「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

An adhesion layer 5 is deposited on the upper electrode 4 and the lower electrode 2, the capacitive insulating film 3, the upper electrode 4 and the adhesion layer 5 are covered by an insulating film 6.例文帳に追加

上部電極４の上には密着層５が堆積されており、下部電極２、容量絶縁膜３、上部電極４及び密着層５は絶縁膜６により覆われている。 - 特許庁

The upper laminate 112 includes an occupied area along lamination planes thereof smaller than that of the lower laminate 111, and the upper laminate includes a free layer 40, a cap layer 38 and a hard mask 39 in order.例文帳に追加

上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。 - 特許庁

At this time, portions of the upper-side bonding layer 5 are extruded in the externally side direction of the semiconductor chip 4 to dispose the extruded portions of the upper-side bonding layer 5 on the lower-side bonding layers 2.例文帳に追加

このとき、上側接着層５の一部が半導体チップ４の外部側方に押し出され、この押し出された上側接着層５の一部が下側接着層２上に配置される。 - 特許庁

Small cavities 4 continuous with an upper part surface layer are formed, large cavities 4 continuous with a lower layer are formed, and upper and lower cavities are formed into a continuous condition as a whole.例文帳に追加

上部表層に連続する小空隙４を形成するとともに、下層に連続する大空隙４を形成し、上下の空隙が全体として連続状態に形成した。 - 特許庁

A supporting plate 51 is mounted on an inner wall in the vicinity of upper and lower end parts of the main body outer layer part 30, and an L-shaped plate 52 is mounted on upper and lower end parts of the main body inner layer part 40.例文帳に追加

本体外層部３０の上下端部付近の内壁には、支持プレート５１が取り付けられ、本体内層部４０の上下端部には、Ｌ字プレート５２が取り付けられる。 - 特許庁

A large number of upper layer liquid chambers 14 are formed by providing a large number of sheets of upper layer barrier wall 12 at a specified pitch p on a nozzle channel plate 11 and placing a diaphragm 13 thereon.例文帳に追加

ノズル流路板１１の上面側に、多数枚の上層隔壁１２を所定ピッチｐで設け、その上に振動板１３を設けることにより、上層液室１４を多数形成する。 - 特許庁

A claw-like member 34' of a lower side frame 32', into which a solar battery panel P' of an upper layer is fitted, is pushed into a gap of a locking member 37 which is fixed onto an upper side frame 33 of a lower layer.例文帳に追加

上層の太陽電池パネルＰ’を嵌合した下部側フレーム３２’の爪状部材３４’を下層の上部側フレーム３３上に固定した係止部材３７の間隙に押し込む。 - 特許庁

This cover sheet for a medical treatment machine includes: an upper sheet where a resin layer is stacked on the back and a lower sheet where a raising or resin layer is stacked on the surface thereof, wherein the upper and lower sheets are superposed to freely slide.例文帳に追加

裏側に樹脂層が積層された上側シートと表側が起毛もしくは樹脂層が積層された下側シートとの２枚の布帛を滑動自在に重合して用いる。 - 特許庁

This oxide layer 14 has an upper surface 14a, that inclines toward directly above the channel stopper region 4 and a flat upper surface above the embedded oxide layer 2.例文帳に追加

この酸化物層１４は、チャネルストッパ領域４の直上に傾斜した上面１４ａを有しており、埋込酸化物層２の上方に平坦な上面１４ｂを有している。 - 特許庁

Since the receiver informs the upper layer of the frame, only when the history information storage section 16 is not registered with a received frame, receiver informing the upper layer about a redundant frame is avoided.例文帳に追加

受信したフレームが履歴情報記憶部１６に登録されていないときにのみフレームを上位層に通知するから、冗長したフレームが上位層に通知されることが回避される。 - 特許庁

The organic EL layer 20 is formed on the upper surface of the first electrode 16 by evaporation, and a second electrode 21 is formed on the upper surface of the organic EL layer 20 by evaporation.例文帳に追加

前記第１電極１６の上面に対し有機ＥＬ層２０を蒸着により形成して、有機ＥＬ層２０の上面に第２電極２１を蒸着により形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment, an upper layer insulating film is formed on a semiconductor substrate, and an amorphous film including Si is formed on the upper layer insulating film.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。 - 特許庁

Then, the second precision relative time information about the VOP of the upper layer is reset on the basis of the difference between the display times of adjacent VOPs of the upper layer in a display order.例文帳に追加

そして、上位レイヤの、表示順で隣接するＶＯＰどうしの表示時刻の差に基づいて、上位レイヤのＶＯＰについての秒精度相対時刻情報がリセットされる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first GaAs layer 4 formed on the upper surface of an epitaxial substrate layer 1, a first diode electrode 8 formed on the upper surface side thereof, and an FET gate electrode 5.例文帳に追加

エピタキシャル基板層１の上面側に、第１ＧａＡｓ層４と、それの上面側に形成される第１ダイオード電極８と、ＦＥＴゲート電極５とから形成されている。 - 特許庁

The display substrate 10 as an embodiment of the present invention has an upper insulating layer 30 laminated on pixel wirings 18 and also has pixel electrodes 20 formed on the upper insulating layer 30.例文帳に追加

本実施例のディスプレイ基板１０によれば、上側絶縁層３０が画素配線１８上に積層され、その上側絶縁層３０上に画素電極２０が形成される。 - 特許庁

To provide a process for producing a metal multilayer film where the upper surface of a metal film (e.g. a Cu film) at a lower layer portion is covered with a metal film (e.g. a Cr film) at an upper layer portion neither too much nor too less.例文帳に追加

下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜）の上面が上層部の金属膜（例えば、Ｃｒ膜）によって過不足無く覆われた金属多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reference mark 1 consists of an L-shaped lower reference pattern 11 formed on a lower reference layer 32, and an L-shaped upper reference pattern 12 formed on an upper reference layer 33.例文帳に追加

基準マーク１は、下側基準層３２に形成されたＬ字状の下側基準パターン１１と、上側基準層３３に形成されたＬ字状の上側基準パターン１２とからなる。 - 特許庁

After removing the vermicular pattern forming member, a spraying material for forming the upper spraying layer is moved almost in the extending direction of a hole 31 formed after removing the vermicular pattern forming member 22, and an upper surface of the upper spraying layer is leveled.例文帳に追加

虫喰い模様形成用部材を除去した後、上吹き層を形成する吹き付け材を、虫喰い模様形成用部材２２を除去した後に形成される穴３１の延びる方向にほぼ沿って移動させ、上吹層の上面を均す。 - 特許庁

An upper structure 2 has in a top position an energy absorbing part 3 composed of an energy absorbing layer 3a and a weight body 3b arranged in the upper part of the energy absorbing layer 3a, and is extended in the upper part of an existing lower structure 1.例文帳に追加

エネルギー吸収層３ａと当該エネルギー吸収層３ａの上部に設置した錘体３ｂとからなるエネルギー吸収部３を頂部の位置に有した上部構造２を既存の下部構造１の上部に増築する。 - 特許庁

An upper surface 10a of the metal conductor portion 10 and an upper surface 20s of the translucent conductor layer 20 are arranged practically equidistant from the supporting body 30 and the upper surface of the translucent conductor layer 20 is formed almost smoothly.例文帳に追加

金属導電部１０の上面１０ｓと、透光性導電層２０の上面２０ｓとは、支持体３０から実質的に等距離にあり、透光性導電層２０の上面２０ｓが略平滑に形成されている。 - 特許庁

The non-volatile memory device in which the inter-polysilicon/blocking dielectric 41, 42 comprises a layer in the silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored, and the silicon oxide consuming material consumes at least a part of the upper layer, is disclosed.例文帳に追加

また、ポリシリコン間／ブロッキング誘電体４１，４２が、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を含み、シリコン酸化物消費材料が上部層の少なくとも一部を消費した不揮発性メモリデバイス。 - 特許庁

To provide an etching method by which upper layer aluminum based films can be etched in good shape, and lower layer silicon base films can be etched with good controllability, in the etching of a laminated structure constituted of the upper layer aluminum based films an the lower layer silicon based films.例文帳に追加

上層のＡｌ系膜と下層のＳｉ系膜との積層構造をエッチングするにあたり、形状性よく上層のＡｌ系膜をエッチングすることができ、さらに下層のＳｉ系膜を制御性よくエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent falling of collapsed debris of the upper layer part onto the discharge cell, while securing the partition function of a bulkhead in the PDP which has a double layer structure of a bulkhead made of a lower layer part having large compression breaking strength and an upper layer part having small compression breaking strength.例文帳に追加

隔壁を圧縮破壊強度の大なる下層部と、圧縮破壊強度の小なる上層部とからなる２層構造にしたＰＤＰにおいて、隔壁の仕切り機能を確保しつつ、上層部の崩落砕片が放電セル内に落下するのを防ぐ。 - 特許庁

The separate-type liquid seasoning contains an O/W-type emulsion as a lower layer and an oil phase as an upper layer positioned on the lower layer, wherein the oil phase of the upper layer contains an oil-and-fat containing ≥15 mass% of a diacylglycerol, and a flavor component.例文帳に追加

水中油型の乳化物を下層とし、上層として油相を積層した分離型液体調味料であって、上層の油相がジアシルグリセロールを１５質量％以上含む油脂、及び香気成分を含有する分離型液体調味料。 - 特許庁

The via connection region 122 is connected to the lower layer 131 of the wiring layer metal 13, or the lower electrode of the capacitance element C1, and the via connection region 162 is connected to the upper layer 132 of the one-wiring layer metal 13, or an upper electrode of the capacitance element C1.例文帳に追加

ビア接続領域１２２は配線層メタル１３の下部層１３１、すなわち容量素子Ｃ１の下部電極と接続され、ビア接続領域１６２は容量素子Ｃ１の上部電極である一配線層メタル１３の上部層１３２と接続されている。 - 特許庁

An upper surface of an element isolation layer 23B in the second region is higher than that of an element isolation layer 23A in the first region, and the curvature radius of an upper corner of a charge storage layer 32B in the second region is larger than that of a charge storage layer 43 in the third region.例文帳に追加

第２の領域の素子分離層２３Ｂの上面は、第１の領域の素子分離層２３Ａの上面より高く、第２の領域の電荷蓄積層３２Ｂは、上部の角の曲率半径が、第３の領域の電荷蓄積層４３よりも大きい。 - 特許庁

Each of a lower-layer coil conductor part 11U and an upper-layer coil conductor 11S is approximately rectangular and eddy-shaped and by making an inner terminal of the lower-layer coil conductor 11U and an inner terminal of the upper-layer coil conductor 11S conductive, both the conductors are connected in series.例文帳に追加

下層コイル導体部１１Ｕと上層コイル導体部１１Ｓはそれぞれほぼ矩形の渦巻き状であり、下層コイル導体部１１Ｕの内側の端部と上層コイル導体部１１Ｓの内側の端部とが導通することにより両者は直列接続される。 - 特許庁

The chip resistor includes cuts 100a, 100b, 100c and 100d provided in the resistor layer 12 and the cuts 100a or the like are coated with the upper surface electrode layer 14 when the resistor layer 12 is formed at a correct position with respect to the upper surface electrode layer 14.例文帳に追加

抵抗層１２に切欠部１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄを設け、抵抗層１２が上面電極層１４に対して正しい位置に形成されている場合には、該切欠部１００ａ等が上面電極層１４に被覆されるようにする。 - 特許庁

Since the dielectric breakdown proofness of the lower insulating layer 30 and the upper insulating layer 33 increases, by making thin the thickness of the lower insulating layer 30 or the upper insulating layer 33, it becomes possible to narrow a shielding space K2, without causing dielectric breakdown.例文帳に追加

下部絶縁層３０および上部絶縁層３３の耐絶縁破壊性が向上するため、絶縁破壊を生じさせることなく下部絶縁層３０や上部絶縁層３３の厚みを薄くすることにより、シールド間隔Ｋ２を狭小化することが可能となる。 - 特許庁

Total thickness X of a fourth upper cladding layer 26 and a second contact layer 27 of the second semiconductor laser 29 is set smaller than the total thickness Y of a second upper cladding layer 16 and a first contact layer 17 of the first semiconductor laser 19.例文帳に追加

第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 includes an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor, an upper clad layer 8 formed on the active layer 5, and a ridge portion 11 formed by dry-etching the upper clad layer 8 up to a halfway depth.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。 - 特許庁

The power semiconductor module 1 includes an insulating substrate 8 where an upper electrode layer 3 and a lower electrode layer 4 are formed, a power semiconductor device 2 stacked on the upper electrode layer 3, and a heatsink 7 stacked on the lower electrode layer 4.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュール１は、上部電極層３および下部電極層４が形成された絶縁基板８と、前記上部電極層３に積層されたパワー半導体デバイス２と、前記下部電極層４に積層された放熱板７を備える。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with: a semiconductor lower layer 30 made of gallium nitride; a semiconductor upper layer 40 made of gallium nitride aluminum and provided on the surface of the semiconductor lower layer 30; and an insulating gate portion 55 provided on the surface of the semiconductor upper layer 40.例文帳に追加

半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。 - 特許庁

In a single-electron tunnel element where a lower electrode, a lower insulating thin-film layer, an intermediate electrode layer, an upper insulating thin-film layer and an upper electrode are laminated in the order on a substrate, the intermediate electrode layer is constituted of an insulating thin film, into which dendrimer molecules are inserted.例文帳に追加

基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成する。 - 特許庁

By turning on/off a hub device 18 for a lower layer relay and a hub device 19 for an upper layer relay, an elevator 11g capable of servicing at all floors is connected with a group-control device 13 for a lower layer or a group-control device 14 for an upper layer.例文帳に追加

低層中継用ハブ装置１８と高層中継用ハブ装置１９の電源をＯＮ／ＯＦＦすることで、全階床サービス可能なエレベータ１１ｇを低層用群管理制御装置１３または高層用群管理制御装置１４に接続する。 - 特許庁

A first conductivity-type lower clad layer 103, an active layer 104, a second conductivity-type first upper clad layer 105, and a second conductivity-type second upper clad layer 107 having a ridge shape, are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０１上に、第１導電型の下部クラッド層１０３、活性層１０４、第２導電型の第１上部クラッド層１０５、およびリッジ形状を有する第２導電型の第２上部クラッド層１０７が形成される。 - 特許庁

To provide, in stacking semiconductor devices on top of another, a lower-layer semiconductor device and a stacked semiconductor device, in which the lower-layer semiconductor device is easily producible and has high reliability of jointing with the upper layer, even if a semiconductor mounted on the upper layer has a connection terminal that is small in height.例文帳に追加

半導体装置同士を積層するにあたり、上段に搭載する半導体装置の接続端子高さが低くても上段との接合信頼性が高く、かつ容易に製造可能な下段の半導体装置および積層型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A region where the isolation layer 44 is present and a region where the layer 44 is not present are formed on the spacer layer 24 in a view vertical to the upper surface of the fixed layer 23.例文帳に追加

固定層２３の上面に対して垂直な方向から見たときに、スペーサ層２４には、絶縁層４４が存在している領域と絶縁層４４が存在していない領域とが形成されている。 - 特許庁

On the other hand, a proton or the like is injected to the isolation region so as to reach the board 11 through the core layer 13 and the lower side clad layer 12 from the upper side clad layer 14 to form an insulation layer 17.例文帳に追加

一方、分離領域は、上側クラッド層１４からコア層１３及び下側クラッド層１２を通して基板１１に達するようにプロトン等を注入し、絶縁層１７を形成する。 - 特許庁

In the sheet 1, both upper and lower surface layers are made of a thin-film reinforcing layer which is cured similar to rubber, an unvulcanized compound layer is provided in the inner layer, and the inner layer is so flexible that it extends outward.例文帳に追加

放熱シート１は上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出す程度に流動性がある。 - 特許庁

The resin-coated metal sheet has a resin layer of a double-layer structure comprising a lower layer having a composite resin of acrylic and polyester as a principal component, and an upper layer having polyester resin as a principal component, on at least one surface.例文帳に追加

アクリルおよびポリエステルの複合樹脂を主成分とする下層とポリエステル樹脂を主成分とする上層からなる複層構造の樹脂層を少なくとも一方の面に有する。 - 特許庁

An upper DBR mirror 42 with a low refractive point layer and a high refractive point layer alternately laminated thereon is divided into a primary region 44 located near an active layer, and a secondary region 46 located far from the active layer.例文帳に追加

低屈折率層及び高屈折率層が交互に積層された上部ＤＢＲミラー４２を、活性層近傍の第１の領域４４と、活性層から遠い第２の領域４６とに分ける。 - 特許庁

At least one blind hole 302 is formed in the second conductive layer 330 and the insulating layer 320 to expose the upper surface of the bump 314a through the second conductive layer 330 and the insulating layer 320.例文帳に追加

少なくとも一つのブラインドホール３０２を第２導電層３３０と絶縁層３２０に形成し、第２導電層３３０と絶縁層３２０を通り抜けてバンプ３１４ａの上面を露出する。 - 特許庁

In this circuit device, a wiring layer 18 is formed on the upper surface of a circuit board 12, and a first grounding layer 26 and a second grounding layer 28 are formed between the wiring layer 18 and the circuit board 12.例文帳に追加

本発明では、回路基板１２の上面に配線層１８を設け、更に、配線層１８と回路基板１２との間に第１接地層２６および第２接地層２８を設けている。 - 特許庁

The optical waveguide has a stress relief layer 12 consisting of a polymer material and a lower clad layer 13 formed on a substrate 11 and has an upper clad layer 15 which covers a core part 14 formed on the lower clad layer 13.例文帳に追加

基板１１上に高分子材料からなる応力緩和層１２および下部クラッド層１３を形成し、その上に形成されたコア部１４を覆う上部クラッド層１５から構成されている。 - 特許庁