「confining layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At this moment, a liquid repellant layer 10 is formed like a film on the surface layer of the confining wall 8 by dry etching.例文帳に追加

ここで、ドライエッチングによって、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。 - 特許庁

A carrier confining layer 12 is embedded in a surface layer of a semiconductor substrate 11, an ultrasonic wave generating part 13 is formed on the semiconductor substrate 11 in which the carrier confining layer 12 is embedded, and the ultrasonic wave generating part 13 generates a surface acoustic wave which generates the lateral quantum confining structure in the carrier confining layer 12 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体基板１１の表層にキャリア閉じ込め層１２を埋め込み、キャリア閉じ込め層１２が埋め込まれた半導体基板１１上に超音波発生部１３を形成し、超音波発生部１３は、キャリア閉じ込め層１２および半導体層１１に横方向量子閉じ込め構造を生成させる表面弾性波を発生させる。 - 特許庁

To form stably and easily without loosing current confining effect and without exposing a second cladding layer.例文帳に追加

電流閉じ込め効果を失わず、第２クラッド層を露出させず、安定して容易に形成する。 - 特許庁

CONFINING CURRENT PATH LAYER, FORMING METHOD THEREOF, CCP-CPP GMR ELEMENT, AND MTJ ELEMENT例文帳に追加

電流路狭窄層およびその形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子ならびにＭＴＪ素子 - 特許庁

A sealing layer of adhesive can be applied to the hemostatic material, confining the blood flow to the material.例文帳に追加

接着剤からなる密封層が、止血材に加えられ、止血材へ血流を閉じこめることができる。 - 特許庁

In addition, a first confining layer 13 is provided for confining the excitation optical beam and the terahertz wave, which are both propagated through the waveguide layer 12 to the waveguide layer 12.例文帳に追加

また、前記導波層１２を伝播する励起光と、該導波層１２を伝播するテラヘルツ波とを該導波層１２に閉じ込めるための第１の閉じ込め層１３を備える。 - 特許庁

The current confining layer 18 includes a first semiconductor layer 18A, a second semiconductor layer 18B and a third semiconductor layer 18C.例文帳に追加

電流狭窄層１８は、第１の半導体層１８Ａと、第２の半導体層１８Ｂと、第３の半導体層１８Ｃとを有する。 - 特許庁

An upper carrier confining layer formed of semiconductor material whose band gap is greater than that of the active layer is formed on the active layer.例文帳に追加

活性層の上に、活性層よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料で形成された上部キャリア閉込層が形成されている。 - 特許庁

The laser beam machining device 1 includes a machining part 100 machining a resin layer with a laser beam, a reactive gas source 150 supplying a reactive gas during machining, and a confining part 152 confining the reactive gas.例文帳に追加

レーザ加工装置１は、レーザにより樹脂層を加工する加工部１００と、加工中に反応性ガスを供給する反応性ガスソース１５０と、反応性ガスを閉じ込める閉じ込め部１５２とを備える。 - 特許庁

To provide a new laminating structure, together with manufacturing method, for a compound semiconductor layer provided with a lateral light confining structure, which is easier to manufacture compared to a conventional embedded light-confining structure.例文帳に追加

従来の埋め込み型光閉じ込め構造に比べて、作製が容易な横方向の光閉じ込め構造を備えた化合物半導体層の新規な積層構造及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The current constriction layer 9 is formed for confining a current to the active layer 5, and has an opening 9h.例文帳に追加

電流閉じ込め層９は、活性層５に電流を閉じ込めるために設けられており、開口９ｈを有している。 - 特許庁

To provide a light-confining-type single crystal silicon solar cell whose film photoelectric conversion layer is a single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

The active layer comprises a main active region aligned with the current-confining aperture and an auxiliary active region surrounding the main active region.例文帳に追加

活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。 - 特許庁

It is also possible to provide a light-confining layer, having a stripe-like recessed groove independently of the current constricting structure.例文帳に追加

さらに、電流狭窄構造とは独立してストライプ状の凹溝が形成された光閉じ込め層が設けられてもよい。 - 特許庁

To provide a light confining type single-crystal silicon solar cell, in which a single-crystal silicon with high crystallinity is used for a photo conversion layer in a thin film.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes an active layer 15 formed between an n-type cladding layer 13 and a p-type cladding layer 22, and a current confining layer 18 having a conductive area through which a current flows to the active layer 15.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。 - 特許庁

A p-type spacer layer 109, n-type current light confining layer 110, n-type current sealing layer 111 and p-type planarized layer 112 are provided on both the sides of the ridge part, in the direction of the width, and a p-type contact layer 113 is laminated thereon.例文帳に追加

リッジ部の幅方向両側に、ｐ型スペーサ層１０９、ｎ型電流光閉じ込め層１１０、ｎ型電流閉じ込め層１１１、ｐ型平坦化層１１２を備え、その上に、ｐ型コンタクト層１１３を積層する。 - 特許庁

The electron capture region 107 has an action of confining electrons, that have been transported on the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer, and the hole capture region 107 has the action of confining holes that have been transported on the highest occupied molecular orbital(HOMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer.例文帳に追加

電子捕獲領域１０７は発光層１０３の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）準位を輸送されてきた電子を発光層内に閉じ込める作用を有し、正孔捕獲領域１０７は、発光層１０３の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）準位を輸送されてきた正孔を発光層内に閉じ込める作用を有する。 - 特許庁

Since the channel layer is formed thinly, quantum confining effect can be generated in the channel layer, and effectual band gap in the channel layer can be enlarged.例文帳に追加

チャネル層が薄く形成されているため、チャネル層において量子閉じ込め効果を生じさせることができ、チャネル層における実効的なバンドギャップを大きくすることができる。 - 特許庁

In addition, an anti-guiding layer having a third refractive index lower than the second refractive index is arranged so that the confining layer may be positioned between the active region and anti-guiding layer.例文帳に追加

第二の屈折率より低い第三の屈折率を持つアンチガイド層が、閉じ込め層が活性領域とこのアンチガイド層の間にくるように配置される。 - 特許庁

Thickness d of the well layer is set as thick as 160 Å and a value of Γ/d is set as large as 2×10^-4 Å^-1, where Γ is the coefficient for confining light in one layer of the well layer.例文帳に追加

上記井戸層の層厚ｄを１６０Åと厚くし、上記井戸層の一層への光閉じ込め係数をΓとすると、Γ／ｄを２．２×１０^−４Å^−１と大きくする。 - 特許庁

Since the band gap E of the InAlGaN layer 21 is a band gap E of the gallium nitride or more, the effect of confining carrier and light into the light emitting layer 17 is provided.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層２１のバンドギャップＥが窒化ガリウムのバンドギャップＥ以上であるので、発光層１７へのキャリアと光の閉じ込め効果が提供される。 - 特許庁

The active region 13 includes one or more barrier layers 19, a plurality of well layers 21a and 21b, a first light confinement layer 23, and a second light confining layer 25.例文帳に追加

活性領域１３は、一又は複数の障壁層１９と、複数の井戸層２１ａ、２１ｂと、第１の光閉じ込め層２３と、第２の光閉じ込め層２５とを含む。 - 特許庁

The lasing device comprises: a first reflector and a second reflector; a confinement layer adapted to confine current within a current-confining aperture; and an active layer between the first and second reflectors.例文帳に追加

レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。 - 特許庁

Since a depletion layer is spread over the spacer layer 109, when applying a bias voltage, capacitance between the spacer layer 109 and the current light confining layer 110 is decreased, and the response speed in the case of pulse oscillation of the semiconductor laser device is accelerated.例文帳に追加

バイアス電圧の印加時に、空乏層がスペーサ層１０９に広がるので、スペーサ層１０９と電流光閉じ込め層１１０との間の容量が減少して、半導体レーザ素子のパルス発振時の応答速度が高速になる。 - 特許庁

To enhance conversion efficiency by confining short wavelength light and long wavelength light of visible light with a porous oxide semiconductor layer to efficiently absorb and increasing optical current.例文帳に追加

可視光の短波長光と長波長光とを多孔質酸化物半導体層で閉じ込めて効率的に吸収させて、光電流を増大させて変換効率を高めること。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light emitting device which is reduced in threshold current by effectively confining light in a light emitting layer.例文帳に追加

発光層における光の閉じ込めを効果的に行うことによりしきい値電流の低減化が図られた窒化物系半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a transparent conductive substrate for a thin film solar cell, capable of enhancing the generating efficiency of a thin film solar cell by improving light transmittance and confining light in a power generation layer.例文帳に追加

光の透過率を高めるとともに発電層に光を閉じ込め、薄膜太陽電池の発電効率を高めることが可能な、薄膜太陽電池用透明導電膜基板を提供する。 - 特許庁

In this crystal system, the surface mode can be effectively outputted by confining input light (hv) in ends of the three-dimensional photonic crystal (2), by controlling the physical properties of the system, for example, making the thickness of the defect layer proper.例文帳に追加

この結晶システムでは、欠陥層の厚さを好適なものとするなど、システムの物性を制御することで、入力光(hv)を３次元フォトニック結晶(2)の端部に閉じ込め、表面モードを効果的に出力（hv')できる。 - 特許庁

By confining material of the core material and the coating layer as above, and additionally by specifying the stretch, the substantially completely round ball, especially the small diameter ball, is stably formed in a melting process, which realizes highly reliable bonding.例文帳に追加

芯材と被覆層の材質を上記のように限定し、さらに伸びを特定することで、溶融時に安定して真円に近いボール、特に小径のボールを形成することができ、高い信頼性の接合を行うことができる。 - 特許庁

The semiconductor laser is provided with an active region, having a first refractive index and at least one confining layer, having a second refractive index smaller than the first refractive index.例文帳に追加

このレーザは、第一の屈折率を持つ活性領域、および第一の屈折率より低い第二の屈折率を持つ少なくとも一つの閉じ込め層を備える。 - 特許庁

Then, using the confining wall 8 as a mask, the oxide silicon base film 9' is dryly etched with C_4F_8 gas so that a residual portion of the oxide silicon basic film 9' is formed as a base layer 9.例文帳に追加

次に、隔壁８をマスクとして、Ｃ_4Ｆ_8ガスで酸化シリコン下地膜９’をドライエッチングすると、酸化シリコン下地膜９’の残った部分が下地層９となる。 - 特許庁

To suppress a light leaking from a propagation layer to a clad layer from generating a light which propagates in multiple mode between a substrate and a light-confining clad layer by making a Si-doped GaN film thick, to improve the characteristics of a crystal constituting a laser.例文帳に追加

レーザを構成する結晶の特性を向上させるためにＳｉドープＧａＮ膜を厚膜化することによって伝搬層から光閉じ込めを行うクラッド層へ漏れた光が基板とクラッド層の間に多重モードの伝搬光を発生させることを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor light absorbing element 1 is provided with carrier confining layers 2 and 3 which confine light excitation carriers generated in a semiconductor saturable absorbing layer 4 having high transmittance and a storable adsorption characteristic against high-intensity incident light 11 in the layer 4.例文帳に追加

光強度の大きい入射光１１に対して光透過率の高い可飽和吸収特性を有する半導体の可飽和吸収層４に，該可飽和吸収層４で発生した光励起キャリアを該可飽和吸収層４に閉じ込めるキャリア閉じ込め層２、３を備える半導体光吸収素子１。 - 特許庁

Since the first current constriction layer 17 principally has a function for confining light and the second current constriction layer 22 principally has a function for constricting a current, the mode and element resistance can be controlled by adjusting each constriction area.例文帳に追加

主として、第１の電流狭窄層１７は光を閉じこめる機能を有し、一方、第２の電流狭窄層２２は電流を狭窄する機能を有するので、それぞれの狭窄面積を調整することにより、モードの制御、および素子抵抗の制御が可能になる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

Output density of the lithium ion secondary battery can be enhanced by confining the value calculated by b×c/a within a predetermined range, where a is the area of the positive electrode mixture layer, b is the area of the separator, and c is the porosity of the separator.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池は、正極合剤層の面積をａ、セパレータの面積をｂ、セパレータの空孔率をｃとしたとき、ｂ×ｃ／ａのより算出された値を所要の範囲内にすることにより、リチウムイオン二次電池の電池出力密度を向上することができる。 - 特許庁

To provide a host compound of a luminescent layer having a high triplet excitation energy level as a material for use in a highly efficient organic electroluminescent element, capable of perfectly confining a triplet exciton of a phosphorescent body, and an organic electroluminescent element employing the compound.例文帳に追加

高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料として、高い励起三重項エネルギーレベルを有し、燐光発光体の三重項励起子を完全に閉じ込めることができる発光層のホスト化合物の提供、及び該化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。 - 特許庁

To provide an organoelectroluminescent element that exhibits a high light-emitting efficiency and high driving stability using an organic compound suitable for a wet film-forming method, particularly an organic compound that has high effects for confining an electron and an exciton in a light-emitting layer side and excellent preservation stability.例文帳に追加

湿式成膜法に適した有機化合物、特に電子および励起子を発光層側に封じ込める効果が高く、保存安定性に優れる有機化合物を用いて、発光効率が高く、駆動安定性が高い有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

An energy confining type piezoelectric vibrator has a structure, in which vibrating electrodes 2a and 2b are provided on a strip-shaped piezoelectric substrate 1, while making the electrodes 2a and 2b face each other and the energy of thickness vibrations is confined under the electrode, a dielectric layer 3 is provided on at least one face of the substrate 1.例文帳に追加

ストリップ形状の圧電基板１上に振動電極２ａ、２ｂを対向して設け、厚み振動のエネルギーを電極下に閉じこめる構造のエネルギー閉じ込め型の圧電振動子において、前記圧電基板１の少なくとも一方の面に誘電体層３が設けられている。 - 特許庁

An integrated laser shock peening coating (57) for laser shock peening a surface of an object includes an ablative medium layer (64) spaced apart from a trasparent confinement layer (66) and a clear liquid confining medium (68) therebetween (wherein "transparent" means the layer and the medium are transparent to a laser beam used for laser shock peening.)例文帳に追加

物体の表面をレーザ衝撃ピーニングする一体型レーザ衝撃ピーニングコーティング（５７）は、透明閉込め層（６６）から離間したアブレーション媒体層（６４）と、これらの間にある透明液体閉込め媒体（６８）（「透明」とは、レーザ衝撃ピーニングに使用するレーザビームに対して透明であることを意味する）とを有する。 - 特許庁

The minute capacitance element includes: first and second metal electrodes having respective opposite facets, facing each other, formed on an insulator layer to define a first gap therebetween; and a shield electrode which is formed on the insulator layer, can be connected to an externally applied potential, and defines a slit confining a coupling capacitance within the first gap.例文帳に追加

微小容量素子は、絶縁層上に成膜されかつそれぞれが互いに対向して第１間隙を画定する対向面を有する第１及び第２金属電極と、絶縁層上に成膜されかつ外部電位に接続可能でありかつ第１間隙内において結合容量制限スリットを画定するシールド電極と、からなる。 - 特許庁

In the upper semiconductor DBR 107, an oxidized layer 108a containing at least an oxide generated by oxidizing part of selected oxidized layer containing aluminum and having 30 nm thickness surrounds a current passing-through region 108b and an oxidized confinement structure capable of simultaneously confining an injected current and a lateral mode of oscillation light is included in the upper semiconductor DBR.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a packaging material having an oxygen detection function without adverse affecting contents, such as solvent odor, without any risk of directly coming into contact with the contents by confining a colorant that is discolored by oxidation or reduction into resin for composing one layer of the packaging material in a laminated structure, and to provide a packaging body (packaging container) using the packaging material.例文帳に追加

積層構造の包装材料の一層を構成する樹脂内に酸化又は還元により変色する色素を封じ込むことにより、内容物に直接接触する恐れがなく、溶剤臭などの内容物に対する悪影響を及ぼすことがない酸素検知機能を有する包装材料及びそれを用いた包装体（包装容器）を提供する。 - 特許庁