「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

In the barrier layer 1, the upper side thin layer is preferably formed under the pressure condition higher than that forming the lower side thin layer.例文帳に追加

また、バリア層１は、下側の薄層を形成した圧力条件よりも高い圧力条件下で上側の薄層を形成することが好ましい。 - 特許庁

A third polysilicon layer is formed on the lower layer and upper part of an insulating film that is a conductive layer connected through a driving transistor's drain and contact hole.例文帳に追加

下部層及び絶縁膜の上部に駆動トランジスタのドレインとコンタクトホールを通して接続される導電層である第三のポリシリコン層を形成する。 - 特許庁

An upper electrode to be a cathode is formed with the red emission layer, green emission layer, and blue emission layer; and sandwiched with the lower electrode 3.例文帳に追加

下部電極３との間に、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層を狭持する状態で、陰極となる上部電極を形成する。 - 特許庁

A coat layer composed of at least two layers of an upper coat layer 51 and a lower coat layer 52 is formed on a base body 50 of the NOx reducing catalyst 13.例文帳に追加

ＮＯ_X浄化用触媒１３の基体５０上には上部コート層５１と下部コート層５２の少くとも二層からなるコート層が形成されている。 - 特許庁

Further, The lower magnetic shield layer 2 and the upper magnetic shield layer 9 are not formed in a region in which the inspection element 5 and the lead electrode layer 10 are formed.例文帳に追加

さらに検査素子５と引出電極層１０の形成されている領域には、下部磁気シールド層２及び上部磁気シールド層９を形成しない。 - 特許庁

In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加

エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。 - 特許庁

The abrasion resistant layer 16 consisting of a metal film mainly composed of a metal nitride, is formed via the intermediate layer 15 to an upper part of the protecting layer 14.例文帳に追加

そして、保護層１４上方部に中間層１５を介して窒化金属を主成分とする金属膜から成る耐磨耗層１６が形成される。 - 特許庁

The peeling prevention layer 30 has a lamination structure consisting of a barrier seed layer 20 and an upper copper layer 25 when it is formed by an electrolytic plating method.例文帳に追加

剥離防止層３０は、電解メッキ法により形成する場合には、バリアシード層２０と上層の銅層２５からなる積層構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 includes an SOI substrate 50 in which a lower semiconductor layer 20, a buried insulating layer 30, and an upper semiconductor layer 40 are stacked.例文帳に追加

半導体装置１０は、下側半導体層２０と埋込み絶縁層３０と上側半導体層４０が積層したＳＯＩ基板５０を有する。 - 特許庁

A heat conduction layer 310 is provided on a plastic substrate 100, and a lower-side contact layer 113 of a thin film LED 102 is joined to the upper side of the thermal conduction layer 310.例文帳に追加

プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上側に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合する。 - 特許庁

The service distribution command is supplied, together with the assigning policy, from a logical node of an upper layer of the hierarchy to a lower layer of the hierarchy or each lower layer.例文帳に追加

サービス配布コマンドは、割振り方針と共に、階層のより上位の層の論理ノードから階層のより下位の層または各下位層に供給される。 - 特許庁

The upper layer of a composite layer is prevented from being etched while it forms a multi-level interconnecting structure, with a selective over layer working as a mask.例文帳に追加

選択性オーバーレイヤがマスクとして機能して、複合層の上部層がマルチレベルの相互接続構造を形成する間に腐食されるのを阻止する。 - 特許庁

A first surface portion of the intermediate layer which is located on the upper part of the main surface of the semiconductor substrate is treated with plasma to form a passivity layer located at the first surface portion of the intermediate layer (302).例文帳に追加

半導体基板の主表面上部に位置する層間膜の第１表面部位に保護膜を形成するために、プラズマ処理をする（３０２）。 - 特許庁

To prevent shift of pn junction and prevent deterioration of crystal quality of optical layer by using Se or S as the dopant at the time of growth of lower guide layer and using Si as the dopant at the time of growth of upper guide layer.例文帳に追加

ｐｎ接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lower clad layer 12 and the upper clad layer 14 are composed of Al_x1Ga_(1-x1)As (x1=0.28), and the active layer 13 is composed of Al_x2Ga_x3In_(1-x2-x3)P (x2=0.12).例文帳に追加

下クラッド層１２および上クラッド層１４は、Ａｌ_x1Ｇａ_(1-x1)Ａｓ（ｘ１＝０．２８）からなり、活性層１３は、Ａｌ_x2Ｇａ_x3Ｉｎ_(1-x2-x3)Ｐ（ｘ２＝０．１２）からなる。 - 特許庁

Then, the p-type upper clad layer 18 is exposed by forming a stripe-like opening 24 in the GaAs cap layer 20 by performing selective etching only on the layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層のみに選択エッチングを行い、ストライプ状の開口２４を設け、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層を露出させる。 - 特許庁

A film material 21 composed of a base film 41, a mold releasing agent layer 42, a conductive foil layer 43 and an adhesive agent layer 44 is placed on the upper surface of a sheet 12.例文帳に追加

シート１２の上面にベースフィルム４１、離型剤層４２、導電箔層４３及び接着剤層４４よりなるフィルム素材２１を載せる。 - 特許庁

The fluid mixture used in the upper layer is added with the aggregate and the hardener just before it is paved on the lower layer, then it is paved on the lower layer and hardened.例文帳に追加

上層に用いる流動性混合物は、下層の上に舗装する直前に骨材と硬化剤が加えられて下層の上に舗装され硬化される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light element, in which a contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on an upper surface of a waveguide ridge is prevented from decreasing and etching damage in the semiconductor layer is prevented thereby.例文帳に追加

導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

The insulating layer 107 has a plurality of slope end faces on the respective upper parts of the first circuit pattern layer 103 and the second circuit pattern layer.例文帳に追加

絶縁層１０７が第１の回路パターン層部分１０３と第２の回路パターン層部分のそれぞれの上において複数の傾斜端面を有する。 - 特許庁

The upper yarn layer 18 is formed of the needle thread 19 having a second adhesion film adhered to the intermediate rubber layer 16 and the skin rubber layer 20.例文帳に追加

上糸層１８は、中間ゴム層１６及び外皮ゴム層２０と接着する第２接着薄膜１９ｄを有する上糸１９から形成されている。 - 特許庁

A stack of a high-k gate dielectric 30 and a metal gate structure including a lower metal layer 40, a capture metal layer 50, and an upper metal layer 60 is provided.例文帳に追加

高ｋゲート誘電体３０と、下部金属層４０、捕捉金属層５０、および上部金属層６０を含む金属ゲート構造とのスタックを提供する。 - 特許庁

Then, the periphery of the base of the layer 24 is positioned more inside than the periphery of the layer 22, and the layer 24 has the exposed surface 22a of an upper surface.例文帳に追加

バンク層２４は、その底面の周縁が遮光層２２の周縁より内側に位置し、遮光層２４は上面の露出面２２ａを有する。 - 特許庁

A storage layer ML of a memory element RM is formed of a first layer ML1 on the side of a lower electrode BE and a second layer ML2 on the side of an upper electrode TE.例文帳に追加

メモリ素子ＲＭの記憶層ＭＬを、下部電極ＢＥ側の第１の層ＭＬ１と上部電極ＴＥ側の第２の層ＭＬ２で形成する。 - 特許庁

The lower-layer chip and intermediate-layer chip are composed of power semiconductor elements, and the upper-layer chip is composed of a control circuit element or sensor circuit.例文帳に追加

前記下層チップと前記中間層チップをパワー半導体素子により構成し、前記上層チップを制御回路素子または、センサ回路により構成している。 - 特許庁

There is provided the method for manufacturing the multilayer wiring board in which an electrolysis-filled plating portion of 5 μm or thicker is left in the upper-layer wiring layer by half-etching to form the multilayer wiring layer.例文帳に追加

上層配線層の電解フィルドめっき部を５μｍ以上残すようにハーフエッチングした多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this wiring board, a glass layer 2 is formed at one side of a metallic base 1 for forming a circuit 3 on the upper surface of the glass layer 2, and merely the glass layer is formed at the other.例文帳に追加

金属製基材１の片面にガラス層２とその上面に回路３が形成され、他の片面はガラス層のみを形成してなる配線板。 - 特許庁

The optical waveguide part 20 has a lower clad layer 21, a core layer 24, and an upper clad layer 22 formed on a part of a silicon substrate 73 as a substrate.例文帳に追加

光導波路部２０は、基板としてのシリコン基板７３上の一部に形成された下部クラッド層２１、コア層２４及び上部クラッド層２２を有する。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

The first insulation layer 48 is formed in the upper side of the semiconductor layer 24 including a termination material for terminating the dangling bond at the interface of the semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１絶縁層４８は、半導体層２４よりも上側に形成され、半導体層２４の界面のダングリングボンドを終端させる終端材料を含む。 - 特許庁

Then a thin upper-layer side gate insulating layer 4b is formed and used as a dielectric layer 4c of the retention capacitor 1h.例文帳に追加

次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 - 特許庁

The exterior layer forms at least a portion of an exterior of the upper, and the exterior layer includes a plurality of incisions that extend through the exterior layer.例文帳に追加

前記外部層は前記アッパーの外部の少なくとも一部を形成し、また前記外部層は外部層を貫通して延びる複数の切込みを含む。 - 特許庁

Further, Zn atoms are arranged on interfaces of the intermediate layers 16C, 16D (ZnSe layer) and the second upper clad layer 16B (BeZnTe layer).例文帳に追加

さらに、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層）のうち第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）との界面にＺｎ原子が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a multilayer circuit board which aligns an upper layer with a lower layer without requiring transparency of a material for forming a layer.例文帳に追加

層形成材料の透明性を必要とせずに、下層に対する上層のアライメントを可能とした多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a glass substrate 1, a lower layer 2 is formed of non- photosensitive water-soluble resin and on the lower layer, an upper layer 3 is formed of photosensitive resin.例文帳に追加

ガラス基板１上に非感光性の水溶性樹脂からなる下層２を形成し、この下層上に感光性樹脂からなる上層３を形成する。 - 特許庁

A side shield layer 35 is provided between a lower shield layer 20 and an upper shield layer 37 on that are both sides of a multilayer film 33 in the track width direction.例文帳に追加

多層膜３３のトラック幅方向の両側であって、下部シールド層２０と上部シールド層３７の間にはサイドシールド層３５が設けられている。 - 特許庁

Respective arms 12 have piezoelectric functional bodies 13 each being made up by laminating a lower electrode layer 16, a piezoelectric layer 15 and an upper electrode layer 14.例文帳に追加

各々のアーム１２には、下部電極層１６、圧電層１５、上部電極層１４が積層されてなる圧電機能体１３が設けられている。 - 特許庁

The upper metal level includes a second stop layer 30, deposited over the embedded stop layer 50 and the first metallization and a second dielectric layer.例文帳に追加

上側金属レベルは埋込みストップ層５０上に堆積された第２のストップ層３０、及び第１の金属化層及び第２の誘電体層を含む。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 23 has a substrate 1, a lower layer conductor circuit 2, an interlayer resin insulating layer 10 and upper layer conductor circuits 15 and 16.例文帳に追加

基板１と下層導体回路２と層間樹脂絶縁層１０と上層導体回路１５，１６とを備えている多層プリント配線板２３を提供する。 - 特許庁

In this floor mat 1, a felt layer 4 and a foaming latex layer 5 are sequentially formed on lower surface of baking fabrics 3 having a pile layer 2 formed on the upper surface.例文帳に追加

自動車用床マット１であって、上面にパイル層２を形成した基布３の下面に、フェルト層４と発泡ラテックス層５を順次に形成する。 - 特許庁

The active material membrane is made of a lithium oxide, and has an interface layer formed on the current collector and an upper layer formed on the interface layer.例文帳に追加

活物質膜は、リチウム金属酸化物からなり、集電体上に形成される界面層とこの界面層上に形成される上部層とを備える。 - 特許庁

A semiconductor layer laminated above the upper-part region of the lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3 and the lower-part clad layer 4 is formed in mesa-post.例文帳に追加

下部半導体多層膜反射層３の上部領域および下部クラッド層４よりも上に積層された半導体層はメサポスト状に形成されている。 - 特許庁

The discrete electrodes 35 are each provided with the spacer 65 consisting of the lower spacer layer 61, the middle spacer layer 62 and the upper spacer layer 63.例文帳に追加

下スペーサ層６１、中スペーサ層６２及び上スペーサ層６３から構成されたスペーサ６５は、１つの個別電極３５に対して１つずつ形成されている。 - 特許庁

A third hydrogen barrier layer 92 is formed on the upper wiring layer 91 such that the edge 92a touches the first hydrogen barrier layer 5 entirely.例文帳に追加

上部配線層９１の上に第３の水素バリア層９２を、縁部９２ａが全て第１の水素バリア層５と接触するように形成する。 - 特許庁

The elastic member 200 has a thin urethane rubber layer 201 at the upper face side, and a porous elastic material layer 206 formed under the urethane rubber layer 201.例文帳に追加

弾性部材２００は、上面側の薄いウレタンゴム層２０１と、このウレタンゴム層２０１の下に設けられた多孔質弾性材層２０６とを有している。 - 特許庁