| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
Hereupon, the upper end of the n-type InP current blocking layer 10 has the structure covered with the p-type InP buried layer 9 and the p-type InP current blocking layer 11.例文帳に追加
n型InP電流ブロック層10の上端部が、p型InP埋め込み層9およびp型InP電流ブロック層11により覆われた構造とする。 - 特許庁
To provide a technique capable of reducing the number of times of operations necessary for changing a display object to a lower layer whose upper layer is different from that of a currently displayed layer.例文帳に追加
異なる上位階層の下位となる階層を表示対象とするために必要な操作回数を減らすことができる技術を提供する。 - 特許庁
To prevent a delamination trouble between a wiring layer as a lower layer of a wiring connection structure for connection of upper and lower wiring layers and an insulating layer formed thereon.例文帳に追加
上下の配線層を接続する配線接続構造の下層配線層とその上に形成される絶縁層との剥離障害を防止する。 - 特許庁
A texture in peripheral direction is disposed on a nonmagnetic substrate 11, and an adhesive layer 12 comprising a nonmagnetic amorphous layer is formed in the upper layer of the nonmagnetic substrate 11.例文帳に追加
非磁性基板11上に周方向のテクスチャーを設け、非磁性基板11の上層には、非磁性アモルファス層からなる密着層12を形成している。 - 特許庁
A semiconductor element has a two-layer structure and is formed in a staircase shape such that a lower-layer semiconductor element 2 is larger than an upper-layer semiconductor element 1 at the outer peripheral part thereof, and metallic bonding wires 4 are connected onto electrode pads 7 formed on the upper surface of the upper-layer semiconductor element 1 and the upper surface of the lower-layer semiconductor element 2 at outer peripheries thereof.例文帳に追加
半導体素子を2層構造とし、その外周部では上層の半導体素子1よりも下層の半導体素子2が大きくなるように階段状に形成し、それらの外周で上層の半導体素子1の表面上および下層の半導体素子2の表面上にそれぞれ形成された電極パッド7上に、それぞれ金属性のボンディングワイヤー4を接続する。 - 特許庁
An upper surface of the insulating layer 20 includes a first upper surface including at least a part of an inner wall surface of the opening OP and a second upper surface farther apart from the semiconductor substrate as compared with the first upper surface.例文帳に追加
絶縁層20の上面は、開口部OPの内壁面の少なくとも一部を含む第1上面と、第1上面と比較して半導体基板からより離れている第2上面と、を含む。 - 特許庁
A lead 14 is connected to the upper face of the diode chip 12 and a lead 15 is connected to the upper face of the diode chip 13, respectively, and the upper part of the leads 14 and 15 is projected from the upper face of a mold layer 20.例文帳に追加
ダイオードチップ12の上面にはリード14が、ダイオードチップ13の上面にはリード15がそれぞれ接続されており、リード14、15の上部はモールド層20の上面から突出している。 - 特許庁
On the lower layer absorptive body 23B including positions overlapping the upper layer slits 40, a pair of lower layer slits 50 penetrating through the surface and the rear surface face of the lower layer absorptive body 23B are formed.例文帳に追加
上層スリット40と重なる位置を含めて下層吸収体23Bには、下層吸収体23Bの表裏面に貫通する一対の下層スリット50が形成される。 - 特許庁
The thin-film transistor 1 is constituted of an insulating substrate 2, a gate electrode 3, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5 of a lower layer, a source electrode 6, a drain electrode 7 and an upper layer semiconductor layer 8.例文帳に追加
薄膜トランジスタ1は、絶縁基板2、ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、下層の半導体層5、ソース電極6、ドレイン電極7、上層の半導体層8からなっている。 - 特許庁
Then an n-type absorption reducing layer 4 is provided on an under surface of the n-type clad layer 5, and a p-type absorption reducing layer 12 is provided on an upper surface of the p-type second clad layer 11.例文帳に追加
そして、n型クラッド層5の下面にn型吸収低減層4が備えられるとともに、p型第2クラッド層11の上面にp型吸収低減層12が備えられる。 - 特許庁
A ground line to which the grounding voltage GND to be used in the sense amplifier group SAG is supplied, is formed on a metal wiring layer 209 of a second layer of upper layer of a metal wiring layer 202.例文帳に追加
金属配線層202の上層の第2層の金属配線層209にセンスアンプ帯SAGで用いる接地電圧GNDが供給される接地線が形成される。 - 特許庁
The horizontal wiring portion of two-layer construction which includes a lower metal layer and an upper metal layer functioning as a mask for patterning the lower metal layer is formed on the thin film tape.例文帳に追加
下層金属層と該下層金属層をパターニングするためのマスクとして機能する上層金属層からなる2層構成の水平配線部を薄膜テープ上に形成する。 - 特許庁
The sheet body 11 is formed by laminating and calcining the fuel electrode layer 11b and an air electrode layer 11c on upper and lower surfaces of an electrolyte layer 11a so as to sandwich the electrolyte layer 11a.例文帳に追加
この薄板体11は、電解質層11aを挟むように電解質層11aの上下面に燃料極層11bと空気極層11cとが積層・焼成されてなる。 - 特許庁
An upper surface (surface to be polished 10) opposite to the single crystal thin film layer (superconductive layer 4) on at least one of the intermediate thin film layer (intermediate layer 3) is polished.例文帳に追加
中間薄膜層(中間層3)のうちの少なくとも1つにおいて単結晶性薄膜層(超電導層4)と対向する上部表面(被研磨面10)は研磨加工されている。 - 特許庁
To prevent a lower-layer wiring layer from being damaged related to a manufacturing method for a semiconductor device comprising a wiring element of a dual damascene structure at the upper part of the lower-layer wiring layer.例文帳に追加
本発明は下層配線層の上部にデュアルダマシン構造の配線要素を備える半導体デバイスの製造方法に関し、下層配線層の損傷を防止することを目的とする。 - 特許庁
The capacitor 3 has: a lower conductor layer 10; a dielectric film 20 provided partially on the lower conductor layer 10; and an upper conductor layer 30 provided on the dielectric layer 20.例文帳に追加
キャパシタ3は、下部導体層10と、一部が下部導体層10の上に配置された誘電体膜20と、誘電体膜20の上に配置された上部導体層30とを有している。 - 特許庁
The display stand for the packed round rice cake is made of a base material layer and a glossy layer formed on the upper surface of the base material layer, and is doubled on the folding line of the roof 21 with the base material layer located inside.例文帳に追加
包装鏡餅用飾り台は、基材層とその上面に設けた光沢層で構成され、前記屋根部の折罫線で基材層を内側にして2つ折りに構成される。 - 特許庁
The number of photolithography steps is reduced by simultaneously etching an unnecessary part of the semiconductor layer in a step of forming an opening in the semiconductor layer or an insulation layer formed on the upper surface of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層または半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 - 特許庁
This pressure sensitive paint thin film sensor is coated in three-layer structure interposing an intermediate layer of a polymer of the same kind as the PSP between the white base coat in a lower layer and the PSP in an upper layer.例文帳に追加
本発明の感圧塗料薄膜センサーは、下層の白色べースコートと上層のPSP間に、PSPと同種のポリマーの中間層を介在させて3層構造にコーティングするようにした。 - 特許庁
An upper metal layer 27 made of non-magnetic metal as a protective layer is formed on the top surface of an uppermost free layer 26 of a magnetoresistive effect layer composing a TMR device 2.例文帳に追加
TMR素子2を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層26の上面の上面に、保護膜として、非磁性金属層からなる上部金属層27を形成する。 - 特許庁
Among the multi-layered resin layers 12, a resin layer brought into contact with the upper end opening part of the container body is a heat-sealable resin layer 122, and at least one layer is a barrier resin layer 121.例文帳に追加
多層樹脂層12のうち前記容器本体の上端開口部に接する樹脂層がヒートシール性樹脂層122であり、かつ、少なくとも1層がバリア性樹脂層121である。 - 特許庁
Further, in the optical resonator 3, a first auxiliary active layer 7 is provided in the vicinity of the lower reflective layer 4 and a second auxiliary active layer 8 is provided in the vicinity of the upper reflective layer 5.例文帳に追加
また、光共振器3には、下部反射層4の近傍に第1の副活性層7を設けると共に、上部反射層5の近傍に第2の副活性層8を設ける。 - 特許庁
Moreover, on the InGaN layer 11, a lower clad layer 12 (nitride semiconductor layer containing Al) composed of AlGaN is formed so as to contact with the upper plane of the InGaN layer 11.例文帳に追加
また、このInGaN層11上には、InGaN層11の上面と接するように、AlGaNからなる下部クラッド層12(Alを含む窒化物半導体層)が形成されている。 - 特許庁
The TMR element 18 is constituted having a tunneling barrier layer 16 interposed as a nonmagnetic layer between an upper layer 17 and a lower layer 15 with vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加
垂直磁気異方性を持つ上磁性層17と下磁性層15との間に、非磁性層であるトンネル障壁層16を介在させてTMR素子18が構成されている。 - 特許庁
Accordingly, the adhesive layer 8 is thrusted into the gate electrode layer 5, and opening parts 4a, 5a of the insulating layer 4, and made to adhere to an upper surface 3US of the carbon nanotube layer 3.例文帳に追加
それにより、粘着層8が、ゲート電極層5および絶縁層4の開口部4aおよび5a内に押し込まれ、カーボンナノチューブ層3の上表面3USに密着する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of embedding a contact layer formed of a plated layer in a contact hole favorably so as to perform electrical connection between an upper layer and a lower layer.例文帳に追加
コンタクトホール内にめっき層から成るコンタクト層を埋め込んで上下層の電気的接続を行うときの、コンタクト層の埋め込み性を良好にする構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁
The contact plug 14 to be connected with a source/drain region 7 of a silicon substrate 1 is structured of a tungsten layer used as a lower layer plug 15 and a copper layer used as an upper layer plug 16.例文帳に追加
シリコン基板1のソース/ドレイン領域7に接続するコンタクトプラグ14を、下層プラグ15としてタングステン層を用い、上層プラグ16として銅層を用いる構成である。 - 特許庁
The dielectric layer 3 comprises the orientation- controlled lower dielectric layer 3a and the upper electrode layer 3b formed on the lower dielectric layer 3a.例文帳に追加
また、この誘電体層3の形成するにあたり、配向制御された下部誘電体層3a上に上部誘電体層3bを形成する可変容量コンデンサの製造方法である。 - 特許庁
The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加
III−V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、下部半導体層と、活性層106と、上部半導体層と、電流阻止層115とを備えている。 - 特許庁
The ratio of Al in the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than the ratio of Al of AlGaInP that is a material of the barrier layer and the guide layer of an active layer 38.例文帳に追加
p型AlGaInP上クラッド層40のAl組成比は、活性層38のバリア層及びガイド層の構成材料であるAlGaInPのAl組成比よりも高い。 - 特許庁
A p-type well layer 14 is formed partially on the upper surface of an n^--type embedded layer 11 in an n^--layer 12 on a part enclosed by a p-type separation layer 13.例文帳に追加
p型ウェル層14は、p型分離層13によって取り囲まれた部分のn^-層12内において、n型埋め込み層11の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁
In this case, a water layer is formed beneath the oil layer so that the dissolved plastic material is made to float in the upper part of the oil layer and the metallic material is made to sink in the water layer.例文帳に追加
この際、油層の下方に水層を形成することによって、加熱溶解したプラスチック材料を油層上部に浮上させ、金属材料を水層内に沈降させて分離する。 - 特許庁
The gate insulating layer 22a' has: a lower layer 60 formed on partial regions 12, 13 of the source/drain regions; and an upper layer 61 formed on a center that is one portion of the lower layer 60.例文帳に追加
ゲート絶縁層22a’は、ソースドレイン領域の一部12,13の上に形成された下層60と、下層60の一部である中心部の上に形成された上層61とを有する。 - 特許庁
The soil-based pavement is composed of a lower layer 2 laid on a roadbed 1 and having water permeability and a soil-based surface layer 3, which is laid at the upper section of the lower layer 2, is supported by the lower layer 2 and finishes a road surface.例文帳に追加
路床1上に施工され、透水性を有する下層2と、この下層2の上方に施工され、下層2に支持されて路面を仕上げる土系の表層3とからなる。 - 特許庁
The semiconductor laser is constructed in such manner that a lower DBR mirror layer 11, an active layer 13 having a light emitting center area, an upper DBR mirror layer 15, and a transverse mode adjusting layer 17 are laminated in the above order.例文帳に追加
下部DBRミラー層11、発光中心領域を有する活性層13、上部DBRミラー層15および横モード調整層17がこの順に積層されている。 - 特許庁
After a component 5 is embedded in a second layer 4, the second layer is cured, and the interlayer connection conductor 6 which is a through-hole penetrating the second layer 4 from an upper surface to a lower surface is formed in the cured second layer 4.例文帳に追加
第二層4に部品5を埋設した上でこれを硬化し、硬化した第二層4に上面から下面にかけて貫通する貫通孔の層間接続導体6を形成する。 - 特許庁
A solar battery 10 is constituted by laminating an upper cell 12 stacking an n+-layer, a p-layer, and a p+-layer upon a lower cell 14 in which n+-layers and p+-layers are arranged in the lower section of a p-layer along the rear surface of the cell 14.例文帳に追加
n^+層、p層、p^+層で構成された上部セル12とp層の下部に裏面に沿ってn^+層とp^+層を並べた下部セル14とを積層し太陽電池10とする。 - 特許庁
A pattern for the check is constituted by alternately connecting neighboring through-holes 2 by an upper wiring layer 4 exposed on the insulating layer or a lower wiring layer 3 embedded in the insulating layer.例文帳に追加
隣接するスルーホール2は、絶縁層上に露出する上層配線4又は絶縁層中に埋設された下層配線3により、交互に接続されて、チェックパターンが構成されている。 - 特許庁
To enable a base material having an even thickness in the width direction and suffering from no coating streaks to be coated with 2 layers of an active material layer as an upper layer and a conductive layer as a lower layer at the same time.例文帳に追加
幅方向の厚みが均一で且つ塗工スジの発生しない基材上に上層に活物質層、下層に導電層を同時に2層塗布することが困難である。 - 特許庁
A cover insulating layer 4 is formed at the upper surface side of a base insulating layer 1 and the conductive layer 2 so that a plurality of terminals and the conductive layer 2 of a plurality of earth lands EL are exposed.例文帳に追加
続いて、複数の端子部および複数のアースランドELの導体層2が露出するようにベース絶縁層1および導体層2の上面側にカバー絶縁層4を形成した。 - 特許庁
A precursory non-magnetic layer and a precursory lower magnetic pole layer are formed in this order so as to cover a frame pattern 50 formed on a base layer (an upper shielding layer 7) and having an opening part 50u.例文帳に追加
下地(上部シールド層7)上に形成した、開口部50uを有するフレームパターン50を覆うように、前駆非磁性層および前駆下部磁極層をこの順に形成する。 - 特許庁
After a conductor layer 21 (a plate electrode), which is used for filling the second aperture with a second conductor layer, is formed on the film 20, the upper part of the layer 21 is polished or etched back to planarize the surface of the layer 21 (a).例文帳に追加
第2の導電体で第2の開口を埋め込む導電体層21(プレート電極)を形成した後、導電体層の上部を研磨又はエッチバックで平坦化する(a)。 - 特許庁
This treated steel material is provided on its base material with a coating film lower layer that is an iron compound coating film layer having a ≤10% loss in mass due to heating of it to 50-300°C, and a coating film upper layer that is an organic resin coating layer.例文帳に追加
下層に50℃から300℃までの加熱による質量減少量が10%以下の鉄化合物被膜を有し、上層に有機樹脂被覆が施されている。 - 特許庁
The capacitor contact layer 147 consists of a first elevated source/drain layer 146, and a first silicide layer 148 provided on the upper part of the first elevated source/drain layer 146, in contact therewith.例文帳に追加
容量接続層147は、第1エレベイテッドソース/ドレイン層146と、第1エレベイテッドソース/ドレイン層146の上部に接して設けられた第1シリサイド層148から構成される。 - 特許庁
An electrode 1 of the polymer electrolyte fuel cell comprises a gas diffusion layer 5 containing carbon fiber sheets 3 as an upper layer and a catalyst layer 7 containing carbon particles carrying catalyst as a lower layer.例文帳に追加
固体高分子形燃料電池用の電極1は、カーボン繊維シート3を備えたガス拡散層5と、触媒を担持したカーボン粒子を含む触媒層7とが上下に配されている。 - 特許庁
In this case, the focusing electrode comprises a lower electrode layer, and an upper electrode layer formed on the lower electrode layer while covering residual electron emission substances on the lower electrode layer.例文帳に追加
この時、集束電極は下部電極層と、下部電極層上の残留電子放出物質を覆いながら下部電極層上に形成される上部電極層からなる。 - 特許庁
This surface sheet 1 of the absorbent article is constituted by superposing an upper layer fiber layer 2 abutting on the skin on a lower layer fiber layer 3 abutting on the absorbent body.例文帳に追加
本発明の吸収性物品の表面シート1は、肌に当接する上層繊維層2及び吸収体に当接する下層繊維層3が積層されて構成されている。 - 特許庁
The semiconductor optical amplifying element is equipped with a first conductivity-type lower clad layer, a second conductivity-type upper clad layer, an active layer, and a diffraction grating layer.例文帳に追加
本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第1導電型の下部クラッド層、第2導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。 - 特許庁
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