「vapor phase epitaxy」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a forming method of silicon nitride film by vapor phase epitaxy which is capable of forming the silicon nitride film having excellent film characteristics while employing trisilyl amine as a precursor at a comparatively high growth rate even at comparatively low temperatures.例文帳に追加

トリシリルアミンを前駆体として用いながら、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも比較的高い成長速度で製造することができる気相成長によるシリコン窒化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and equipment which can easily manufacture a low cost III group nitride semiconductor crystal by a hydlide vapor phase epitaxy method while doping a silica element with excellent controllability and reproducibility using a crystal growth furnace in which a quartz component is used.例文帳に追加

石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using a group III nitride compound semiconductor by using an appropriate index for highly purifying an epitaxial film grown under a varying growth condition in an organic metal vapor phase epitaxy furnace.例文帳に追加

有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal is grown by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method comprising growing a compound semiconductor crystal by simultaneously supplying hydrogen chloride gas blown onto heated metallic silicon (Si pool 7) and a hydrocarbon gas on a heated silicon carbide substrate 5 to subject the reactants to a thermal decomposition reaction.例文帳に追加

加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

The method for producing a gallium nitride single crystal (comprises thickly growing gallium nitride by a hydride vapor phase epitaxy(HVPE) growing method on a sapphire substrate having fine asperities of which the projecting part size is ≥30 nm and ≤200 nm, and peeling the same from the sapphire substrate.例文帳に追加

凸部の大きさが３０ナノメーター以上、２００ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、ＨＶＰＥ成長法で窒化ガリウムを厚く成長させ、サファイア基板から剥離する窒化ガリウム単結晶製造方法。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor production apparatus made of quartz which is almost prevented from being clouded even when repeatedly used and provides nitride semiconductors stable in the Si carrier concentration, in the production of the nitride semiconductor by a hydride vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

An AlAs layer 9 is grown up between a GaAs substrate 1 and epitaxial layers 2-8, and continuous growth can be performed because a removing work of the remains Se performed in the interval of growth becomes unnecessary by shutting the remains Se within vapor phase epitaxy equipment into this AlAs layer 9.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。 - 特許庁

To provide a method by which a crystal film composed of a single crystal in which defects are further reduced and having good flatness can be produced at a higher speed when an aluminum-based group III nitride crystal film is produced by a hydride vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided with an arranging process for arranging a plurality of seed substrates 10 by shifting the seed substrates 10 to the side part side 11, and a growing process for growing a crystal Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。 - 特許庁

The susceptor has a through-hole at a periphery of the through-hole for lift pin insertion, and the vapor-phase epitaxy is carried out by placing the semiconductor wafer on the susceptor after the reverse principal surface of the semiconductor wafer with a hydrogen-fluoride-based solution.例文帳に追加

前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 - 特許庁

Carbon nanotubes 106 are grown on a catalytic metal particles 103 by forming a zeolite layer 102 on a substrate 101 made of an electroconductive material, forming the catalytic metal particles 103 on the bottoms of a plurality of through-holes in the zeolite layer 102, and effecting chemical vapor phase epitaxy.例文帳に追加

導電性を有する材料から構成された基板１０１の上にゼオライト層１０２を形成し、ゼオライト層１０２の複数の貫通孔底部に、触媒金属粒１０３を形成し、化学的気相成長により、触媒金属粒１０３上に、カーボンナノチューブ１０６を成長させる。 - 特許庁

Then, an n-type germanium-based crystal layer 20A of conductivity type opposite to that of the silicon layer 10B, and a p-type germanium-based crystal layer 20B of conductivity type opposite to that of the germanium-based crystal layer 20A are successively subjected to vapor phase epitaxy to provide a germanium-based crystal 20.例文帳に追加

続いて、シリコン層１０Ｂと反対の導電型のｎ型のゲルマニウム系結晶層２０Ａ、および、ゲルマニウム系結晶層２０Ａと反対の導電型のｐ型のゲルマニウム系結晶層２０Ｂを順次気相成長してゲルマニウム系結晶２０を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting element capable of drastically improving the reaction efficiency of a material gas in forming a semiconductor layer serving as a light-emitting layer section by vapor phase epitaxy, resulting in easy realization of a semiconductor layer having few crystal defects and excellent quality.例文帳に追加

気相成長法により発光層部をなす半導体層を形成する際に、原料ガスの反応効率を飛躍的に高めることができ、ひいては、結晶欠陥の少ない高品質の半導体層を容易に実現できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a carbonaceous nanostructure includes: a process of preparing a nanohole structure 4b having a plurality of nanoholes 5; and a process of supplying raw material gas to at least one of the plurality of nanoholes 5 to deposit carbon on the inner surface of at least one nanohole 5 by chemical vapor phase epitaxy.例文帳に追加

複数のナノホール５を有するナノホール構造体４ｂを用意する工程と、複数のナノホール５の少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、少なくとも一つのナノホール５の内表面に炭素を堆積させる工程とを包含する。 - 特許庁

A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.例文帳に追加

化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール（ＥＬＡ）法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。 - 特許庁

Powder of lithium manganate, powder of carbon, carbon fibers made in the vapor phase epitaxy as a conductive layer and PVDF as a binder, with a weight ratio of 80:12:3:5, are mixed.例文帳に追加

マンガン酸リチウム粉末と、炭素粉末と、導電材として気相成長炭素繊維と、バインダであるＰＶＤＦと、を重量比で８０：１２：３：５として混合し、分散溶媒を適量加えて十分に混練し、分散させて、スラリ状の合剤溶液とし正極集電体１に塗着し、乾燥させ、所定かさ密度まで圧縮して正極板１１を得た。 - 特許庁

To provide a susceptor for supporting a semiconductor substrate in vapor phase epitaxy, improving the planarity of an epitaxial wafer, by controlling the layer thickness of an epitaxial layer on a peripheral part on the main front-surface side of the epitaxial wafer, and to provide a device and a method of manufacturing the epitaxial wafer which uses the susceptor.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハ主表面側の周辺部のエピタキシャル層の層厚を制御することによってエピタキシャルウェーハの平坦性を向上させることができる気相成長の際に半導体基板を支持するためのサセプタと、このサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer at least includes a step of epitaxially growing a p-type layer by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a substrate of a compound semiconductor, wherein nitrogen gas is passed in an HVPE furnace when the temperature of the substrate is raised before starting the epitaxial growth of the p-type layer.例文帳に追加

少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

In the vapor phase epitaxy device 1, the storage part 21 formed on a surface side of the wafer holder 7 for holding the wafer 5 is a recess dented in a thickness direction of the wafer holder 7, comprises a bottom 25 and a side face 27 extending in a thickness direction from an outer periphery of the bottom 25, and has a protrusion 23 provided on the side face 27.例文帳に追加

本発明に係る気相成長装置１において、ウエハホルダ７の表面側に形成されてウエハ５を保持する収容部２１は、ウエハホルダ７の厚さ方向に凹んだ凹部であり、底面２５と該底面２５の外周縁から厚さ方向に延びる側面２７とからなり、前記側面２７に突起２３を設けている。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a step for forming by organic vapor phase epitaxy a laminated structure of a compound semiconductor composed of a group III element and a group V element on a substrate 4 mounted on a substrate mounting part 3 provided on a surface of a tray 1 disposed above heating means, the surface being opposed to a surface facing the heating means.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic photoelectric conversion element wherein a layer containing an organic compound having light conductivity is arranged between a pair of electrodes, vapor phase epitaxy is performed while controlling a part or all of the layer containing the organic compound having light conductivity at a substrate temperature of 60°C to 250°C, and the organic compound is a quinacridone-based colorant which improves the orientation of molecules.例文帳に追加

一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 - 特許庁

In the reaction pipe 100 having a susceptor 102 for mounting the substrate 101 and a heater 103 for heating the susceptor 102, vapor phase epitaxy is carried out at the temperature of T1+T2 by heating the susceptor at the temperature of T1 and by heating the surface of the substrate 101 by a temperature T2 further through a heating means 115.例文帳に追加

基板１０１を載せるためのサセプター１０２と、該サセプター１０２を加熱するためのヒーター１０３を有する反応管１００において、上記サセプター１０２の温度をＴ１とし、基板１０１表面を加熱手段１１５により更にＴ２加熱することによりＴ１＋Ｔ２の温度にて気相成長させる。 - 特許庁

An epitaxial wafer comprising a layered nitride semiconductor crystal formed on the dissimilar substrate through a buffer layer wherein the nitride semiconductor crystal is formed by vapor phase epitaxy, a principal surface of the dissimilar substrate on which the nitride semiconductor is formed is made uneven by processing, and void spaces are formed between the concave part of the uneven surface and the nitride semiconductor crystal is prepared.例文帳に追加

異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。 - 特許庁

These through-holes are formed concurrently when an epitaxial layer is grown with an area not growing normally at the top, by either applying a non-GaN material (for example, carbon particle) to any location on a seed crystal surface or making uneveness on that surface, through nitride semiconductor vapor phase epitaxy.例文帳に追加

上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 - 特許庁

In a process for growing a compound semiconductor crystal on the compound semiconductor wafer by using metal organic vapor phase epitaxy, in-plane temperature distribution is controlled so that the surface temperature of the periphery of the compound semiconductor wafer may be within a range of +15°C to +30°C with respect to the surface temperature of the center of the compound semiconductor wafer.例文帳に追加

化合物半導体ウェハの表面に、有機金属気相成長法を用いて化合物半導体結晶を成長させる方法において、上記化合物半導体ウェハの外周部の表面温度が、上記化合物半導体ウェハの中心部の表面温度の＋１５℃〜＋３０℃の範囲内となるように面内温度分布を制御する。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 - 特許庁

Material gas containing In is supplied to a GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus obtaining the amount of deposit heaped up at the center of a susceptor 1 by the material gas when the compound semiconductor layer containing In is formed on the GaAs substrate 11, and changing the amount of supply of In contained in the material gas according to the obtained amount of deposit.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、Ｉｎを含む材料ガスをＧａＡｓ基板１１に供給することにより、Ｉｎを含む化合物半導体層をＧａＡｓ基板１１上に形成する際に、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積した堆積物の量を求め、求められた堆積物の量に応じて、材料ガスが含むＩｎの供給量を変更する。 - 特許庁

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface.例文帳に追加

連続した曲面状部を有するガラスバルブ１と、このバルブ１内に配設した光源４と、上記バルブ１表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し３０度以内の角度θで形成した多層光干渉膜５とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。 - 特許庁

In an epitaxial growth system 101, a halide vapor-phase epitaxy is performed with a face 10a of a template 10 as a first crystal growth surface, and on a parallel with it and simultaneously, in an etching system 102 a nitrogen (N_2) gas is continuously sprayed on a face 10b (rear face of a silicon substrate A) of the template 10 at a rate of 2slm.例文帳に追加

エピタキシャル成長系統１０１においては、テンプレート１０の面１０ａを最初の結晶成長面とするハライド気相成長を行い、それと並行して同時にエッチング系統１０２においては、テンプレート１０の面１０ｂ（シリコン基板Ａの裏面）に窒素（Ｎ_2 ）ガスを２ｓｌｍの割合で継続的に吹き付けた。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon wafer having a strained silicon layer 10 includes steps of at least forming the surface layer of the silicon wafer as an ion injection layer 11 by injecting ion into a silicon wafer 12, and growing the strained silicon layer by vapor phase epitaxy of the silicon on the ion-injected surface of the silicon wafer after distorting lattices in the in-plane direction.例文帳に追加

歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium nitride based compound semiconductor by supplying a halide containing gas and a nitrogen source containing gas onto a substrate disposed in a reactor and growing a gallium nitride based compound semiconductor on the substrate by vapor phase epitaxy, a compound containing at least carbon and hydrogen is supplied into the reactor in a gas state, and the gallium nitride based compound semiconductor is doped with a dopant by supplying material gas of dopant onto the substrate.例文帳に追加

反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、少なくとも炭素と水素とを含む化合物を、反応器内に気体状態で供給するとともに、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングする。 - 特許庁