「"窒素を含む"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

窒素を含む複素環またはシアノ基を含む多孔質膜に、少なくとも、窒素を含む複素環を有する化合物と、シアノ基を有する化合物と、酸性基を有する化合物からなる混合液を充填する工程と、前記多孔質膜に充填された混合液中の前記化合物を重合する工程と、を有する電解質膜の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method for the electrolyte membrane comprises a step for filling a liquid mixture composed of at least a compound having a nitrogen-containing heterocyclic ring, a compound having a cyano group and a compound having an acid group on the porous membrane containing a nitrogen-containing heterocyclic ring or a cyano group, and a step for polymerizing the compounds contained in the liquid mixture filled on the porous membrane. - 特許庁

（Ａ）電子供与性有機化合物と、（Ｂ）電子受容性化合物と、（Ｃ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｄ）窒素を含む基で置換された脂肪族化合物、窒素を含む基で置換された芳香族化合物、固形アルコール、及び、ステロール化合物又はその誘導体からなる群から選ばれる化合物を一種以上含む消色成分と、を含有することを特徴とする樹脂組成物。例文帳に追加

The resin composition comprises (A) an electron-donative organic compound, (B) an electron-accepting compound, (C) a compound represented by general formula (1) and (D) an achromatizing component containing one or more compounds selected from the group consisting of an aliphatic compound substituted with a nitrogen-containing group, a solid alcohol and a sterol compound or its derivative. - 特許庁

反応容器１０１内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物１１０を結晶成長させる場合に、反応容器１０１内の気体雰囲気を、少なくとも窒素を含む物質と不活性気体との混合気体とする。例文帳に追加

When a mixed melt 103 is formed from an alkaline metal and a substance containing at least a group III metal in a reaction vessel 101, and a group III nitride 110 constituted of the group III metal and nitrogen is grown from the mixed melt 103 and a substance containing at least nitrogen, the atmosphere in the reaction vessel 101 is constituted of a mixed gas of the substance containing at least nitrogen and an inert gas. - 特許庁

基板（２０１）と窒素を含む活性層（２０４）との間にＡｌを含む半導体層（２０２）が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層（２０４）の酸素濃度が、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度（例えば１×１０^１８ｃｍ^−３以下）であることを特徴としている。例文帳に追加

In a semiconductor light-emitting device provided with a semiconductor layer (202) containing Al between a substrate (201) and an active layer (204) containing nitrogen, concentration of oxygen of the active layer (204) containing nitrogen is equal to concentration (e.g. not higher than 1×10^18 cm^-3) in which the semiconductor light-emitting device can continuously oscillate at room temperature. - 特許庁

硝酸性窒素を含む被処理排水中にヒドラジンを添加して、ラネーニッケル触媒と接触させ、硝酸性窒素を窒素に還元処理する。例文帳に追加

Hydrazine is added to nitrate nitrogen-containing wastewater to be treated and this wastewater is brought into contact with a Raney nickel catalyst to reduce nitrate nitrogen to nitrogen. - 特許庁

亜鉛化合物とアンモニウム塩を含む混合物を加熱して溶融し、窒素を含む気体を蒸発させる、窒素ドープ酸化亜鉛の製造方法とする。例文帳に追加

The method for producing nitrogen-doped zinc oxide includes heating and melting a mixture containing a zinc compound and an ammonium salt, and evaporating nitrogen-containing vapor. - 特許庁

かかる合金は、生成微細炭窒化チタン−ジルコニウム析出物が溶融時の合金中におけるその限界溶解度に近くなるようにするのに十分な量のチタン、ジルコニウム、炭素及び窒素を含む。例文帳に追加

The alloy contains a sufficient amount of titanium, zirconium, carbon and nitrogen so that fine titanium-zirconium carbonitride precipitates are near their solubility limit in the alloy when molten. - 特許庁

これらの錯体は、テンプレートとしての金属カチオン、水素と窒素を含む中性リガンド、及びその錯体の電荷をバランスさせるのに足る十分な酸化性アニオンから成る。例文帳に追加

The complex comprises a metal cation as a template, a neutral ligand containing hydrogen and nitrogen, and oxidizing anion enough to balance the charge of the complex. - 特許庁

有機膜に対して、炭素、水素及び窒素を含む化合物、例えばメチルアミンを主成分とするエッチングガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行なう。例文帳に追加

The organic film is etched by using plasma composed of a compound containing carbon, hydrogen and nitrogen such as an etching gas whose principal component is methylamine. - 特許庁

省エネルギー化が図れてコスト的にも有利となり、また高濃度のアンモニア態窒素を含む廃水に対してもこれに対応できるアンモニア態窒素含有廃水の処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for treating wastewater containing ammonia nitrogen, which save energy, are advantageous in cost and can correspond to wastewater having highly concentrated ammonia nitrogen. - 特許庁

これら錯体は、カチオン性の金属テンプレート、その錯体の電荷に均衡するのに十分な酸化性アニオンおよび、水素と窒素を含む中性の配位子を含んでなる。例文帳に追加

The complexe is comprised of a cationic metal template, a sufficient oxidizing anion to balance the charge of the complex and a neutral ligand containing hydrogen and nitrogen. - 特許庁

一酸化窒素及び二酸化窒素を含む空気等の処理対象ガスから、優れた処理能力で効率よくこれらの窒素酸化物を除去できる処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method for efficiently removing nitrogen oxide from gas to be treated, such as air containing nitrogen monoxide and nitrogen dioxide, with high treatment performance. - 特許庁

減圧雰囲気下におけるアンモニアと活性窒素を含む窒化促進ガスを利用したガス窒化処理によって、オーステナイト系ステンレス鋼の表面に窒化層を形成すると、その上に酸化層を形成し易い。例文帳に追加

When the nitriding layer is formed on the surface of the austenitic stainless steel by gas nitriding treatment using a nitriding promotion gas comprising ammonia and active nitrogen in an evacuated atmosphere, the oxidizing layer is easily formed thereon. - 特許庁

低誘電率絶縁膜であるメチルポリシロキサン膜５上のフォトレジストパターン６を、酸素および窒素を含むガスを用いたプラズマ処理により剥離する。例文帳に追加

The photoresist pattern 6 on a methyl polysiloxane film which is a low dielectric constant insulation film is removed, using a gas consisting of oxygen and nitrogen in a plasma processing. - 特許庁

アンモニア性窒素および亜硝酸性窒素を含む排液を独立栄養性脱窒微生物により脱窒する生物学的排液処理方法において、モリブデンを共存させる排液処理方法。例文帳に追加

In the biological waste liquid treatment method where a waste liquid containing ammonia nitrogen and nitrite nitrogen is denitrified by the autotrophic denitrifying microorganisms, the method is characterized in that molybdenum is present. - 特許庁

一酸化炭素，水素，窒素を含む雰囲気ガスを高いＳＶ値においても効率的に発生させることができる小型の雰囲気ガス発生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a small atmosphere gas generating equipment which can effectively generate atmosphere gas including carbon monoxide, hydrogen and nitrogen at the value of high SV. - 特許庁

アンモニア性窒素を含む廃水を、長期間、効率的に亜硝酸型硝化脱窒処理する生物学的硝化処理方法及び硝化装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a biological nitrification process and nitrification apparatus for subjecting waste water containing ammonia nitrogen to efficient nitrite nitrification-denitrification for a long period. - 特許庁

シリコン基板１の上には、ゲート絶縁膜１２とゲート電極８とが形成されていて、ゲート絶縁膜１２は、少なくともハフニウム、酸素、フッ素および窒素を含む。例文帳に追加

A gate insulating film 12 and a gate electrode 8 are formed on a silicon substrate 1, and the gate insulating film 12 contains at least hafnium, oxygen, fluorine, and nitrogen. - 特許庁

半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも４０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素を含む窒素含有膜である。例文帳に追加

The semipermeable membrane is a nitrogen containing film containing ≥40 mol% to <50 mol% nitrogen in either aluminum or an alloy consisting essentially of aluminum. - 特許庁

窒化物は、成長前に触媒体の表面をアンモニアなどの窒素を含む雰囲気中において１６００〜２１００℃前後の高温に加熱して窒化することにより形成する。例文帳に追加

Nitride is formed by heating to nitride the surface of catalyst at a high temperature of 1600 to 2100°C before the growth in an atmosphere including nitrogen such as ammonia. - 特許庁

また、本発明の亜酸化窒素除去方法は、流動層燃焼炉内で、前記活性アルミナ触媒と亜酸化窒素を含む燃焼ガスを接触させることにより、前記亜酸化窒素を除去することを特徴とする。例文帳に追加

The method of removing nitrous oxide includes the process of contacting the activated alumina catalyst with the combustion gas in a fluidized bed combustion furnace. - 特許庁

排水中に含まれる有機物を効率的に且つ十分に分解し、特に窒素を含む有機物については窒素ガスの形まで分解することのできる有機物含有排水の処理装置及び処理方法を提供する。例文帳に追加

To efficiently and sufficiently decompose organic substances contained in wastewater, in particular, to decompose an organic substance containing nitrogen until the form of gaseous nitrogen. - 特許庁

二酸化炭素、水素、酸素及び窒素を含む混合ガスにて一酸化炭素に耐性のある細菌を二酸化炭素を固定のもと培養することによって、前記細菌体内に蓄積生産されることを特徴とする生分解性プラスチック。例文帳に追加

The biodegradable plastic is produced and accumulated within bacterial cells by culturing a carbon dioxide-fixing bacterium resistant to carbon monoxide in a mixed gas comprising carbon dioxide, hydrogen, oxygen and nitrogen. - 特許庁

ガラス基板２上にアルミニウム合金膜４ａおよび窒素を含むアルミニウム膜５ａが積層された端子側配線４５ａが形成されている。例文帳に追加

A terminal wiring 45a consisting of laminated layers of an aluminum alloy film 4a and an aluminum film 5a containing nitrogen is formed on a glass substrate 2. - 特許庁

単結晶半導体基板１中には、窒素を含むクラスター含有層１０が形成され、クラスター含有層１０が不純物を取り除く効果を有している。例文帳に追加

A cluster-contained layer 10 containing nitrogen is formed on the single crystal semiconductor substrate 1 to remove impurities effectively. - 特許庁

空気等の一酸化窒素及び二酸化窒素を含む処理対象ガス中に含まれる窒素酸化物を、大型の装備を使用することなく、優れた処理能力及び除去率で除去できる処理方法及び処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method and a treatment apparatus for removing nitrogen oxides contained in a treatment object gas such as air containing nitrogen monoxide and nitrogen dioxide with excellent throughput and removal rate without using large-sized equipment. - 特許庁

異方性付与層９２は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。例文帳に追加

The anisotropy forming layer 92 is a thin film of a tantalum, niobium alloy or tantalum alloy, is nitride or contains nitrogen, and its surface has been exposed to the atmospheric gas, nitrogen gas, or oxygen gas, and denaturalized. - 特許庁

窒素を含む有機性廃水の浮遊物、ＢＯＤ、窒素、及び汚泥の嫌気性消化処理を、効率的に、かつ余計な薬品を必要とせずに行うことのできる生物脱窒処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a biological denitrification treatment apparatus capable of efficiently performing the anaerobic digestion treatment of floating matter, BOD, nitrogen and sludge of nitrogen-containing organic wastewater without requiring excessive chemicals. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末と、ホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって、窒化ホウ素の微小体で構成される樹脂強化剤を得る。例文帳に追加

This resin-reinforcing material is characterized by comprising boron nitride micro bodies obtained by thermally treating a powder mixture of powder containing a metal oxide with powder containing boron in an inert atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

金属窒化物粉末とほう素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含むガス、水素、不活性ガスの少なくとも一つから成る雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素クラスターを製造する。例文帳に追加

A boron nitride cluster is manufactured by heat-treating a powder prepared by mixing a metal nitride powder and a powder containing boron in an atmosphere comprising at least one among a gas containing nitrogen, hydrogen, and an inert gas. - 特許庁

シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions. - 特許庁

基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。例文帳に追加

To remarkably improve light emitting characteristics in a semiconductor light emitting element having a semiconductor layer containing Al and provided between a substrate and an active layer containing nitrogen. - 特許庁

その後、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を有する有機シリコン化合物を原料として用いて、プラズマＣＶＤ法により、窒素を含む層（４ａ）の上に層間絶縁膜（５）を形成する。例文帳に追加

Thereafter, with an organic silicon compound having a siloxane bond (Si-O-Si) as a material, the interlayer insulation film (5) is formed by plasma CVD on the layer (4a) containing nitrogen. - 特許庁

燃料として、少なくとも水素および窒素を含む化合物を含み、電解質層として、アニオン交換膜が用いられる燃料電池において、優れた発電性能を有する燃料電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a fuel cell with excellent power generation performance, which uses a compound containing at least hydrogen and nitrogen as a fuel and an anion exchange film as an electrolyte layer. - 特許庁

活性層を劣化させることなく窒素を含むｐ型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which resistance of a p-type III-V group compound semiconductor layer including nitrogen can be made low without deteriorating an active layer. - 特許庁

アルミニウム、イオウ、及びフッ素の３元素成分、更に窒素を含む複素環式低分子化合物を化合物成分として含有することを特徴とする液体急結剤用組成物、液体急結剤、吹付け材、及び該吹付け材を用いた吹付け工法。例文帳に追加

The composition for the liquid quick setting agent contains the three element components of aluminum, sulfur and fluorine, and further, a nitrogen-containing heterocyclic low molecule compound as compound components. - 特許庁

また、その製造に際しては、炭素材、遷移金属とケイ素からなる合金、および炭素前駆体を混合し、得られた混合物を窒素を含む雰囲気中で焼成する。例文帳に追加

At the time of manufacturing, the composite material, the carbon material, the alloy consisting of the transition metal and silicon and carbon precursor are mixed and the obtained mixture is burnt in an atmosphere including nitrogen. - 特許庁

更に、窒素を含むプラズマによってα−Ｆｅ金属微粒子に対する窒化処理を行い、α−Ｆｅ金属微粒子からＦｅ_16Ｎ_2化合物微粒子を形成する（第３工程）。例文帳に追加

A nitriding treatment for the α-Fe metal fine particle is performed using plasma containing nitrogen and an Fe_16N_2 compound fine particle is formed from the α-Fe metal fine particle (third step). - 特許庁

また、基板１０の表面上にのみ第１金属膜を形成した後、第１金属膜を窒素プラズマに処理して第１金属膜を、窒素を含む絶縁膜で形成する。例文帳に追加

After a first metal film is formed only on the surface of the wafer 10, the first metal film is nitrogen-plasma treated and the first nitrogen metal film is formed with an insulation films including nitrogen. - 特許庁

硝酸態窒素を含む排水を嫌気条件下に生物学的に処理する排水中の窒素除去方法において、還元剤として硫化水素ナトリウムを使用することを特徴とする排水中の窒素除去方法。例文帳に追加

In the nitrogen removal method for biologically treating the nitrogen-containing wastewater under an anaerobic condition, sodium hydrogensulfide is used as the reducing agent. - 特許庁

アンモニア性窒素を含む原水を硝化槽１に導入し、アンモニア酸化細菌の作用により原水中のアンモニア性窒素の少なくとも一部を亜硝酸性窒素に酸化する。例文帳に追加

An ammoniacal nitrogen-containing raw water is introduced into a nitrification tank 1, and at least a part of the ammoniacal nitrogen in the raw water is oxidized to nitrite nitrogen by the action of ammonia- oxidizing bacteria. - 特許庁

炭化珪素からなる半導体層１上に、炭化珪素、酸素、および窒素を含むＮＯ酸化膜３を形成した後、ＮＯ酸化膜３を貫通する孔を形成する。例文帳に追加

An NO oxide film 3 containing silicon carbide, oxygen, and nitrogen is formed on a semiconductor layer 1 comprising silicon carbide, and then a hole piercing the NO oxide layer 3 is formed. - 特許庁

また本発明に係る窒素固定化方法は、光触媒機能を有する無機物半導体微粒子と無機物半導体微粒子を覆う導電性ポリマーを窒素を含む雰囲気中に配置して光を照射する。例文帳に追加

The nitrogen fixation method is carried out by arranging the inorganic substance semiconductor fine particle having the photocatalytic function and the conductive polymer covering the inorganic substance semiconductor fine particle in an atmosphere containing nitrogen and irradiating them with light. - 特許庁

硝酸性窒素を含む排水を１００℃未満の温度で硝酸性窒素を高い反応速度で除去できる安価な硝酸性窒素含有水の処理用触媒および該触媒を用いた処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive catalyst for treating nitrate nitrogen-containing water, which can remove nitrate-nitrogen at temperatures of less than 100°C at a high reaction velocity from wastewater containing nitrate-nitrogen, and a treatment method using the catalyst. - 特許庁

窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。例文帳に追加

To form a semiconductor device, having an Schottky characteristics at a gate electrode, by removing or reducing damages due to etching that have occurred on the surface of a compound semiconductor layer containing nitrogen. - 特許庁