「vapor phase epitaxy」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてＣドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

More specifically, the capacitive insulating film (6) is formed using metal organic vapor phase epitaxy under second temperature (590°C or above) higher than a first temperature at which the crystal phase of the ferroelectric film undergoes phase transition from fluorite phase to perovskite phase.例文帳に追加

具体的には、強誘電体膜の結晶相がフルオライト相からペロブスカイト相へ相転移する第１の温度よりも高い第２の温度（５９０℃以上）の下で、有機金属気相成長法を用いて容量絶縁膜（６）を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the epitaxial wafer, wherein the thickness of the epitaxial layer formed in the surrounding region of a silicon wafer is controlled by controlling a growth speed and/or a growth temperature of the epitaxial layer of which vapor-phase epitaxy is achieved, in the method for manufacturing the epitaxial wafer by supplying a raw material gas onto the silicon wafer to achieve vapor-phase epitaxy of the epitaxial layer.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に原料ガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、前記気相成長させるエピタキシャル層の成長速度及び／又は成長温度を制御することにより、前記シリコンウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

A single wafer vapor phase epitaxial growth system is employed in this vapor phase epitaxy, the underlying silicon wafer is brought into a state for rotating horizontally in a reaction chamber, and deposition gas is suitably made to flow down onto the major surface of an underlying silicon wafer from above.例文帳に追加

この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。 - 特許庁

The portable health checking apparatus is realized using vapor phase epitaxy tungsten trioxide to hydrogen heretofore difficult to detect by a small sensor although required to detect abnormal growth of enteral anaerophyte or an indigestion syndrome.例文帳に追加

腸内嫌気性細菌の異常増殖や消化不良症候群の検知に必要ながら小型センサでは検知困難だった水素に対し、気相成長三酸化タングステンを用いて携帯ヘルスチェック装置を実現する。 - 特許庁

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF Al CONTAINING NITRIDE, PROCESS FOR FABRICATING Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびＡｌ含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにＡｌ含有窒化物半導体基板 - 特許庁

On the major surface of the monitor M, a silicon epitaxial layer is formed by vapor phase epitaxy along with a silicon single crystal wafer W for product.例文帳に追加

モニターＭの主表面に、製品用のシリコン単結晶ウェーハＷとともに気相成長を施してシリコンエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

A susceptor 1 supports a semiconductor wafer W during a vapor phase epitaxy process in which the semiconductor wafer W is heated from both the principal front surface side and the principal rear surface side.例文帳に追加

半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１である。 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

To provide a susceptor for vapor phase epitaxy which improves the uniformity of an epitaxial film thickness and the uniformity of flatness at the external periphery of a substrate, and can manufacture high quality epitaxial wafers efficiently.例文帳に追加

基板外周部でのエピ膜厚の均一性、及びフラットネスの均一性を向上し、高品質のエピタキシャルウエーハを効率よく生産できる気相成長用サセプタを提供する。 - 特許庁

Then, material gas is introduced inside the growing apparatus to form a nitride aluminum layer on the silicon board as a buffer layer by a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 - 特許庁

To enable the steep doping of Mg in a vapor phase epitaxy method of a compound semiconductor wherein Cp_2Mg is used as a doping material for an AlGaInP-based compound semiconductor.例文帳に追加

Ｃｐ_２ＭｇをＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体のドーピング原料として用いる化合物半導体の気相成長方法において、急峻なＭｇドーピングを可能とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V compound semiconductor is for use in the group III-V compound semiconductor by organic metal vapor phase epitaxy employing a material containing group III element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the surface morphology of a ferroelectric film formed through an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により形成された強誘電体膜の表面モホロジーを改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor surface light emitting device having a plurality of wavelengths on the same substrate using the MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) selective growth method.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a monitor for evaluating a product which can be used well without being adhered to a susceptor when a silicon epitaxial wafer is produced by vapor phase epitaxy.例文帳に追加

気相成長によってシリコンエピタキシャルウェーハを製造する際に、サセプタに殆ど貼り付くことなく好適に使用できる、製品評価用のモニターを提供する。 - 特許庁

This additive is made of a vapor phase epitaxy carbon fiber of tube shape in which the carbon net layer is formed in concentric form and treated at high temperature.例文帳に追加

本発明に係る添加材では、炭素網層が同心状をなすチューブ状の気相成長炭素繊維であって、高温で熱処理されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A Ga-containing compound semiconductor layer as a light emitting layer is formed on the main surface of compound semiconductor monocrystal substrate 4 by vapor phase epitaxy and the light emitting element is fabricated.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４の主表面上に、発光層部をなすＧａ含有化合物半導体層を気相成長により形成し、発光素子を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a backside hole, when forming a current diffusion layer using hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer on a principal plane of a silicon single crystal substrate by vapor phase epitaxy at a rapid growth speed while suppressing the occurrence of auto-dope, particles, and cracks.例文帳に追加

オートドープ、パーティクル及びクラックの発生を抑制した状態で、高い成長速度を保ちながらシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

Material gas containing Al, Ga, As is supplied to an n-GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus forming a light reflection layer 21 on the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、ＡｌとＧａとＡｓとを含む材料ガスをｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、光反射層２１をｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁

Either or both of the first and second protective films 20, 22 is of a laminated structure pinching a vapor phase epitaxy inorganic film 26 with at least plasma polymerization films 24.例文帳に追加

この第１及び第２保護膜２０，２２のいずれか又は両方を、少なくともプラズマ重合膜２４によって気相成長無機膜２６を挟んだ積層構造とする。 - 特許庁

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。 - 特許庁

The above configuration is contained at least partially, and a gate insulation layer manufactured with SiH_4 and N_2O as source gases by a microwave plasma vapor phase epitaxy method is in contact with the single-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

上記構成を少なくとも一部に有し、マイクロ波プラズマ気相成長法によりＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを原料ガスとして作製されたゲート絶縁層が単結晶半導体層と接する構成とする。 - 特許庁

The epi-layer of InGaAlP is formed on a thin GaAs substrate employing organic metal vapor phase epitaxy (OMVPE) and the good temperature gradient, reliability, the luminance and the luminous efficiency are improved by the substrate.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｌＰのエピ層は有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ）を用いて薄い厚さのＧａＡｓ基板上に形成され、この基板により、良好な温度勾配、信頼性、輝度、及び発光効率が改善される。 - 特許庁

To provide a method for growing a large crystal of group III nitride by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using a group III nitride crystal substrate obtained by a solution method.例文帳に追加

溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydride vapor phase epitaxy apparatus in which crystal growth is not impeded by residual air or moisture flowing in from the downstream of a reaction tube.例文帳に追加

反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a reduction in a production yield due to deposition of a flake of a reaction product to a substrate or to a compound semiconductor layer on the substrate in manufacturing of a compound semiconductor using a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxy method for a III-V compound semiconductor such that embedding growth on a structure having been made uneven is carried out over the entire area in a wafer surface, and stable embedding flattening irrelevant to the uneven shape is achieved.例文帳に追加

ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxy device capable of inhibiting heat transfer from a wafer to a storage part when the wafer moves and comes into contact with the storage part of a wafer holder.例文帳に追加

ウエハが移動してウエハホルダの収容部に接触した場合にウエハから収容部への熱移動を抑制できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide vapor phase epitaxy equipment which equalizes temperature distribution of gas in a perimeter region of a processed substrate and reduces variation of composition and thickness of a thin film formed on the processed substrate.例文帳に追加

被処理基板の周辺領域におけるガスの温度分布を均一化し、被処理基板に形成される薄膜の組成および厚さのばらつきを軽減する気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The bottom 22a of the countersink 2 becomes deeper gradually from the edge to the center so that the warped semiconductor wafer W will not come into contact with the bottom 22a during heating for vapor phase epitaxy.例文帳に追加

座ぐり２の底面２２ａが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における基板Ｗの撓み形状よりも窪まされている。 - 特許庁

To reduce ionized impurity density of a p-type CdTe thick film layer made into a radiation absorption layer in a radiation detector formed by metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。 - 特許庁

This invention is characterized in that diamond is used as a cold cathode for an imaging element, without relying on manufacturing methods such as a natural high-pressure high-temperature synthesizing method, a vapor-phase epitaxy method, and a combustion flame method.例文帳に追加

天然・高圧・高温合成法・気相成長法・燃焼炎法など製法によらず、ダイヤモンドを撮像素子の冷陰極として使用することを特徴とする。 - 特許庁

In the vapor phase epitaxy equipment 20 which forms the thin film on the processed substrate 21 by using gas as material, a heating means 37 is arranged in a reaction tube 23 which means heats the gas introduced in the direction which meets in a depositing surface of the processed substrate 21.例文帳に追加

ガスを原料として被処理基板２１上に薄膜を形成する気相成長装置２０には、反応管２３内に被処理基板２１の成膜面に沿う方向に導入されるガスを加熱する加熱手段３７が備えられる。 - 特許庁

In order to change the growing direction of the crystal in two steps, change of temperatures in the sublimation method or change of gas-flow directions in the HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method can be utilized.例文帳に追加

結晶の成長方向を２段階に変更するために、昇華法における温度変更またはＨＶＰＥ法におけるガス流方向の変更が利用され得る。 - 特許庁

A method of manufacturing the electrode includes steps of: reacting the electrode to form the fibrous conductive material; and depositing the active materials on the fibrous conductive material by the vapor-phase epitaxy method.例文帳に追加

この電極を、集電体上へ導電性繊維状物質を反応し形成させる工程と、該導電性繊維状物質上へ活物質を気相成長させる工程を備える電極の製造方法により製造する。 - 特許庁

When vapor phase epitaxy is carried out by using this substrate, the concavo-convex shape suppresses growth in the lateral direction and promotes growth in a C axial direction, thereby affording a base surface capable of forming a facet plane.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁

The crystal growing unit 500 grows a second GaN crystal on a substrate formed by using the GaN wafer by the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method, thus producing a bulked GaN crystal.例文帳に追加

結晶成長装置５００は、作製されたＧａＮウエハを基板として、ＨＶＰＥ法によって基板上に第２のＧａＮ結晶を結晶成長させ、塊状のＧａＮ結晶を製造する。 - 特許庁

In S301, a silicon substrate 201 is carbonized using a carbon source whose decomposition temperature is within to the operation substrate temperature range of a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) device, to form a silicon carbide layer 202, in the MOVPE device.例文帳に追加

Ｓ３０１で、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置において、このＭＯＶＰＥ装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板２０１を炭化し、炭化珪素層２０２を形成する。 - 特許庁

To provide hydride vapor phase epitaxy equipment of Al containing nitride in which epitaxial growth of a nitride containing Al can be achieved effectively by HVPE method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法による効果的なＡｌ含有窒化物の結晶成長を実現できるＡｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A first intermediate layer 4 is formed on a base substrate 3 in which a growing base layer 2 of AlN is formed on a sapphire base material 1, and an AlN single crystal layer 7 is further formed by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) process, so as to obtain a stacked body 10.例文帳に追加

サファイア基材１の上にＡｌＮの成長下地層２を形成した下地基板３の上に、第１中間層４を形成したうえで、さらにＡｌＮ単結晶層７をＨＶＰＥ法によって形成し、積層体１０を得る。 - 特許庁

To provide a vapor-phase-epitaxy apparatus and method whereby its availability factor is so improved by a simple configuration without corroding the inner wall of its container as to be able to remove surely the depositions deposited on the inner wall of its container.例文帳に追加

容器の内壁を腐食させずに、簡単な構成で、装置の稼働率を向上して、容器の内壁に堆積する堆積物を確実に除去することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, when depositing a Pt film on the films 3, 4 as lower electrodes 5 by using a chemical vapor-phase epitaxy method under the condition of generating a foundation selectivity, the Pt film is not deposited on the non-selective film 4, but is formed only in the desired regions.例文帳に追加

その後、下地選択性が生じる条件下で化学的気相成長法を用いてPt膜を下部電極５として堆積すれば、非選択性膜４にはPt膜が堆積せず、所望の領域のみにPt膜が形成される。 - 特許庁

The susceptor 4 having a hole 41 is employed, the hole formed in a penetrated state from the front side to the back side thereof and kept in the penetrated state even in the case of a predetermined treatment (for example, vapor phase epitaxy).例文帳に追加

表裏に貫通した状態に形成され所定の処理（例えば気相成長）の際にも貫通状態に保たれる孔部４１を有するサセプタ４を用いる。 - 特許庁