Neiseikan (the abbreviated title is N)発音を聞く 例文帳に追加

寧静館（ねいせい-かん略称N） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Return abbreviated name of the n-th day of the week.発音を聞く 例文帳に追加

曜日 (週の n 番目の日) の省略名を返す。 - JM

Further, the simplifying process part simplifies the (n-1)th simplified model according to the n-th (n is an integer of not less than 2 and up to N) item to be deleted and creates the n-th simplified model for display on the screen.例文帳に追加

さらに、簡略化処理部は第ｎ（ｎは２以上Ｎまでのいずれかの整数）の削除項目に応じて第（ｎ−１）の簡略化モデルを簡略化して第ｎの簡略化モデルを生成して、第ｎの簡略化モデルを画面表示する。 - 特許庁

Game winning information for a first stage is winning information for winning a first stage, game winning information for a second stage is winning information for winning a second stage,..., and game winning information for an n stage is winning information for winning an n stage.例文帳に追加

第１段階用攻略情報は第１段階を攻略するための攻略情報であり、同様に第２段階用攻略情報は第２段階を攻略するための攻略情報であり、…、第ｎ段階用攻略情報は第ｎ段階を攻略するための攻略情報である。 - 特許庁

An LCD 13 is a nearly square liquid crystal display (1:1=n:n) which displays a picture in a display area with the ratio of the length to the width being 1:n (n>1).例文帳に追加

ＬＣＤ１３は、縦横比が１：ｎ（ｎ＞１）の表示領域に画像を表示する略正方形（１：１＝ｎ：ｎ）の液晶表示器からなる。 - 特許庁

If n is omitted, the exit status is that of the last command executed.発音を聞く 例文帳に追加

nを省略すると、終了ステータスは最後に実行したコマンドの終了ステータスとなります。 - JM

If n is omitted, it defaults to zero.The result is a floating point number.発音を聞く 例文帳に追加

n が省略されると、標準の値はゼロになります。 結果は浮動小数点数です。 - Python

In the example of n=7, the installation of the first stub T_6 is omitted.例文帳に追加

ｎ＝７の例であれば、第１スタブＴ_６の設置を省略する。 - 特許庁

A foot protection part N is formed in approximately triangular profile in a longitudinal section.例文帳に追加

根固め部Ｎは縦断面略三角形形状とする。 - 特許庁

To provide a technology of simplifying the configuration of a receiving apparatus and improving the S/N.例文帳に追加

受信装置の構成を簡略化し、Ｓ／Ｎを改善すること。 - 特許庁

If n is provided, read n bytes from the SSL connection, otherwise read until EOF.例文帳に追加

SSL接続からデータを受信します。 nを指定した場合は指定したバイト数のデータを受信し、省略時はEOFまで読み込みます。 - Python

Or, while it sets approximately equal the width L1 independently from number n, it sets the width L2(n) large as the number n becomes larger.例文帳に追加

或いは、番号ｎによらず幅Ｌ１（ｎ）を略同一に設定する一方、番号ｎが大きいほど幅Ｌ２（ｎ）を大きく設定する。 - 特許庁

In addition, as a phase delay element 40, one with a phase delay of roughly 90+180 n degrees (n is an integer) is provided for the light beam of the second wavelength and one with roughly 180 n degrees for the first wavelength.例文帳に追加

そして、位相遅延素子４０としては、第２の波長の光線では位相遅れが略９０＋１８０・ｎ度（ｎは整数）、第１の波長の光線では略１８０・ｎ度のものを設ける。 - 特許庁

If an optional number n in the range 09 is given, the window number n is assigned to the newly created window (or, if this number is already in-use, the next available number).発音を聞く 例文帳に追加

0 から 9 の範囲で数値 n を与えると(これは省略可能)、新しく生成されるウィンドウにウィンドウ番号 n が割り当てられる(この番号が既に使用中ならば、その次に利用可能な番号が使われる)。 - JM

Three N poles (N_a, N_b and N_c) and two S poles (S_a and S_b) are magnetized nearly perpendicularly to the longitudinal direction X of the developing sleeve 9 on the inner peripheral surface 15 of the magnetic sealing member 14.例文帳に追加

磁気シール部材１４の内周面１５には、３つのＮ極（Ｎ_ａ、Ｎ_ｂ、Ｎ_ｃ）と２つのＳ極（Ｓ_ａ、Ｓ_ｂ）が、現像スリーブ９の長手方向Ｘに対して略垂直に着磁されている。 - 特許庁

If n is omitted, the return status is that of the last command executed in the function body.発音を聞く 例文帳に追加

nを省略すると、返却ステータスは関数内で最後に実行したコマンドの返却ステータスになります。 - JM

A local area image of an n×n size nearly centering each pixel of an original image is set and acquired for each pixel.例文帳に追加

原画像の各画素毎に、該画素を略中心とするｎ×ｎサイズの局所領域画像を設定し、取得する。 - 特許庁

A feed amount of one step of a stepping motor 1 is made equal to (an approximately total nozzle number÷scan number±pitch of the resolution÷nozzle pitch)÷N, wherein N is a natural number.例文帳に追加

ステッピングモータ１ステップの送り量＝（概略総ノズル数÷スキャン数±分解能のピッチ÷ノズルピッチ）÷Ｎ （Ｎは自然数）とする。 - 特許庁

The surfaces of these layers are made nearly parallel with the surface of the n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

これらの層の表面はｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面に対して略平行になっている。 - 特許庁

The protective layers 5a, 5b, 5c are composed of Si-O-N having a substantially uniform compositional ratio.例文帳に追加

また前記保護層5a,5b,5cがＳｉ−Ｏ−Ｎから成り、全体にわたって略均一な組成比率で形成する。 - 特許庁

The polyurethane foam sheet 1 has a density of 12-25 kg/m^3, a hardness of 10-30 N, and a substantially rectangular shape.例文帳に追加

密度が１２〜２５ｋｇ／ｍ^３、硬さが１０〜３０Ｎであり、略長方形をしている。 - 特許庁

Radiation elements are arranged to both the outsides of a 1st radiation element array 20 in the order of a lower frequency fn (where n is a positive integer) in the unit of two radiation elements, the interval between which is selected to be an Ln, where a value resulting from dividing the interval Ln by a wavelength equivalent to the frequency fn lower than a frequency fu is about p/2.例文帳に追加

第１放射素子列２０の両側に、ｎを正の整数とした際に、配列された２本の放射素子間の間隔がＬ_nとされ、周波数ｆ_uより低い周波数をｆ_nとした際に、その間隔Ｌ_nを前記周波数ｆ_nの波長で除算した値が、略ｐ／２となるような周波数ｆ_nとされていると共に、周波数ｆ_nが低くなる順に２本の放射素子を単位として外側に配列する。 - 特許庁

The wave absorber A is positioned in a state of facing a propagation direction of noise N and is composed of a resistance film 1, a height H of a counter surface is set to about 1/2 of the wavelength of the noise N or set to about 1/4 of the wavelength of the noise N and one end edge in a height direction is conducted to a conductor.例文帳に追加

この電波吸収体Ａは、ノイズＮの伝搬方向に対向した状態に位置決めされ、抵抗皮膜１からなり、対向面の高さＨがノイズＮの波長の略１／２に設定されるか、または、ノイズＮの波長の略１／４に設定され、高さ方向の一端縁が導体に導通されている。 - 特許庁

The monitor unit includes an N-type MOSFET for leak current cancellation which adds a source-drain current to the drain of the monitor N-type MOSFET when a gate and a source of the N-type MOSFET for leak current cancellation have substantially equal potential.例文帳に追加

モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 - 特許庁

An N-type base region 7 of a nearly rectangular shape as viewed from top is formed in the center of the plane of an N^+-type drain region 2 as viewed from top to be deeper than the N^+-type drain region 2 in the vicinity thereof.例文帳に追加

Ｎ^+型ドレイン領域２の平面視における中央部には、平面視で略長方形状のＮ型ベース領域７が、その周辺のＮ^+型ドレイン領域２よりも深く掘り下がって形成されている。 - 特許庁

The shape in the plane view of the lid body 4 is a roughly n-angled shape (n is an integer ≥3), and a chamfer 4a which is straight or circular arcuate in the plane view is formed at all the n pieces of corner parts of the lid body 4.例文帳に追加

蓋体４の平面視での形状は、略ｎ角形状（ｎは３以上の整数）であり、蓋体４の全てのｎ個の角部に、平面視で直線状又は円弧状の面取り部４ａが形成される。 - 特許庁

The N RESURF layers 2 and the P RESURF layers 3 are repeatedly formed alternately in a direction substantially vertically to the direction of connecting the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10.例文帳に追加

Nリサーフ層２とPリサーフ層３は、Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０とを結ぶ方向と概略垂直方向に交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 18 is formed such that the distal end is located substantially in the center of the n-type pillar layer 15.例文帳に追加

このゲート電極１８は、その先端部分が、ｎ型ピラー層１５の略中央に存在するように形成される。 - 特許庁

In other methods a drain region is omitted with a trench extending as far as an N+-substrate through a P-epitaxial layer.例文帳に追加

別法ではドレイン領域が省略され、トレンチがＰエピタキシャル層を通りＮ＋基板内まで延在することができる。 - 特許庁

An N^+ contact layer 10 is formed spaced and substantially parallel to the P base layer 5 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面にPベース層５と離間して概略平行にＮ^＋コンタクト層１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a biomagnetism measuring apparatus with its signal wires simplified, the total weight reduced and its S/N ratio improved.例文帳に追加

信号線の簡略化、軽量化、およびＳ／Ｎ比の向上を図った生体磁気計測装置を提供する。 - 特許庁

The mask has the length equivalent to P1×2-1 pixels, when the number of pixels approximately equivalent to the diameter of a noise area N is defined as P1.例文帳に追加

マスクの長さは、ノイズ領域Ｎの直径に略相当する画素数をＰ１とした場合、Ｐ１×２−１［個］の画素を並べた長さを有する。 - 特許庁

Because of this, a window part 7 consisting of an n-type single crystal silicon layer is formed in each groove part 3b in almost a rod type.例文帳に追加

このため、各溝部３ｂには、ｎ型単結晶シリコンからなる窓部７が略棒状に形成されている。 - 特許庁

To obtain the substantially correct film thickness of an n-type buffer layer which is one of the films constituting a chalcopyrite solar cell.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池を構成する膜の１つであるｎ型バッファ層の略正確な膜厚を求める。 - 特許庁

Individual viewpoint images corresponding to n eyes with lowered resolution (hereinafter, to be referred to as substantially individual viewpoint images), as compared to the resolution of a stereoscopic view image Z are generated.例文帳に追加

立体視画像Ｚの解像度に対して、解像度を下げてｎ眼分の個別視点画像（以下、略個別視点画像という。）を生成する。 - 特許庁

When deciding that the user is not in the middle of the walking, the pedometer eliminates processing of integrating the step number change ΔN to calculate the number N of the steps.例文帳に追加

一方、ユーザが歩行中ではないと判定したときには、歩数変化ΔＮを積算して歩数Ｎを演算する処理を省略する。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

A resistance 5 and n type MISFET (simply, abbreviated to FET) 1 and 2 are serially connected between a power source VDD and a ground.例文帳に追加

抵抗５、ｎ型ＭＩＳＦＥＴ（単にＦＥＴと略す）１、２を電源ＶＤＤとグラウンドの間に直列に接続する。 - 特許庁

A spindle 73 rotates a tool 74 for performing cutting to hemispherical shapes at the tip part and having N pieces of cutting teeth, at a rotating speed S (rpm).例文帳に追加

主軸７３は、その先端部において略半球状に切削する工具７４であって、刃数Ｎの工具７４を、回転速度Ｓ（rpm）で回転させる。 - 特許庁

Furthermore, the pulse width modulator 14 generates the k pieces of sub-pulses so that the average value of the duty ratio of the sub-pulses is substantially a/2^n.例文帳に追加

さらに、パルス幅変調器１４は、ｋ個のサブパルスを、それらのデューティ比の平均値が、略ａ／２^ｎとなるように生成する。 - 特許庁

The bias voltage is made nearly equal to the impurity diffusing potential near a p-n junction in a no-bias thermally balanced state.例文帳に追加

順バイアス電圧は、無バイアスで熱平衡状態にあるときのｐｎ接合近傍の不純物拡散電位と略等しくする。 - 特許庁

A first p-type impurity region is provided on a surface of a n--type semiconductor layer almost at the center of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

For the resolution of a stereoscopic view image Z, individual viewpoint images (hereinafter, referred to rough individual viewpoint image) for n eyes are generated by lowering the resolution.例文帳に追加

立体視画像Ｚの解像度に対して、解像度を下げてｎ眼分の個別視点画像（以下、略個別視点画像という。）を生成する。 - 特許庁

A frequency is calculated, where a mean value of the error E0(n) is made nearly zero and the frequency is given to an adjustment value calculation means 42.例文帳に追加

誤差値E0（ｎ）の平均値が略ゼロとなる周波数を計算して調整値算出手段42に入力する。 - 特許庁