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thin multilayer structureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 90



例文

MULTILAYER STRUCTURE DIELECTRIC THIN FILM, THIN FILM CAPACITIVE ELEMENT AND THIN FILM MULTILAYER CAPACITOR例文帳に追加

積層構造誘電体薄膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ - 特許庁

THIN FILM STRUCTURE HAVING MULTILAYER METAL LINE例文帳に追加

多層メタル線を有する薄膜構造 - 特許庁

MULTILAYER THIN PAPER HAVING PRESSURE-BONDING STRUCTURE例文帳に追加

圧着構造を有する多層薄紙 - 特許庁

DNA CHIP HAVING MULTILAYER THIN-FILM STRUCTURE例文帳に追加

多層薄膜構造を有するDNAチップ - 特許庁

例文

MULTILAYER STRUCTURE THIN EDGE BLADE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

多層構造薄刃ブレード及びその製造方法 - 特許庁


例文

The coating is made from a structure which is a thin layer and multilayer.例文帳に追加

前記被膜は、薄層で多層の構造からなる。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING MULTILAYER STRUCTURE例文帳に追加

薄膜形成方法及び多層構造体の製造方法 - 特許庁

ANISOTROPY MULTILAYER THIN FILM STRUCTURE EVALUATION METHOD AND EVALUATION DEVICE THEREOF例文帳に追加

異方性多層薄膜構造体の評価法及び評価装置 - 特許庁

As a result, the multilayer structure film can be made a thin film.例文帳に追加

その結果、多層構造膜は薄膜化されることができる。 - 特許庁

例文

To provide a multilayer structure film that can greatly contribute to the thin filming of a multilayer magnetic layer.例文帳に追加

多層磁性層の薄膜化に大いに寄与することができる多層構造膜を提供する。 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR THIN FILM AND MULTILAYER STRUCTURE例文帳に追加

半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TENSILE-STRAINED GERMANIUM THIN FILM, TENSILE-STRAINED GERMANIUM THIN FILM, AND MULTILAYER FILM STRUCTURE例文帳に追加

伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体 - 特許庁

The memory part 20 has a multilayer structure in which a plurality of thin films are layered.例文帳に追加

メモリ部20は、複数の薄膜が積層された多層構造を有している。 - 特許庁

The multilayer thin paper sheet having a pressure-bonding structure includes a first thin paper sheet 1a and at least one second thin paper sheet 1b.例文帳に追加

圧着構造を有する多層薄紙は、第1の薄紙1aと、少なくとも1つの第2の薄紙1bとを備える。 - 特許庁

A multilayer thin-film structure comprises conductive bumps positioned on both surfaces of it, and a dielectric layer and a conductive layer are stacked in the multilayer thin-film structure.例文帳に追加

多層薄膜構造及びこの多層薄膜構造の両面に位置する導電バンプを含み、該多層薄膜構造中にスタックされた誘電層と導電層が設けられる。 - 特許庁

To produce a thin film having a uniform thickness even when a multilayer structure of thin film is formed.例文帳に追加

多層の薄膜の積層構造を構成する場合であっても、膜厚の均一な薄膜の製造を可能にする。 - 特許庁

The method also includes adjusting the position of the partition plate to control a structure of the multilayer thin film.例文帳に追加

また、仕切板の位置を調整することにより多層薄膜の構造を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a small, thin, and high heat radiation multilayer frame mounting structure.例文帳に追加

小型、薄型、高放熱な多層フレーム実装構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A multilayer wiring thin-film structure 40 consisting of plural thin-film layers 41, is formed on a surface of the transfer sheet 30.例文帳に追加

転写シート20の表面には、複数の薄膜層41〜43からなる多層配線薄膜構造40が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer structure dielectric thin film, a thin film capacitive element and a thin film multilayer capacitor exhibiting excellent leak characteristics, breakdown voltage characteristics and surface planarity in which a variation in dielectric constant is extremely low.例文帳に追加

リーク特性、耐圧特性および表面平滑性に優れ、比誘電率の変化が極端に小さい積層構造誘電体薄膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME MULTILAYER FILM STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄膜トランジスタ、多層膜構造、薄膜トランジスタの製造方法、および多層膜構造の製造方法 - 特許庁

THIN FILM STRUCTURE OF MAGNETIC FIELD SENSITIVE SENSOR HAVING MAGNETORESISTANCE MULTILAYER SYSTEM WITH SPIN DEPENDENCE OF ELECTRON SCATTERING例文帳に追加

電子散乱のスピン依存性のある磁気抵抗性多層系を有する磁界感応センサの薄膜構造 - 特許庁

To suppress the inductance components of the power source or grounding circuit of a multilayer wiring board and to provide a structure of a thin multilayer wiring board.例文帳に追加

多層配線基板の電源または接地回路のインダクタンス成分を抑制するとともに、薄い多層配線基板の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer thin paper sheet having a pressure-bonding structure capable of bonding two-layered or multilayered thin paper sheets without using a paste.例文帳に追加

糊を使用せずに2層または多層の薄紙を貼り合わせることができる圧着構造を有する多層薄紙を提供する。 - 特許庁

In this multilayer packaging structure with a thin-film laminated structure composed of substances with different refractive indexes, a color is developed by an interference effect caused by the thin-film laminated structure.例文帳に追加

異なる屈折率を有する物質からなる薄膜積層構造を有した多層包装構造体であって、その薄膜積層構造に起因する干渉効果によって発色している。 - 特許庁

This magnetic multilayer film 10 has a structure in which thin films 11 made of ferromagnetic material and thin films 12 made of insulating material are alternately layered.例文帳に追加

強磁性材料の薄膜11と、絶縁材料の薄膜12とを、交互に積層した構造を有する磁性多層膜10を構成する。 - 特許庁

To provide a multilayer thin-film analysis and a measuring apparatus for applying white X rays to a sample surface at an extremely low angle and for determining a multilayer film structure useful for specification of a thin film, a multilayer film, or the like by selecting a depth.例文帳に追加

試料表面に極く低角に白色X線を入射し、薄膜や多層膜等の特定化に有用な多層膜構造を深さを選択しながら決定できる多層薄膜分析方法および測定装置を提供する。 - 特許庁

MULTILAYER FIXING STRUCTURE OF THIN PLANER COMPONENT AND ITS FIXING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING INK JET PRINTER HEAD例文帳に追加

薄板状部品の積層固定構造及びその積層固定方法並びにインクジェットプリンタヘッドの製造方法 - 特許庁

Moreover, the magnetic film 10 is manufactured by forming a multilayer film structure that is obtained by alternately stacking the thin film of an insulating substance and a thin film of ferromagnetic metal and heat treating the multilayer film structure in the range of 500°C to 800°C.例文帳に追加

また、絶縁物質の薄膜と強磁性金属の薄膜とを交互に積層した多層膜構造を形成し、この多層膜構造を500℃〜800℃の範囲で熱処理することにより、上記磁性膜10を製造する。 - 特許庁

A multilayer optical element 1 is formed by alternately stacking silicon oxide thin films and niobium pentoxide thin films to form a multilayer structure consisting usually of 50 to 100 layers and has a total thickness of 20 to 30 μm.例文帳に追加

多層膜光学素子1は、酸化ケイ素薄膜と五酸化ニオブ薄膜を交互に積層(通常50〜100層)して形成されており、全体として20〜30μmの厚さとなっている。 - 特許庁

A multilayer structure substrate for a device is formed by stacking in order a silicon carbide thin film and a diamond thin film on a single crystal silicon wafer substrate.例文帳に追加

単結晶シリコンウエハ基板上に、炭化ケイ素薄膜、ダイヤモンド薄膜が、順次積層されてなることを特徴とするデバイス用多層構造基板を用いる。 - 特許庁

The semiconductor package 100 includes a multilayer thin-film structure 110 having a plurality of dielectric layers and at least one rewiring layer 116, 134, a semiconductor chip 130 which is arranged on one surface of the multilayer thin-film structure, and is electrically connected to the rewiring layer, and a solder bump 125 formed on the other surface of the multilayer thin-film structure.例文帳に追加

複数の誘電体層及び少なくとも一つの再配線層116,134を含む多層薄膜構造物110と、該多層薄膜構造物の一面に配置されて前記再配線層と電気的に接続される半導体チップ130と、前記多層薄膜構造物の他の一面に形成されたソルダバンプ125を含む半導体パッケージ100を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the thin-film interposer, first includes presenting a base; a sacrificial layer is formed at the base to form a first pair of conductive bumps; then a multilayer thin-film structure is formed on the surface of the sacrifice layer; a second pair of conductive bumps are formed on the surface of the multilayer thin-film structure; and lastly, the base and the sacrificial layer are removed.例文帳に追加

この薄膜インタポーザの製造方法はまずベースを提供し、このベースに犠牲層を形成して第1組導電バンプを形成し、その後、犠牲層の表面に多層薄膜構造を形成し、並びに多層薄膜構造の表面に第2組導電バンプを形成し、最後にベース及び犠牲層を除去する。 - 特許庁

To improve a phase difference compensation action of a phase difference compensation layer having a multilayer film structure formed by alternately laminating thin films different in refractive indices.例文帳に追加

屈折率が異なる薄膜を交互に積層した多層膜構成の位相差補償層による位相差補償作用を改善する。 - 特許庁

The multilayer structure dielectric thin film 8 is composed of a first high permittivity insulation film 81, and a second high permittivity insulation film 82.例文帳に追加

第1高誘電率絶縁膜81と、第2高誘電率絶縁膜82とを有する積層構造誘電体薄膜8である。 - 特許庁

Owing to the film structure where the Si thin films 13 overlie the Mo thin films 12, the membrane stress (compression stress) of the Si thin film 13 is offset by the membrane stress (tensile stress) of the Mo thin films 12 to reduce the membrane stress of the alternate multilayer films as a whole.例文帳に追加

その上にSi薄膜13を積層した膜構成により、Si薄膜13の膜応力(圧縮応力)をMo薄膜12の膜応力(引張応力)によって相殺し、交互多層膜全体の膜応力を低減する。 - 特許庁

A negative active material thin film installed directly or through a primary coat on a current collector layer has a multilayer structure containing two or more silicon thin films containing silicon as the main component.例文帳に追加

集電体層上に直接又は下地層を介して設けられる負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む2以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有する。 - 特許庁

To provide a superconducting element not allowing deterioration in the Josephson junction even when a superconductor thin film is formed of a multilayer structure, and also to provide a manufacturing method of the same superconducting element.例文帳に追加

超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, in a container having a substrate resin layer along with the multilayer packaging structure, at least one kind of resin in the thin-film laminated structure is a resin of the same kind as a substrate resin.例文帳に追加

さらに、多層包装構造体とともに基材樹脂層を有した容器において、薄膜積層構造中の一種以上の樹脂が、基材樹脂と同種の樹脂である。 - 特許庁

The multilayer wiring thin-film structure 40 is transferred to the wafer 20, when the wafer 20 and the transfer sheet 30 are brought into close contact and only the transfer sheet 30 is peeled then.例文帳に追加

ウエハ20と転写シート30とを密接させ、その後、転写シート30のみを引き剥がすと、ウエハ20に多層配線薄膜構造40が転写される。 - 特許庁

In a GaN system heterojunction field effect transistor, the barrier which is contact with heterojunction is formed as a multilayer structure which consists of a thin AlN layer and a GaN layer.例文帳に追加

GaN系ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ヘテロ接合に接するバリアーを薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit of a multilayer structure in which interconnection of an upper layer thin film transistor (TFT) and a lower layer transistor is formed with good yield.例文帳に追加

上層の薄膜トランジスタ(TFT)と下層のトランジスタの配線の接続を、歩留まり良く形成された多層構造の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: forming a multilayer structure object consisting of NbN/MgO/NbN-SIS bonding on an MgO temporary substrate; forming SiO_2 on the multilayer structure object as a substrate; and forming the thin film device by removing the MgO temporary substrate by etching.例文帳に追加

MgO仮基板上にNbN/MgO/NbN−SIS接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてSiO_2を形成し、ついでエッチングにより前記MgO仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。 - 特許庁

In the film multilayer structure, a thin layer mainly comprising epitaxial-grown zirconium oxide and the thin layer in which a (001) face is rotated in a 45° face to the thin layer mainly comprising zirconium oxide, and which has an epitaxial-grown simple perovskite structure, are formed, and an intermediate layer is formed between the thin layer having the simple perovskite structure mainly comprising zirconium oxide and the semiconductor substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられ、かつ、中間層が、酸化ジルコニウムを主成分と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に設けられている膜多層構造体とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones.例文帳に追加

異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁

In the structure of the field effect transistor, a heterojunction interface which consists of the GaN layer and the barrier is used as a channel, and the barrier which is contact with the channel is formed as the multilayer structure which consists of the thin AlN layer and the GaN layer.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタの構造では、GaN層とバリアーからなるヘテロ接合界面をチャンネルとし、チャンネルに接するバリアーが薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。 - 特許庁

To provide a method which hardly causes the breakage of thin layer sheets near a via when peeling a carrier tape, regardless of the multilayer structure and reduction in thickness of ceramic green sheets, in manufacturing a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor which needs a higher capacity and further reduction in thickness.例文帳に追加

高容量化・薄型化が求められる積層セラミックコンデンサ等のセラミック積層電子部品の製造において、セラミックグリーンシートの多層化及び薄型化に拘わらず、キャリアテープの剥離時に薄層シートのビア近傍部分の破れが生じにくい手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method which hardly causes the breakage (including the chipping) of thin layer sheets near a via when peeling a carrier tape, regardless of the multilayer structure and reduction in thickness of ceramic green sheets, in manufacturing a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor which needs a higher capacity and further reduction in thickness.例文帳に追加

高容量化・薄型化が求められる積層セラミックコンデンサ等のセラミック積層電子部品の製造において、セラミックグリーンシートの多層化及び薄型化に拘わらず、キャリアテープの剥離時に薄層シートのビア近傍部分の破れ(欠け等も含めて)が生じにくい手法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface layer evaluation method capable of evaluating the surface structure highly accurately with excellent repeatability by preventing exfoliation of a multilayer thin film and deformation of the interface resulting from shape processing.例文帳に追加

表面層評価方法に関し、形状加工に伴う多層薄膜の剥離及び界面の変形を防止して、精度良く且つ再現性良く表面構造を評価する - 特許庁

例文

To provide a thin film of a chorine-free thermal fusion bond multilayer odor barrier structure which has relatively low elastic modulus, high interlaminar strength and makes low noise at folding.例文帳に追加

比較的低い弾性係数と、高い層間強度と、折り曲げるときに低騒音である無塩素熱融着多層臭気障壁構造の薄膜を提供すること。 - 特許庁




  
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