「"ソース側"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ソース側ゲート絶縁層２５は、酸化アルミニウムからなる第２ソース側ゲート絶縁層２５ｂを含む。例文帳に追加

The source-side gate insulating layer 25 includes a second source-side gate insulating layer 25b made of aluminum oxide. - 特許庁

電流密度の検証は、ソース側からロード側方向に配線の接続関係を調べて、ソース側に近い配線分岐点から順に行う。例文帳に追加

Current density is successively verified from the wiring branchpoint near a source side by checking the connection relationship of wiring from the source side to the direction of a load side. - 特許庁

更に、このメモリセルトランジスタ７のソース側にはソース側選択トランジスタ９が配設されている。例文帳に追加

Further, a source side selective transistor 9 is arranged on the source side of the memory cell transistor 7. - 特許庁

ニュースソース側がジャーナリストに対して行う状況説明例文帳に追加

the explanation that a news source gives to journalists, called briefing  - EDR日英対訳辞書

そのアクセストランジスタ２のソース側はソース線５に接続されている。例文帳に追加

The source side of the access transistor 2 is connected to a source line 5. - 特許庁

ソース側カウンタは、ＦＩＦＯにおいて利用可能なスペースを追跡する。例文帳に追加

A source side counter tracks space available in the FIFO. - 特許庁

また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。例文帳に追加

It is also preferred that the gate electrode is inclined toward the source side. - 特許庁

ソース側選択トランジスタは、柱状部の上面から上方に延びるソース側柱状半導体層４４ａと、その側面を取り囲むように空隙Ａｇ２を介して形成され、ソース側選択トランジスタの制御電極として機能すソース側導電層４１ａとを備える。例文帳に追加

A source side selection transistor includes a source side post-like semiconductor layer 44a extending upward from the upper surface of the post like part, and a source side conductive layer 41a which is formed so as to enclose the side surface through an gap Ag2 and functions as a control electrode of the source side selection transistor. - 特許庁

Ｕ字状半導体層３５は、ソース側柱状導体層４７ｂと連続して形成されている。例文帳に追加

The U-shape semiconductor layer 35 is formed continuously to the source side columnar semiconductor layer 47b. - 特許庁

また、同様に、電源ライン（ソース側）２１および２２を、複数の抵抗器Ｒで接続する。例文帳に追加

In addition, power supply lines (source side) 21 and 22 are similarly connected to each other through a plurality of resistors R. - 特許庁

スイッチング素子３２２のドレイン側はスイッチング素子３０４のソース側に接続されている。例文帳に追加

The drain side of the switching element 322 is connected to the source side of the switching element 304. - 特許庁

発振器を構成するＭＯＳトランジスタのソース側に生じる熱雑音を低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce thermal noise generated on the source side of a MOS transistor constituting an oscillator. - 特許庁

ブロック絶縁層３４ａは、ソース側ゲート絶縁層４６Ｂと連続して形成されている。例文帳に追加

The block insulating layer 34a is formed continuously to the source side gate insulating layer 46B. - 特許庁

ＬＮＡを構成するＭＯＳトランジスタのソース側に生じる熱雑音を低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce thermal noise generated on the source side of a MOS transistor constituting an LNA. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置１００は、ソース側選択トランジスタＳＤＴｒｍｎを備える。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage device 100 has a source-side selection transistor SDTmn. - 特許庁

Ｐ型のボディーであるＰ^-領域１１はソース側の一部表面上に導出される。例文帳に追加

A P^- region 11 being a P-type body is derived onto the partial surface of a source side. - 特許庁

ソース側のサーバの数を増やないで多数の端末装置からのアクセスに対して対処できる。例文帳に追加

Therefore, the network can cope with the access from many terminal equipment even when the number of source-side servers is not increased. - 特許庁

ダイオード２３をトランジスタ２２のソース側に接続することにより、トランジスタ２２のソース側の電位をダイオード２３のオン電圧分だけ引き上げ、トランジスタに掛かるドレイン電圧を低電圧側にシフトした。例文帳に追加

By connecting the diode 23 to the source side of the transistor 22, the potential of the source side of the transistor 22 is increased by the one voltage of the diode 23, and a drain voltage applied to the transistor 22 is shifted to a low voltage side. - 特許庁

ソース側アシストゲート線（ＡＧＳ）およびドレイン側アシストゲート線（ＡＧＤ）それぞれにおいて、ドレイン側およびソース側に電圧供給用のコンタクト（ＡＧＳ＿Ｄ，ＡＧＳ＿Ｓ，ＡＧＤ＿Ｄ，ＡＧＤ＿Ｓ）を設ける。例文帳に追加

In each of a source side assist gate line (AGS) and a drain side assist gate line (AGD), contacts for supplying voltage (AGS_D, AGS_S, AGD_D, AGD_S) are provided at the drain side and the source side. - 特許庁

シンク側にてクリスタル精度のマスタークロックCLK_Mを生成し、このマスタークロックCLK_Mとソース側から受け取ったTMDSクロック及び分周比値Ｎにより、ＣＴＳｒを生成し、ソース側に送信する。例文帳に追加

A crystal-precision master clock CLK_M is generated at a synk side, and CTSr is generated and transmitted to a source side by the master clock CLK_M, a TMDS clock received from the source side and a frequency dividing ratio value N. - 特許庁

CMSに入力されるソース側デバイス色のデータは、ソース側デバイスプロファイル11によりデバイスに依存しない色空間であるPCSの色データに変換される。例文帳に追加

Data of a source side device color inputted to the CMS are converted to color data of PCS which is a color space not depending on a device by a source side device profile 11. - 特許庁

さらに、ＭＯＳｇｎ３のソース側を第３の信号電圧に接続し、ＭＯＳｇｐ２のソース側をＭＯＳｂｐ３のドレイン側に接続し、ＭＯＳｇｐ２又はＭＯＳｂｎ２のドレイン側を出力節点とする。例文帳に追加

Furthermore, the source side of MOSgn3 is connected with a third signal voltage, the source side of the MOSgp2 is connected to the drain side of the MOSbp3, and the drain side of the MOSgp2 or MOSbn2 serves as the output node. - 特許庁

続いて、ソース側犠牲層８１及びメモリ犠牲層８２を除去し、ソース側ホール２７、メモリホール３５及びドレイン側ホール４６内を埋めるように柱状半導体層（２９、３７、４８）を形成する。例文帳に追加

Furthermore, the source-side sacrificing layer 81 and the memory sacrificing layer 82 are removed, and pillar-shaped semiconductor layers (29, 37 and 48) are formed so as to fill insides of the source-side hole 27, the memory hole 35 and the drain side hole 46. - 特許庁

本方法は、第１正ドレイン−ソースバイアス、第２正ソース−基板バイアス、第３正ゲート−ソースバイアスを印加し、ソース側近くのトラップ材料にトラップされたソース側チャージを読み取る。例文帳に追加

In the method, a first positive bias between the drain and the source, a second positive bias between the source and the substrate, and a third positive bias between the gate and the source are applied, and the source charge trapped by the trap material near the source is read. - 特許庁

ソース側領域とディスティネーション側領域とが重なる部分と、ソース側領域またはディスティネーション側領域との境界を不自然でなくする。例文帳に追加

To make the border of an overlapped part of a source side area and a destination side area with the source side area or the destination side area unnatural. - 特許庁

ソース側ハロー注入領域８ａのうちゲート電極５直下の部分１４のピーク不純物濃度が、ソース側ハロー注入領域８ａのうち残りの部分のピーク不純物濃度よりも低く設定されている。例文帳に追加

The peak impurity concentration in the part 14, which is located directly under the electrode 5 of the region 8a is set lower than that in the remaining part of the region 8a. - 特許庁

各ソース側低抵抗配線１６ａと、ソース駆動用ＩＣ１４とが入力端子配線１９によって接続されており、複数のソース側低抵抗配線１６ａに、駆動用電源電圧およびソース信号が供給されて、駆動用電源電圧およびソース信号が、複数の入力端子配線１９によって、各ソース側駆動用ＩＣ１４に供給される。例文帳に追加

The respective source-side low resistance wires 16a and source driving ICs 14 are connected by input terminal wires 19, and the driving source voltage and source signal are supplied to the plurality of source-side low resistance wires 16a and supplied to the respective source-side driving ICs 14 by the plurality of input terminal wires 19. - 特許庁

ｎ−オフセットドレイン領域３２の、フィールド酸化膜３３よりもソース側にはみ出る部分を、平面形状が櫛歯状になるように形成することによって、そのソース側にはみ出た部分の単位面積当たりの不純物量を、フィールド酸化膜３３の下の部分の単位面積当たりの不純物量よりも少なくし、ソース側にはみ出た部分への電界の集中を緩和する。例文帳に追加

The concentration of electric fields to the part of the n-type offset drain region 32 protruded to a source side than a field oxide film 33 is relaxed by making the quantity of impurities per unit area in the protruded part smaller than that of impurities per unit area in the part of the region 32 under the field oxide film 33 by forming the protruded part to have a comb- shaped flat surface. - 特許庁

ソース側半導体は高移動度半導体材料で作製され、ドレイン側半導体は低リーク半導体材料で作製される。例文帳に追加

The source side semiconductor is made of a high-mobility semiconductor material, and the drain side semiconductor is made of a low-leakage semiconductor material. - 特許庁

ソース側半導体、ドレイン側半導体、およびゲートを含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a field effect transistor (FET) including a source side semiconductor, a drain side semiconductor, and a gate. - 特許庁

ソース側端子３７と接地間に設けられた可変抵抗５３により、波形の振幅を調整できる。例文帳に追加

The amplitude of the waveform can be adjusted by a variable resistor 53, provided between a source side terminal 37 and the ground. - 特許庁

ソース側では、受信したＣＴＳｒ、TMDSクロック、及び分周比値ＮによりオーディオクロックCLK_Argを得る。例文帳に追加

At the source side, an audio clock CLK_Arg is obtained by the received CTSr, TMDS clock and frequency dividing ratio value N. - 特許庁

第１ツェナーダイオードＺＤ１は、第１トランジスタＭ１のゲートとソースの間に、カソードがソース側となる向きで配置される。例文帳に追加

A first zener diode ZD1 is arranged between the gate and the source of first transistor M1 such that the cathode faces the source side. - 特許庁

センスＭＯＳのミラー側トランジスタＴｒ１のドレイン電圧とソース側トランジスタＴｒ２のドレイン電圧とを等しくする。例文帳に追加

Both of the drain voltage of a mirror side transistor Tr1 of a sense MOS and the drain voltage of a source side transistor Tr2 are equalized. - 特許庁

本発明のシステムは、コアセル電流からコアセルデータを判定するため記憶装置において使用されるソース側検出回路を含む。例文帳に追加

This system comprises a source side detecting circuit used in a memory device for discriminating core cell data from a core cell current. - 特許庁

ソース側送受信機８０では、そのデータで示される角度に応じて処理パラメータを変えて音像定位処理を実行する。例文帳に追加

The source side transmitter and receiver 80 changes processing parameters corresponding to angles that are indicated by the data to execute sound image localization processing. - 特許庁

最もソース側に位置する第１フィールドプレート２２ａと高圧配線２８との間にシールド電極２９が設けられている。例文帳に追加

A shield electrode 29 is provided between the first field plate 22a positioned closest to a source side and the high-voltage wiring 28. - 特許庁

この動作方法では書き込みを、チャネルを形成することなくソース側から行うことから、最大動作電圧と消費電力が低い。例文帳に追加

The writing is performed from the source side in this operation method without forming a channel, so that the maximum operating voltage and the power consumption are lower. - 特許庁

ゲート電極１５のソース側の素子領域の全体には、フォトダイオードの信号蓄積領域１３が配置される。例文帳に追加

For the entire element region on the source side of the gate electrode 15 a signal storage region 13 of a photodiode is arranged. - 特許庁

ドレイン側選択ゲート線、及びソース側選択ゲート線には、第１電圧よりも所定の値だけ低い第３電圧を印加する。例文帳に追加

A third voltage which is a predetermined value lower than the first voltage is applied to a drain-side selection gate line and a source-side selection gate line. - 特許庁

そして、半導体層表面に段差構造が形成されないように、ソース側凹部、及びドレイン側凹部に導電薄膜が埋設されている。例文帳に追加

Then a conductive thin film is buried in the source-side recess and drain-side recess not to form a step structure on a semiconductor layer surface. - 特許庁

ゲート絶縁膜６０は、その下面がソース側エクステンション領域４２およびドレイン領域５０の下面より下に位置する。例文帳に追加

The lower face of the gate insulating film 60 is positioned below lower faces of a source side extension region 42 and a drain region 50. - 特許庁

ソース側のパススルー機に複数のＨＤＭＩ入力を持たせて、１台のパススルー機に複数のソース機器を接続可能とする。例文帳に追加

To connect a plurality of source devices to one pass-through device while having a plurality of HDMI inputs in a source-side pass-through device. - 特許庁

この時、ソース側選択トランジスタ９のソース領域と導電層１１とは直接接続している。例文帳に追加

In this case, the source region of the source side selective transistor 9 and the conductive layer 11 are directly connected. - 特許庁

従って、ソース側のオフセット拡散層４ｓの抵抗値が大きくなって、ソース電圧ＶＳが高くなる。例文帳に追加

Therefore, the resistance value of the layer 4s becomes larger and the source voltage VS of the MOS transistor becomes higher. - 特許庁