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島状構造の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 128



例文

島状構造を有する物品およびその製造方法例文帳に追加

ARTICLE HAVING ISLAND-LIKE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

島状構造体31及び島状構造体33の各々は、標準電極電位が負の値であるITOから成る。例文帳に追加

Each of the island-shaped structures 31 and the island-shaped structures 33 is composed of ITO (Indium Tin Oxide) of a negative standard electrode potential. - 特許庁

島状構造を覆うように膜20を形成すると、島状構造からなる凹凸と膜とが噛み合う。例文帳に追加

Once the film 20 is formed to cover the island-shaped structures, the irregularity consisting of the island-shaped structures and the film are meshed with each other. - 特許庁

の分散構造を備えた半導体チップおよびその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR CHIP HAVING ISLAND-SHAPED SCATTERING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

例文

次に、これらの島状構造を覆うように膜20を形成する。例文帳に追加

Then, a film 20 is formed to cover these island-shaped structures. - 特許庁


例文

これらの島状構造は金属箔の表面上に凹凸を形成する。例文帳に追加

These island-shaped structures form irregularity on the surface of the metal foil. - 特許庁

ここにおいて、第1のシード層41は島状構造をなしている。例文帳に追加

The first seed layer 41 has an island-shaped structure. - 特許庁

構造に窯業用坏土、構造に繊維を含有する海成型体を酸化性ガス雰囲気下で焼結する陶磁器の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the porous ceramic comprises sintering a sea-island form formed body containing, as sea structure, a body for the ceramics and, as island structure, fibers in an oxidizing gas atmosphere. - 特許庁

誘電体周期構造体20は、もしくは、帯、もしくは、帯により連結されたのパターン形を有している。例文帳に追加

The dielectric periodical structure 20 has a pattern shape of island, belt or island connected by belt. - 特許庁

例文

(1)海の相分離構造が、連続相である海の樹脂Aにに樹脂Bが分散し、該樹脂Bの中に実質的にワックスが内包されている構造であること。例文帳に追加

These components form a sea-island phase separation structure in an insoluble state with one another and satisfy the following conditions (1) to (5). - 特許庁

例文

難溶解性ポリマーが海、易溶解性ポリマーがであり、が筋構造を形成した海構造を形成し、直径200nm以上の全体に占める面積比が3%以下であるポリマーアロイ繊維。例文帳に追加

This polymer alloy fiber is provided by forming a sea-islands structure formed by a hardly dissolvable polymer as sea and an easily soluble polymer as islands wherein the islands form stripe-shaped structure, and having ≤3 % ratio of the area occupied by the islands having200 nm diameter in the total area of the islands. - 特許庁

異方性導電材料の硬化を進行させたBステージ硬化物は、海構造を有する。例文帳に追加

The B-stage cured product obtained by proceeding curing of the anisotropic conductive material has a sea-island structure. - 特許庁

この負極6の構造は、酸化チタンが(クラスター)に点在したもの、酸化チタンを核として結晶が成長して柱構造をなすもの、更に成長して多穴膜になったものとする。例文帳に追加

The negative electrode 6 is constructed with titanium oxide interspersed in island (cluster) shapes, forming a columnar structure of a grown crystal formed by nucleating the island shaped titanium oxide of forming a further grown structure with a porous film shape. - 特許庁

窒化物半導体積層構造部2は、ストライプの線部10と、の合流部11とを備えている。例文帳に追加

The nitride semiconductor multilayer structure portion 2 has striped linear portions 10 and an island-shaped confluence portion 11. - 特許庁

PSとPMMAを混合した液剤を塗布するとPSの海組織部5とPMMAの組織部6からなる膜構造が得られる。例文帳に追加

When a liquid agent where PS and PMMA are mixed is applied, a film structure constituted of a PS sea organ part 5 and a PMMA island-like organ part 6 is obtained. - 特許庁

例えば、多孔質表面構造や、極薄の薄膜を支持する構造、又は、反射回折格子の部(反射面)を狭くした構造などによって、反射表面の見かけ上の原子密度を少なくすることができる。例文帳に追加

For example, with a porous surface structure, a structure supporting a very thin film or a structure with narrowed island part (reflection surface) of a reflection diffraction grating, the apparent atomic density on the reflection surface can be reduced. - 特許庁

CMOS構造では、対をなすN形二重ゲートMOSトランジスタ構造およびP形二重ゲートMOSトランジスタ構造が一つの半導体結晶層にそれぞれのドレイン領域を接して構成されている。例文帳に追加

In CMOS structure, the n-type double gate MOS transistor structure and p-type double gate MOS transistor structure made of a pair are constituted by bringing each drain area into contact with one island-like semiconductor crystal layer. - 特許庁

メモリセルの第一電極板は基板の半導体構造下面部分の周縁に設置され、第二電極板は半導体構造下面部分の表面内と半導体構造外側の基板表面内とに設置され、キャパシタ誘電層112は第二電極板と第一電極板との間に設置されている。例文帳に追加

First electrode plate of a memory cell is disposed on the circumferential edge at the lower surface part of an insular semiconductor structure in a substrate, a second electrode plate is disposed in the surface at the lower surface part of the insular semiconductor structure and in the surface of the substrate on the outside of the insular semiconductor structure, and a capacitor dielectric layer 112 is interposed between the second electrode plate and the first electrode plate. - 特許庁

光学膜30は、ガラス基板12の内側主面上に分散して形成された複数の島状構造体31と、ガラス基板12の内側主面上又は島状構造体31上に形成された金属膜32と、金属膜32の内側主面上に分散して形成された複数の島状構造体33とを有する。例文帳に追加

The optical film 30 has a plurality of island-shaped structures 31 formed dispersedly on the inner main surface of the glass substrate 12, metal films 32 formed on the inner main surface of the glass substrate 12 or the island-shaped structures 31 and a plurality of island-shaped structures 33 formed dispersely on the inner main surface of the metal films 32. - 特許庁

分離されたの下部電極48上に誘電体膜45、多結晶シリコン膜46を形成して、スタックトキャパシタセル構造を形成する。例文帳に追加

Dielectric films 45 and polycrystalline silicon films 46 are formed on the separated island shaped lower electrodes 48, to form a stacked capacitor cell structure. - 特許庁

積層方向に段切れ態である三次元構造を用いることで、積層方向の抵抗が低減される。例文帳に追加

Resistance in the laminating direction is reduced by using three-dimensional island structures which are cut stages in the laminating direction. - 特許庁

金属箔10の表面10a上に、その表面を部分的に露出させながら複数の島状構造12を形成する。例文帳に追加

A plurality of island-shaped structures 12 are formed on the surface 10a of the metal foil 10 while partly exposing the surface. - 特許庁

島状構造体31,33は、その平均ピッチが400〜900nmであり、その平均高さが2.0〜7.0nmである。例文帳に追加

The island-shaped structures 31, 33 are 400 to 900 nm in average pitch and are 2.0 to 7.0 nm in average height. - 特許庁

反射部は、凹凸構造の凸部上に設けられた光反射層4を有し各画素電極内にに配置されている。例文帳に追加

The reflecting parts have a reflecting layer 4 formed on the projections in the rugged structure and are disposed like islands in each pixel electrode. - 特許庁

高配向磁性薄膜が、L1_0構造を有する微結晶が相互に不連続に並置されてなることを特徴とする構成を採用した。例文帳に追加

A high-orientation magnetic thin film is configured by discontinuously arraying island microcrystals having L1_0 structures side by side. - 特許庁

に孤立した構造の金属層の平均膜厚を0.1nm以上で、2nm以下とするのが良い。例文帳に追加

The average film thickness of the metallic layers of the isolated island-shaped structures is preferably specified to 0.1 nm, 2 nm. - 特許庁

長手方向に垂直な断面が海構造を成すと共に、当該断面形が長手方向に連続的に形成されている偏光繊維1。例文帳に追加

The polarizing fiber 1 has a cross-section perpendicular to the longitudinal direction, to be a sea-island structure, and continued in the longitudinal direction. - 特許庁

また、断面構造が、放射配列型、サイドバイサイド型、海型、又は芯鞘型である複合繊維を用いてもよい。例文帳に追加

The cross-section structure of the conjugate fiber may be a radially arranged type, side-by-side type, sea-island type, or sheath-core type. - 特許庁

アイソレーション層4により区画された第1および第2の領域は、それぞれプレーナ型のバイポーラトランジスタ構造である。例文帳に追加

A first and a second island-shaped regions sectioned with an isolation layer 4 have a planar type bipolar transistor structure respectively. - 特許庁

基板上に設けられたの半導体層と、の半導体層の一表面上及び側面に設けられた絶縁層と、絶縁層を介しての半導体層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。例文帳に追加

The semiconductor device has a structure which comprises an island shape semiconductor layer arranged on a substrate, insulating layer which is arranged on one surface and side of the island shape semiconductor layer, and a gate electrode arranged on the island shape semiconductor layer through the insulating layer. - 特許庁

支持基板上に絶縁層、のシリコン層が順に積層されたSOI基板と、のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介してのシリコン層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。例文帳に追加

The semiconductor device has: an SOI substrate, where an insulation layer and an island-like silicon layer are laminated successively on a support substrate; a gate insulation layer provided on one surface and side face of the island-like silicon layer; and a gate electrode provided on the island-like silicon layer via the gate insulation layer. - 特許庁

電子顕微鏡により観察されたFePt薄膜の微細構造からは、FePt微粒子の形になっていることが確認され、個々のは互いに完全に孤立している。例文帳に追加

From the microstructure of a FePt thin film observed by an electron microscope, the island shapes of FePt particulate is confirmed, and the islands are completely isolated from one another. - 特許庁

結着樹脂は、互いに非相溶の2種類以上の樹脂からなり、それらが海の相分離構造をとり、結着樹脂中に離型剤を含有させる。例文帳に追加

A bonding resin comprises two or more resins incompatible with each other, the resins have a sea-island shaped phase-separated structure and the release agent is contained in the island shaped bonding resin. - 特許庁

この光分割構造体は三角形52、四角形53、多角形、円形54、楕円形の互いに分離したあるいは連結された55であることが好ましい。例文帳に追加

This optical branch elements are preferably a triangule 52, a rectangule 53, a polygon, a round shape 54, or oval islands separated from one another or a island 55 all connected together. - 特許庁

活性層105は、InNからなる複数の部分105aが同一平面に配列された構造の層であり、部分105aは、例えば、径が2nm程度高さ1nm程度の大きさに形成されている。例文帳に追加

The active layer 105 is a layer of a structure where a plurality of island-shaped parts 105a made of InN are arrayed on the same plane, and each island-shaped part 105a is formed to be, for example, a diameter of approximately 2 nm and a height of approximately 1 nm. - 特許庁

海成分と成分とからなり、かつ成分の径が1000nm以下の海型複合繊維を用いて繊維構造体を得た後、前記の海成分を溶解除去し、次いで高圧水で該繊維構造体を噴射処理することにより、ナノファイバー同士が凝集密着することなく、ばらけた態で存在するナノファイバー繊維構造体を得る。例文帳に追加

The nanofiber structure material containing nanofibers in separately dispersed state without causing the agglomeration and adhesion of the fibers is produced by producing a fiber structure using a sea-island type conjugate fiber composed of a sea component and an island component and having an island component diameter of ≤1,000 nm, dissolving and removing the sea component and treating the remaining fiber structure with high-pressure water jet. - 特許庁

特に、この多層構造は、その重なり方向において、面をなす第一層14sと第二層14uがをなす中間層14tを挟んでなる構造体を含む。例文帳に追加

Particularly, the multilayer structure includes a structure in which an island-like intermediate layer 14t is interposed between a planar first layer 14s and a planar second layer 14u. - 特許庁

膜が非常に薄いときに発生する島状構造を抑制し、従来の方法では作製不可能であった滑らかな層構造をもつ薄膜の作製を可能とする。例文帳に追加

To manufacture a thin film having a smooth laminar structure which has been heretofore difficult to manufacture in a conventional method by suppressing the island structure produced when the film is extremely thin. - 特許庁

少なくとも片面に塗布層を有する二軸配向ポリエステルフイルムにおいて、塗布層が隆起部を有する海構造をなし、かつ、長径と短径との比が3.0以下である隆起部が全隆起部の50%以上を占める二軸配向ポリエステルフイルム。例文帳に追加

In the biaxially oriented polyester film having a coating layer at least on its single surface, the coating layer has an island structure having island-like protruded parts and the island-like protruded parts with a length/ breadth ratio of 3.0 or less occupy 50% or more of all of the protruded parts. - 特許庁

触媒層内において、幾何学的なパターンを有する二構成からなり、一方はに点在し、一方は前記部分の隙間を埋めるような溝構造となっており、更に、前記部分は親水性を有しており、溝構造の部分は撥水性を有していることを特徴とする固体高分子型燃料電極。例文帳に追加

The electrode for solid polymer fuel comprises a catalyst layer which has two constitutions having a geometrical pattern, one of which is scattered in island shape, and the other of which has a groove structure to fill the spacings between the island shaped portions, and furthermore in which the island shaped portion has hydrophilic characteristics and the groove structure portion has water repellency. - 特許庁

固体態で成分の平均粒子径が1nm〜100nmで、且つ、粒子径分布が1〜1.2の海相分離構造をとるブロック共重合体。例文帳に追加

This block copolymer has a sea-island structure which has an island component average particle diameter of 1 nm to 100 nm in a solid state and a particle diameter distribution of 1 to 1.2. - 特許庁

高分子バインダー10は、結晶性高分子相11及び結晶高分子相11中に分散しているのゴム相12から構成される海構造を形成している。例文帳に追加

A sea-island structure configured by a crystal high-polymer phase 11 and an island-shaped rubber phase 12 dispersed into the crystal high-polymer phase 11 is formed in the high-polymer binder 10. - 特許庁

さらに、複数ののパターンは、配線と同時に形成することができるので製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を形成することができる。例文帳に追加

Furthermore, since a plurality of the island-shaped patterns can be formed at the same time of wiring, the relief structure can be formed without especially increasing patterning processes only for forming the relief structure in a manufacturing process. - 特許庁

続いて、(b)に示すように構造124をマスクとし、BOE121をエッチング液により深さ55nmエッチングし、錐の微細構造125を形成する。例文帳に追加

Then the island structure 124 is used as a mask as shown in (b) to etch the BOE 121 with an etching liquid to 55 nm depth to form a grooved fine structure 125. - 特許庁

希土類元素を含む磁性材料からなる磁性薄膜であって、前記磁性材料からなる孤立した粒子が不連続膜に配列された島状構造が形成されており、前記粒子の粒径が十分に小さく、膜の厚みが十分に薄く、しかも十分に高い保磁力を有することが可能な磁性薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an insular magnetic thin film composed of a magnetic material containing a rare earth element and having such an insular structure where isolated insular particles composed of the magnetic material are arranged like a discontinuous film, wherein the grain size of the insular particles is small enough, the thickness of the film is thin enough, and the coercive force is high enough. - 特許庁

ポリビニルアルコール系樹脂(A)および活性水素を有する反応性基含有ポリビニルアルコール系樹脂(B)を含有してなる水溶液から得られた相分離構造を有する薄膜物であって、(A)成分が構造を形成しかつ(B)成分が海構造を形成してなる。例文帳に追加

The thin film-like item is obtained from an aqueous solution comprising a polyvinyl alcohol resin (A) and a polyvinyl alcohol resin (B) containing an active hydrogen-bearing reactive group, and has a phase-separation structure where the component (A) forms an island structure while the component (B) forms a sea structure. - 特許庁

Si単結晶基板1上にSi基板/金属シリサイド/Si薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造4を形成し、H_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Si単結晶5からなる島状構造が形成すると共に5と5の間隙に金属シリサイド6を凝集させる。例文帳に追加

A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5. - 特許庁

本発明の試料の作製方法は、基板に溝加工を施す事により島状構造体を形成する工程と、前記島状構造体に等方性エッチング処理を施し針体を形成する工程と、前記針体の少なくとも先端部に分析対象を膜に形成する工程と、を備える。例文帳に追加

The sample preparing method includes the process for forming an island-like structure by applying groove processing to a substrate, the process for applying isotoropic etching processing to the island-like structure to form needle-like bodies and the process for forming an analyzing target at least to the leading end parts of the needle-like bodies in a film-like state. - 特許庁

誘電体層4を介して電極5とバスライン2,3とが対峙して静電容量を形成する面積よりも狭い開口部7を持つ絶縁層6によって、電極5を被覆した電極構造の放電型表示装置(PDP)を構成する。例文帳に追加

The discharge type display device (PDP) is of an electrode structure coating insular electrodes 5 with an insulating layer 6 having opening parts 7 narrower than areas for making static capacity with insular electrodes 5 and bus lines 2, 3 facing each other through a dielectric layer 4. - 特許庁

例文

未加硫のジエン系ゴム材料に、液SBRを配合してなる組成物を加硫することによって、加硫されたジエン系ゴム材料からなるマトリックス中に、加硫されない液成分を除くSBR成分が相に分散されて海構造に形成され高減衰特性が付与されている。例文帳に追加

The rubber vibration isolator is obtained by vulcanizing a composition comprising unvulcanized diene rubber materials having incorporated a liquid SBR therewith, and has formed a sea-island structure where the SBR components other than unvulcanized liquid components are dispersed as island phases in a matrix composed of vulcanized diene rubber materials to exhibit high damping characteristics. - 特許庁

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