「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive film 8 is formed on the insulating film 7, and a lower layer resist film 9, an intermediate layer 10, an anti-reflection film 11, and an upper layer resist film are formed on this conductive film 8.例文帳に追加

絶縁膜７上に導電膜８を形成し、該導電膜８上に下層レジスト膜９、中間層１０、反射防止膜１１および上層レジスト膜を形成する。 - 特許庁

The fuel adsorbing layer 4 formed inside of a canister is defined into an upper adsorbing layer 4A and a lower adsorbing layer 4b by a partitioning plate 13 in which a heater is buried.例文帳に追加

キャニスタの内部に形成される燃料吸着層４は、ヒータが埋設された仕切板１３によって上部吸着層４Ａと下部吸着層４Ｂとに区画されている。 - 特許庁

The piezoelectric ceramics composite is manufactured in a manner such that one upper layer ceramic sheet, one bottom layer ceramic sheet and one or more intermediate layer ceramic sheets are laminated and sintered at a high temperature.例文帳に追加

一種の圧電セラミックス複合体で、上層セラミックシート一枚、底層セラミックシート一枚及び一枚以上の中層セラミックシートを積み重ねて、高温焼結により作られたもの。 - 特許庁

To provide a method for stably producing custard pudding having a two-layer type composed of an upper layer with much fat content and a lower layer with less fat content, and smooth palate feeling, and to provide the pudding.例文帳に追加

脂肪分の多い上層と脂肪分の少ない下層からなる２層タイプで、なめらかな食感を有するカスタードプリンを安定して製造できる方法および該プリンを提供すること。 - 特許庁

This laser is provided with a grating 2, an active layer 4, an upper clad layer 10, a continuously formed electrode contact layer 11, and separately formed p-type ohmic electrodes 12 and 13.例文帳に追加

グレーティング２、活性層４、上部のクラッド層１０、連続して形成された電極コンタクト層１１、および、分割して形成されたｐ型オーミック電極１２，１３を有する。 - 特許庁

The projection structure 18A may be formed by sequentially stacking a base layer and a conductive layer from the side of the substrate 11, and by etching or heat-treating the upper surface of the conductive layer.例文帳に追加

突起構造１８Ａは、下地層と導電層とを基板１１の側から順に積層し、導電層の上面を熱処理またはエッチングすることにより形成してもよい。 - 特許庁

The cushioning member 1 is constituted by integrating both of a base material layer 2 comprising a hard resin and the cushioning layer 3 comprising an elastomer provided on the upper surface of the base material layer 2.例文帳に追加

硬質樹脂からなる基材層２と該基材層２の上面にエラストマーからなるクッション層３とが設けられて両者が一体化していることを特徴とするクッション部材１とする。 - 特許庁

Thus, the length L2 of the gap layer is made short to reduce the stress from the upper core layer 25, thereby effectively preventing the gap layer from cracking or having film-peeling.例文帳に追加

このようにギャップ層の長さＬ２を短くすることにより、上部コア層２５から受ける応力を小さくでき、ギャップ層にひび割れあるいは膜剥れの発生を有効に防止できる。 - 特許庁

An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.例文帳に追加

ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

The extraction electrode 13 comprises double-layer seed layers 13a, 13b formed on the projection 12b, and an electrode pad 13c formed on the upper-layer seed layer 13b.例文帳に追加

引き出し電極１３は、突出部１２ｂ上に形成された２層のシード層１３ａ，１３ｂと、上層のシード層１３ｂ上に形成された電極パッド１３ｃとで構成されている。 - 特許庁

The high expansion layer 42 projects upward from the non-arranged region of the high expansion layer 42 of the upper face of the vibrating plate 41, and the projecting amount is larger than the thickness of the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

高膨張層４２は、振動板４１の上面の高膨張層４２よりも上方に突出しており、その突出量は、圧電層４３の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

The capacitor 10 is composed of a lower electrode layer 10b, a dielectric layer 10a and an upper electrode layer 10c, which are formed in order from the side of the insulating separation film 11.例文帳に追加

このキャパシタ１０は、絶縁分離膜１１側から順次形成された下層側電極層１０ｂ、誘電体層１０ａおよび上層側電極層１０ｃから構成されている。 - 特許庁

The close contact layer 7 is formed between the gas detection layer 4 and an insulating coating layer 3 or the detecting electrode 6 formed in an upper part thereof, to prevent separation by enhancing tightness therebetween.例文帳に追加

ガス検知層４と絶縁被膜層３またはその上部に形成した検出電極６との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。 - 特許庁

When a polycrystalline silicon layer 6 that serves as an upper electrode of the capacitor 21 is formed, the resistor 22 is formed by etching the polycrystalline layer 6 as an uppermost layer.例文帳に追加

容量素子２１の上部電極である多結晶シリコン層６を形成する際に、抵抗素子２２を、最上部の多結晶シリコン層６をエッチングさせて形成させるようにした。 - 特許庁

To reduce a parasitic capacitance of a bonding wire that extends from a lower-layer side semiconductor chip and passes through between lower-layer and upper layer semiconductor chips in a chip-stacked type semiconductor device.例文帳に追加

チップ積層型半導体装置において、下層側の半導体チップから延びて、下層および上層の半導体チップ間を通過するボンディングワイヤの寄生容量を低減する。 - 特許庁

When a storage gate Schottky electrode is formed, Ti serving as an electrode metal film is injected into an upper semiconductor layer formed of an InGaP layer or an InAlGaP layer.例文帳に追加

ストレージゲートショットキー電極を形成する際、ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層に電極金属膜となるＴｉを注入させて形成する。 - 特許庁

Fibers constituting the lower layer 3 of the nonwoven fabric contain a larger quantity of titanium oxide than fibers constituting the upper layer 2, or the fibers constituting the lower layer 3 do not contain titanium oxide.例文帳に追加

この不織布は、下層３を構成する繊維が、上層２を構成する繊維よりも、酸化チタンを多く含んでいるか、あるいは下層３を構成する繊維が酸化チタンを含んでいない。 - 特許庁

The image signal wiring d has a two-layer structure comprising a lower layer electrode dB formed by coating with Ag paste and an upper layer electrode dA made of an alloy AL-Nd comprising aluminum and neodymium Nd.例文帳に追加

そして、画像信号配線ｄはＡｇペーストの塗布で形成した下層電極dＢとアルミニウムとネオジムＮｄの合金ＡＬ—Ｎｄからなる上層電極dＡの二層構造である。 - 特許庁

Since the upper and lower layers of the high melting-point metal are formed of a high melting-point metal silicide layer, the laminate layer has a better adhesion with an insulation film 5, and a delamination in the high melting-point metal layer does not occur.例文帳に追加

また、高融点金属層の上下に高融点金属シリサイド層を形成するため、絶縁膜５との密着性がよくなり、高融点金属層の膜剥がれが起きなくなる。 - 特許庁

An interval L of the upper-layer routing lines 7 is set to (2W+D) obtained by adding an interval D of the lower-layer routing lines 6 to the double of a line width W of the lower-layer routing lines 6.例文帳に追加

上層引き回し線７の間隔Ｌは、下層引き回し線６の線幅Ｗの２倍に該下層引き回し線６の間隔Ｄを加えた値（２Ｗ＋Ｄ）となっている。 - 特許庁

The sand cover structure at the water bottom comprises the lower sand cover layer of finely granulated blast furnace slag and the upper sand cover layer formed on the lower sand cover layer with other sand cover material than the finely granulated blast furnace slag.例文帳に追加

細粒高炉水砕スラグによる下部覆砂層と、細粒高炉水砕スラグ以外の覆砂材により前記下部覆砂層の上に形成された上部覆砂層とを有する。 - 特許庁

At least, one part of the width on the side of the recording gap layer 9 of the lower magnetic pole layer 8 is made equal to the width of the magnetic pole part of the upper magnetic pole layer 15 by the grooves 21.例文帳に追加

また、溝部２１によって、下部磁極層８における記録ギャップ層９側の少なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of an inter-layer insulating film can be decreased while the dielectric strength between an upper-layer wiring and a lower-layer wiring is held above a certain value.例文帳に追加

上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To flatten an upper surface of an insulating layer under a rugged reflecting layer in a reflection type liquid crystal display device provided with a rugged reflecting layer on the internal surface side of a thin film transistor substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板の内面側に凸凹な反射層が設けられた反射型の液晶表示装置において、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を平坦とする。 - 特許庁

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁

To easily conform to the standard/low temp. treating technology to improve the capacitance density and maintain a desired flatness by laying a dielectric material layer on lower electrodes and the surface of a dielectric layer and forming upper electrodes on the dielectric material layer.例文帳に追加

標準／低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるＣＭＰと適合性を有するキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層から拡散させたＺｎ拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層に達し、開口下にＺｎ拡散領域２６を形成する。 - 特許庁

Since the growing surface 24a of the intermediate layer 24 is flat, a growing surface 26a of the upper layer 26 to be epitaxially grown on the intermediate layer 24 is also flat.例文帳に追加

このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 - 特許庁

To provide a packaged tow-layer yogurt of after-fermentation type, having an upper layer consisting of sauce and a lower layer consisting of yogurt, and capable of preventing the sauce and the yogurt from being mixed to be turbid, when produced, distributed or stored.例文帳に追加

ソ−スが上層、ヨ−グルトが下層で、製造中、流通中又は保存中におけるソースとヨ−グルトの混濁が抑制された、後発酵型容器入り二層ヨ−グルトの提供。 - 特許庁

The active layer is equipped with one end which receives light emitted from outside, the other end which outputs the amplified light and provided between the first region of the lower clad layer and the upper clad layer.例文帳に追加

活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第１の領域と上部クラッド層との間に設けられている。 - 特許庁

Slopes 60a are formed in the first insulation layer 60, in the second insulation layer 70, slopes 70a are formed at the upper parts of the slopes 60a of the first insulation layer 60.例文帳に追加

第１絶縁層６０には傾斜面６０ａが形成され、第２絶縁層７０には傾斜面７０ａが、第１絶縁層６０の傾斜面６０ａの上方に形成されている。 - 特許庁

As a result, when the buried layer 13 is grown, Zn diffusing from an upper cladding layer 23 is trapped by the diffusion protection layer 31, and counter diffusion between Zn and Fe is inhibited.例文帳に追加

この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。 - 特許庁

A track width defining layer 12a including the magnetic pole part of an upper magnetic pole layer is first formed into the shape of an undercut in the vicinity of the end of a recording gap layer 9 side.例文帳に追加

上部磁極層の磁極部分を含むトラック幅規定層１２ａは、初めは、記録ギャップ層９側の端部近傍においてアンダーカットの入った形状に形成される。 - 特許庁

An installing layer 5, a conduction layer 9 and a second insulating layer 10 are laminated and formed on the upper face of a semiconductor substrate except for a center part of the exposed surface of a P-type area 4.例文帳に追加

Ｐ型領域４の露出表面である中央部分を除く半導体基板の上面に、絶縁層５、導電層９および第２絶縁層１０の各層を積層形成する。 - 特許庁

Upper layers of the multilayer structure, namely, the p-GaN contact layer 24, the p-AlGaN cladding layer 22 and the p-GaN optical guide layer 20 are formed as a striped ridge 26.例文帳に追加

積層構造のうち、ｐ−ＧａＮコンタクト層２４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ−ＧａＮ光ガイド層２０の上部は、ストライプ状リッジ２６として形成されている。 - 特許庁

To improve a plane magnetic element which has a plane coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer and has an intercoil magnetic layer arranged in a gap between the coils of the plane coil.例文帳に追加

本発明は、下部磁性層と上部磁性層との間に平面コイルを有し、該平面コイルのコイル線間の空隙にコイル線間磁性層を配した平面磁気素子の改良に関する。 - 特許庁

Then an inter-layer isolation film 67 comprising SiO_2 is formed and a contact hole 67h reaching the LDD layer 63 formed from an upper face of the inter-layer isolation film 67 is formed by the photolithography method.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2からなる層間絶縁膜６７を形成し、フォトリソグラフィ法により層間絶縁膜６７の上面からＬＤＤ層６３に到達するコンタクトホール６７ｈを形成する。 - 特許庁

A first gate insulating layer is divided into the lower layer 60 and the upper layer 61 when cleaning and removing a resist used for forming the second source/drain regions 12, 13, 18, 19 of the second transistor.例文帳に追加

第２のトランジスタの第２のソースドレイン領域１２，１３，１８，１９を形成するために用いられたレジストを洗浄除去するときに、下層６０と上層６１とに区別された。 - 特許庁

The upper face of a buried layer 108 formed on a semiconductor layer 106 is in contact with the deep well 112 and the sinker 110, and the buried layer has a higher impurity concentration than the impurity concentration of the deep well 112.例文帳に追加

埋込層１０８は、半導体層１０６に形成され、上面がディープウェル１１２及びシンカー１１０に接しており、ディープウェル１１２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。 - 特許庁

A thin layer constituted of a magnetic material of a hard bias layer material and the like is newly deposited at an upper part of a free magnetic layer 68 of a GMR head, in the passive area under the overlaid lead element.例文帳に追加

ハード・バイアス層材料等の磁気材料から構成される薄層がオーバレイド・リード下のパッシブ領域にあるＧＭＲヘッドのフリー磁性層６８上部に新たに堆積される。 - 特許庁

Further, an upper electrode layer formed on the same position may be physically divided by the separation layer and contact the common wiring in a region overlapping a protruded portion of the separation layer.例文帳に追加

基板上に設けられた共通配線上に接して、絶縁性を有し底部よりも上部が基板面方向にせり出した形状の分離層を設ける発光装置とすればよい。 - 特許庁

A flattening material layer 20 is applied and hardened on a second inductive material layer 14, so that the flattening material layer 20 can form a practically flat upper surface 22.例文帳に追加

平坦化材料層２０を第二の誘電材料層１６の上に付与し且つ硬化させ、平坦化材料層２０が実質的に平坦な上面２２を形成するようにする。 - 特許庁

The upper end of the electrode 15 is electrically connected to the transparent common electrode layer 13, and the lower end side is provided with an insulating layer 17 to be electrically insulated from the common electrode layer 12.例文帳に追加

電極１５の上端は透明共通電極層１３と電気的に接続し、下端側は絶縁層１７を設けて共通電極層１２と電気的に絶縁する。 - 特許庁