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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11093



例文

The grooves 5a, 5b and 5c have a sidewall vertical to the upper surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

溝5a,5b,5cは半導体層3の上面に対して垂直な側壁をもつ。 - 特許庁

A thin film layer 22 including an ink jetting element 24 is formed on the upper face of a silicon substrate 20.例文帳に追加

インク射出要素(24)を含む薄膜層(22)が、シリコン基板(20)の上面に形成される。 - 特許庁

To prevent the occurrence of blister in the upper layer coating parts of molded magnesium alloy base materials.例文帳に追加

成形されたマグネシウム合金基材の上層コーテイング部に膨れを発生させないこと。 - 特許庁

A metal silicide layer 21 is formed on the upper surface of the control gate electrode CG.例文帳に追加

制御ゲート電極CGの上面には金属シリサイド層21が形成されている。 - 特許庁

例文

Then, the surface of the upper layer insulation film 8 is washed by an amine- system chemical solution.例文帳に追加

その後、アミン系薬液を用いて上層用絶縁膜8の表面洗浄をする。 - 特許庁


例文

A semiconductor element mounted on the substrate side is made thicker than upper layer semiconductor elements.例文帳に追加

基板側に搭載される半導体素子を上層の半導体素子より厚くする。 - 特許庁

An open stub OS1 is formed on the upper wiring layer in a semiconductor device 1.例文帳に追加

オープンスタブOS1は、半導体装置1における上層配線層に形成される。 - 特許庁

Ceramic ball bags (ceramic layer) 25 are spread over the upper part of the floor heater 23.例文帳に追加

床温熱装置23の上部には、セラミックボール袋(セラミック層)25が敷き詰められている。 - 特許庁

To enable transfer of a luminous layer with low energy and prevent leakage between upper and lower electrodes.例文帳に追加

低エネルギーで発光層を転写し、かつ、上下電極間のリークを防止すること。 - 特許庁

例文

Further, a next film forming apparatus forms an upper electrode on the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

次いで、次の成膜装置において、光電変換層上に上部電極を形成する。 - 特許庁

例文

Thereafter, a light-emitting layer 14 and an upper electrode 15 as a cathode are formed sequentially.例文帳に追加

その後、発光層14と陰極である上部電極15とを順次形成する。 - 特許庁

Next, hydrogen is introduced into the insulation layer 14x, and an upper electrode 15x is formed.例文帳に追加

次に、絶縁層14xに水素を導入した後、上電極15xを形成する。 - 特許庁

A layer of sand 3 is placed at the upper bed of a foundation 1 and a bed slab 2 of RC structure is placed thereon.例文帳に追加

基礎1の天端に砂3の層を敷き、その上にRC造の底盤2を置く。 - 特許庁

Moreover, an upper part 6b of the gate of the first conductive layer 6 is tapered.例文帳に追加

しかも、第1の導電層6のゲート上部6bが順テーパ形状をなしている。 - 特許庁

A supporting base material 13 peelable afterward is fixed on the upper surface of the element formation layer 11.例文帳に追加

素子形成層11の上面には、後で剥離可能な支持基材13が固定される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device a silicon oxide film 7 is formed in an upper layer on the source and drain regions of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜7を形成する。 - 特許庁

A second data line 18 is arranged at the upper layer of a fundamental unit block 12-2.例文帳に追加

基本単位ブロック12−2の上層には、第2のデータ線18が配置されている。 - 特許庁

A conveyer belt 1 is provided to be laminated with cover rubber 3 on upper and under faces of a core material layer 2.例文帳に追加

芯材層2の上下面にカバーゴム3が積層されたコンベヤベルト1を設ける。 - 特許庁

In the three-layer resist process wherein an underlayer resist layer 2, an intermediate layer 3 and a photoresist layer (upper resist layer) 4 are laminated and used, exposure dimension of the pattern is made small as the thickness of the underlayer resist layer 2 of a part corresponding to the pattern becomes thin.例文帳に追加

下層レジスト層2、中間層3、フォト・レジスト層(上層レジスト層)4を積層して用いる3層レジスト・プロセスに於いて、パターンに対応する部分の下層レジスト層2の層厚が薄くなるにつれて前記パターンの露光寸法を小さくする。 - 特許庁

In the shielding material 10 includes a flexible insulating layer 11, a protective layer 13 provided on an upper surface of the insulating layer 11, and an adhesive layer 14 provided on a lower surface of the insulating layer 11, carbon powder is dispersed to the insulating layer 11 for formation.例文帳に追加

可撓性の絶縁層11と、絶縁層11の上面に設ける保護層13と、絶縁層11の下面に設ける接着層14とを備えるシールド材10において、絶縁層11にカーボン粉末を分散させて形成する。 - 特許庁

A spacer layer 3 has a thickness (0.3 nm to 3 nm, for example) which forms an anti-parallel magnetic bond between a lower layer composed of an amorphous ferromagnetic layer 2 and an upper layer composed of the amorphous ferromagnetic layer 4 and the polycrystalline ferromagnetic layer 5.例文帳に追加

スペーサ層3の厚さは、アモルファス強磁性層2からなる下層と、アモルファス強磁性層4及び多結晶強磁性層5からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ(例えば0.3nm〜3nm)となっている。 - 特許庁

This manufacturing process comprises the steps: a layer of a water swelling adhesive is applied onto a moisture-permeable waterproof layer so that the water swelling adhesive layer becomes the upper most layer, and the layer is converted to film; and a fiber structure pretreated with a polyhydroxy compound is placed on the adhesive layer and pressed to adhere.例文帳に追加

透湿耐水層に水膨潤性接着層が最上層となるように塗工し、製膜し、該接着層上に多価の水酸基を有する化合物で前処理された繊維構造物を圧着し、接着することにより得られる。 - 特許庁

A diffusion layer material is bonded to the upper face of the first catalyst precursor layer before the fluorine solvent is dried, and a part of the catalyst layer material is impregnated into the diffusion layer material, so that the first catalyst precursor layer and the diffusion layer material are integrated.例文帳に追加

フッ素溶媒が乾燥する前に、第1の触媒前駆体層上面に拡散層部材を貼り合わせて、触媒層部材の一部を拡散層部材内に浸透さて、第1の触媒前駆体層と拡散層部材とを一体化する。 - 特許庁

The circuit board is provided with a circuit upper face pattern layer 2a and an intermediate pattern layer 3 which are arranged by intervening a first insulating layer 5, and a circuit lower face pattern layer 4 which is disposed on an opposite side of the intermediate pattern layer 3 by intervening a second insulating layer 6.例文帳に追加

第1の絶縁層5を間に介在させて設けられた回路上面パターン層2aと中間パターン層3と、第2の絶縁層6を介在させて、中間パターン層3の向かい側に設けられた回路下面パターン層4とを備える。 - 特許庁

On the upper layer part and its neighboring layer part, a V_DD layer and a V_SS layer are arranged, and a parasitic capacitance is produced by capacitive coupling between the conductive layers CL1, CL2 and the V_DD layer, between the conductive layers CL1, CL2 and the V_SS layer, and between the conductive layers CL1, CL2.例文帳に追加

当該上層部分やその隣接層部分にはV_DD層及びV_SS層が配置されており、導電層CL1,CL2とV_DD層及びV_SS層との間、及び導電層CL1,CL2同士で容量結合して寄生容量が生じる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.例文帳に追加

半導体基板101上に、バッファ層102と、第一下クラッド層103と、エッチング開始層104と、第二下クラッド層105と、活性層107と、上クラッド層109とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁

Although a second lower core layer 21 is formed between a magnetic pole part 26 in which a lower magnetic pole layer, a gap layer, and an upper magnetic pole layer are serially stacked from the bottom and a first lower core layer 20, a conventional Gd defining layer is not provided.例文帳に追加

下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層された磁極部26と第1下部コア層20との間に第2下部コア層21が形成されているが、従来例のように、Gd決め層は設けられていない。 - 特許庁

The thin film magnetic head is completed by forming the MR element, the first part of the upper shield layer placed on the MR element, a recording gap layer, and an upper magnetic pole layer or the like to the material as above.例文帳に追加

このような素材に対して、MR素子、このMR素子の上側に配置される上部シールド層の第1の部分、記録ギャップ層、上部磁極層等を形成することで、薄膜磁気ヘッドが完成する。 - 特許庁

The GaN-based LED chip has an ohmic electrode 13 formed on the upper surface of the p-type layer 12-2, and an insulation protective film 14 for covering the upper surface of the p-type layer 12-2 around the ohmic layer 13.例文帳に追加

GaN系LEDチップは、p型層12−2の上面に形成されたオーミック電極13と、オーミック電極13の周囲においてp型層12−2の上面を覆う絶縁保護膜14とを有している。 - 特許庁

Wiring 30 is formed so that it passes an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the passivation film 16 from an area on the electrode 14 and reaches an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the first resin layer 20.例文帳に追加

電極14上から、パッシベーション膜16の上方であって第2の樹脂層22上を通って、第1の樹脂層20の上方であって第2の樹脂層22上に至るように配線30を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the surface part of the upper clad layer 5 is scraped off, a material solution of resin is coated twice so as to overlap on the upper clad layer, and a resin made protective layer 9 is formed by heating and hardening it.例文帳に追加

その後、上部クラッド層5の表面部を削り取り、その上部クラッド層の上に、樹脂の材料溶液を2回重ねて塗布し、これを加熱して硬化させることにより、樹脂からなる保護層9を形成する。 - 特許庁

The plate metal is made to grow on the whole surface of the wafer of the semiconductor substrate through the upper power feeding layer when the plated metal grows and joins the upper power feeding layer (metallic layer 7).例文帳に追加

さらに、上記メッキ金属が成長し上層の給電層(金属層7)に接続すると、メッキ金属の成長は上層の給電層を通して半導体基板のウェーハ上全面に拡がるようにする。 - 特許庁

This porous carrier is prepared by forming an electroconductive layer on the upper surface of an insulating substrate and using the electroconductive layer forming insulating substrate as a support to fix and form the porous film to the upper surface of the electroconductive layer.例文帳に追加

絶縁性基板の上面に電気伝導性層を形成し、電気伝導性層形成絶縁性基板を支持体として、電気伝導性層上面に多孔質膜を固着して形成し多孔質担体を調製する。 - 特許庁

A second layer sheet 52 is laminated and formed on an upper surface of a first layer sheet 51, and a third sheet 53 having a lower frame and a fourth sheet having an upper frame are laminated and formed on the second layer sheet 52 in said order.例文帳に追加

第1層シート51上面には第2層シート52が積層形成され、第2層シート52上に下枠体を有する第3シート53、上枠体を有する第4シートの順で積層形成される。 - 特許庁

Since the amount of SOx to be collected by the upper catalyst layer 3 is remarkably larger than a theoretical value and the NOx absorption capacity of the upper catalyst layer is recovered easily, the lower catalyst layer 2 is restrained from being poisoned by sulfur, and NOx can be purified by both catalyst layers.例文帳に追加

上触媒層3は、SO_x の捕捉量が理論値より格段に多く、NO_x 吸蔵能の回復も容易であるので、下触媒層2の硫黄被毒が抑制され、しかも両触媒層でNO_x を浄化できる。 - 特許庁

The structures 40-1 through 40-8 are non-mesa type, trenches 42 are formed on the periphery thereof while spaced apart from each other, and its upper electrode layer 24b is connected with the upper electrode layer 24a by a wiring layer 50.例文帳に追加

構造体40−1〜40−8は、非メサタイプであり、その周囲に離間された溝42が形成され、その上部電極層24bは配線層50によって上部電極層24aに接続されている。 - 特許庁

The enterprise force measurement tree is configured of a leaf and a node in the upper layer, and the score calculation method of each node is defined, and the scores of the upper layer are calculated based on the scores of the lower layer.例文帳に追加

企業力測定ツリーは、リーフ及びその上層のノードから構成され、各ノードのスコア算出方法が定義されたものであって、上層のスコアはその下層のスコアに基づき算出されるものである。 - 特許庁

Plasma etching is performed while using an upper resist layer 104 as a mask, so that an opening having a tapered side wall surface and a dimension smaller than that of an opening of the upper resist layer 104 is formed on an intermediate layer 103.例文帳に追加

上層レジスト層104をマスクとして、プラズマエッチングを行い、中間層103に、側壁面がテーパー状で、上層レジスト層104の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。 - 特許庁

A lower part electrode 5, an upper part electrode 7, a wiring layer 8, and/or an inter-layer insulating layer 9 comprise an anti-catalyst which reduces catalytic activation of metal or metal compound constituting the upper part/lower part electrodes 5 and 7.例文帳に追加

下部電極5、上部電極7、配線層8及び/又は層間絶縁層9が、上部/下部電極5,7を構成する金属又は金属化合物の触媒活性を低減する触媒毒を含む。 - 特許庁

The respective precious metals are prevented from solid-solutioning by separating Rh, rich atmosphere exhaust gas passing through the upper catalyst layer 21 can reach the lower catalyst layer 20, and H_2 produced by Rh can pass through the upper catalyst layer 21.例文帳に追加

Rhを分離することで貴金属どうしの固溶を防止でき、リッチ雰囲気の排ガスが上触媒層21を通過して下触媒層20に到達可能であり、かつRhによって生成したH_2が上触媒層21を通過可能となる。 - 特許庁

Also, the lower metal layer 73 having a lower sulfur content than the upper metal layer 75 is softer than the upper metal layer 75 and can increase adhesiveness to the main fittings 5 by reducing internal stresses.例文帳に追加

また、硫黄の含有量が上層金属層75より少ない下層金属層73は、上層金属層75より軟らかく、内部応力を緩和して主体金具5への密着性を高めることができる。 - 特許庁

A lower electrode 11, a protection insulating layer 14, and an interlayer insulating film 15 are formed on a cathode substrate 10, and a metal film lower layer 16, and an upper bus electrode 20 comprising the laminated film of a metal film upper layer 18 is provided on it.例文帳に追加

陰極基板10に下部電極11、保護絶縁層14、層間膜15を形成し、その上に金属膜下層16と金属膜上層18の積層膜からなる上部バス電極20を有する。 - 特許庁

A physical layer processing circuit transmits a transmission packet received from an upper layer to the transmission lane through the transmission IO circuit, and outputs a reception packet received from the reception lane through the reception IO circuit to the upper layer.例文帳に追加

物理層処理回路は、上位レイヤから受け取る送信パケットを送信IO回路を介して送信レーンに送信し、且つ、受信レーンから受信IO回路を介して受け取る受信パケットを上位レイヤに出力する。 - 特許庁

A thin film magnetic head is completed by forming the MR element, the 1st part of the upper shielding layer to be arranged on the top of this MR element, a recording gap layer, an upper magnetic pole layer, etc., for such materials.例文帳に追加

このような素材に対して、MR素子、このMR素子の上側に配置される上部シールド層の第1の部分、記録ギャップ層、上部磁極層等を形成することで、薄膜磁気ヘッドが完成する。 - 特許庁

Further, the cleaning mat 5 has a fine and meshy lower layer 6 and a carpetlike upper layer 7 and the upper layer 7 can be manufactured by numerous kinds of known methods such as needling, tufting or towel stitching.例文帳に追加

洗浄用マット5は、微細メッシュ状下層6及び絨毯状上層7を有し、針縫い、房付け又はタオル縫いにより、非常に多くの種類の既知の方法により、上層を製作することが可能である。 - 特許庁

To form sufficient capacitance without affecting characteristics, etc., by forming an auxiliary capacitance which holds an insulation film by a capacitance electrode, which is a first electrode formed in an upper layer of an active layer of a thin-film transistor and a second electrode formed in an upper layer thereof.例文帳に追加

液晶表示装置などに用いられるTFTにおいて、画素電極の表面の平坦性を維持すると共に、画素電極の電位を保持するために必要な補助容量を形成する。 - 特許庁

Then ports 20 are arranged at an edge of the hard macro 10 by using either of the wiring layers except the lowermost layer of the several wiring layers and the wiring layers of the upper layer power source wires 41 and 51 and the upper layer grounding wires 42 and 52.例文帳に追加

次に、ハードマクロ10の端部に、複数の配線層の中の最下層、及び上層電源線41,51及び上層接地線42,52の配線層を除くいずれかの配線層を用いてポート20を配置する。 - 特許庁

The housing 20 includes an upper surface side first electrode 21a (upper surface side conductive layer) connected to a first wiring of the connected wiring board, and an upper surface side second electrode 21b (upper surface side conductive layer) connected to a second wiring of the connected wiring board.例文帳に追加

ハウジング20は、被接続配線板の第1配線に接続される上面側第1電極21a(上面側導電層)と、被接続配線板の第2配線に接続される上面側第2電極21b(上面側導電層)とを備えている。 - 特許庁

A field insulation layer 12A, an interlayer insulation film lower layer 14a formed by a spattering, and an interlayer insulation film upper layer 14b formed by application are stacked among the upper electrode 13, the connection electrode 15 and the lower electrode 11 to insulate the lower electrode 11 from the upper electrode 13 (the upper electrode power feed line 16).例文帳に追加

上部電極13および接続電極15と下部電極11の間にはフィールド絶縁層12Aとスパッタで成膜された層間絶縁膜下層14aと塗布成膜された層間絶縁膜上層14bとが積層され、下部電極11と上部電極13(上部電極給電線16)とを絶縁する。 - 特許庁

例文

The device has upper layer auxiliary wiring 54 (upper part electrode connecting wiring) arranged being adjacent to only an R pixel 20b connected to a cathode electrode (an upper electrode) of an organic EL element 20, and lower layer auxiliary wiring 55 (resistance adjusting wiring) connected to the upper layer auxiliary wiring 54 so as to adjust electric resistance of the cathode electrode.例文帳に追加

有機EL素子20のカソード電極(上部電極)と接続され、R画素20bのみに隣接して配置された上層補助配線54(上部電極接続配線)と、カソード電極の電気抵抗を調整するために上層補助配線54と接続された下層補助配線55(抵抗調整配線)とを有する。 - 特許庁




  
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