at least a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode provided on a substrate.例文帳に追加
本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁
In this manufacturing method, an inorganic insulated layer 21 is film-formed on a plated substrate film 20 by a vacuum thin film forming technique, and a pattern is formed by a photoresist on the insulated layer 21.例文帳に追加
鍍金下地膜20上に真空薄膜形成技術により無機絶縁層21を成膜し、該絶縁層21上にフォトレジストによるパターン形成を行う。 - 特許庁
To provide a method for applying a coating liquid for forming an overcoat layer to a plastic film comprising a vapor-deposited inorganic compound without causing a crack on a vapor-deposited thin film layer.例文帳に追加
蒸着薄膜層にクラックを発生させずに無機化合物蒸着プラスチックフィルムへオーバーコート層を形成させるための塗布液を塗布する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing a magnetic transfer master carrier, which obtains a highly-oriented magnetic layer whose shape hardly degrades even when an underlying layer is thin, and which is superior in signal quality.例文帳に追加
下地層を薄くしても高配向で、形状劣化のない磁性層が得られ、信号品位に優れる磁気転写用マスター担体の製造方法などの提供。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film transistor by which a conductive layer is rapidly and easily patterned on an organic semiconductor layer and stable performance can be achieved.例文帳に追加
有機半導体層の上で導電層を迅速かつ容易にパターニングすると共に安定な性能を得ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming an adhesive layer, which overcomes faults in methods such as dispensing, stamping and screen printing and can stably form a thin-film adhesive layer.例文帳に追加
ディスペンス、スタンピング、スクリーン印刷方法等の持つ欠点を克服し、薄膜の接着層を安定して形成することができる接着層の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a composite substrate which has at least one thin insulating layer attached between a support substrate and an active layer of a semiconductor material.例文帳に追加
支持基板と半導体材料の活性層との間に介在させた少なくとも1つの薄い絶縁層を備える複合基板の作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method capable of forming a multilayer film having a gradient layer between adjacent thin films, which has a gentle concentration gradient in the gradient layer.例文帳に追加
隣接する薄膜間に勾配層が形成された多層膜であって、勾配層における濃度勾配がなだらかな多層膜を形成し得る方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electric double layer capacitor, especially a thin electric double layer capacitor, in which a low ESR can be realized even at the time of initial use or long term use.例文帳に追加
初期及び長期の使用においても低ESRを実現できる電気二重層コンデンサ、とくに薄型の電気二重層コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
To nondestructively and highly accurately measure a change in the delicate state of an interface in a thinly layered multi-layer film device in a method for measuring an interface structure of a multi-layer thin film.例文帳に追加
多層薄膜体の界面構造の計測方法に関し、薄層化された多層膜デバイスにおける微妙な界面状態の変化を非破壊で精度良く測定する。 - 特許庁
Also, a method of manufacturing a tape-like oxide superconducting thin film wire includes forming an oxide superconducting thin film on the intermediate layer formed on the orientation metal substrate using the formation method of the intermediate layer for the tape-like oxide superconducting thin film wire.例文帳に追加
前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造するテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for patterning an organic thin film capable of preventing the surface of an organic semiconductor layer from being damaged, an organic thin-film transistor capable of preventing the surface of the organic semiconductor layer from being damaged and reducing OFF-current and its manufacturing method and an organic electroluminescent display provided with the organic thin-film transistor.例文帳に追加
有機半導体層の表面損傷を防止できる有機薄膜をパターニングする方法、有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を減少させることができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor and a method for manufacturing this thin film transistor, and to provide an organic electroluminescent display device and a method for manufacturing this organic electroluminescent display device for improving characteristics by minimizing a residual metallic catalyst residing in a semiconductor layer in a thin film transistor using a semiconductor layer crystallized by using a metallic catalyst.例文帳に追加
金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a spring with a remarkably raised fatigue strength by making thicknesses of a nitrogen compound layer and a carbon compound layer on the surface layer thin as much as possible and forming thickly a high compression residual stress layer on the surface layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
表層の窒素化合物層および炭素化合物層の厚さを極力薄くするとともに、表層に高い圧縮残留応力の層を厚く形成することにより疲労強度を格段に向上させたばねおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A ZnO thin film (an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, a p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10) whose main component is ZnO is successively deposited on the zinc polar plane 1a of the ZnO substrate 1 through an ECR sputtering method or the like.例文帳に追加
ZnO基板1の亜鉛極性面1a上にZnOを主成分とするZnO系薄膜(n形コンタクト層6、n形クラッド層7、活性層8、p形クラッド層9、p形コンタクト層10)をECRスパッタ法等で順次成膜する。 - 特許庁
The method for manufacturing the deposition substrate 1 is a method for manufacturing the substrate 1 in which the thin film layer 3 having the uneven structure is deposited in the flat part on the surface of the depositing substrate 2, and the method has a thin film forming step of depositing the thin film layer 3 including indium oxide on the surface of the depositing substrate 2 to form the uneven structure by carrying out this deposition.例文帳に追加
また、成膜基板1の製造方法は、被成膜基板2表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層3が成膜された基板1を製造する方法であって、被成膜基板2表面に、酸化インジウムを含む薄膜層3を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。 - 特許庁
To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加
原子層堆積法(ALD法)により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a printed-circuit board allowing to form a very thin fine circuit by ensuring the sufficient peel strength regardless of formation of a thin seed layer so as to have low surface roughness.例文帳に追加
低い表面粗さにシード層を薄く形成しても充分な剥離強度(peel strength)を確保して超薄型微細回路が形成できる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an emission spectrum having a plurality of maximum values, in an organic thin film used as a light-emitting layer of an organic EL element, and to produce the organic thin film by a simple method.例文帳に追加
有機EL素子の発光層として用いられる有機薄膜において、複数の極大値を有する発光スペクトルを得られ、しかも簡易な方法で製造することができるものとする。 - 特許庁
To provide an apparatus and a method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film, capable of forming a uniform electric field in an electro-conductive layer and forming a proper-quality polycrystalline silicon thin film.例文帳に追加
導電層に均一な電界を形成し、良質の多結晶シリコン薄膜を形成することができる多結晶シリコン薄膜の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a film deposition method of forming a thin film containing first metal such as Mn, for example, a thin film of MnOx on a surface of an insulating layer with a low relative dielectric constant.例文帳に追加
比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の第1の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method capable of fabricating a thin device without remodeling the facilities and capable of forming a thin P type semiconductor layer with high accuracy.例文帳に追加
設備を改造することなく薄型のデバイスを形成することができ、さらに、薄いP型半導体層を精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an organic thin film device, by which an organic semiconductor layer having a uniform thickness is formed even on a surface having a complicated shape, and to provide the organic thin film device.例文帳に追加
複雑な形状の面の上であっても、厚みが均一な有機半導体層を形成することができる有機薄膜デバイスの製造方法及び有機薄膜デバイスを得る。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate which can control a thin BOX film thickness, ensure high film thickness uniformity, and make an SOI layer thin.例文帳に追加
薄いBOX膜厚を制御できると共に、高い膜厚均一性も確保することができ、しかも、SOI層を薄くすることが可能な半導体基板の作製方法を提供する。 - 特許庁
In addition, by using a maskless process such as a drop discharge method, the circular thin film transistor having a circular semiconductor layer may be formed by laminating the concentric circular thin film on the substrate.例文帳に追加
また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film magnetic head which can completely remove resticking and stranding in the rear end of an MR height and can narrow the width of a free layer, and to provide a thin film magnetic head.例文帳に追加
MRハイト後端の再付着や乗り上げを完全に除去でき、しかもフリー層幅を狭くすることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head having an upper core layer whose shape is highly precisely controlled for realizing a high recording density of magnetic recording medium, and a method for manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加
磁気記録媒体の高記録密度化を実現することができる、精度高く形状制御された上部コア層を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin-film element by which a thin-film element is manufactured through two-time vapor deposition, and a gap can be provided in the opening of a mask layer instead immediately under the mask.例文帳に追加
2回の蒸着作業で薄膜素子を製造し、かつマスク層の直下ではなくマスク層の開口部にギャップを配することも可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a metal thin layer such as a thin membrane and an electric wiring circuit with a low volume resistance value on a substrate by inexpensive heating processing at a low temperature.例文帳に追加
安価に、かつ、低温での加熱処理によって、基材の上に体積抵抗値が低い、薄膜、電気配線回路等の金属薄層を製造する方法を提供することである。 - 特許庁
ULTRA-THIN TUNGSTEN METAL FILM USED AS ADHERENCE PROMOTER BETWEEN METAL BARRIER LAYER AND COPPER, AND METHOD FOR CLOSELY ADHERING COPPER THIN FILM TO SUBSTRATE USING IT例文帳に追加
金属バリア層と銅との間の密着促進剤として用いられる超薄膜タングステン金属膜および超薄膜タングステン金属膜を用いた基板に銅薄膜を密着させる方法 - 特許庁
To provide a oxide thin film element in which a functional oxide thin film consisting of a high quality oxide epitaxial layer is grown on a substrate of a Si single crystal and its production method.例文帳に追加
Si単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物エピタキシャル層からなる酸化薄膜の機能膜を成長させた酸化物薄膜素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a coating device that forms a semiconductor layer of large crystal on a substrate, and a manufacturing method of a thin film transistor in which the thin film transistor having superior characteristics is formed on the substrate.例文帳に追加
大きな結晶の半導体層を基板の上に形成する塗布装置、および特性の優れた薄膜トランジスタを基板の上に形成する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method capable of obtaining a semiconductor device in a configuration where a semiconductor thin-film layer is covered with a protective film, without damaging the semiconductor thin-film layer provided on a substrate without depending on the constituent material and the film-formation method of the protective film.例文帳に追加
保護膜の構成材料や成膜方法によらずに、基板上に設けた半導体薄膜層に対してダメージを与えることなく、この半導体薄膜層を保護膜で覆った構成の半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a key top of a push button switch not damaging thin metal film layer, not requiring precise positioning of a resin key top and the thin metal film layer in a transferring process, of high quality, good yield and high productivity.例文帳に追加
金属薄膜層を損傷せず、転写工程で樹脂キートップと金属薄膜層との高精度の位置決めが不要であり高品位で歩留まりが高く、尚かつ生産効率も高い押釦スイッチ用キートップの製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a method capable of fabricating a thin semiconductor device without remodeling the facilities and capable of forming a thin and heavily doped P^+ type semiconductor layer, i.e. a collector layer, with high accuracy.例文帳に追加
設備を改造することなく薄型の半導体装置を形成することができ、また薄い高不純物濃度のP^+型半導体層であるコレクタ層を精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a manufacturing method of a substrate for thin film photoelectric conversion device capable of suppressing the occurrence of defects in a photoelectric conversion layer formed on an upper layer while enhancing the photoelectric conversion efficiency of a thin film photoelectric conversion device.例文帳に追加
上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁
To provide an insulated wire using a porous body wherein a foaming degree of a thin-walled insulating layer is high in spite of the thin-walled insulating layer and its foaming state is uniform and productivity of the insulated wire is considerably high, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
薄肉絶縁層でありながらその発泡度が高く且つその発泡状態が均一で、しかも絶縁電線の生産性が顕著に高い多孔質体を用いた絶縁電線及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method for producing the thin composite film comprising the nano-sheet and the polymer, after a positive charge layer is formed, a ruthenium oxide nano-sheet is adsorbed to the positive charge layer through the self-organization reaction to form the thin composite film comprising the nano-sheet and the polymer.例文帳に追加
ナノシートとポリマーとの複合薄膜の製造方法において、正電荷層を形成した後、正電荷層に自己組織化反応によって酸化ルテニウムナノシートを吸着させてナノシートとポリマーとの複合薄膜を形成する。 - 特許庁
In a step (f), a metal thin film 7 that is a conductive thin film is formed on the front surface and the inside surface of the silicon oxide layer 4 and the front surface of the thermally oxidized porous polysilicon layer 6 by a deposition method through the use of a metal mask.例文帳に追加
酸化シリコン層4の表面および内側面と熱酸化された多孔質ポリシリコン層6の表面とに導電性薄膜たる金属薄膜7をメタルマスクを用いて蒸着法によって形成する(図1(f))。 - 特許庁
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