「"窒素を含む"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

反射防止膜１４の表面領域が適度量の酸素および窒素を含むことにより、反射防止膜としての機能を有する。例文帳に追加

In the surface region of the antireflection film 14, appropriate amount of oxygen and nitrogen is contained, thereby the film has functions as an antireflection film. - 特許庁

第１の半導体層及び第２の半導体層が、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている。例文帳に追加

The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from a group III-V chemical compound semiconductor containing nitrogen as group-V elements. - 特許庁

一酸化窒素を含む排ガスの処理など所定の気体反応を効率良く進行させることができる気体反応装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gaseous reactor capable of efficiently advancing a prescribed gaseous reaction such as the processing of exhaust gas containing nitrogen monoxide. - 特許庁

透光性基板１上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜２を有するフォトマスクブランクの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing a photomask blank that includes a light-shielding film 2 including at least chromium and nitrogen on a translucent substrate 1 is provided. - 特許庁

簡便かつ安全なプロセスおよび装置で窒素を含む酸化チタン微粒子を高収率で得ることを可能とする。例文帳に追加

To obtain titanium oxide fine particles containing nitrogen in a high yield by a simple and safe process and apparatus. - 特許庁

半導体基板１０上に窒素を含むゲート絶縁膜２５を形成し、このゲート絶縁膜２５上に選択的にゲート電極２７を形成する。例文帳に追加

A gate insulated film 25 including nitrogen is formed on a semiconductor substrate 10, and a gate electrode 27 is formed selectively on the gate insulating film 25. - 特許庁

その後、開口された有機樹脂膜を覆うように、水分を透過させにくい窒素を含む第２無機絶縁膜８０１０を成膜する。例文帳に追加

The second inorganic insulating film 8010 containing the nitrogen hardly permeating the moisture is thereafter deposited to cover the opened organic resin film. - 特許庁

高誘電率絶縁膜からなる第一の絶縁膜６ａの上に、窒素を含む第二の絶縁膜７ａを形成する。例文帳に追加

Onto a first insulating film 6a composed of a high dielectric constant insulating film, a second insulating film 7a is formed that contains nitrogen. - 特許庁

窒素を含む絶縁膜とシリコン基板との間の界面状態を適切に評価するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for evaluating the interface status between an insulating film containing nitrogen and a silicon substrate properly. - 特許庁

櫛歯状電極を、アルミニウム合金層で構成される層と、窒素を含むアルミニウム合金層で構成される層との２層構造とする。例文帳に追加

The comb-shaped electrode is constituted of two-layer structure of a layer of an aluminum alloy layer and a layer of aluminum alloy layer containing nitrogen. - 特許庁

層間絶縁膜２上に露出したバリアメタル層４の部分をフッ素および窒素を含むガスを用いてエッチングする。例文帳に追加

The section of the barrier layer 4 exposed on the interlayer insulating film 2 is etched using the gas containing fluorine and nitrogen. - 特許庁

ＡｌＧａＡｓ層１３の表面には、ホウ素、炭素及び窒素を含む半絶縁性のＢＣＮ膜１９が形成されている。例文帳に追加

A semi-insulating BCN film 19 containing boron, carbon, and nitrogen is formed on a layer of the AlGaAs layer 13. - 特許庁

結晶性の良好な窒素を含む化合物半導体または窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を容易に成長させる。例文帳に追加

To provide a method for easily depositing a compound semiconductor containing nitrogen of good crystallinity or a semiconductor of a nitride-based group III-V compound. - 特許庁

硝酸性窒素を含む排水を１００℃以下の温度で硝酸性窒素を除去する安価な硝酸性窒素含有水の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a low-cost treatment method of nitrate nitrogen-containing water which removes nitrate nitrogen from nitrate nitrogen-containing wastewater at 100°C or lower. - 特許庁

チゲサイクリンは、非反応性ガス（例えば、窒素）を含む不活性ガス媒体を注入すること、および温度の制御により、プロセスの間保護される。例文帳に追加

Tigecycline is protected during the process by injection of an inactive gas medium containing a non-reactive gas (e.g., nitrogen) and temperature control. - 特許庁

窒素を含む化合物半導体の成長方法および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING NITROGEN-CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR DEPOSITING NIRIDE-BASED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

第１の導電層１１および第２の導電層１２は、第１および第２の側壁１１ｓおよび１２ｓ付近に窒素を含む。例文帳に追加

The layers 11 and 12 contain 7 nitrogen near the sidewalls 11s and 12s. - 特許庁

その後、開口された有機樹脂膜を覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。例文帳に追加

Then a nitrogen-containing inorganic insulating film which has smaller permeability to water than the organic resin is formed over the organic resin film with the opening. - 特許庁

その後、窒素、ＮＨ_3など窒素を含むガスやＡｒ、Ｈｅなど不活性ガス中にて４００〜７００℃にて熱処理を行う。例文帳に追加

Then, annealing is performed at 400-700 °C in nitrogen, gas containing nitrogen such as NH_3, and inert gas such as Ar and He. - 特許庁

窒素を含む有機性廃棄物を酸醗酵槽１で酸醗酵させた後、一部をメタン醗酵槽２に導入する。例文帳に追加

After subjecting the org. waste containing the nitrogen to the acid fermentation at an acid fermentation tank 1, a part of acid fermentation liq. is introduced into a methane fermentation tank 2. - 特許庁

伝導性材料を改質する工程は、伝導性材料の一部を、窒素を含むガスを含むプラズマに晒す工程を含む。例文帳に追加

The process for reforming the conductive material includes a process wherein part of the conductive material is exposed to plasma including gases such as nitrogen gas. - 特許庁

基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The diamond film is synthesized on a base body and contains nitrogen in an amount of ≥3×10^18 cm^-3. - 特許庁

この原子燃料は、^15Ｎが少なくとも約５０％、最も好ましくは約９５％に同位体濃縮された窒素を含む。例文帳に追加

This nuclear reactor fuel contains nitrogen with at least about 50%, most preferably about 95%, of enriched ^15N. - 特許庁

沸騰水型原子力発電プラントの原子炉炉水中に、酸化数が負の状態の窒素を含む還元性窒素化合物を注入する。例文帳に追加

Reducing nitride containing the nitrogen whose number of oxidations is negative is injected into reactor water in a nuclear power generation plant with a boiling water reactor. - 特許庁

畜産廃水及び糞尿等のような高濃度の窒素を含む汚廃水の処理装置及びその処理方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR TREATING HIGH-CONCENTRATION NITROGEN-CONTAINING DIRTY WASTE WATER SUCH AS WASTE WATER FROM LIVESTOCK FARMER AND EXCRETA - 特許庁

次に、サファイア基板１の露出している部分の上に、ＧａＮ膜３（窒素を含む化合物半導体膜）をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Next, a GaN film 3 (a compound semiconductor film) is epitaxially grown on the exposed surface of the sapphire substrate 1. - 特許庁

該ＴＦＴを覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。例文帳に追加

A nitrogen-containing inorganic insulating film which has smaller permeability to water than organic resin is formed over a TFT. - 特許庁

次いで、下地膜２の主面２Ａを還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理し、下地膜２の主面２Ａ上の表面欠陥を除去する。例文帳に追加

Then surface defects which occur on the main surface 2A of the foundation film 2 are removed by heat-treating the main surface 2A in an atmosphere containing a reducing nitrogen. - 特許庁

ＴＦＴ８００１を覆うように、水分を透過させにくい窒素を含む第１無機絶縁膜８００８を成膜する。例文帳に追加

The first inorganic insulating film 8008 containing nitrogen hardly permeating the moisture is deposited to cover a TFT 8001. - 特許庁

（２）反射層をスパッタリングにより形成するに際し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる相変化型光記録媒体の作製方法。例文帳に追加

(2) In the method for manufacturing the phase transition type optical recording medium, a sputtering gas containing nitrogen is used when the reflecting layer is formed by sputtering. - 特許庁

そして、ソース２とドレイン３ａ，３ｂの少なくとも一方が、その表面近傍に濃度ピークが位置するように窒素を含む。例文帳に追加

Further, at least either of the source 2 or the set of the drains 3a, 3b contains nitrogen respectively, such that the respective peaks of the concentrations of nitrogen is positioned in the vicinities of their surfaces. - 特許庁

窒素を含む膜に寸歩精度の高いパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for forming a pattern having a highly precise size on a film containing nitrogen. - 特許庁

また、少なくとも亜酸化窒素を含む混合ガスを活性炭に吸着させる際の温度は、−８０〜４０℃であることが好ましい。例文帳に追加

Also a range of (-80)-(+40)°C is preferable as adsorption temperature of the mixed gas at least containing nitrous oxide to the activated carbon. - 特許庁

膜厚の薄膜化を可能とする構造を有する、シリコン、酸素および窒素を含む絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising an insulating film having a structure capable of thinning a film thickness and including silicon, oxigen, and hydrogen. - 特許庁

被覆２は炭素と窒素を含む層と、他の化合物層とが交互に積層または粒状に複合化される。例文帳に追加

The coating 2 is the one in which a layer contg. carbon and nitrogen and the other compd. layer are alternately laminated or compounded into the shape of particles. - 特許庁

燃焼した時、水蒸気および窒素を含む無毒性のガスを生成するガス発生組成物およびそれらの利用法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal complexe which generates an unpoisonous gas containing water vapor and nitrogen when burned, and also to provide their applications. - 特許庁

ガスバリア無機質層は、窒素を含む酸化珪素膜よりなり、平坦化無機質層は、炭素を含む酸化珪素膜よりなる。例文帳に追加

The gas barrier inorganic layer is composed of a film of a silicon oxide, and the flattened inorganic layer is composed of a carbon-containing film of a silicon oxide. - 特許庁

亜酸化窒素を含む焼却炉１の排ガスを、集塵機４とスクラバ５で処理した後、パルスプラズマ発生装置１２で活性化させる。例文帳に追加

After exhaust gas of an incinerator 1 containing nitrous oxide is treated by a dust collector 4 and a scrubber 5, the exhaust gas is activated by a pulse plasma generating device 12. - 特許庁

亜酸化窒素を含む排ガスを、アンモニアを還元剤としてプラズマにより無触媒で窒素と酸素と水に還元する。例文帳に追加

The exhaust gas containing nitrous oxide is reduced to nitrogen, oxygen and water by plasma with ammonia as a reducing agent and without a catalyst. - 特許庁

炭素質薄膜２０は、酸素を含む官能基及び窒素を含む官能基の少なくとも一方を有する。例文帳に追加

The carbonaceous thin film 20 contains at least one selected from an oxygen-containing functional group and a nitrogen-containing functional group. - 特許庁

窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。例文帳に追加

To efficiently remove foreign substances and the like that are stuck on the surface or diffused into the surface layer of a silicon material without using nitric acid containing nitrogen. - 特許庁

手術室から排出される、揮発性麻酔ガスと亜酸化窒素を含む余剰麻酔ガスを処理する方法及び処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a process and an apparatus for treating a residual anesthetic gas containing a volatile anesthetic and nitrous oxide, discharged from an operating room. - 特許庁

手術室から排出される、揮発性麻酔ガスと亜酸化窒素を含む余剰麻酔ガスを処理する方法及び処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating excess anesthetic gas containing volatile anesthetic gas and nitrous oxide discharged from an operating room and a treatment equipment for the same. - 特許庁

半導体基板に半導体素子を形成し、前記半導体素子上に、窒素を含むシリコン酸化膜を形成し、前記窒素を含むシリコン酸化膜中に、重水素を導入し、前記半導体基板を加熱して、重水素を拡散する。例文帳に追加

The method comprises the steps of: forming a semiconductor device on a semiconductor substrate; forming silicon oxide film including nitrogen on the semiconductor device; introducing the heavy hydrogen to the silicon oxide film including the nitrogen; and diffusing the heavy hydrogen by heating the semiconductor substrate. - 特許庁

この端子側配線４５ａの表面を露出するコンタクトホール１１ｂのコンタクト部１２ａにおける窒素を含むアルミニウム膜５ａの膜厚は、窒素を含むアルミニウム膜の比抵抗に基づいて所定の膜厚ｄ_1に設定されている。例文帳に追加

The thickness of the aluminum film 5a containing nitrogen in the contact part 12a of the contact hole 11b exposed on the surface of the terminal wiring 45a is controlled to specified film thickness d1 based on the resistivity of the aluminum film containing nitrogen. - 特許庁