「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper surface of the insulating layer is coincident with the upper surface of the substrate in the region other than the region where the recessed part is formed, that is, on the same plane thereof.例文帳に追加

ここで、絶縁層の上面は、凹部以外の領域における基板の上面と一致、即ち同一面上にある。 - 特許庁

An upper paper 30 is so made by omitting a release processing layer 15 on the upper surface 3 from the middle paper 20.例文帳に追加

中用紙２０で、下面４の浸透防止剤層１１及び弱接着剤層１２を省略して、上用紙３０とする。 - 特許庁

The heater unit is comprised of a nonwoven cloth layer 1 at the upper and lower sides and an electric heater wire 3 that is interposed between the nonwoven cloth layers 1, 2 at the upper and lower sides.例文帳に追加

上下の不織布層１と、上下の不織布層１、２間に介在された電熱ヒータ線３とからなる。 - 特許庁

Moreover, an outgoing light pattern is formed in a prescribed region of the rear face layer and the upper face of the upper part protrusion, and light-emitting efficiency is improved.例文帳に追加

また、背面層と上部突起の上面の所定領域に出光パターンを形成し、光放出效率を高める。 - 特許庁

A re-wiring 7 consisting of copper is provided on the upper surface of an underlying metal layer 6 provided on the upper surface of a protective film 4.例文帳に追加

保護膜４の上面に設けられた下地金属層６の上面には銅からなる再配線７が設けられている。 - 特許庁

The each of the sheets 2 provides respectively an upper and a lower sheet 3, 4 and a resin layer 5 formed between the upper and the lower sheets 3, 4.例文帳に追加

これら各シート２が、それぞれ上、下シート３，４と、これら上、下シート３，４の間に介設される樹脂層５とを備える。 - 特許庁

Source-drain regions 2 having contact with the gate oxide film 3 at the upper ends of the recessed part 10 are formed in the upper layer of the silicon substrate 1.例文帳に追加

凹部１０上端のゲート酸化膜３と接するソースドレイン領域２がシリコン基板１の上層に形成されている。 - 特許庁

A mat plate layer, into which no slit is cut, exists between the upper end of the slit 6 and the upper surface of the mat plate 3.例文帳に追加

スリット６の上端とマット板３の上面との間にはスリットの切り込まれていないマット板層８が存在している。 - 特許庁

The upper layer re-wiring 16 wherein a metal plate is patterned is arranged on a prescribed position of the upper surface of the insulating film 15.例文帳に追加

絶縁膜１５の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線１６が設けられている。 - 特許庁

An upper electrode layer 107 is then formed over another portion of the upper surface of the piezoelectric thin film 105 and the insulating film 106.例文帳に追加

そして、圧電体薄膜１０５の上面の他の一部と絶縁膜１０６とに上部電極層１０７を形成する。 - 特許庁

Upper electrodes 46 are arranged to be opposed to the nearly entire regions of the pressure chambers 10 on an upper face of the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

圧電層４３の上面には、圧力室１０のほぼ全域と対向するように上部電極４６が配置されている。 - 特許庁

In this touch panel, an upper substrate 1 having an upper conductive layer 2 beneath its lower face and a lower substrate 3 having a lower conductive layer 4 on its upper face opposite to the upper conductive layer 2 at a predetermined interval, are mutually adhered with an adhesive layer 16 made from a thermoplastic resin and a hardener and generating adhesiveness by heating or pressurization to constitute the touch panel.例文帳に追加

下面に上導電層２が形成された上基板１と、上面にこの上導電層２と所定の間隙を空けて対向する下導電層４が形成された下基板３を、熱可塑性樹脂と硬化剤から形成され、加熱または加圧することによって接着性が生じる接着層１６で接着してタッチパネルを構成する。 - 特許庁

To provide a pretreatment device capable of readily extracting a receptor from a mold, by surely removing a solidified material adhering to a cavity of a slag layer upper layer, a receptor flange part, or the upper surface and the upper part inner surface of the mold.例文帳に追加

スラグ層上層の空隙、受容器フランジ部、モールドの上面・上部内面に付着した固化物を確実に除去して、受容器をモールドから容易に抜き出すことを可能にする前処理装置を提供する。 - 特許庁

The gate insulating layer includes a central gate insulating layer disposed under central portion of a gate electrode, an edge gate insulating layer disposed under an edge of the gate electrode to have a bottom surface level with a bottom of the central insulating layer, and an upper surface protruding to be higher than an upper surface of the central gate insulating layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、ゲート電極の中央下部に位置する中央ゲート絶縁膜とゲート電極のエッジ下部に位置して底が中央ゲート絶縁膜の底と同じレベルであるが、上部面が中央ゲート絶縁膜の上部面より高く突出されたエッジゲート絶縁膜を含む。 - 特許庁

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.例文帳に追加

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加

保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁

The surface emitting laser is provided with a lower clad layer 120, an active layer 130, upper clad layer 140, a photonic crystal structure 145 which is optically coupled with the active layer 130, and a metal thin film 150, formed on the upper clad layer 140 having a periodically fine structure 155.例文帳に追加

面発光レーザであって、下部クラッド層１２０と、活性層１３０と、上部クラッド層１４０と、活性層１３０と光学的に結合するフォトニック結晶構造体１４５と、上部クラッド層１４０の上に設けられ、周期的な微細構造１５５を有する金属薄膜１５０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a mounting substrate 10; a lower-layer chip 20 mounted on the mounting surface of the mounting substrate 10 while facing a surface opposite surface to an active surface of the lower-layer chip 20; and an upper-layer chip 30 mounted on an active surface of the lower-layer chip 20, while facing the active surface of the upper-layer chip.例文帳に追加

半導体装置は実装基板１０を備え、この実装基板１０の実装面と、能動面とは反対側の面とを対向させて実装された下段チップ２０と、この下段チップ２０の能動面に、能動面を対向させて実装された上段チップ３０とを備える。 - 特許庁

By encapsulating a formation surface of the upper electrode layer and a formation surface of the conductive layer in a state that the both formation surfaces are opposed to each other, at least a part of an electrode layer overlapped with the convex structure body contacts with the conductive layer, and a resistivity of the upper electrode layer is drastically reduced.例文帳に追加

そして、上部電極層形成面と導電層形成面が対向した状態で両者を封止することで、凸状構造体と重畳する電極層の少なくとも一部が導電層と接触し、上部電極層の抵抗率が大きく減少する。 - 特許庁

This recording head has a lower magnetic pole layer 10, an upper magnetic pole layer 15, a magnetic gap layer 14 disposed between the respective magnetic pole parts of these magnetic pole layers and thin-film coils 12 disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the upper magnetic pole layer 15 in the state of being insulated therefrom.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層１０と、上部磁極層１５と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１４と、下部磁極層１０および上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１２とを有している。 - 特許庁

The multiaxial fabric used for a paper machine includes: an upper layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns; a lower layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns; and a nonwoven layer disposed between the upper layer and the lower layer.例文帳に追加

本発明は、複数の織り交ぜられたＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する上部層と、複数の織り交ぜられたＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する下部層と、前記上部層と前記下部層との間に配置された不織層とを有することを特徴とする抄紙機に使用する多軸布を提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor element includes an upper layer of an underlayer including a compound selected from an inorganic oxide and inorganic nitride on the underlayer including a polymer formed as the lower layer, an electrode in contact with the upper layer of the lower extending layer, and also an electrode via a gate insulation layer.例文帳に追加

ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

The boundary layer 108A exists between a surface exposed by etching for forming the ridge 111 and an Al containing layer or an upper side SCH (separated confinement heterostructure) layer 106 to avoid the exposure or oxidization of the upper side SCH layer 106 and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

境界層１０８Ａは、リッジ１１１を形成するためのエッチングにより露出する表面とＡｌ含有層である上側ＳＣＨ層１０６との間に存在し、上側ＳＣＨ層１０６や量子井戸活性層１０５が露出して酸化することを回避する。 - 特許庁

In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加

下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁

It is preferable that the heat seal layer is provided between the lower polyester film layer and the steel panel, the melting start temperature of the lower polyester film layer is higher than that of the upper polyester film layer, the steel panel is a plated panel, and the resin or thickness of the lower and/or upper polyester film layer is limited.例文帳に追加

下層ポリエステルフィルム層と鋼板の間にヒートシール層を有すること、下層ポリエステルの溶融開始温度が上層ポリエステルの溶融開始温度より低いこと、鋼板がめっき鋼板であること、また、下層および／または上層ポリエステルフィルム層の樹脂や厚みの限定が好ましい。 - 特許庁

A light emission layer 18 to emit white light by these light emitting islands 14 and 15 and an upper ground layer 16 is provided where the upper ground layer 16 to serve also as a layer to male implantation and conveyance of an electron is formed from the residual color emitting substance on the light emitting islands 14 and 15 and hole conveying layer 13.例文帳に追加

これら発光島１４、１５およびホール輸送層１３の上に、残りの１色の発光材料によって、電子を注入輸送する層を兼ねた上地層１６を形成してなる、発光島１４、１５と上地層１６とによって白色発光する発光層１８を設けた。 - 特許庁

To increase a contact area between an upper conductive layer and a connection wiring layer while making the most of the function of a space, and to reduce the resistance of the contact even at the time of using the spacer on the outer peripheral face of the connection wiring layer connecting the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

上部導電層および下部導電層を接続する接続配線層の外周面にスペーサを使用したとしてもスペーサの機能を生かしながら上部導電層および接続配線層間の接触面積を増加させることができ、接触部分の抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

While the intermediate layer is heat-decomposed, the lower side layer and the upper side layer are contracted by losing an organic component, and afterwards, because the lower side layer and the upper side layer are integrated, a crack occurring by contracting in a state that the thickness is uneven is prevented, and a superior calcination pattern can be obtained.例文帳に追加

中間層が熱分解される間に下側層と上側層とが有機分を失って収縮し、その後下側層と上側層とが一体化するので、厚みが不均一な状態で収縮することによって生じる割れを予防し、良好な焼成パターンを得ることができる。 - 特許庁

The non-volatile storage device includes a lower electrode layer 20, an upper electrode layer 25, and a resistance change layer 23 that is provided in an area set beforehand in the lower electrode layer 20 connected to the upper electrode layer 25, and made of metal oxide exhibiting either of two resistance values by application of electric pulse.例文帳に追加

下部電極層２０と、上部電極層２５と、下部電極層２０のあらかじめ設定された領域に設けられ、かつ上部電極層２５に接続し、電気的パルスの印加により２値の抵抗値のいずれか一方を示す金属酸化物からなる抵抗変化層２３とを備える。 - 特許庁

The upper layer wiring layer SL is provided with a wiring section 34C brought into contact with the upper part of the embedded wiring layer 32, and extended to the outside of the embedded wiring layer 32 and a wiring section 34A extended to the second direction, and connected to the wiring section 34C outside the embedded wiring layer 32.例文帳に追加

上層配線層ＳＬは、埋め込み配線層３２の上部と接しかつ埋め込み配線層３２外へと延在する配線部分３４Ｃと、第２の方向に延在しかつ埋め込み配線層３２上の外において配線部分３４Ｃに接続された配線部分と３４Ａとを有する。 - 特許庁

In a band profile before forming a bonding with the active layer 13, the p-type GaP layer 14, and the upper clad layer 15; the energy level of a conductive band lower end in the p-type GaP layer 14 is higher by 0.05 eV to 1.0 eV than that of a conductive band lower end in the upper clad layer 15.例文帳に追加

活性層１３、ｐ型ＧａＰ層１４及び上部クラッド層１５の接合を形成する前のバンドプロファイルでは、ｐ型ＧａＰ層１４における伝導帯下端のエネルギー位置が、上部クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー位置よりも０．０５ｅＶ〜１．０ｅＶ高くなっている。 - 特許庁

A resistive element 1 is constituted of a lower layer wiring 1a formed on a semiconductor wafer, an upper layer wiring 1b formed so as to ride over lower layer wirings 1a neighbored mutually, and a via 1c electrically connecting the lower layer wiring 1a and the upper layer wiring 1b.例文帳に追加

抵抗素子１は、半導体ウエハ上に形成された下層配線１ａと、互いに隣接する下層配線１ａ同士の上方を跨ぐように形成された上層配線１ｂと、下層配線１ａ及び上層配線１ｂを電気的に接続するビア１ｃとから構成されている。 - 特許庁

A nonmagnetic support 2 is coated with at least a lower layer and an upper layer wherein at least the upper layer is a magnetic layer 4 and the lower layer 3 contains at least one kind of fatty acid ester, and at least one kind of phosphite shown by chemical formula (1) or (2).例文帳に追加

非磁性支持体上に少なくとも下層及び上層が塗布されてなり、少なくとも上層が磁性層であり、下層が少なくとも１種類以上の脂肪酸エステルと、少なくとも１種類以上の化学式（１）又は化学式（２）で示される亜燐酸エステルとを含有する。 - 特許庁

The printed wiring board comprises a core substrate 7; coating layers 61, 62 coating the surface; an upper conductive layer 51 and a lower conductive layer 52 provided at the upside and downside of the core substrate and coating layer via them; and an interlayer conductive part 2 for energizing the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

コア基板７と，その表面を被覆する被覆層６１，６２と，コア基板及び被覆層を介してその上側及び下側に設けた上側導電層５１と下側導電層５２と，上側導電層と下側導電層との間の電気導通を行うための層間導電部２とからなる。 - 特許庁

Consequently, the metal oxides are allowed to react in a firing process, and a grained ground layer is formed from the ground material layer 14 containing the mat material, and a glossy upper layer is formed in a part wherein the ground material layer 14 is covered with the erosive upper material layer 16.例文帳に追加

そのため、上記焼成過程において、上記金属酸化物が反応し、且つマット材を含む下地材料層１４からはざらざらした質感の下地層が生成され、下地材料層１４が浸食性の上材料層１６で覆われた部分ではグロッシーな質感の上層が生成される。 - 特許庁

The fuel cell further includes an anode diffusion layer 4 laminated on an upper surface of the anode catalyst layer 2, a cathode diffusion layer 5 laminated on a lower surface of the cathode catalyst layer 3, an anode collector 6 joined to an upper surface of the anode diffusion layer 4, and a cathode collector 7 joined to a lower surface of the cathode diffusion layer 5.例文帳に追加

さらに、アノード触媒層２の上面に積層されるアノード拡散層４と、カソード触媒層３の下面に積層されるカソード拡散層５と、アノード拡散層４の上面に接合されるアノード集電体６と、カソード拡散層５の下面に接合されるカソード集電体７とを含む。 - 特許庁

In a step of laminating the coverlay layer and the circuit board on the flexible insulative sheet and thermocompression-bonding them via a cushioning member, the cushioning member includes an internal layer, and an upper surface layer and a lower surface layer where the rigidity of the lower surface layer is higher than that of the upper surface layer.例文帳に追加

前記可撓性絶縁シートにカバーレイ層および回路基板を積層しクッション材を介して熱圧着する工程において、前記クッション材は内部層とその上側の表面層と下側の表面層からなり、かつ下側の表面層の剛性が上側の表面層の剛性よりも大であることを特徴とする。 - 特許庁

Part of a conductive layer 7 constituting the electrodes to be connected to the MR element 9 is arranged into a groove 5, formed between the lower shielding layer 3, and the first portion 4a of the upper shielding layer is arranged in a state in which this part is insulated from the lower shielding layer 3 and the first portion 4a of the upper shielding layer by the insulating layer.例文帳に追加

下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａの間に形成された溝５内に、ＭＲ素子９に接続される電極を構成する導電層７の一部が、絶縁膜によって、下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser 1000 comprises a luminous section 100; a commutation section 200; a first conductive layer 300 for electrically connecting an upper mirror layer 140 and an upper semiconductor layer 270; and a second conductive layer 400 for electrically connecting a lower mirror layer 120 and a lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１０００は、発光部１００と、整流部２００と、上部ミラー層１４０及び上部半導体層２７０を電気的に接続する第１の導電層３００と、下部ミラー層１２０及び下部半導体層２５０を電気的に接続する第２の導電層４００と、を含む。 - 特許庁

The upper electrode includes a first electrode layer (9a) facing the dielectric film and a second electrode layer (9b) which is formed on the upper layer side of the first electrode layer and is electrically connected to a conductive layer through a first contact hole (33) opened in the first electrode layer, the dielectric film, and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

上側電極は、誘電体膜に面する第１電極層（９ａ）と、１電極層よりも上層側に形成され、第１電極層、誘電体膜及び第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホール（３３）を介して導電層に電気的に接続された第２電極層（９ｂ）とを有する。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 constituting an electrode connected to an MR element is arranged into the groove formed between the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer in the state of insulating the layer from the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer with an insulated film 56.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

Furthermore, a part of the upper piezoelectric layer 5 of a piezoelectric layer 3 is arranged in the region S not filled with the conductive member within the TH 13_1 of the piezoelectric layer 3, and a part of the upper piezoelectric layer 3 of the piezoelectric layer 5 is arranged in the region S within the TH 13_1 of the piezoelectric layer 5.例文帳に追加

しかも、圧電体層３のＴＨ１３_１内の導電部材非充填領域（領域）Ｓには、その圧電体層３の上側の圧電体層５の一部分が配置され、圧電体層５のＴＨ１３_１内の領域Ｓには、その圧電体層５の上側の圧電体層３の一部分が配置されている。 - 特許庁

Furthermore, doped polysilicone doping phosphorus is grown at the same concentration as that of the polysilicone lower layer 19 by an epitaxial device to add a polysilicone upper layer 20 having a thickness of 12 μm to the polysilicone lower layer 19 in order to form the polysilicone layer S by the polysilicone lower layer 19 and the polysilicone upper layer 20.例文帳に追加

さらに、リンをドープしたドープドポリシリコンをポリシリコンの下層１９と同じ濃度でエピタキシャル装置により成長させて、１２μｍの厚さのポリシリコンの上層２０をポリシリコンの下層１９に付加させることにより、ポリシリコンの下層１９とポリシリコンの上層２０とでポリシリコン層Ｓを成膜する。 - 特許庁

(1) The optical recording medium having at least a phase change recording layer, layers provided on upper and lower sides of the recording layer in contact therewith and a reflection layer on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer and the layers provided on the upper and the lower sides in contact with the recording layer is film-deposited under a reduction atmosphere.例文帳に追加

（１）基板上に、少なくとも相変化記録層とその上下に接して設けられた層と反射層とを有する光記録媒体において、相変化記録層とその上下に接して設けられた層から選ばれる少なくとも１層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁

Moreover, the spacing L3 between a lower magnetic shielding layer 3 and an upper magnetic shielding layer 19 at the positions where the magnetic domain layer 9 and the 1st electrode layer 13 are layered is set narrower than the spacing L4 between the lower magnetic shielding layer 3 and the upper magnetic shielding layer 19 at the position of the MR film 7.例文帳に追加

また、磁区制御層９及び第１の電極層１３が積層された位置における下部磁気シールド層３と上部磁気シールド層１９との間隔Ｌ３は、ＭＲ膜７の位置における下部磁気シールド層３と上部磁気シールド層１９との間隔Ｌ４よりも狭く設定されている。 - 特許庁