etch intoとは 意味・読み方・使い方

To etch a substrate without excessively boring into the substrate, even if a contact aperture and a local wiring aperture, which respectively have differing aperture areas, exist in the same layer.例文帳に追加

開口面積の異なるコンタクトと局所配線とが同層に存在していても、基板を過剰に掘ることなく、エッチングすることを可能にする。 - 特許庁

A processing gas containing a fluorine-based reactive component is brought into contact with an object to be processed 90 to etch the silicon-containing film 93 on the base film 92.例文帳に追加

フッ素系反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。 - 特許庁

The significant negative etching bias of the BARC etching is then utilized to etch an opening, having a reduced critical dimension into the substrate layer.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。 - 特許庁

A process gas containing HF as a reactive component is blown off from a blow-off port 21 into contact with a treated object 90 to etch a silicon film 93.例文帳に追加

反応成分としてＨＦを含む処理ガスを吹出し口２１から吹き出して被処理物９０に接触させ、シリコン膜９３をエッチングする。 - 特許庁

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

A single crystal sapphire substrate having etch pits that is suitable for a semiconductor light emitting device is manufactured by conducting dry or wet blasting on a mirror-polished principal plane of the sapphire substrate, and then dipping the sapphire substrate into heat phosphoric acid, a mixed acid of heat phosphoric acid and heat sulfuric acid, or heat-melt potassium hydroxide to form etch pits.例文帳に追加

鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

The substrate 1 is entered into a gas furnace, then, etching gas and carrier gas are supplied into the furnace to etch the exposed surface in the trench 4 by the degree of several nm-1 μm and obtain the exposed surface in the trench 4 as a clean surface.例文帳に追加

この基板１をガス炉内に入れ、炉内にエッチングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内の露出面を数ｎｍ〜１μｍ程度エッチングし、トレンチ４内の露出面を清浄表面とする。 - 特許庁