「"帯下"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

この電子ストッパー層は、活性層の伝導帯下端よりも高い伝導帯下端を有し、かつｐ型クラッド層の価電子帯上端よりも低い価電子帯上端を有する。例文帳に追加

The electron stopper layer has the lower end of a conductive band higher than the lower end of the conductive band of the active layer, and has the upper end of a valence band lower than the upper end of the valence band of the p-type clad layer. - 特許庁

「包装」とは，ケース，箱，容器，カバー，フォルダー，貯蔵器，器，小箱，びん，包紙，ラベル，帯，下げ札，リール，枠，カプセル，さや，ふた，栓，及びコルクを含む。例文帳に追加

"package" includes any case, box, container, covering, folder, receptacle, vessel, casket, bottle, wrapper, label, band, ticket, reel, frame, capsule, cap, lid, stopper and cork;  - 特許庁

また、前記特性の相違は、各領域４１、４２の伝導帯下端準位の相違であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, difference in the characteristics is the difference in level at the lower end of conduction band between the regions 41 and 42. - 特許庁

オークションの対象となっている商品には、その開始価格、予想価格帯、下限価格が予め設定されている。例文帳に追加

To an article which is a target of auction, a start price, an estimate price band and a lower limit price are preset. - 特許庁

活性層１３、ｐ型ＧａＰ層１４及び上部クラッド層１５の接合を形成する前のバンドプロファイルでは、ｐ型ＧａＰ層１４における伝導帯下端のエネルギー位置が、上部クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー位置よりも０．０５ｅＶ〜１．０ｅＶ高くなっている。例文帳に追加

In a band profile before forming a bonding with the active layer 13, the p-type GaP layer 14, and the upper clad layer 15; the energy level of a conductive band lower end in the p-type GaP layer 14 is higher by 0.05 eV to 1.0 eV than that of a conductive band lower end in the upper clad layer 15. - 特許庁

また四条通烏丸通を中心とする一帯（下京の中心部）は、地割以前から十分に市街地が発達していたため、通りの新設は行なわれなかった。例文帳に追加

The new zoning did not create new streets in an area around Shijo Karasuma-dori Street (central Shimogyo), because it had been already urbanized.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

振分け後分岐転送部８，９と供給転送部１２，１３とで形成される三角地帯下１６，７の空間を解消する紙筒苗規制ベルト下２０，２１を設置する。例文帳に追加

Lower belts 20, 21 for regulating the seedling in the paper tube are mounted thereon, therefore spaces under triangle zones 16, 17 formed by the divergent transfer parts 8, 9 used after the distribution and supply and transfer parts 12, 13 are eliminated. - 特許庁

魚肉すり身を主原料とする魚肉ねり製品を−１５℃以下の温度帯下で熟成する工程を包含する熟成魚肉ねり製品の熟成方法。例文帳に追加

Furthermore, an aged fish meat paste product is obtained by aging including the step of aging the fish meat paste product using the ground fish meat as the main raw material in the ≤-15°C temperature zone. - 特許庁

ロール冷却帯に高い張力をかけつつ、ロール冷却帯下流側での張力上昇を抑制できる連続焼鈍設備を提供する。例文帳に追加

To provide a continuous annealing facility with which the raising of a tension at the downstream side in a roll-cooling zone can be restrained while applying a high tension in the roll-cooling zone. - 特許庁

魚肉すり身を主原料とする魚肉ねり製品を、−１５℃以下の温度帯下で熟成する工程を包含する魚肉ねり製品の熟成方法。例文帳に追加

The fish meat paste product is obtained by aging including a step of aging the fish meat paste product using ground fish meat as a main raw material in the ≤-15°C temperature zone. - 特許庁

これにより、ゲート電極４にｎ型ダイヤモンド層３より高い電位が与えられると、ｎ型ダイヤモンド層３の伝導帯下端のエネルギー準位に存在する電子が表面３ａに容易に達する。例文帳に追加

Thereby, when a high potential higher than that of the n-type diamond layer 3 is applied to a gate electrode 4, electrons present at an energy level of the lower end of a conduction band of the n-type diamond layer 3 easily reaches the surface 3a. - 特許庁

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、第３の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加

In this case, the third semiconductor materials and the thickness of the quantum well layer are selected, so that the difference between the energy level of the lower part of the conductive band of the carrier closed layer and the base level of electrons in the quantum well layer can be set, so that is not less than 100 meV. - 特許庁

電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 includes an MgBeZnSeTe single layer or the MgSe/BeZnTe superlattice, and has a composition ratio, where the lower end of the conductor of the electron barrier layer 16 becomes a level higher than that of the lower end of the conduction band of the active layer 15. - 特許庁

Ｐチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの価電子帯上端の仕事関数値に近づけるとともに、Ｐチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの伝導帯下端の仕事関数値に近づけることで、しきい値電圧の低減を図る。例文帳に追加

To reduce threshold voltage by bringing the work function of a P channel transistor's gate electrode close to the work function value of silicon valence band's upper end as well as by bringing the work function of the P channel transistor's gate electrode close to the work function value of silicon conduction band's lower end. - 特許庁

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加

The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher. - 特許庁

和装帯を前結びで結んだ後、背中側に回動させる際、帯下体をきつく巻回しなくても共に回動しないようにし、且つ背中部分の着崩れを防止して、和装帯を前結びで簡単に結べるようにすることにある。例文帳に追加

To obtain an Obi underlay material which is not turned together with an Obi when turning the obi to the back side of the body of a wearer after tying the obi in front even without being firmly wound, the back center part of which is prevented from getting loose, and which facilitates tying the obi in front. - 特許庁

このとき、ダイヤモンド層６の電子親和力は、例えばシリコン層に比べ小さいため、ダイヤモンド層６の伝導帯下端のエネルギー準位と電子供給部７において電子が存在するエネルギー準位とのギャップは小さくなっている。例文帳に追加

Then, electron affinity of the diamond layer 6 is small as compared with, for instance, a silicon layer, whereby the gap between the energy level at the lower end of a conduction band of the diamond layer 6 and the energy level where electrons are present in the electron supply part 7 is reduced. - 特許庁

魚肉ねり製品を−１５℃以下の温度帯下で熟成することにより、魚肉ねり製品の全体的な風味、味も良好な状態で、製造初期から食することが可能で、しかも製造の計画が簡単になることにより、食糧資源の有効利用及び環境負荷の低減になる。例文帳に追加

To effectively utilize a food resource and reduce an environmental load by aging a fish meat paste product in a ≤-15°C temperature zone, thereby making the fish meat paste product edible in a good state of the whole flavor and taste from the initial period of production and simplifying the production plan. - 特許庁