「"エネルギー差"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

｜Ｒ〉と｜Ｌ〉のエネルギー差のｎ分の１に相当する周波数以外の周波数でも、量子ビットのゲート操作ができるようにする。例文帳に追加

To enable the gate operation of the quantum bit of a quantum bit apparatus even at a frequency other than a frequency corresponding to one-nth of the difference between energy <I_R and energy <I_L. - 特許庁

小さい歪量の量子井戸層において、電子とホールのエネルギー差を、大きい歪量の量子井戸層におけるそれより小さくする。例文帳に追加

In the quantum well layer with the small strain amount, the difference of energy between an electron and hole is made smaller than that of the energy in the quantum well layer with the large strain amount. - 特許庁

本発明の課題は、溶媒中での高分子化合物と化合物の結合に関する自由エネルギー差の計算を高速化することを目的とする。例文帳に追加

To make fast calculation of a free energy difference associated with binding between a polymer compound and a compound in a solvent. - 特許庁

ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位とｐ型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差は、約１ｅＶ以下である。例文帳に追加

Energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the Fermi energy level of the conductive layer is about 2 eV or lower, and energy difference between the LUMO energy level of the n-type organic layer and the HOMO energy level of the p-type organic layer is about 1 eV or lower. - 特許庁

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。例文帳に追加

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓ井戸層における正孔の第１量子準位とＩｎＧａＡｓＰ障壁層における価電子帯のトップとのエネルギー差は，約１０７ｍｅＶとされ，ＩｎＧａＡｓ井戸層における電子の第１量子準位とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層における伝導帯のボトムとのエネルギー差は，約１８６ｍｅＶとされる。例文帳に追加

The energy difference between the first quantum level of the positive holes in the InGaAs well layer 32 and the top of the valence band in the InGaAsP barrier layer 33 is about 107 meV, and the energy difference between the first quantum level of the electron in the InGaAs well layer 32 and the bottom of the conduction band of the InGaAlAs barrier layer 33 is about 186 meV. - 特許庁

前記接合層１３０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層１２０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層１３０の積層構造は設計されている。例文帳に追加

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140. - 特許庁

最も低い表面エネルギーを有するポリマーと、最も高い表面エネルギーを有するポリマーとの表面エネルギー差が５ｍＮ／ｍ以上である。例文帳に追加

The difference in the surface energy between a polymer having the lowest surface energy and a polymer having the highest surface energy is 5 mN/m or more. - 特許庁

フォトマスク１に含まれる量子ドットは光を吸収し光を放出するが、その際、照射される光の波長と量子ドットから放出される光の波長とのエネルギー差に応じた熱が発生する。例文帳に追加

Although the quantum dots involved in the photomask 1 absorb and emit light, heat is, at that time, produced in accordance with an energy difference between the wavelength of the irradiated light and the wavelength of the light emitted from the quantum dots. - 特許庁

ソレノイドコイル５の中心部２３程磁場が一定であるので、アルカリ金属元素６に略均一な磁場を印加でき、ゼーマン分裂後のエネルギー準位間のエネルギー差を安定にできる。例文帳に追加

Since a magnetic field is more constant in a center part 23 of the solenoid coil 5, nearly uniform magnetic field can be impressed to an alkali metal element 6, and energy difference of energy levels after Zeeman splitting can be made stable. - 特許庁

価電子がｉ層に注入される時比較的高いエネルギー状態を占めるようにさせ、比較的大きなエネルギー差を持たせ、高エネルギーの緑、青、或いは白の発光をさせる。例文帳に追加

Valence electrons occupy a relatively high energy state when they are injected into the i-layer, and have a relatively large energy difference thus emitting high energy light of green, blue or white. - 特許庁

光吸収層とバッファ層との間に、伝導帯の底とフェルミレベルとのエネルギー差が大きい化合物半導体薄膜を形成することによって、電圧特性が高い太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a solar battery having a high voltage characteristic by forming a compound semiconductor thin film between a light absorbing layer and a buffer layer, the semiconductor thin film having a large energy difference between the bottom of a conduction band and a Fermi level. - 特許庁

各音源の音響放射効率を最大化すると共に、聴取空間と非聴取空間との間の音響エネルギー差異を最大化し、聴取空間のみで音響を聞くことができるようにする方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus allowing sound to be listened to only in a listening space by maximizing a sound energy difference between a listening space and a non-listening space while maximizing sound radiation efficiency of each sound source. - 特許庁

第１の光の中心周波数ｆ_１と第２の光の中心周波数ｆ_２の周波数差は、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と異なる。例文帳に追加

A frequency difference between the center frequency f_1 of the first light and the center frequency f_2 of the second light differs from a frequency equivalent to an energy difference of two ground levels of the alkali metal atom. - 特許庁

バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥は、リーク電流に対する依存性が弱い。例文帳に追加

The crystal defect of the trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in the region of <0.2 eV in the energy difference from the center of the band gap is small in dependency with respect to a leak current. - 特許庁

原子核スピンの角運動量が１／２よりも大きい原子核を含む領域を備えた素子１に対し、当該領域における各エネルギー準位間のエネルギー差にそれぞれ対応した複数のマイクロ波を照射する。例文帳に追加

A plurality of micro waves corresponding to energy differences among energy levels are emitted to an element 1 which is provided with an area including a atomic nucleus of more than a half in angular momentum of atomic nucleus spin. - 特許庁

磁場による変動の少ない準位間のエネルギー差△Ｅ１２を利用して、基準周波数を制御しているので、磁気シールド等が不要で、発振周波数の安定した小型の原子発振器１０を得ることができる。例文帳に追加

A reference frequency is controlled by using the energy difference &utri;E12 between the ground levels which varies to a small extent because of the magnetic field, so that magnetic shield and the like are not required, thereby obtaining the compact atomic oscillator 10 whose oscillating frequency is stable. - 特許庁

励起三重項状態と基底状態のエネルギー差が２．９ｅＶ以上であり、ガラス転移温度が１２０℃以上である化合物からなる電荷輸送材料。例文帳に追加

A charge transport material composed of a chemical compound is provided in which an energy difference between the excited triplet state and the ground state is 2.9 eV or higher and a glass-transition temperature is 120°C or higher. - 特許庁

該電場印加手段は、前記液晶素子において、印加電場方向間の配向エネルギー差異（Ｔ_INT）をキャンセルするための逆方向の電場（−Ｔ_INT）を印加する。例文帳に追加

The electric field application means applies the liquid crystal element with an electric field (-T_INT) in the opposite direction to cancel an alignment energy difference (T_INT) between applied electric field directions. - 特許庁

ドリフト領域４内に形成されている結晶欠陥には、バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥が含まれている。例文帳に追加

A crystal defect formed in the drift region 4 includes a crystal defect of a trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in a region of <0.2 eV in an energy difference from the center of a band gap. - 特許庁

制御手段４０は、光検出手段３０の検出結果に基づいて、第１の光の所定の周波数成分と第２の光の所定の周波数成分の周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。例文帳に追加

The control means 40 performs control so that a frequency difference between a prescribed frequency component of the first light and a prescribed frequency component of the second light becomes equal to a frequency equivalent to an energy difference of two ground levels of the alkali metal atom based on detection results of the light detection means 30. - 特許庁

ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。例文帳に追加

A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi. - 特許庁

対象物(2)へのエネルギー入射面(4)に関する高さ情報としての層厚を用いて当該表面輪郭(10)を記述するために、参照ユニット(9)において、対象物(2)の層厚が、エネルギー差モジュール(8)で決定される、対象物で吸収されたエネルギーと関係付けられる。例文帳に追加

In order to state the surface contour (10) by using the layer thickness as height information regarding an energy incidence surface (4) to the target (2), the layer thickness of the target (2) is correlated with the energy absorbed by the target which is determined by an energy difference module (8), in a reference unit (9). - 特許庁

一対の電極と前記一対の電極の間に配置される発光層とを有し、前記発光層はゲスト材料とホスト材料とを有し、前記ゲスト材料は燐光発光材料であり、前記ホスト材料の最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．０３ｅＶ以下であることを特徴とする有機発光素子。例文帳に追加

The organic light emitting element is such that it has a pair of electrodes and a light emitting layer arranged between the pair of the electrodes, wherein the light emitting layer has a guest material and a host material, the guest material being a phosphorescence light emitting material, and wherein the energy difference of the minimum excited singlet level and the minimum excited triplet level of the host material is 0.03 eV or lower. - 特許庁

シミュレーション装置は、物質の凝集エネルギーを計算する凝集エネルギー計算部と、物質に所定の波形と強度を有するパルスレーザを照射する前後における物質の内部エネルギーの差を計算する内部エネルギー差計算部と、内部エネルギーの差と凝集エネルギーに基づいて、パルスレーザの照射による物質の分解の可否を判定する判定部と、を備えている。例文帳に追加

A simulation apparatus includes an aggregation energy calculating section for calculating aggregation energy of the material, an internal energy difference calculating section for calculating the difference in internal energy of the material before and after the material is irradiated with the pulse laser having a predetermined waveform and an intensity, and a determination section for determining whether the material can be decomposed by irradiation with the pulse laser, based on the difference in the internal energy and the aggregation energy. - 特許庁

半導体の多重量子井戸における量子閉じ込めスタルク効果を利用した光変調器１５を用い、信号を乗せる光の波長をλ_S、多重量子井戸の電子と正孔の量子準位間のエネルギー差に相当する波長をλ_PLとしたとき、λ_S−λ_PL＜６０ｎｍであることを特徴とする。例文帳に追加

An optical modulator 15 is used, which uses quantum confinement Stark effect of the multi-quantum well of a semiconductor and is characterized by λS-λPL<60 nm, where λS is the wavelength of light which is superposed on a signal, and λPL is the wavelength corresponding to the energy difference between quantum levels of electrons and positive holes of the multi-quantum well. - 特許庁

このレートの選択は、ＴＭＳＮＲ計算要素（２）、ＮＡＣＦ計算要素（４）によって計算される正規化自己相関、零交差カウンタ（６）によって決定される零交差数、ＰＧＤ計算要素（８）によって予測利得差動及びフレームエネルギー差動要素（１０）によって計算されるフレーム間のエネルギーによって決定される雑音割り当てのための目標整合信号に基づいて行なわれる。例文帳に追加

The rate selected is based upon the target matching signal to noise ration computed by a TMSNR computation element (2), normalized autocorrelation computed by a NACF computation element (4), a zero crossings count determined by a zero crossings counter (6), the prediction gain differential computed by a PGD computation element (8) and the interframe energy differential computed by a frame energy differential element (10). - 特許庁

また、ｐＭＯＳのゲート電極７の仕事関数ΦＭｐを、シリコンの電子親和力χsとシリコンのバンドギャップエネルギーＥgとを加えたものと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値、すなわち、Φｉ＜ΦＭｐ＜χｓ＋Ｅｇの関係が成り立つように設定する。例文帳に追加

Besides, a work function ΦMp of a gate electrode 7 of pMOS is made into value between the added result of the electron affinity χs of silicon and a band gap energy Eg of silicon and the energy difference Φi of the intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of Φi<ΦMp<χs+Eg. - 特許庁

第１のゲート電極７に電圧を印加して第１のゲート電極７の下のランダウ準位充填率を２に設定し、ソース電極５とドレイン電極８との間の電位差を調整して、下位ランダウ準位９ａと上位ランダウ準位９ｂのエネルギー差が、ランダウ準位エネルギー（サイクロトロンエネルギー）以上の化学ポテンシャル差になるようにする。例文帳に追加

By applying voltage to the first gate electrode 7 to set a Landau level filling rate below the first gate electrode 7 to 2 and by adjusting a potential difference between the source electrode 5 and the drain electrode 8, a difference in energy between a lower Landau level 9a and an upper Landau level 9b is made to become a chemical potential difference the same as or above Landau level energy (cyclotron energy). - 特許庁

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。例文帳に追加

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer. - 特許庁

そこで、上記偽の位置情報を与える信号やノイズの原因となる信号を低減させ陽電子画像の感度を向上させるために、対向する２つのガンマ線検出器で同時計測された２つの消滅ガンマ線のうち、従来法のエネルギーウィンドーに加えて信号のエネルギー和とエネルギー差を用いてウィンドーを設定する。例文帳に追加

In order improve the sensitivity of the positron image by reducing the signal providing the false positional information and the signal causing the noise, in two annihilation gamma-rays simultaneously measured by two facing gamma-ray detectors, a window is set by using the energy sum and the energy difference of the signals in addition to an energy window by a conventional method. - 特許庁

該方法は、対象とする分子の任意の２つの内部エネルギーレベル間の任意のエネルギー差のうちの１つに対応するチャンネルによって分離されたナノ電極対の間のバイアス電圧をセンタリングするステップと、前記対象とする分子が前記チャンネル内にある間、変調波形により前記バイアス電圧を変調するステップとを含む。例文帳に追加

The method includes both a step of centering a bias voltage between a pair of nanoelectrodes 6 separated by a channel 4, corresponding to one of any energy differences between any two internal every levels of object molecules, and a step of modulating the bias voltage 12 by a modulation waveform, while the object molecules 8 are in the channel. - 特許庁