「"引っ張り歪み"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法例文帳に追加

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME - 特許庁

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。例文帳に追加

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16. - 特許庁

トランジスタのサイズによらない普遍的な引っ張り歪みをｎチャネル型ＭＯＳトランジスタに印加できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of applying a universal tensile distortion not depending on a size of a transistor, to a n-channel type MOS transistor. - 特許庁

引っ張り歪みを受けたシリコン層の一部がチャネル領域１３となっており、このチャネル領域１３は電子が走行するｎチャネルとなっている。例文帳に追加

A part of the silicon layer subjected to tensile strain forms a channel region 13, which makes an N-channel for electron transit. - 特許庁

圧縮歪みおよび引っ張り歪みは、デバイスの内部ベースの近傍に応力層を形成することによって生じさせる。例文帳に追加

The compression strain and tensile strain are generated by forming a stress layer in the neighborhood of the internal base of the device. - 特許庁

引っ張り歪みを受けたシリコン層をチャネル領域として利用することにより、特性のよいかつ安価な電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To obtain a low-cost field-effect transistor excellent in characteristics by using a silicon layer subjected to tensile strain, as a channel region. - 特許庁

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。例文帳に追加

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress. - 特許庁

下部半導体積層部４は、引っ張り歪みを有し活性層１２とリッジ部５との間に設けられた伸張歪応力付加層１４を更に含み、ｎ型ＩｎＰ基板３に対して負の格子不整合度を有する。例文帳に追加

The lower semiconductor multilayer 4 further includes an extension strain stress addition layer 14 that has tensile strain and is provided between the active layer 12 and the ridge 5, and has a negative lattice mismatch degree with respect to the n-type InP substrate 3. - 特許庁

例えば、石英からなるクラッド２の外径を６０μｍにすることにより、曲げ半径を１５ｍｍと小さくしても、引っ張り歪みは０．００２となり、従来の光ファイバと同等の歪みに抑えることができる。例文帳に追加

For example, by controlling the outer diameter of the clad 2 comprising quartz to 60 μm, the tensile strain is 0.002 even when the bending radius is decreased as small as 15 mm, which suppresses the strain to an almost equal level to that of conventional optical fibers. - 特許庁

ＮＭＯＳ３は、基板１上のＳｉＧｅからなる第１下地層７と、この上部のＳｉからなる引っ張り歪みを内在する第１チャネル層９とを備えている。例文帳に追加

The NMOS3 has a first substrate layer 7 which is made of SiGe and is on the board 1, and the first channel layer 9 which is on the substrate layer 7 and is made of the Si containing a tensile distortion. - 特許庁

本発明は、チャネル層のすべての方向に引っ張り歪みを加えて、高速化、高性能化を計った縦型電界効果トランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vertical field-effect transistor improved to in speed and performance by applying a tensile strain in all directions of a channel layer. - 特許庁

歪みセンサ１が外力を受けて圧縮歪みを生じた場合、この変形は、検出部３の中央部では、引っ張り歪みに変換されるので、これによる抵抗変化を測定する。例文帳に追加

When the strain sensor 1 generates a compressive strain by external force, the deformation is converted into the tensile strain at the central part of the detecting part 3, and the change of the resistance by the conversion is measured. - 特許庁

コア３及びクラッド２に石英を用い、クラッド２の外径を標準光ファイバの外径（１２５μｍ）よりも小さくすることにより、曲げによる引っ張り歪みを低減することができる。例文帳に追加

Tensile strain due to bending can be decreased by using quartz for the core 3 and a clad 2 and by making the outer diameter of the clad 2 smaller than the outer diameter (125 μm) of a standard optical fiber. - 特許庁

従来より大きな引っ張り歪みが導入されたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）薄膜を有する貼り合わせ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a bonded wafer having a Si_1-xGe_x (0<x≤1) thin-film in which a tensile strain larger than that of conventional ones is introduced. - 特許庁

石英基板４の上に、高温で貼合わされた後、室温に戻すことによる熱膨張率差に起因する引っ張り歪みを受けたシリコン層が形成されている。例文帳に追加

A silicon layer subjected to tensile strain is formed on a quartz substrate 4, the strain of which is caused by the difference in thermal expansion coefficients generated, when the silicon layer is stuck on a quartz substrate 4 at a high temperature and then it is returned to a room temperature. - 特許庁

厚さ１０〜４０ｎｍの範囲の基板シリコン層を用いてこのように構成することにより、シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、上部シリコン層と基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態とすることが可能となる。例文帳に追加

The substrate silicon layer, having thickness in the range of 10 to 40 nm, is used to be constituted in this manner, and hence the silicon germanium layer is in a compression distortion state, so that the upper silicon layer and the substrate silicon layer are set to a tensile distortion state. - 特許庁

半導体層に圧縮或いは引っ張り歪みが加えられたトランジスタ構造において、活性領域端部におけるリーク電流パスの形成を抑制し、低消費電力で高速動作しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of operating at a high speed with low power consumption by suppressing a leak current path from being formed at an active area end in a transistor structure wherein compressive or tensile strain is applied to a semiconductor layer. - 特許庁

ガラス板と接着フィルム３からなる合わせガラス１やガラスにフィルムをラミネートしたラミネートガラスをフィルム３に接着した状態で破砕し、その後該フィルム３に引っ張り歪みを与えることにより該フィルム３からガラスを剥離させてガラスとフィルムを分離する。例文帳に追加

The method includes crushing a sandwich glass 1 consisting of glass plates and the adhesive film 3 or the laminated glass which keeps a film overlying a glass in a state of its adhesion to the film 3, and then peeling off the glass from the film 3 by causing tensile strain to the film 3 to separate the glass from the film. - 特許庁

ガラスと接着フイルムからなる合わせガラスやフイルムをラミネートしたラミネートガラスのガラスをフイルムに接着した状態で破砕し、その後該フイルムに引っ張り歪みを与えることにより該フイルムからガラスを剥離させてガラスとフイルムを分離する。例文帳に追加

Glass of safety glass comprising glass and the adhesive film or glass of laminated glass formed by laminating glass and a film is crushed in the state bonded to the film and the glass is peeled from the film by applying a tensile strain to the film to separate the glass and the film. - 特許庁

弾性体１２の内部に、車軸３０の衝突時に圧縮変形する中空部１３を貫通形成すると共に、該中空部１３の底面１７を各山部１８間のピッチの細かな波形状に形成して、該底面１７の横方向の撓み代を大きくして、引っ張り歪みを小さくするようにした。例文帳に追加

A hollow part 13 deformed by compression at collision time of the axle 30 is formed to be inserted in the inside of the elastic unit 12, also a bottom surface 17 of the hollow part 13 is formed in wave shape of fine pitch between each mountain part 18, and tensile strain is decreased by increasing a deflection margin in the cross direction of the bottom surface 17. - 特許庁

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。例文帳に追加

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated. - 特許庁

バイポーラ・デバイスにおいて電荷キャリアの移動度を増加させる方法は、該デバイス内に圧縮歪みを生じさせて、該デバイスの内部ベースにおける正孔移動度を増加させるステップと、該デバイス内に引っ張り歪みを生じさせて、該デバイスの該内部ベースにおける電子移動度を増加させるステップと、を含む。例文帳に追加

The method to increase electronic charge carrier mobility in a bipolar device includes the steps of generating compression strain in the device to increase hole mobility on the device's internal base, and causing tensile strain in the device to increase electron mobility on the internal base of the device. - 特許庁