「"キャリア注入"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

非揮発性メモリのための高効率ホットキャリア注入プログラミングの方法及び構造例文帳に追加

METHOD AND STRUCTURE FOR HIGHLY EFFICIENT HOT CARRIER INJECTION PROGRAMMING FOR NON-VOLATILE MEMORY - 特許庁

有機FETにおいて、電極から活性層へのキャリア注入効率を向上させること。例文帳に追加

To improve carrier injection efficiency from an electrode to an active layer in an organic FET. - 特許庁

基板へのキャリア注入を抑制する半導体装置及び電源回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that suppresses carrier injection into a substrate, and to provide a power supply circuit. - 特許庁

これによりＥＬ層１０３の表面近傍にキャリア注入領域１０４が形成される。例文帳に追加

Thus, a carrier implantation area 104 is formed on the surface vicinity of the EL layer 103. - 特許庁

キャリア注入効率が高く、利得帯域の広い量子構造を提供することである。例文帳に追加

To provide a quantum structure that has high carrier injection efficiency and a wide gain band. - 特許庁

薄膜トランジスタバックプレーン回路について作製コストを抑えるとともに有機半導体へのキャリア注入を効率化する。例文帳に追加

To suppress a manufacturing cost of a thin-film transistor backplane circuit, and make carrier injection into an organic semiconductor efficient. - 特許庁

高いキャリア注入効率を有しており、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層を含む発光層を備える窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting device which has a high carrier injection efficiency, and is equipped with a light emitting layer that contains an InAlGaN semiconductor layer. - 特許庁

続いて、単結晶基板の温度を1100℃から1,070℃まで5分かけて降下させてチャネル層とキャリア注入層とを形成する。例文帳に追加

Subsequently, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,100 to 1,070°C for 5 minutes and a channel layer and a carrier injection layer are formed. - 特許庁

キャリア注入層５は、ＳｒＴｉＯ_3から、磁化制御層８はＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金から形成する。例文帳に追加

The carrier injecting layer 5 is formed out of SrTiO_3, and the magnetization controlling layer 8 is formed out of such an alloy of rare-earth transition metals as GdFeCo, GdDyFeCo, and GdNdFeCo. - 特許庁

キャリア注入用電極１６と逆バイアス印加用電極１７との絶縁をとるために、キャップ層１５が一部除去されている。例文帳に追加

For insulating the carrier injection electrode 16 and the reverse bias application electrode 17, a part of the cap layer 15 is removed. - 特許庁

シリコンコアより構成されたキャリア注入型の可変光減衰器における偏波依存損失が低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce polarization dependent loss in a carrier injection type variable optical attenuator comprising a silicon core. - 特許庁

ｐ型不純物層２の不純物濃度は、低く、かつ、その深さは、１．０μｍ以下と十分に浅いため、キャリア注入効率が低減される。例文帳に追加

An impurity concentration of the p-type impurity layer 2 is low and further the depth is 1.0 μm or less, sufficiently shallow, so that the carrier implantation efficiency is decreased. - 特許庁

有機ＥＬ素子の点灯用面状電極から面状発光層へのキャリア注入の分布を制御する手段を設けた。例文帳に追加

A means for controlling the distribution of the carrier injection into the surface luminescent layer from the lighting surface electrode of the organic EL element is provided. - 特許庁

高濃度第１導電型半導体基板４に代って表面側にキャリア注入層を設けてもよい。例文帳に追加

A carrier injection layer may be provided on a surface side instead of the high density first conductivity semiconductor substrate 4. - 特許庁

また，ホール停止層１４３と電子停止層１４７とを設けることで，活性層１４５へのキャリア注入の効率化が図られる。例文帳に追加

Further, the efficiency of carrier injection to the active layer 145 can be improved by providing both Hall stop layer 143 and electron stop layer 147. - 特許庁

ｐ型コンタクト層４の深さは、０．２μｍ以下と十分に浅いため、キャリア注入効率に影響を与えることがない。例文帳に追加

As the depth of a p-type contact layer 4 is 0.2 μm or less, sufficiently shallow, it does not affect the carrier implantation efficiency. - 特許庁

電界発光素子においてキャリア注入性、輸送性、発光輝度、発光効率、色純度の高い重合体を提供する。例文帳に追加

To obtain a polymer having high carrier injecting properties, transportability, emission luminance, luminous efficiency and color purity in an electroluminescent element. - 特許庁

ホットキャリア注入によって書き換えを行うスプリットゲート型ＭＯＮＯＳメモリにおいて、リテンション特性を向上させる。例文帳に追加

To improve retention characteristics in a split gate type MONOS memory which carries out a rewrite by hot carrier injection. - 特許庁

周辺回路領域の電荷蓄積層へのホットキャリア注入の影響を少なくする半導体装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device or the like for reducing an influence of the injection of hot carriers to a charge storage layer in a peripheral circuit region. - 特許庁

本発明は、集積回路寿命におけるホットキャリア注入の効果を決定するためのＭＩＳＦＥＴの試験方法を提供する。例文帳に追加

A test method for MISFET for determining the effect of hot carrier injection in an integrated circuit lifetime is provided. - 特許庁

第１発光部１及び第２発光部２は各々キャリア注入に用いるストライプ状リッジ構造を有する。例文帳に追加

Each of the first light emitting portion 1 and the second light emitting portion 2 has a stripe-shaped ridge structure used for carrier injection. - 特許庁

また、ＰＮ接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。例文帳に追加

Also, carrier injection through pn junction to a channel is carried out so that the deterioration of current driving capability can be prevented. - 特許庁

キャリア輸送性及びキャリア注入性に優れた複合材料、並びにそれを用いた発光素子、発光装置の提供。例文帳に追加

To provide a composite material excellent in carrier transportation and carrier injection properties and a light emitting element and a light emitting device using the composite material. - 特許庁

このために、低分子ホール輸送層３と発光層４との界面は、密着性が高く、キャリア注入性も高い界面となる。例文帳に追加

Thus, the interface between the low-molecular hole transport layer 3 and the luminescent layer 4 has high adhesiveness and has a high carrier injection properties as well. - 特許庁

よって、裏面側の素子周辺部１２からアクティブ部１４へのキャリア注入は生じず、ラッチアップ破壊が回避される。例文帳に追加

Accordingly, carrier is not implanted to the active part 14 from the periphery 12 of the element in the side of the rear surface, and therefore latch-up breakdown can be avoided. - 特許庁

ポリマー材料からなる基板を使用したキャリア注入型電界発光素子において、素子の耐久性を向上させ長寿命化を図ること。例文帳に追加

To provide improved durability of a carrier-injection electroluminescent element, using a substrate made of polymer material with prolonged life time of the electroluminescent element. - 特許庁

キャリア注入効率が向上し高温動作に適し製造容易な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it suited for high-temperature operation, in which carrier injection efficiency is improved and manufacture is made easy. - 特許庁

標準ＣＭＯＳプロセスを用いて効率的なキャリア注入が可能な不揮発性記憶トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile memory transistor capable of efficiently injecting carrier by using a standard CMOS process. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア注入性、輸送性の高いキャリア輸送層を形成し、発光効率の向上を図る。例文帳に追加

To form a carrier transport layer wherein a carrier injection property and transport properties are high, and improvement in luminous efficiency is aimed at. - 特許庁

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２に設けられたＬＤＤ領域２０７はホットキャリア注入に対する耐性を高める。例文帳に追加

An LDD region 207, formed in an n-channel TFT 302 working as a drive circuit improves resistance with respect hot carrier injection. - 特許庁

基板としてポリマー材料を使用したキャリア注入型電界発光素子において、安定した発光動作を実現する。例文帳に追加

To realize a stable light-emitting action in a carrier injection type electric field light-emitting element using a polymer material as a substrate. - 特許庁

キャリア注入効率が向上した高温動作に適する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device suited to high-temperature operation in which the efficiency of carrier injection is improved and its manufacturing method. - 特許庁

この電位制御部１を備えることにより、オーミックコンタクトなどのキャリア注入手段によってキャリア注入部３にキャリアを注入し、スピン軌道相互作用空間勾配生成部４により電場勾配を与えたときに発生する電位差を打ち消す。例文帳に追加

Due to the potential control unit 1, a carrier is injected to a carrier injector 3 by a carrier injection means such as ohmic contact, so as to cancel potential difference that is generated when electric field gradient is given by the spin-orbit interaction space gradient generator 4. - 特許庁

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。例文帳に追加

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on. - 特許庁

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。例文帳に追加

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。例文帳に追加

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element. - 特許庁

本構造により、キャリア注入用電極１６の存在する部分が利得領域１９として、逆バイアス印加用電極１７が存在する部分が吸収スペクトルを制御可能な損失領域２０として、それぞれ働く。例文帳に追加

A part where the carrier injection electrode 16 exists operates as a gain area 19 and a part where the reverse bias application electrode 17 exists as a loss area 20 where an absorption spectrum can be controlled with such structure. - 特許庁

高分子層と電極との間に、π電子共鳴構造を有するディスコティック液晶或いはスメクチック液晶からなるキャリア注入層を介在させる。例文帳に追加

A carrier injected layer, which is made of a discotic liquid crystal or a smectic liquid crystal having a π electron resonance structure, is interposed between the polymer layer and the electrodes. - 特許庁

III族窒化物半導体HEMTを構成するキャリア注入層の、表面保護膜と接する面が製造工程の過程において酸化、汚染及び損傷されない。例文帳に追加

To prevent oxidation, contamination or damage of a surface of a carrier injection layer constituting a group III nitride semiconductor HEMT which contacts a surface protective film in steps of a manufacturing process. - 特許庁

有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料であって、キャリア輸送性および有機化合物へのキャリア注入性に優れ、かつ透明性にも優れた複合材料を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a composite material of an organic compound and an inorganic compound having excellent carrier transportability, carrier injection properties into an organic compound, and transparency. - 特許庁

その上に電極（ｂ）１０５を形成して得たＥＬ素子は、ＥＬ層１０３は実質的に単層でありながらキャリア注入効率の高いものとすることができる。例文帳に追加

An EL element obtained by forming an electrode (b) 105 on this area has high carrier implantation efficiency while the EL layer 103 is substantially a single layer. - 特許庁

半導体基板の第１面側と第２面側とで対となる電極を有した縦型のダイオードであって、キャリア注入量の低減と高耐圧化を両立することのできるダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a vertical diode which has a pair of electrodes on a first surface side and a second surface side of a semiconductor substrate, and provides both of a decrease in the amount of injection of carriers and a high breakdown voltage. - 特許庁

へテロ接合層（混合層３）と電極（陽極２）との間にカーボン層５を配置することにより電極から有機層へのキャリア注入を大幅に低減し、逆バイアス印加時の漏れ電流を大幅に改善することができる。例文帳に追加

The organic diode can reduce a leakage current sharply when a reverse bias is applied by arranging a carbon layer 5 between a heterojunction layer (mixture layer 3) and an electrode (anode 2) thereby reducing carrier injection from the electrode into an organic layer sharply. - 特許庁

活性層へのキャリア注入を効率的に行うと共に、電極コンタクト等での電圧降下を抑制することができ、低しきい値、低電圧で動作し、高い信頼性を達成する。例文帳に追加

To efficiently perform carrier injection into an active layer and suppress a drop of voltage at an electrode contact or the like, and to operate at a low threshold and a low voltage for high realiability. - 特許庁

ドレインに注入されるキャリア量の低下及び磁化反転によるキャリア注入変化量の低下を抑制することができるスピントランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a spin transistor capable of preventing drop of the amount of carriers injected in a drain and drop of carrier injection variation by magnetization reversal. - 特許庁