n-laとは 意味・読み方・使い方

To provide a sheet-like (Sm, La)-T-N isotropic bonded magnet which is of high performance and more improved in magnetization properties than usual.例文帳に追加

従来に比べて着磁性を向上したシート状の高性能（Ｓｍ，Ｌａ）−Ｔ−Ｎ系等方性ボンド磁石を提供する。 - 特許庁

A drain electrode 119 connected on the n^+ drain region 118 has a first drain electrode DA extending on the first insulation film LA.例文帳に追加

ｎ^+ドレイン領域１１８の上に接続したドレイン電極１１９は、第１絶縁膜ＬＡ上に延びる第１ドレイン電極部ＤＡを有する。 - 特許庁

When it is defined that the width of a contact surface between the N^+ semiconductor area 16 and the connecting electrode part 13a is Lc and the width of a contact surface between the anode electrode 12 and the N type semiconductor area 14 is La, respective areas are formed so as to satisfy (0.5Lc+300) μm≤La μm≤(Lc+350) μm.例文帳に追加

Ｎ^＋型コンタクト領域１６と接続電極部１３ａと接触面の幅をＬｃ、アノード電極１２とＮ型半導体領域１４との接触面の幅をＬａとし、ＬａとＬｃとが（０．５Ｌｃ＋３００）≦Ｌａμｍ≦（Ｌｃ＋３５０）μｍを満たすように各領域を形成する。 - 特許庁

The sensor includes an insulating substrate, a metal electrode formed on the insulating substrate, and a sensing layer formed on the metal electrode and containing nanofiber of an oxide semiconductor La_n+1Ni_nO_3n+1 (n=1, 2, 3).例文帳に追加

本発明によるセンサーは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている金属電極と、前記金属電極上に形成されており、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）ナノ繊維を含む感知層とを含む。 - 特許庁

The added quantity of La is more than the necessary quantity to reduction-decompose a little amount of remaining dissolved oxygen and TiO_n base inclusion after deoxidizing with the Ti and less than the quantity having no contamination in the molten steel by reacting the La with a refractory and mold powder, and the suitable range of the La concentration in the molten steel is about 0.0001-0.01 mass%.例文帳に追加

Ｌａの添加量は、Ｔｉ脱酸後に残留した少量の溶存酸素とＴｉＯ_n 系介在物を還元分解するに必要な量以上であって、且つＬａが耐火物やモールドパウダーと反応して溶鋼を汚染させない量以下であり、溶鋼中のＬａ濃度の適正範囲は０．０００１〜０．０１質量％程度である。 - 特許庁

A correction amount determination unit 95 calculates a correction amount ADD based on the mean pixel value La of the left pixels, the pixel value N of the pixel of interest, and the mean pixel value Ra of the right pixels.例文帳に追加

補正量決定部９５は、左方画素の平均画素値Ｌａ、注目画素の画素値N、および、右方画素の平均画素値Ｒａに基づいて補正量ADDを算出する。 - 特許庁

The La(dibm)_3 has 110°C melting point, a large solubility and 0.1 Torr vapor pressure at 195°C and its n-butyl acetate solution has 3 month pot life.例文帳に追加

Ｌａ（ｄｉｂｍ）_３は、融点１１０℃で溶解度は大きく、０．１Ｔｏｒｒ／１９５℃の蒸気圧を持ち、その酢酸ｎ−ブチル溶液は３ケ月のポットライフを有する。 - 特許庁

The metal-including fullerene formed by electrolysis has an electronic structure of a closed shell and is represented by the general formula M @ Cn (M=Sc, Y, La, Lanthanide element, Actinoid element, n = an even number of 60, 70≥).例文帳に追加

電解法により形成される電子構造が閉殻構造である一般式Ｍ＠Ｃｎ（但し、Ｍ＝Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ランタニド元素、アクチノイド元素、ｎ＝６０、７０およびそれ以上の偶数）で表される金属内包フラーレンイオン。 - 特許庁