channel integrationとは 意味・読み方・使い方

To obtain a structure of a thin-film transistor, which can make fine the structure in a portion where a channel is formed, and can increase integration.例文帳に追加

チャネルが形成される部分の構造を微細にできて、集積度が高くできる薄膜トランジスタの構造を得る。 - 特許庁

To provide a flash memory of fast low-voltage ballistic program, ultra-short channel, ultra-high integration level, and dual bit multi-level.例文帳に追加

高速低電圧バリスティックプログラム、超短チャネル、超高集積度、デュアルビット多準位のフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

It is therefore possible to parallelly process the integration of light reception signals for every channel by a small-scale circuit configuration.例文帳に追加

従って、小規模な回路構成で、チャンネル毎の受光信号の積算を並列に処理することが可能となる。 - 特許庁

Since the gate patterns are disposed at side faces of a channel region in this way, a degree of the integration of the semiconductor device can be increased and also a channel width of each transistor can be increased.例文帳に追加

これにより、ゲートパターンがチャネル領域の側面に配置されるので、半導体装置の集積度を増加させることと同時にトランジスタのチャネル幅を増加させうる。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which enables high integration while extending channel length effectively, and to provide a manufacturing method for such a memory element.例文帳に追加

チャンネル長を効果的に延ばしつつも高集積化の可能な不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prolongs a channel length without impairing a degree of integration of a recess gate type MISFET, and is intended to suppress a short channel effect and reduce a leak current.例文帳に追加

リセスゲート型のＭＩＳＦＥＴの集積度を損なうことなく、チャネル長を長くし、短チャネル効果の抑止及びリーク電流の低減を図った半導体装置を提供する。 - 特許庁

The radar apparatus for vehicle is provided with a zero-cross comparator 95 for outputting comparison signals indicating two different states for every channel as a configuration to replace a conventional A/D conversion circuit and an integration part 77 for integrating one-bit digital data for every channel as a configuration to replace a conventional integration circuit.例文帳に追加

従来のＡ／Ｄ変換回路に代わる構成として、２つの異なる状態を示す比較信号をチャンネル毎に出力するゼロクロスコンパレータ９５を備え、また、従来の積算回路に代わる構成として、１ビットのデジタルデータをチャンネル毎に積算する積算部７７を備えている。 - 特許庁

To provide a method of forming a MOS semiconductor device that improves the integration degree of an IC (integrated circuit) and prevents short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、ＩＣ（integrated circuit）の集積度が向上し、しかもショートチャネル効果を防止することができるＭＯＳ半導体デバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁