「tr on」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The memory cell Tr 50 is provided similarly, together with the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53 on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

メモリセルTr50は、同じく半導体基板1上に周辺NMOSTr52と周辺PMOSTr53とともに併設されている。 - 特許庁

IEC/TR 62725 on GHG emissions of an EE products also started to be developed. 例文帳に追加

電気・電子製品のGHG排出量に関するIEC/TR 62725の開発もスタート - 経済産業省

An N-type TR N5 also turns on.例文帳に追加

また、Ｎ型トランジスタＮ５もオン状態となる。 - 特許庁

Then both the channel potential when the discharge Tr 215 is turned on and the channel potential when the transfer Tr 211 is turned on are set higher than the completely depleted potential of the PD 219 so that the signal charge of the PD 219 may be transferred completely from both the transfer Tr 211 and discharge Tr 215.例文帳に追加

そして、この排出Ｔｒ２１５をＯＮしたときのチャネル電位と、転送Ｔｒ２１１をＯＮしたときのチャネル電位の両方をＰＤ２１９の完全空乏化電位よりも高くなるように設定する。 - 特許庁

A mediation part 63 determines the control torque T_F after mediation outputted to any one of the torque T_C and torque Tr, based on the value of the flag FRG_A and the magnitude of the cooperation control mediation torque Tr determined using the gain Kg.例文帳に追加

調停部６３は、フラグFRG_Aの値と、ゲインKgを用いて決定される協調制御調停トルクTrの大きさとに基づいて、出力する調停後制御トルクT_FをトルクT_CまたはトルクTrのいずれか一方に決定する。 - 特許庁

A piezoelectric sensor 10 which has a transistor TR having a graphene layer 3 as a channel and a nanowire 8 of which one end is connected on a gate 5 of the transistor TR and which contains a piezoelectric material are employed.例文帳に追加

チャンネルとしてグラフェン層３を備えたトランジスタTRと、トランジスタTRのゲート５上に片方の端部が接続された圧電材料を含むナノワイヤ８とを有する圧電センサ１０による。 - 特許庁

As a result, the transistor Tr is turned on, and a current I flows in a drain of the transistor Tr, thereby, a source potential of the transistor Tr is raised by a resistance R3 connected to a source of the transistor Tr when a drain current flows.例文帳に追加

この結果、トランジスタＴｒがオンしてトランジスタＴｒのドレインに電流Ｉが流れ、ドレイン電流が流れるとトランジスタＴｒのソースに接続された抵抗Ｒ３によってソース電位が上昇する。 - 特許庁

Turning on/off the TR P103 controls the fact of use of the TR P105 to interpolate the channel width of the TR P101 thereby adjusting the channel width (current amount) of the P-channel MOS TR.例文帳に追加

ここで、トランジスタP103をオン／オフして、トランジスタP105のトランジスタの利用の有無を制御し、トランジスタP101のチャンネル幅を補完することで、pチャンネル型MOSトランジスタのチャンネル幅（電流量）を調整する。 - 特許庁

When the driving is changed from the odd-numbered lines to even-numbered lines, however, it takes time for the potential of the source driver to reach a desired level in the fixed state (Tr_B>Tr_A) on condition that the POL is inverted and a G33 is at High.例文帳に追加

しかしながら、奇数ラインから偶数ラインに駆動が切り替わるとき、POLが反転してＧ３３がHighとなっているときは、ソースドライバの電位が所望のレベルになるまで、固定時に対して時間を要する(Tr_B＞Tr_A)。 - 特許庁

A bus decoder 40 turns on/off a control TR 30 to control on/off of a setting TR 10, thereby checking an optimum state.例文帳に追加

バスデコーダ４０により制御トランジスタ３０をオンオフして、設定トランジスタ１０のオンオフを制御して、最適の状態を調べる。 - 特許庁

An N-type TR N3 turns off, and an N type TR N4 turns on, and P type transistors P3 and P4 also turn on.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタＮ３はオフ、Ｎ型トランジスタＮ４はオンし、Ｐ型トランジスタＰ３、Ｐ４もオンする。 - 特許庁

The on/off state of the setting TR 20 is zapped to fix an on/off state of the setting TR 10 to an optimum state.例文帳に追加

そして、ツェナーザップダイオード２０をザッピングすることによって、設定トランジスタ１０のオンオフ状態を最適の状態に固定する。 - 特許庁

A groove TR is formed on the main surface of a semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体基板ＳＢの主表面に溝ＴＲが形成される。 - 特許庁

A plurality of transistors Tr are arranged on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板は、複数のトランジスタＴｒを面上に設置する。 - 特許庁

The semiconductor substrate has a plurality of transistors Tr provided on a surface.例文帳に追加

半導体基板は、複数のトランジスタＴｒを面上に設置する。 - 特許庁

A recess TR is formed on the surface of the insulating film II4.例文帳に追加

上記絶縁膜ＩＩ４の表面には凹部ＴＲが形成されている。 - 特許庁

A wheel speed sensor 2 is arranged on the respective tires TR of a vehicle 1.例文帳に追加

車両１の各タイヤＴＲには車輪速度センサ２が配設されている。 - 特許庁

On the other hand, at interruption of power, a TR Q6 is made nonconductive and the TR Q5 becomes also conductive.例文帳に追加

これに対して、電源オフ時は、トランジスタＱ６がオフ状態となり、トランジスタＱ５がオン状態になる。 - 特許庁

Furthermore, the capstan servo arithmetic section 71 obtains an SB phase error based on an SB No. and Tr No. and an SB phase error detected by a SYNC/ID detection section 22.例文帳に追加

また、キャプスタンサーボ演算部７１は、SYNC/ID検出部２２より検出されるSB No.とTr No.よりSB位相エラーを求める。 - 特許庁

To limit the current which flows to the base terminal of a drive transistor(TR), when the TR is turned on reversely.例文帳に追加

駆動用トランジスタが逆方向にオンされているときにベース端子へ流れる電流を制限する。 - 特許庁

In case of Tr≥Tf, floor heating is put in an OFF state (step S105), and in case of Tr<Tf, floor heating is put in an ON state (step S104).例文帳に追加

Ｔｒ≧Ｔｆのときは床暖房はＯＦＦ状態となり（ステップＳ１０５）、Ｔｒ＜Ｔｆのときは床暖房はＯＮ状態となる（ステップＳ１０４）。 - 特許庁

The TR Q4 makes the TR Q3 conductive in the DVD mode, to turn on the TR Q1 on the basis of the A-Mute signal from the DVD player 5, so as to apply audio muting.例文帳に追加

トランジスタＱ４は、ＤＶＤモードのときトランジスタＱ３を導通させ、ＤＶＤプレーヤ５からのＡ−Ｍｕｔｅ信号に基いてトランジスタＱ１をオンし、音声ミュートをかける。 - 特許庁

The data writing transistors Tr 12 and Tr 13 are alternately operated to be turned on, by which the gate potential of the driving transistor Tr 11 is rewritten at every light period based on the γ correction curve.例文帳に追加

前記データ書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 は交互にオン動作されて、γ補正カーブに基づいた点灯期間ごとに駆動トランジスタＴr11 のゲート電位が書き換えられる。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

When a bit line BL_-2 is selected out of bit lines BL_-1, BL_-2, BL_-3 arranged in parallel in a SRAM, a transistor Tr_-2 is turned on and transistors Tr_-1, Tr_-3 are turned off based on column selecting signals CSL_-1, CSL_-2, CSL_-3.例文帳に追加

ＳＲＡＭにおいて、並行して配設されたビット線ＢＬ＿１，ＢＬ＿２，ＢＬ＿３のうち、ビット線ＢＬ＿２を選択する場合に、列選択信号ＣＳＬ＿１，ＣＳＬ＿２，ＣＳＬ＿３に基づいて、トランジスタＴｒ＿２をオン、トランジスタＴｒ＿１，Ｔｒ＿３をオフにする。 - 特許庁

Wireless apparatuses at a vehicle side select beacon slots 6 to 25 on the basis of a random access time Tr, a beacon synchronization correction wireless apparatus 10 selects beacon slots 26 to 30 on the basis of the random access time Tr, and a relation of road side Tr > vehicle side Tr holds.例文帳に追加

車両側の無線装置ではランダムアクセス遅延時間Ｔｒから６〜２５のビーコンスロットが選択され、ビーコン同期補正無線装置１０ではランダムアクセス遅延時間Ｔｒから２６〜３０のビーコンスロットが選択され、路側のＴｒ＞車両側のＴｒとなる。 - 特許庁

A target torque calculation part 71d calculates target torque Tr_t based on the maximum acceleration demand coefficient α_peak and torque difference between the target torque without assist Tr_non and the maximum assist target torque Tr_max.例文帳に追加

目標トルク演算部７１ｄは、アシスト無目標トルクＴｒ＿nonと最大アシスト目標トルクＴｒ＿maxとのトルク差ΔＴｒ及び最大加速要求係数α＿peakを基に、目標トルクＴｒ＿tを算出する。 - 特許庁

When each pixel is reset, the MOS TR T1 is turned off and the MOS TR T5 is turned on to give a prescribed voltage to a gate and a drain of the MOS TR T2.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＦＦにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＮにしてＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインに一定電圧を与える。 - 特許庁

The tray Tr is put on a table 16 which can rise and fall, the trays Tr is piled up in order while parts are stored in the tray Tr, and a spacer is inserted in a middle.例文帳に追加

昇降可能なテーブル１６上にトレイＴｒを置き、該トレイＴｒに部品を収納しながら順次トレイＴｒを積み重ねるとともに、その途中にスペーサ５を介挿する。 - 特許庁

After that, when a switching regulator 3 is turned on, a voltage of 3.3 V is outputted from the switching regulator 3 through a TR 39, and then when a voltage of Vbe of the TR 33 is not 0.6 V, the TR 33 comes out of continuity.例文帳に追加

その後、スイッチングレギュレータ３が立ち上がると、スイッチングレギュレータ３からＴＲ３９を通じて3.3Vの電圧が出力され、それによりＴＲ３３のVbeが0.6Vでなくなると、ＴＲ３３は非導通になる。 - 特許庁

A collector current IC2 of the TR P2 is equal to a base current of the TR Q2 and depends on a current amplification factor of the TR Q2 and a current I2 of a current source IS2.例文帳に追加

トランジスタＰ２のコレクタ電流Ｉ_C2はトランジスタＱ２のベース電流と等しく、トランジスタＱ２の電流増幅率および電流源ＩＳ２の電流Ｉ_2 で設定される。 - 特許庁

When each pixel makes an image pickup operation, a MOS transistor(TR) T1 is turned on and a MOS TR T5 is turned off to activate a MOS TR T2 in a sub-threshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＮにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

When the ON- resistance of a transistor(TR) Qn_1 or Qn_2 fluctuates caused by a manufacturing factor, an RC series circuit 2 or 3 controls the TR Qn_1 or Qn_2 to suppress fluctuations in the drive capability of the TR Qn_1 or Qn_2.例文帳に追加

ＲＣ直列回路２又は３は、製造要因によりトランジスタＱn1又はＱn2のオン抵抗が変動すると、駆動能力の変動分を抑えるように制御する。 - 特許庁

Thus, a transistor TR is turned on and a light emitting diode LED1 is lit on.例文帳に追加

これによりトランジスタＴＲがオンフになり、発光ダイオードＬＥＤ１が点灯する。 - 特許庁

At this time, the potential of a control line 20 becomes high and a third transistor Tr 3 becomes on state.例文帳に追加

このとき、制御線２０の電位がハイになり第３トランジスタＴｒ３がオン状態になる。 - 特許庁

Torque based on the requested torque Tr* can be output to a driving shaft for traveling as a matter of course.例文帳に追加

もとより、要求トルクＴｒ＊に基づくトルクを駆動軸に出力して走行することができる。 - 特許庁

On the other hand, an inverter circuit is constituted by comprising a switching element Tr of semiconductor module.例文帳に追加

また、半導体モジュールによるスイッチ素子Ｔｒを含んでインバータ回路を構成する。 - 特許庁

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region.例文帳に追加

一方、負電圧NMOSTr50は、周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されている。 - 特許庁

By oxidizing a wall surface of the groove TR, a first oxide film TO1a is formed on the wall surface.例文帳に追加

溝ＴＲの壁面を酸化することにより壁面に第１の酸化膜ＴＯ１ａが形成される。 - 特許庁

In a selection period, the Tr's 11, 12, and 13 turn on and a specified current value is written to the Tr11.例文帳に追加

選択期間では、Ｔｒ１１，１２，１３がオンになり、指定電流値がＴｒ１１に書き込まれる。 - 特許庁

Then, when the reservation time tr of power supply comes, power is automatically turned on.例文帳に追加

そして、電源投入の予約時刻ｔｒになった場合、自動的に電源が投入される。 - 特許庁

The ROM cell transistor Tr is provided in a region on the surface of a substrate.例文帳に追加

ＲＯＭセルトランジスタＴｒは、基板表面の領域に設けられている。 - 特許庁

A lamp display part 85 operates when the tableware 10 is mainly on a conveyance path TR of a conveyance part 20.例文帳に追加

ランプ表示部８５は、食器１０が主に搬送部２０の搬送路ＴＲ上にある際に動作する。 - 特許庁

On the other hand, each electronic display device 1 detects presence/absence of the beacon B in a predetermined detection cycle Tr.例文帳に追加

一方、各電子表示器１は、定められた検出周期ＴｒでビーコンＢの有無を検出する。 - 特許庁

As the transistor is continuously kept on, the charging voltage of the capacitor Cb drops and the transistor Tr is eventually turned off.例文帳に追加

ＯＮし続けると、コンデンサＣｂの充電電圧が低下し、トランジスタＴｒはＯＦＦする。 - 特許庁