「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

The openings 7 are oriented to the upper surface side of a wafer and the counter electrode 14 constitutes part of a flat layer 5 formed over the whole surface of the chip.例文帳に追加

換気用開口部７はウェハの上面方向に配向されており、対向電極はチップ面全体にわたる平坦な層５の一部分である。 - 特許庁

An electrically conductive light shielding layer 51 is disposed on the part which is the upper surface of the supporting substrate 10 and is confronted with the lower surface of the chip 30 and on the surrounding part.例文帳に追加

支持基板１０の上面であって、チップ３０の下面に対向する部分及びその周辺部分に導電性遮光層５１が設けられている。 - 特許庁

A diode/FET electrode 9 is formed between the diode electrode 8 and the FET gate electrode 5 on the upper surface side of the first GaAs layer 4.例文帳に追加

第１ＧａＡｓ層４の上面側にダイオード電極８とＦＥＴゲート電極５との間で形成されるダイオード／ＦＥＴ電極９が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a nitride semiconductor crystal and a gate electrode opposed to the upper side surface of the nitride semiconductor crystal through an insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、窒化物半導体結晶と窒化物半導体結晶の上側表面に絶縁層を介して対向するゲート電極を備えている。 - 特許庁

The telecommunication system includes a network device with the layered protocol architecture for allowing transfer of upper layer Protocol Data Units using shared medium.例文帳に追加

通信システムは、共用媒体を使用して上側レイヤプロトコルデータユニットのトランスファを許容するためのレイヤードプロトコルアーキテクチャを備えたネットワークデバイスを含む。 - 特許庁

The electrostatic chuck 1 comprises a base plate 6, electrodes 5a, 5b which form patterns extending on the upper surface of the base plate 6, and a dielectric layer 4 which covers the electrodes.例文帳に追加

静電チャック１は、基盤６と、基盤６の上面にパターンをなして広がる電極５ａ、５ｂと、電極を覆う誘電層４と、を備える。 - 特許庁

Since the upper part of Hodo (covering soil) has been taken out, the shape of Kofun is presumed to have been a two-layer square, a dome-shaped mound on a square base or an octagonal base mound. 例文帳に追加

封土（盛り土）の上部が剥がされているため、その形状は、2段積の方墳とも上円下方墳とも下方八角墳とも推測されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An upper layer contacting with a capacitive insulating film 17 out of the lower electrode 16 is an amorphous titanium nitride film 16B formed by, for instance, an MOCVD method.例文帳に追加

下部電極１６のうち容量絶縁膜１７と接する上層が例えばＭＯＣＶＤ法により成膜された非晶質の窒化チタン膜１６Ｂである。 - 特許庁

The lower-layer insulation film is so formed above the semiconductor film as to extend from the respective channel regions to the respective source/drain regions along their upper sides.例文帳に追加

下層絶縁膜は半導体膜上において、チャネル領域上からソースおよびドレイン領域上にまで延在するように形成されている。 - 特許庁

A semisolid fluid storage part 20 in which the semisolid fluid is stored i pressurized from the upper layer thereof, and the pressurized semisolid fluid is transported by a plunger pump 30.例文帳に追加

半固形流体を貯蔵した半固形流体貯蔵部２０をその上層より加圧し、加圧された半固形流体をプランジャポンプ３０により輸送する。 - 特許庁

The electrodes for internal connection are connected to a wiring layer on a semiconductor substrate to perform resin sealing of the upper surface of the semiconductor substrate to the lower surface of the tape of the support.例文帳に追加

この内部接続用電極を、半導体基板上の配線層に接続して、該半導体基板上面を支持部のテープ下面まで樹脂封止する。 - 特許庁

A latent image after being formed by exposing a pattern area by converting a laser beam 8 for exposure on the upper layer is developed to form a pattern.例文帳に追加

露光用のレーザービーム８を上層に集光し、パターン領域を露光して潜像を形成した後、該潜像を現像液で現像してパターンを形成する。 - 特許庁

Consequently, the epitaxial substrate 1 rich in Al can be obtained comprising the upper layer 3 of low transition density of 1×10^9/cm^2 or less.例文帳に追加

これにより、Ａｌリッチであって、１×１０^9／ｃｍ^2以下という低転位密度の上部層３を有するエピタキシャル基板１を得ることができる。 - 特許庁

A radio station at an access point transmits the information for connection processing with an upper layer while including it in a beacon or data at a specified timing from the beacon.例文帳に追加

アクセスポイントの無線局は、上位層の接続処理のための情報がビーコンや、ビーコンから所定のタイミングのデータ中に含めて送信する。 - 特許庁

The antireflection film 10 has a two-layer structure including lower and upper silicon nitride films (p-SiN films) 11, 12 deposited by a plasma CVD method.例文帳に追加

反射防止膜１０は、プラズマＣＶＤ法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜（ｐ−ＳｉＮ膜）１１，１２を含んで成る２層構造を有している。 - 特許庁

A ridge-like upper clad layer 25 is formed on an area exposed from the opening of the semiconductor laminated layers 10 by regrowth.例文帳に追加

半導体層積層体１０における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層２５が再成長により形成されている。 - 特許庁

Thereafter, with the resist 18 and the SiO2 film 17 as the mask, the GaN layer 13 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part is removed by dry etching by using chlorine-based gas.例文帳に追加

その後、レジスト18とSiO_2膜17をマスクとして、GaN層13を塩素系のガスを用いてドライエッチングによりSiC基板11の上面まであるいは一部を除去する。 - 特許庁

Since the solder layer 28 of the upper solder bump 26 is melted, the falling of the solder bump 26 from the interlayer connecting electrode pad 22b can be prevented.例文帳に追加

こうして、半田バンプ２６の半田層２８が溶融して、上側の半田バンプ２６が層間接続用電極パッド２２ｂから脱落することを防止する。 - 特許庁

In other words, contact length between the heating element and a color thermal recording sheet 13 is shortened for a thermal head recording an image on an upper thermal coloring layer.例文帳に追加

このように、上層の感熱発色層に画像を記録するサーマルヘッドほど発熱素子とカラー感熱記録紙１３との接触長を短くする。 - 特許庁

The turning air flows in a grains layer to be dried heaped in the grains housing chamber 4 from an upper surface to a lower surface thereof.例文帳に追加

穀物収容室４内に堆積させた被乾燥穀物層Ａに、その下面から上面に旋回風を流通させるように構成されている。 - 特許庁

A source drain region 103 with its plain orientation of the surface as a (111) plain is selectively formed on the upper layer of the silicon substrate 100 with its plain orientation as (100) plain.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板１００の上層部に表面の面方位が（１１１）面のソース・ドレイン領域１０３が選択的に形成される。 - 特許庁

A third belt 36 advances at a second speed different from the first speed and selectively contacts with a rotatable part of the shell 52 at the upper layer of the label.例文帳に追加

第３のベルト３６が第１の速度と異なる第２の速度で進み、ラベルの上の層であるシェルの回転可能部分５２と選択的に接触する。 - 特許庁

The liquid sample measuring apparatus comprises a sensor 5 having the enzyme layer, and an upper casing 3 and a lower easing 4 sandwiching the sensor 5 from above and below.例文帳に追加

酵素層を備えたセンサ５と、センサ５を上下から挟む上部筐体３および下部筐体４により液体試料測定装置を構成する。 - 特許庁

The upper faces (surfaces) of second regions 11A, 11B, 11C and 11D are configured of silver layers, and formed of materials whose etching rate is larger than that of the first region (chrome layer).例文帳に追加

第２の領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄはその上面（表面）が銀層からなり、前記第１の領域（クロム層）よりエッチングレートが大きい材料からなっている。 - 特許庁

A semiconductor part 12a, such as an IC or a general passive part 12b, is both side mounted on the upper and lower surface layer faces of the ceramic multilayer substrate 10.例文帳に追加

セラミック多層基板１０の上下の表層面にＩＣ等の半導体部品１２ａや一般受動部品１２ｂが両面実装されている。 - 特許庁

A ground wire layer 36 is formed from the upper part to the lower part of the central part of a semiconductor chip 18 provided to an RF power module 14.例文帳に追加

ＲＦパワーモジュール１４に設けられた半導体チップ１８の中央部には、上方から下方にかけてグランド配線層３６が形成されている。 - 特許庁

A two-layer structure metal film for forming wiring 7a consisting of a titanium film and a copper film formed by spattering is formed on the whole upper surface of a protection film 5.例文帳に追加

保護膜５の上面全体に、スパッタにより形成されたチタン膜およば銅膜からなる２層構造の配線形成用金属膜７ａを形成する。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, a reaction gas can be discharged through the mold-releasing layer 27 even when the reaction gas is produced on the upper surface or the bottom surface of the quartz glass 25.例文帳に追加

これにより、石英ガラス２５の上面や底面に反応ガスが発生しても、その反応ガスを離型層２７経由で排出することができる。 - 特許庁

A UV-curable resin necessary for forming a resin layer 41 is supplied to the die face 341 of a die, and a single lens 40 is arranged on an upper plate.例文帳に追加

樹脂層４１を形成するために必要な紫外線硬化樹脂が金型の型面３４１に供給され、単レンズ４０が上部プレートに配置される。 - 特許庁

A current supply line which supplies an electric current to the upper electrode 30 and the auxiliary electrodes are made conductive with each other by forming a through hole in an insulation layer.例文帳に追加

上部電極３０に電流を供給するための電流供給線と補助電極とは絶縁膜にスルーホールを形成して導通をとる。 - 特許庁

A part of the bracket member 2 is surrounded by an upper fitting 4, and the outer periphery of the surrounded bracket member 2 is coated with a rubber layer 5.例文帳に追加

また、ブラケット部材２の一部は上部金具４により取り囲まれ、その取り囲まれたブラケット部材２の外周面はゴム層５により被覆されている。 - 特許庁

Then, etching is applied to the silicon oxide film 14, with the nitride silicon carbide film 22 as a stopper film, to remove the upper layer portion 17 from the pixel array area 3.例文帳に追加

そして、炭窒化シリコン膜２２をストッパ膜として酸化シリコン膜１４に対してエッチングを施し、画素アレイ領域３から上層部分１７を除去する。 - 特許庁

The etched layers form the ferroelectric memory capacitor (270) with sidewalls that form an angle of 78° to 88° with the plane of the upper surface of the dielectric layer (70).例文帳に追加

エッチングされた層は、側壁が誘電層（７０）上面の平面と７８°から８８°の間の角度を形成する強誘電体メモリキャパシタ（２７０）を形成する。 - 特許庁

The infrared emitting element A has a main insulating layer 2 on one surface (upper surface in Fig. 1) side of a support substrate (semiconductor substrate) 1 in the thickness direction.例文帳に追加

赤外線放射素子Ａでは、支持基板（半導体基板）１の厚み方向の一表面（図１における上面）側に主断熱層２が形成されている。 - 特許庁

A reflective film 10 is formed under a lower electrode 11, and light from an organic EL layer 14 is emitted through an upper electrode 15.例文帳に追加

下部電極１１の下には反射膜１０が形成されており、有機ＥＬ層１４からの光は上部電極１５を通って放出される。 - 特許庁

Connection of the upper electrode 20 and the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 is made through the conductive part 54 of the insulating layer 50.例文帳に追加

上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との接続は、絶縁層５０の導電部５４を介して行われる。 - 特許庁

Another method for forming layers having tapered edges includes the deposition of a layer in which the upper portion is etchable at a faster rate than the lower portion.例文帳に追加

テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。 - 特許庁

The improved ground A is formed by performing rolling processing on its upper surface 10 after mixing sand 2, an improving material 2 or a solidifying material in the ground 1 of a lower layer.例文帳に追加

下層の地盤１に、砂２及び改良材３又は固化材を混合した後、その上面１０を転圧処理して改良地盤Ａを形成する。 - 特許庁

For the infringement on an upper region (203b) of a foil layer (203) by a laser beam (204), a lower region (203a) is remained to be undamaged.例文帳に追加

レーザービーム（２０４）により、ホイル層（２０３）の上部領域（２０３ｂ）が侵害されるのに対し、下部領域（２０３ａ）では損傷無しの状態を維持する。 - 特許庁

A metallic thin film is formed on the upper surface of the semiconductor substrate, and a gold plating layer is formed thereon to be given driving voltage.例文帳に追加

半導体基体の上面上には金属薄膜が形成され、またこの金属薄膜上に駆動電圧の供給を受ける金メッキ層が形成される。 - 特許庁

In the cooling water vessel, a centrifugal radiating stream is formed on the upper layer part, thus the piled-up ring is immediately, uniformly rapidly cooled and quenched.例文帳に追加

冷水槽は上層部で遠心放射状の流れを形成していて集積されたリングは直ちに且つ均等に急冷され焼入がなされる。 - 特許庁

Specific polarization components are selectively scattered at an interface between the light guide plate and the upper layer, or at an interface between the matrix and the PSSE.例文帳に追加

導光板と上部層との間の界面、またはマトリックスとＰＳＳＥとの間の界面では、特定の偏光成分が選択的に散乱する。 - 特許庁

The upper face and the side of the polycrystalline silicon resistance layer 14a are directly coated with the uniform Ti films 18a and 18b in the thickness of 30 nm.例文帳に追加

多結晶シリコン抵抗層１４ａはその上面及び側面を厚さ３０ｎｍの均一なＴｉ膜１８ａ、１８ｂによって直に被覆されている。 - 特許庁

Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4.例文帳に追加

さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。 - 特許庁