「"窒素を含む"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

少なくとも１個の有機置換基を有し、四価でカチオン性の窒素を含む窒素化合物を配合することによって、エラストマー性のシリコーン組成物、付加硬化した射出成形可能な組成物の圧縮永久歪が低下する。例文帳に追加

The compression set of an elastomeric silicone composition, or an addition cured injection moldable composition is lowered by blending it with a nitrogen compound having at least one organic substituent and including a quaternary cationic nitrogen. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜（１）に形成された銅配線（３ｂ）における露出部位に、窒素を含む層（４ａ）を形成する。例文帳に追加

In manufacturing the semiconductor device, a layer (4a) containing nitrogen is formed in an exposed portion of the copper interconnection line (3b) formed in an insulation film (1) on a substrate. - 特許庁

Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method that enables to expand a process window for growing a group III-V compound semiconductor including nitrogen as a group V. - 特許庁

窓明けにより露出した基板上と絶縁体上に、構成元素として少なくとも窒素を含む化合物半導体を積層して半導体材料を形成する。例文帳に追加

A compound semiconductor, containing at least a nitrogen as a constituting element, is laminated on the substrate exposed by the window opening and the insulator to form a semiconductor material. - 特許庁

フラックス法などのように、アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境下で使用される場合にも、劣化の少ない熱電対及び反応系及び結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thermocouple, a reaction system, and a crystal growth device, less deteriorated even when they are used in an environment where substances exist containing alkaline metals and at least nitrogen, like a flux method, etc. - 特許庁

少なくとも一酸化炭素を含有する、窒素を含む又は含まない粗ＨＣｌガスから、一酸化炭素含有ガスを除去する、効果的かつより単純な方法、およびこの方法を組み合わせたＨＣｌ酸化方法を提供する。例文帳に追加

To provide an effective and simple method of removing a carbon monoxide-containing gas from a coarse HCl gas including at least a carbon monoxide, and including or not including nitrogen, and a method of oxidizing HCl combined with the method. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって窒化ホウ素微小体の水素吸蔵材料を得る。例文帳に追加

In the method for manufacturing the hydrogen occlusion material, the hydrogen occlusion material of boron nitride fine body is obtained by heat-treating a powder in which a powder containing a metal oxide and a powder containing boron are mixed in an inactive atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

この導電材料は、例えば、Ｌｉ_4Ｔｉ_5Ｏ_12焼結体をターゲットとして用いて、窒素を含む雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリングを行った後のターゲットである。例文帳に追加

The conductive material is, for example, a target after RF magnetron sputtering under an atmosphere containing nitrogen, using the Li_4Ti_5O_12 sintered body as the target. - 特許庁

窒素を含むゲート絶縁膜にプラズマ酸化処理を行うことで、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can suppress deterioration in characteristic of a thin film transistor by performing plasma oxidation treatment on a gate insulation film including nitrogen. - 特許庁

異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。例文帳に追加

The anisotropy forming layer 92 is, for example, a thin film made by sputtering a chrome niobium alloy target with a process gas containing nitrogen, and exposed to an oxygen gas with about 0.5-10 Pa after forming this film. - 特許庁

本発明の相変化メモリ装置の形成方法は、基板に相変化物質用前駆体及び窒素を含む反応性ラジカルを提供して相変化物質膜を形成するステップを有する。例文帳に追加

The method for forming the phase change memory device includes a step of applying a precursor for phase change material and a reactive radical containing nitrogen on a substrate to form phase change material film. - 特許庁

InGaAsチャネル層１０４を成長した後、AsH_3を供給したままで、キャリアガスを水素から20％の窒素を含む水素に切り換え、基板温度を1000℃まで昇温する。例文帳に追加

The method for growing the SiC layer comprises the steps of growing an InGaAs channel layer 104, then switching a carrier gas to a hydrogen containing the nitrogen of 20% from a hydrogen, and heating a board to 1,000°C. - 特許庁

農業廃水、生活排水、工業排水など環境中における窒素を含む尿素、アンモニア、硝酸塩の分解及び高ＢＯＤ値を示す試料の分解を小規模な装置でかつ低エネルギー、低コストで実現することにある。例文帳に追加

To realize decomposition of nitrogen-containing urea, ammonia, and nitrate in the environment, such as agricultural effluent, domestic effluent, and industrial wastewater, and decomposition of a specimen having high BOD at low energy and cost with a small-scale apparatus. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とほう素を含有する粉末を混合した粉末を、窒素を含む不活性の雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素を作製することを特徴とする窒化ほう素粉末の製造方法を用いる。例文帳に追加

In a manufacturing method of the boron nitride powder, a powder mixture of a powder containing a metal oxide and a boron-containing powder is heat-treated in an inert atmosphere including nitrogen to prepare boron nitride. - 特許庁

上記第１,第２吸着筒４Ａ,４Ｂから排出された窒素を含むガスを、排出ガス流路Ｌを介してコンプレッサ２のケーシング内部に導いた後に外部に排出する。例文帳に追加

The gas which is discharged from the first and second absorption cylinders 4A, 4B and contains nitrogen is discharged outside after being introduced to the inside of the casing of the compressor 2 through a discharging gas flow passage L. - 特許庁

本発明は、前記従来の問題を解決し、微細化した金属配線を保護する保護絶縁膜を窒素を含む絶縁膜により成膜する際に、該金属配線に生じる形状不良を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent a shape failure caused in miniaturized metal wiring when a protective insulating film for protecting the fine metal wiring is made of an insulating film containing nitrogen. - 特許庁

ＳＳ性有機物とアンモニア性窒素を含む排水を沈殿槽１で固液分離し、分離汚泥を嫌気性消化槽２でメタン醗酵処理する。例文帳に追加

The wastewater containing suspended solid organic substances and ammoniacal nitrogen is separated into sludge and liquid in a precipitation tank 1, and the separated sludge is subjected to methane fermentation treatment in an anaerobic nitrification tank 2. - 特許庁

水素循環ポンプ４の運転によりアノードの窒素を含むガスが循環し、ガスがアノードに生成された水を搬送し、搬送された水が気液分離器７において回収される。例文帳に追加

By the operation of the hydrogen circulation pump 4, the gas in the anode containing nitrogen is circulated, and transports water generated in the anode, then, the transported water is recovered in the gas-liquid separator 7. - 特許庁

第２導電体層２０の上に、遷移金属シリサイド層と同一の遷移金属シリサイド層からなり、窒素を含む第３導電体層３０が設けられている。例文帳に追加

On the second conductor layer 20 is provided a third nitrogen-containing conductor layer 30 composed of the same transition metal silicide layer as the transition metal silicide layer. - 特許庁

次に、上述した水質浄化促進材及び水質浄化材からなる高機能水質浄化材を硝酸態窒素を含む汚染水に添加する（１０３）。例文帳に追加

Subsequently, a highly functional water purification material comprising the above water purification promoting material and the above water purification material is added to polluted water containing nitrate nitrogen (103). - 特許庁

基板上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体。例文帳に追加

The laminate for forming the substrate having wiring has an underlayer containing oxygen and/or nitrogen with an Ni-Mo alloy as a main constituent, and a conductive layer with Mo as a main constituent on a substrate. - 特許庁

窒素を含むプラズマを使用して、低誘電率有機材料層の上のフォトレジスト層の実質的に大部分を除去し、その後に低誘電率有機材料層の露出表面上にオキシ窒化ケイ素層を形成する。例文帳に追加

A substantially large part of a photoresist layer on a low dielectric constant organic material layer 102 is removed by a plasma108 containing nitrogen atoms, and thereafter an oxynitride silicon layer is formed on an exposed surface of the organic material layer. - 特許庁

基板１０の上に、アルミニウムを含むゲート配線用導電膜を積層し、その上部に真空を維持して連続的にアルミニウム及び窒素を含む窒化物導電膜２００を積層して、ゲート配線２２，２４，２６を形成する。例文帳に追加

A conductive film for gate wiring containing aluminum is laminated on a substrate 10 and a nitride conductive film 200 containing aluminum and nitrogen is continuously laminated by maintaining a vacuum on the upper part thereof to form gate wirings 22, 24 and 26. - 特許庁

バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。例文帳に追加

After growing the buffer layer 13, the gallium oxide substrate 11 and the buffer layer 13 are exposed to the atmosphere of a growth furnace 10 at 1,050°C, while a gas G2 containing hydrogen and nitrogen is supplied to the growth furnace 10. - 特許庁

金属を主成分とする原料粉末を成形すると共に焼結してなる焼結体２において、原料粉末が還元鉄粉を４０質量％以上含み、開放気孔率が２％以下で、窒素を含む。例文帳に追加

In the sintered compact 2 obtained by subjecting raw material powder essentially consisting of metal to molding and sintering, the raw material powder contains ≥40 mass% reduced iron powder, has an open porosity of ≤2%, and contains nitrogen. - 特許庁

更にシェル状構造の炭素粒子の炭素網面のエッジ面に、シェル状構造の炭素粒子表面の炭素に対して原子比で０．０１〜０．２の窒素を含む。例文帳に追加

Furthermore, the edge surface of the carbon network face of the carbon particles of shell-like structure contains nitrogen of 0.01-0.2 atomic ratio against the carbon on the surface of the carbon particles of shell-like structure. - 特許庁

揮発性麻酔剤と亜酸化窒素を含む余剰麻酔ガスを処理する方法であって、前記麻酔余剰ガスを触媒と接触させた後、吸着材と接触させることに要旨を有する余剰麻酔ガスの処理方法。例文帳に追加

The anesthetic gas containing volatile anaesthetics and nitrous oxide is processed, the surplus anesthetic gas is brought into contact with a catalyst, and then brought into contact with an adsorbent. - 特許庁

アンモニア性窒素を含む原水は４個の硝化室１，２，３，４を有した硝化槽１０の第１室１に導入され、各室１，２，３，４を順次に通過する。例文帳に追加

An ammoniacal nitrogen-containing raw water is introduced into a first chamber 1 of a nitration tank 10 having four nitration chambers 1, 2, 3 and 4 and passes each of the chambers 1, 2, 3 and 4 in this order. - 特許庁

本発明の半導体装置は珪素と窒素を含む無機絶縁膜の疎水性表面に、有機絶縁膜が密着して形成された積層構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device has a laminated structure formed so as to closely adhere an organic insulating film to a hydrophobic surface of an inorganic insulating film containing silicon and nitride. - 特許庁

そして、該有機樹脂膜の開口部において、ゲート絶縁膜と、２層の窒素を含む無機絶縁膜とをエッチングにより部分的に開口し、ＴＦＴの活性層を露出させる。例文帳に追加

Subsequently, a gate insulating film and the two nitrogen-containing inorganic insulating films are partially opened by etching at the opening part of the organic resin film to expose the active layer of the TFT. - 特許庁

金属を主成分とする原料粉末を成形すると共に焼結してなる焼結体１において、原料粉末が還元鉄粉を４０質量％以上含み、開放気孔率が１．５％以下で、窒素を含む。例文帳に追加

In a sintered compact 1 obtained by compacting and raw material powder essentially consisting of metal, the raw material powder contains ≥40 mass% reduced iron powder, has an open porosity of ≤1.5%, and contains nitrogen. - 特許庁

鋼板の表面に、チタンおよび窒素を含むアモルファス状の被膜を有する方向性電磁鋼板において、該被膜中のTiとＮとの原子数比率Ti／Ｎを１を超え５以下の範囲とする。例文帳に追加

Regarding the grain oriented silicon steel sheet has an amorphous film containing titanium and nitrogen formed on the surface, wherein the ratio of the number of Ti atoms to the number of N atoms (Ti/N) in the film is controlled to >1 to ≤5. - 特許庁

コーティング中のアーク電流を５０Ａ以上、窒素を含むプロセスガス圧力を２．６６Ｐａ以下、及び基材バイアス電圧を１００〜５００Ｖに調整することを特徴とするＰＶＤによる窒化クロムのコーティング方法。例文帳に追加

This method for coating chromium nitride by PVD comprises adjusting respectively arc current, the pressure of a nitrogen-containing gas, and the bias voltage on a substrate to at least 50 A, to at most 2.66 Pa, and to 100-500 V during coating. - 特許庁

溶射法において、窒素を含む熱プラズマの高輝な部分を基材に接触させながら、熱プラズマ中に鉄を投入することにより基材上に窒化鉄を主体とする溶射膜を形成する。例文帳に追加

The thermal-sprayed film mainly containing iron nitride is formed on a substrate, by charging iron in thermal plasma while contacting a strongly luminant part of the thermal plasma containing nitrogen with the substrate, in the thermal spraying process. - 特許庁

ＮｉＳｉ層１１０は、素子形成面に接して設けられ、窒素を実質的に含まないＮｉＳｉ領域１１１と、ＮｉＳｉ領域１１１の上部に接して設けられ、窒素を含む窒化領域１１７と、からなる。例文帳に追加

The NiSi layer 110 is provided to be contacted with the element formation surface; and made up of a NiSi region 111 substantially not containing nitrogen and a nitride region 117 provided to be contacted with the upper part of the NiSi region 111, and containing nitrogen. - 特許庁

金属部材の表面粗度をほとんど変化させることなく均一に金属部材の表面に炭素及び窒素を含む硬質層を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for uniformly forming a hard layer containing carbon and nitrogen on the surface of a metallic member almost without changing a surface roughness of the metallic member. - 特許庁

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask. - 特許庁

ＳｉＣ_xＨ_yＯ_z （ｘ＞０、ｙ≧０、ｚ＞０）で表される有機無機ハイブリッド膜１０４を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。例文帳に追加

Plasma etching for an organic and inorganic hybrid film 104, which is indicated as SiCxHyO2 (x>0, y≥0 and z>0) is made using an etching gas. - 特許庁

（式中、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、またはＰｄであり、ＣｙＮは、Ｍと結合する窒素を含むヘテロ環基等、ＣｙＣは、Ｍと結合する炭素を含む炭素環基等、Ｙはアリール基またはヘテロアリール基である。）例文帳に追加

In the formula, M represents Ir, Pt, Rh or Pd; CyN represents a heterocylic group or the like containing nitrogen that combines with M; CyC represents a carbocyclic ring group or the like, containing carbon that combines with M; and Y represents an aryl group or a hetero aryl group. - 特許庁

基板に、少なくとも窒素を含む絶縁膜を含むゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上から、フラッシュランプを用いて、約５００msec以下の熱処理を行う。例文帳に追加

The gate insulating film comprising an insulating film at least containing nitrogen is formed on the substrate, and heat treatment of not more than about 500 msec is applied from the upper part of the gate insulating film employing a flush lamp. - 特許庁

温水が付いた場合においても、ぬめりが出ない、窒素を含む複素環化合物とリン酸からなる化合物を疎水性化合物で表面処理してなる難燃性添加物を提供する。例文帳に追加

To provide a fire-resistant additive which does not produce slime even when warm water is attached thereto and which is obtained by surface-treating a compound comprising a nitrogen-containing heterocyclic compound and phosphoric acid with a hydrophobic compound. - 特許庁

木材薄片を含む被分解層と窒素を含む分解促進層を植生基材に設け、これにより木材の薄片を早期に分解させることで、擬似的な森林土壌層を人工法面等に再現する。例文帳に追加

To provide a vegetation base material for reproducing a quasi forest soil layer on an artificial slope through setting a to-be-decomposed layer containing wood slices and a decomposition promoting layer containing nitrogen on the vegetation base material and decomposing the wood slices at an early stage. - 特許庁

そして、有機樹脂膜の開口部において、ゲート絶縁膜と、２層の窒素を含む無機絶縁膜とをエッチングにより部分的に開口し、ＴＦＴの活性層を露出させる。例文帳に追加

The gate insulating film and two layers of the inorganic insulating films containing the nitrogen are partially opened by etching in the apertures of the organic resin film to expose the active layers of the TFTs. - 特許庁

例えば、熱処理を１ｐｐｍ以上の酸素又は／及び窒素を含む雰囲気下又は大気雰囲気下で、母材自体の少なくとも１種の構成元素の酸化反応又は窒化反応の最低温度以上の温度で行なう。例文帳に追加

For example, the heat treatment is carried out under the atmosphere containing ≥1 ppm oxygen or/and nitrogen or under the air atmosphere at a temperature not lower than the lowest temperature in the oxidizing reaction or nitriding reaction of at least one constituent element of the base material itself. - 特許庁

上記第１,第２吸着筒４Ａ,４Ｂ内を減圧することにより吸着剤から脱着された窒素を含むガスを上記第１,第２吸着筒４Ａ,４Ｂ内からガス排出部(３c,３d)により排出する。例文帳に追加

The gas containing the nitrogen desorbed from the absorbent substance is discharged from the first and second absorption cylinders 4A, 4B by gas discharging parts (3c, 3d) by reducing pressure inside the first and second absorption cylinders 4A, 4B. - 特許庁