Cl-Oとは 意味・読み方・使い方

The straight line L extending as tying the end E1 of the tread part 2 with the center O of the bead core 5 intersects the tire equator CL at an angle α of 10-25°.例文帳に追加

トレッド部２の端部Ｅ１とビードコア５の中心Ｏとを結んで延長した直線Ｌが、タイヤ赤道線ＣＬに対し１０〜２５°の角度αで交わる。 - 特許庁

A cooling water inflow port 24 is provided on the portion of the exhaust inflow side of a heat exchanger core part 15 opposite to the center O of curvature of a bonnet 21 across the centerline CL of a casing 20.例文帳に追加

熱交換コア部１５の排気流入側のうち、ケーシング２０の中心線ＣＬを挟んでボンネット２１の曲率中心Ｏと反対側に冷却水の流入口２４を設ける。 - 特許庁

In Li(Ni_xMn_2-x)O_4 (where, 0.4≤x≤0.6), a part of Mn is substituted by a metal element that is lighter than Mn and is capable of taking on univalence to trivalence, and further, O is substituted by F or Cl.例文帳に追加

Ｌｉ（Ｎｉ_xＭｎ_2-x）Ｏ_4（０．４≦ｘ≦０．６）において、Ｍｎの一部をＭｎより軽い元素でかつ１価から３価を取りうる金属元素で置換し、さらにＯをＦまたはＣｌで置換する。 - 特許庁

The spherical projection part 51 is formed of a part of a spherical surface centering on a center point O of curvature positioned on the center axis CL and having a radius (r) of curvature.例文帳に追加

球面凸部５１は、中心軸線ＣＬ上に位置する曲率中心点Ｏを中心とした曲率半径ｒを有する球面の一部で構成されている。 - 特許庁

Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 - 特許庁

A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate 10 comprises a group III nitride and has a surface layer 12 on the surface containing chlorides of 200×10^10 to 12,000×10^10 pieces/cm^2 in terms of Cl and oxides of 3.0 atom% to 15.0 atom% in terms of O.例文帳に追加

化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。 - 特許庁

A cylinder bore is formed in a cylinder block so that the upper end side inclines to the left side with respect to a vertical line LN1 in a state of passing the center line CL of the cylinder bore through an intersection between a mating face SL and the vertical line LN1 passing through the center O of a crankshaft 21.例文帳に追加

シリンダボアの中心線ＣＬが、当該合わせ面ＳＬとクランクシャフト２１の中心Ｏを通る垂直線ＬＮ１との交点を通過した状態で前記垂直線ＬＮ１に対して上端側が左側に傾斜するように前記シリンダボアを前記シリンダブロックに形成している。 - 特許庁