「vapor phase epitaxy」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SUSCEPTOR, VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY例文帳に追加

サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 - 特許庁

SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE EPITAXY AND VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM, AND DESIGNING METHOD OF SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE EPITAXY AND VAPOR PHASE EPITAXY METHOD例文帳に追加

気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長用サセプタの設計方法及び気相成長方法 - 特許庁

Moreover, the vapor phase epitaxy of the hydrogen is performed in an atmosphere including a hydrogen.例文帳に追加

また、水素を含む雰囲気中で気相成長する。 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

気相エピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING SUSCEPTOR FRICTION IN VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE例文帳に追加

気相成長装置におけるサセプタ擦れ検知方法 - 特許庁

ORGANIC METAL MATERIAL VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE例文帳に追加

有機金属原料気相成長装置 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY例文帳に追加

気相成長装置および気相成長方法 - 特許庁

ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY例文帳に追加

有機金属気相エピタキシー用の有機金属化合物 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ALGAN TERNARY MIXED CRYSTAL, AND VAPOR PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＡｌＧａＮ三元混晶結晶の製造方法及び気相成長装置 - 特許庁

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法 - 特許庁

The rubber is compounded rubber containing vapor phase epitaxy carbon fiber.例文帳に追加

ゴムが、気相成長炭素繊維を含有する配合ゴムである。 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

気相成長装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁

By pinching the vapor phase epitaxy inorganic film 26 with the plasma polymerization films 24, stress generated against the vapor phase epitaxy inorganic film 26 can be cancelled out to improve the bending stress endurance of the vapor phase epitaxy inorganic film 26.例文帳に追加

気相成長無機膜２６をプラズマ重合膜２４で挟むことで、気相成長無機膜２６との間で生ずる応力を相殺でき、気相成長無機膜２６の曲げ応力耐性が向上する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube.例文帳に追加

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁

SUSCEPTOR, APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY, AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

気相成長用サセプタ及び気相成長装置及び気相成長方法並びにエピタキシャルウエーハ - 特許庁

The fiber diameter of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably within a range of 0.04-0.4 μm.例文帳に追加

また、気相成長炭素繊維の繊維径としては、好適には０．０４〜０．４μｍの範囲内である。 - 特許庁

The fiber diameter of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably in a range of 0.04-0.4 μm.例文帳に追加

また、気相成長炭素繊維の繊維径は、好適には０．０４〜０．４μｍの範囲内である。 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

気相成長装置およびこれを用いた半導体基板の製造方法および半導体基板 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF ALN-BASED GROUP III NITRIDE THICK FILM, AND MOCVD APPARATUS例文帳に追加

ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物厚膜の気相成長方法およびＭＯＣＶＤ装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND HYDLIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTING CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置 - 特許庁

The semiconductor film is formed on a growing substrate by the vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

成長用基板の上に気相成長法によって半導体膜を形成する。 - 特許庁

The method for vapor phase epitaxy includes feeding the press-down gas as well as feeding gas containing the source gas, into the above horizontal type reaction tube of the apparatus for vapor phase epitaxy.例文帳に追加

また、前記気相成長装置の横形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給するとともに押圧ガスを供給して気相成長させる。 - 特許庁

In the case of a vapor phase epitaxy of the second clad layer, the growth pit is formed in the front surface using the growth temperature as 1,000°C or less, and the vapor phase epitaxy is performed until the thickness is set to 100 nm or more.例文帳に追加

第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for vapor phase epitaxy using a horizontal circular susceptor capable of preventing a wafer from sticking to its periphery and improving semiconductor productivity in forming a vapor phase epitaxial film, and to provide a method for the vapor phase epitaxy.例文帳に追加

水平円盤型サセプタを使用する気相成長装置において、ウェーハとその周辺部との貼り付き現象を防止し、気相成長膜形成の半導体生産性を向上することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A step for forming the antireflection structure is carried out by any method among a chemical vapor deposition method, a vapor phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

反射防止構造体を形成する工程は、化学蒸着法、気相エピタキシー法、あるいは分子線エピタキシー法のうちのいずれかの方法により行う。 - 特許庁

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ハイドライド気相成長装置、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

Consequently, the densities of crystal defects in the vicinities of the recesses 11 after the metal organic vapor phase epitaxy is performed can be reduced.例文帳に追加

その結果、有機金属気相成長後の凹部１１の近傍の結晶欠陥密度を低減することができる。 - 特許庁

A GaN film of about 5μm is formed on the sapphire substrate by a metal organic vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

サファイア基板上に約５μｍのＧａＮ膜を例えば有機金属気相成長法により形成する。 - 特許庁

ORGANIC METAL VAPOR PHASE EPITAXY METHOD, AND NITRIDE-BASED III GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT FORMED THEREBY例文帳に追加

有機金属気相成長法及びそれにより形成したＩＩＩ族窒化物系化合物半導体光素子 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate that is reduced in defect of a crystal layer caused by uneven drying when metal organic vapor phase epitaxy is performed.例文帳に追加

有機金属気相成長を行った際の乾燥ムラに起因する結晶層の欠陥が少ない化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

In hydrogen atmosphere of 1,000°C, a GaN layer 106 is grown by 2 μm on the buffer layer by organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

この緩衝層上に有機金属気相成長法により、１０００℃の水素雰囲気において、ＧａＮ層１０６を２μｍ成長する。 - 特許庁

GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYER AND HVPE (HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY) FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びＨＶＰＥを使用する成長法 - 特許庁

Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes.例文帳に追加

引き続き、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が４Ｈ型ポリタイプとなる。 - 特許庁

In a process to form the Ti film 18, a physical vapor phase epitaxy method is used under the atmosphere having a pressure of not more than 0.3 Pa.例文帳に追加

ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a p type ZnO-based semiconductor thin film with high carrier concentration by vapor phase epitaxy.例文帳に追加

気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。 - 特許庁

A structure allows the distance between reactive gas and a liquid material stored in the material vessel of the vapor phase epitaxy equipment to keep almost constant.例文帳に追加

気相成長装置の原料容器に収容された液体原料と反応性ガスとの距離を概ね一定に保つことが可能となる構造とする。 - 特許庁

To provide a method for growing up a large-sized GaN crystal in HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) at a crystal growth temperature of 1,100°C or less.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The content of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably in a range of 5-75 pts.wt. to 100 pts.wt. of compounded rubber.例文帳に追加

気相成長炭素繊維の含有量は、配合ゴム１００重量部に対して５〜７５重量部の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁