「"窒素を含む"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の金属部材の炭窒化法は、金属部材を加熱手段により３００〜６５０°Ｃの温度に維持しながら、アンモニアガス、炭化水素ガス及び水素ガスを用い、金属部材の表面に対して０.００１〜２.０ｍＡ／ｃｍ^2の電流密度でグロー放電を行い、金属部材の表面に炭素及び窒素を含む硬質層を形成するものである。例文帳に追加

The method for carbonitriding the metallic member includes forming glow discharge having a current density of 0.001 to 2.0 mA/cm^2 on the surface of the metallic member by using ammonia gas, hydrocarbon gas and hydrogen gas, while keeping the metallic member at 300 to 650°C by using a heating means, and forming the hard layer containing carbon and nitrogen on the surface of the metallic member. - 特許庁

ＳＩＭＯＸ基板の上部シリコン領域４２の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜４６を成長させる工程とを包含する。例文帳に追加

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included. - 特許庁

紫外線エンハンサUVEは、紫外線透過性外囲器21と、紫外線透過性外囲器の内部に封入された少なくとも窒素を含むイオン化媒体と、紫外線透過性外囲器の内部に封入されたイオン化媒体の放電を生起するように配設された内部電極22および外部電極23とを具備しており、イオン化媒体の放電によって紫外線を放射する。例文帳に追加

The ultraviolet ray enhancer UVE includes: an ultraviolet ray translucent envelope 21; an ionized medium to contain at least nitrogen sealed into the inside of the ultraviolet ray translucent envelope; and an inner-electrode 22 and an outer-electrode 23 arranged and installed so as to form discharge of the ionized medium sealed into the interior of the ultraviolet ray envelope, wherein the ultraviolet rays are radiated by the discharge of the ionized medium. - 特許庁

配線と、配線に接続されるプラグとを有する半導体装置の製造方法であって、配線上に絶縁膜を形成する工程と、プラグを形成するためにドライエッチングにより絶縁膜に開口を形成する工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により上記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程とを有するものである。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device having wiring and a plug connected to wiring is provided with a step for forming an insulating film on wiring, a step for forming an opening in the insulating film by dry etching for forming the plug, and a step for removing the reaction product generated by dry etching with plasma discharge by hydrogen simple substance gas or gas comprising nitrogen. - 特許庁

アルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素を含む融液１６を保持する融液保持容器１２と、融液の加熱機構１３，１４とを具備し、ＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置であって、前記融液保持容器１２の融液１６に接する部分がタンタルであることを特徴としている。例文帳に追加

The crystal growth apparatus that grows a group III nitride crystal comprises a melt holding container 12 that holds a melt 16 containing an alkali metal, a group III metal raw material, and nitrogen and heating mechanisms 13 and 14 for heating the melt and is characterized in that that part of the container 12 which comes into contact with the melt 16 is made of tantalum. - 特許庁

また、活性層１１のＧａＡｓ基板１０側、及びＧａＡｓ基板１０の反対側に、Ｎ（窒素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるｎ型のＧａＩｎＮＡｓ層からなりＧａＡｓ基板１０と格子整合する導波路コア層１２、１４と、ｎ^＋＋型のＧａＡｓ層からなる導波路クラッド層１３、１５とから構成される導波路構造を設ける。例文帳に追加

A waveguide structure composed of waveguide core layers 12, 14 comprising n-type GaInNAs layer as group III-V compound semiconductor including N (nitrogen) and lattice matching with a GaAs substrate 10, and waveguide clad layers 13, 15 comprising n^++-type GaAs layer are provided on the side and on the opposite side of GaAs substrate 10 of the active layer 11. - 特許庁

シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。例文帳に追加

A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source. - 特許庁

酸化ケイ素を主体とし、かつ、Ｓｉに対して２原子％以上の窒素を含むマトリックス中に、平均一次粒子径１００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子が分散している構成の、層厚２００〜３０００ｎｍの赤外線遮蔽層をガラス基板の表面上に有することを特徴とする赤外線遮蔽層付きガラス板。例文帳に追加

Disclosed is an infrared shielding film-coated glass plate comprising a glass substrate and a 200-3,000 nm-thick infrared-shielding film formed thereon and having a structure in which fine ITO particles having an average particle diameter of at most 100 nm are dispersed in a matrix based on silicon oxide and containing at least 2 atom% nitrogen based on the Si atoms. - 特許庁

反応容器１２内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液２４を形成し、該混合融液２４と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物２５を結晶成長させるときに、反応容器１２は、混合融液２４と接する部分が緻密質の材質で構成されている。例文帳に追加

When the crystal of the group III nitride 25 constituted of a group III metal and nitrogen is grown from a mixed melt 24, formed from an alkali metal and a group III metal, and a substance containing at least nitrogen in a reaction vessel 12, a part brought into contact with the mixed melt 24 of the reaction vessel 12 is constituted of a dense material. - 特許庁

窒素を含む有機性廃棄物を酸醗酵、メタン醗酵及び硝化脱窒素工程で処理する方法において、有機性廃棄物中の有機物の脱窒素工程への有効利用効率を高め、脱窒素工程への水素供与体の添加を不要とするか、あるいはその添加量を大幅に低減して効率的な処理を行う。例文帳に追加

To provide an efficient treatment capable of increasing the effectively utilizing efficiency of the org. matter in org. waste to the denitrification stage, capable of eliminating the addition of a hydrogen donor to a denitrification stage or remarkably reducing its addition in the method in which the org. waste containing nitrogen is treated at an acid fermentation stage, a methane fermenta tion stage and a nitrification/denitrification stage. - 特許庁

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。例文帳に追加

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm. - 特許庁

その内部に吸着材２０を充填したカラム１０に窒素を含むメタンガスを供給し、破過時間直後から一定時間の間バルブＶ２を開いて、窒素濃度が極めて低いメタンガスを捕集ボンベ４０に捕集するガス処理装置において、吸着材２０として、予め熱処理が施されたモルデナイト型ゼオライトを用いる。例文帳に追加

A gas treatment system comprises supplying a methane gas containing nitrogen into a column 10 having an adsorbent 20 filled inside thereof, and collecting a methane gas having an extremely low concentration of nitrogen in a collection cylinder 40 by opening a valve V2 for a fixed period from immediately after breakthrough time, wherein mordenite type zeolite that is previously subjected to heat treatment is used as the adsorbent 20. - 特許庁

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。例文帳に追加

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber. - 特許庁

本発明の可視光応答型光触媒体の製造方法は、基材表面に形成された酸化チタン光触媒膜を、少なくとも窒素を含むガスを解離・電離・励起して生成された窒素原子を含むプラズマ中で窒化処理することにより、前記酸化チタン光触媒膜の表層部を可視光応答型光触媒に改質することを特徴とする。例文帳に追加

In the production method for the visible light response type photocatalyst body, a skin layer part of the titanium oxide photocatalyst film is reformed to the visible light response type photocatalyst by nitriding-treating the titanium oxide photocatalyst film formed on the surface of the substrate in a plasma containing a nitrogen atom produced by dissociating, electro-dissociating and exciting the gas containing at least nitrogen. - 特許庁

高濃度の硝酸性窒素を含む被処理水について、還元工程を経た被処理水を硝酸性窒素残留分含有水とアンモニア性窒素含有水とに効率良く分離でき、また、アンモニア性窒素含有水からアンモニア性窒素をｐＨ調整用アルカリ剤の添加が不要で低コストにて除去できる水処理方法及び装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a water treatment method and apparatus which can efficiently separate water to be treated containing high concentration of nitrate nitrogen into residual nitrate nitrogen-containing water and ammonia nitrogen-containing water after applying a reduction process to the water to be treated, and can remove ammonia nitrogen from the ammonia nitrogen-containing water at a low cost without requiring addition of an alkali agent for pH adjustment. - 特許庁

リソグラフィ装置の例えば集光鏡といった光学素子などの素子を洗浄する方法であって、窒素を含むガスを供給するステップと、当該ガスの少なくとも一部から窒素ラジカルを生成することにより、ラジカル含有ガスを形成するステップと、当該ラジカル含有ガスの少なくとも一部をリソグラフィ装置の１つ以上の素子に供給するステップとを備える。例文帳に追加

This method for cleaning elements of the lithographic device, for example, optical elements such as a collector mirror, includes a step for supplying gas containing nitrogen, a step for forming a radical-containing gas by generating nitrogen radicals from at least a part of the gas containing nitrogen, and a step for supplying at least a part of the radical-containing gas to one or more elements of the lithographic device. - 特許庁

タンデム方式のカラー画像形成装置のように複数の像担持体を備える画像形成装置に関して、ごみ、埃、湿気窒素を含む外気などの耐環境因子性能を確保できるとともに、長寿命分解型構造にしてバンディングの影響が少なく高画質な画像形成を可能にする。例文帳に追加

To make securable environmental resistance factor performance such as outdoor air incorporating foreign particles, dust and moisture and nitrogen compounds and also to form an image in which the influence of a banding is reduced and whose quality is high by having a long life and disassemble type structure with respect to an image forming apparatus provided with several image carriers such as the color image forming apparatus of a tandem system. - 特許庁

酸化硫黄および酸化窒素を含む排ガスを処理する湿式石灰法による排煙脱硫方法において、該吸収液スラリーの一部を抜出して固液分離する固液分離工程と、該固液分離工程からのろ液をｐＨ調整して、酸化剤を添加する混合工程と、該混合液を活性炭と接触させる工程とを含む排煙脱硫方法。例文帳に追加

The stack gas desulfurization process by a wet lime method for treating a waste gas containing sulfur oxides and nitrogen oxides includes a solid/liquid separation process for taking out a part of the absorbent slurry and solid/liquid separating, a mixing process for adjusting the pH of the filtrate from the solid/liquid separation process and adding an oxidizing agent and a process for allowing the liquid mixture to contact with activated carbon. - 特許庁

電子密度が１０^１１ｃｍ^−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマを用いて酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

For the organic transistor, highly dense plasma having electron density of 10^11 cm^-3 and an electron temperature of 0.2 eV-2.0 eV is used to activate oxygen (or gas containing oxygen) or nitrogen (or gas containing nitrogen) by plasma excitation, and is caused to directly react with one part of a conductive layer used as a gate electrode, thereby forming the gate insulation film. - 特許庁

アンモニア性窒素を含む原水６を亜硝酸化兼脱窒槽１に導入し、槽内底部に設けられた散気装置７から、独立栄養性脱窒菌の増殖を阻害しない量の空気を曝気しながら、アンモニア酸化菌および独立栄養性脱窒菌と混合することにより亜硝酸化および脱窒を同時に並行して行う。例文帳に追加

Conversion to nitrous acid and denitrification are performed simultaneously and in parallel by introducing raw water 6 containing the ammoniacal nitrogen into a tank 1 for converting to nitrous acid and for denitrifying and mixing the water with an ammonia oxidizing bacteria and a holophytic denitrifying bacteria while aerating the air of the amount at which the proliferation of the holophytic denitrifying bacteria from an air diffusing device 7 disposed at the bottom part in the tank. - 特許庁

この材料は、窒化珪素粉末と、焼結助剤粉末と、金属および／またはそれらの窒化物粉末を、全体の平均粒径が１００ｎｍ以下、粉末中の増加酸素量が０．５〜３重量％の範囲となるように粉砕混合し、この成形体を１０００〜１６００℃、窒素を含む非酸化性雰囲気下にて焼結することによって得られる。例文帳に追加

The material is obtained by pulverizing and mixing the sintering assistant powder and the metals and/or their nitride powder in such a manner that the average grain size over the entire part attains ≤100 nm and the increased oxygen quantity in the powder attains a range of 0.5 to 3 wt.% and sintering the moldings thereof under a nonoxidizing atmosphere containing nitrogen at 1,000 to 1,600°C. - 特許庁

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2. - 特許庁

本発明は、シリコン基板１０１の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、窒素を含む雰囲気中でプラズマを発生させた状態でシリコン基板１０１の表面にシリコン窒化層１０２を形成する工程と、シリコン窒化層１０２の上に高誘電体膜１０３を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

A process for eliminating an oxide film formed on the surface of a silicon substrate 101, a process for forming a silicon nitride layer 102 on the surface of the silicon substrate 101 in the state that plasma is generated in atmosphere containing nitrogen, and a process for forming the high dielectric film 103 on the silicon nitride layer 102, are installed. - 特許庁

燃料電池スタック１から排出される水素ガスの排出路と、燃料電池スタック１に供給される水素ガスの供給路とを連結する再循環路から、窒素を含む水素ガスを排出するパージ弁８の開度を、水素系内における窒素濃度が略一定に保たれるように調整制御するように構成される。例文帳に追加

This fuel cell system is so structured that the opening of a purge valve 8 for exhausting hydrogen gas containing nitrogen from a recirculation passage for connecting an exhaust passage for the hydrogen gas exhausted from a fuel cell stack 1 with a supply passage of the hydrogen gas supplied to the cell stack 1 is regulated and controlled so as to keep nitrogen concentration in the hydrogen system nearly constant. - 特許庁

１種類以上の還元剤の存在下に硝酸性窒素を含む被処理水に対して、銅とマンガンとの酸化物に加え、助触媒として作用するニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、セリウム、タングステン、バナジウム、モリブデン、スズから選択される１種類以上の金属の酸化物を含む硝酸性窒素含有水処理用固体触媒を用いることにより、硝酸性窒素含有水の硝酸性窒素を除去する。例文帳に追加

Nitrate-nitrogen is removed from nitrate nitrogen-containing water by using, adding to oxides of copper and manganese, the solid catalyst for treating nitrate nitrogen-containing water containing one or more kinds of metallic oxides selected from among nickel, cobalt, iron, zinc, cerium, tungsten, vanadium, molybdenum, and tin, which act as a promoter, to water to be treated containing nitrate-nitrogen in the presence of one or more reducing agents. - 特許庁

ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。例文帳に追加

To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure. - 特許庁

フェノール類（A）及びフェノール類を除く芳香族類（B）を反応して得られる多芳香族類と、ヘテロ原子として窒素を含む複素環式化合物（C）とがアルデヒド類（D）を介して縮合したフェノール系縮合体または、このフェノール系縮合体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂を含むことを特徴とする難燃性樹脂材料。例文帳に追加

The flame-retardant resin material comprises a phenol-based condensate obtained by condensing via an aldehyde compound (D) a polyaromatic compound, obtained by reacting a phenolic compound (A) with an aromatic compound (B) other than the phenolic compound, with a heterocyclic compound (C) bearing a nitrogen atom as a heteroatom, or an epoxy resin obtained by glycidyl-etherifying the phenol-based condensate. - 特許庁

揮発性麻酔剤と亜酸化窒素を含む余剰麻酔ガスを、吸着剤が充填された吸着筒に導入し、余剰麻酔ガス中に含まれる揮発性麻酔剤を吸着除去し、次いでこのガスを亜酸化窒素分解触媒が充填された触媒層に導入し、亜酸化窒素を窒素と酸素に分解する。例文帳に追加

The excess anesthetic gas containing the volatile anesthetic gas and the nitrous oxide is introduced into an adsorption cylinder packed with an adsorbent to adsorb away the volatile anesthetic gas included in the excess anesthetic gas and thereafter this gas is introduced into a catalyst layer packed with a nitrous oxide cracking catalyst where the nitrous oxide is cracked to nitrogen and oxygen. - 特許庁

電池の電極製造に用いる塗布液であって、前記塗布液が、溶媒に、結着剤（バインダー）、及び炭素系物質を含有し、更に、前記塗布液が、窒素を含む五員環構造を側鎖に有する高分子を塗布液の全重量に対して１ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下含有することを特徴とする塗布液。例文帳に追加

The coating liquid used for a manufacturing of an electrode for a battery has its solvent contain a binder and a carbon system matter, and moreover, contains a polymer having a five-membered ring structure containing nitrogen as a side chain by not less than 1 ppm and not more than 10,000 ppm to the total weight of the coating liquid. - 特許庁

前記フラーレン誘導体における式量が６以上の基は、アルカリ金属原子、カルコゲン原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、酸素を含む特性基、硫黄を含む特性基、及び窒素を含む特性基からなる群から選ばれる１つであることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the group of the formula weight of 6 or more in the fullerene derivative is one selected from a group consisting of an alkali metal atom; a chalcogen atom; a halogen atom; an aliphatic hydrocarbon group; an aromatic hydrocarbon group; a heterocyclic group; a characteristic group containing oxygen; a characteristic group containing sulphur; and a characteristic group containing nitrogen. - 特許庁

揮発性麻酔剤と亜酸化窒素を含む余剰麻酔ガスを、吸着剤が充填された吸着筒１に導入し、余剰麻酔ガス中に含まれる揮発性麻酔剤を吸着除去し、次いでこのガスを亜酸化窒素分解触媒が充填された触媒層３に導入し、亜酸化窒素を窒素と酸素に分解する。例文帳に追加

A waste anesthetic gas containing a volatile anesthetic and nitrous oxide is introduced into an adsorbing cylinder 1 filled with an adsorbent, where the volatile anesthetic contained in the residual anesthetic gas is adsorbed and thereby removed, and successively this gas is introduced into a catalyst layer 3 filled with a nitrous oxide decomposition catalyst, where nitrous oxide is decomposed into nitrogen and oxygen. - 特許庁

シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again. - 特許庁

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。例文帳に追加

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction. - 特許庁

石英るつぼ１３に貯留された窒素を含むシリコン融液１２からシリコン単結晶２９を引上げる際に、シリコン融液１２中に、窒素を含まないシリコン原料２３を単結晶の成長量に相応して石英るつぼに貯留されたシリコン融液の液面位置が一定に保たれるように供給しながら単結晶を引上げる。例文帳に追加

In this manufacturing method, the silicon single crystal 29 is pulled from a nitrogen-containing silicon melt 12 pooled in a quartz crucible 13 while a nitrogen-free silicon raw material 23 is fed to the silicon melt 12 in an amount according to the amount of the single crystal grown so that the liquid level of the silicon melt pooled in the quartz crucible is kept constant. - 特許庁

窒素成分を含む有機物を水の存在下に熱処理して該有機物を液化及び／又は低分子化し、得られた水熱処理液を生物処理し、アンモニア性窒素を含む生物処理液をアンモニア性窒素を電子供与体とし、亜硝酸性窒素を電子受容体とする脱窒微生物の作用により亜硝酸性窒素の存在下に脱窒処理する。例文帳に追加

An organic matter containing nitrogen component is thermally processed under the existence of water to make the organic matter liquefied and/or low molecular, the gained hydrothermal liquid is biologically processed, and the biologically processed liquid containing ammonia nitrogen is denitrified by the action of denitrified microorganism under the existence of nitrite nitrogen, with which ammonia nitrogen is made an electron donor and nitrite nitrogen is made an electron acceptor. - 特許庁

高濃度、小規模の排水処理に有効な硝酸性窒素を含む排水を電解処理してアンモニア及び塩素を生成し、生成した塩素とアンモニアを更に反応させて脱窒する排水処理において使用電気量を低減させることができる処理方法及び装置、並びにそのための電解槽の提供。例文帳に追加

To provide a treatment method and apparatus available for high-concentration and small-scale wastewater treatment which can reduce power consumption in wastewater treatment where nitrate nitrogen-containing wastewater is subjected to electrolytic treatment to generate ammonia and chlorine, and then the generated ammonia and chlorine are reacted with each other to carry out denitrification, and an electrolytic cell therefor. - 特許庁

温度制御手段11を備えた硝酸性窒素を含む廃水を導入する予備槽12と、予備槽で所定温度にされた廃水を流入させて硝酸性窒素を除去するための硫黄とカルシウム系成分からなる脱窒用無機材料10が充填された廃水処理槽1を有する硝酸性窒素処理装置。例文帳に追加

The nitrate nitrogen treatment apparatus having a preliminary vessel 12 which is provided with temperature control means 11 and into which the waste water containing the nitrate nitrogen is introduced, and a waste water treating vessel 1 into which the waste water regulated to a prescribed temperature in the preliminary vessel is admitted and inorganic materials 10 for denitrification consisting of sulfur- and calcium-based component for removing the nitrate nitrogen are packed. - 特許庁

トナー粒子と、シリカ粒子と、フッ素及び窒素を含む有機材料を含有する被覆層を表面に有し、Ｘ線光電子分光法により、Ａｒエッチングしながら測定した窒素原子に対するフッ素原子の含有量の比率が、Ａｒエッチング時間が０秒以上９０秒以下の範囲内において１．９以上１９以下である無機粒子と、を含んで構成される静電荷像現像用トナー。例文帳に追加

The toner for electrostatic charge image development includes toner particles, silica particles and inorganic particles having the coating layer containing an organic material containing fluorine and nitrogen on the surface thereof and having a content ratio of fluorine atoms to nitrogen atoms of 1.9 to 19 in the range of 0 to 90 sec Ar etching time, measured by an X-ray photoelectron spectroscopy while Ar etching is performed. - 特許庁

アルミニウム合金層の使用により、櫛歯状電極の抵抗値を減少させることができ、また窒素を含むアルミニウム合金層の使用により、微小欠陥の発生、成長を抑え、またアルミニウムの異常結晶成長を抑え、櫛歯状電極の断線と、他の配線との間の電気的ショートを防止することができる。例文帳に追加

The resistance value of the comb-shaped electrode can be reduced by using the aluminum alloy layer and the occurrence and the growth of the fine defect and abnormal crystal growth of aluminum can be suppressed and disconnection of the comb-shaped electrode and electric short circuit between the comb-shaped electrode and another wiring can be prevented by using the aluminum alloy layer containing nitrogen. - 特許庁

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。例文帳に追加

When a silicon nitride film as the diffusion preventing film exists on the interface of the High-K film and silicon substrate and the diffusion preventing film containing nitrogen exists on the interface of the High-K film and electrode, an ideally stable EOT and small leakage current characteristics can be achieved, by using EOT of 0.7 nm or larger. - 特許庁

低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。例文帳に追加

A progress monitor layer 5, which is sensitive for plasma light emission monitoring and contains nitrogen, is provided in the low-resistance film 6 and nearby an interface formed with the work function metal film 4 to detect change of plasma light emission during etching, and progress of the etching is monitored to prevent the etching step change from being delayed. - 特許庁

アルカリ金属イオン、及び／又はアルカリ土類金属イオンが共存するアンモニア性窒素を含む被処理水から金属キレート樹脂を用いてアンモニア性窒素を除去する場合にｐＨを適切に選べば、アルカリ金属イオン、及び／又はアルカリ土類金属イオンは前記樹脂に吸着されず、アンモニアのみが選択的に吸着される。例文帳に追加

When ammonia nitrogen is removed by using a metal chelate resin from the water which is to be treated and contains not only the alkali metal ion and/or the alkaline-earth metal ion but also ammonia nitrogen, if the pH of the water to be treated is adjusted adequately, only ammonia can be adsorbed selectively on the metal chelate resin without adsorbing the alkali metal ion and/or the alkaline-earth metal ion on the metal chelate resin. - 特許庁

本発明の導電性窒化シリコン膜の製造方法は、ｎ型またはｐ型にドーピングされた微結晶シリコン膜を形成する第１ステップと、該微結晶シリコン膜に対し、窒素を含むプラズマを照射して微結晶シリコン膜を窒化することにより、導電性窒化シリコン膜を形成する第２ステップとを含み、第１ステップにおいて、微結晶シリコン膜を形成するときに導入される材料ガスの希釈率は、１５０以上６００以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the conductive silicon nitride film includes: a first step of forming a microcrystalline silicon film doped into an n-type or a p-type; and a second step of forming the conductive silicon nitride film by irradiating the microcrystalline silicon film with plasma including nitrogen to nitride the microcrystalline silicon film; wherein a dilution rate of material gas, introduced when forming the microcrystalline silicon film in the first step, is 150 to 600. - 特許庁

本発明は、第３級アミン窒素を含む化合物を周知の方法によりω−ハロカルボン酸で４級化することによって、流動性を有するポンプ輸送可能な高濃度ベタイン水溶液を調製するための方法であって、この４級化反応の前または途中に、最終生成物を基準として０．１〜３重量％未満、好ましくは０．１〜１重量％の１種またはそれ以上のミセル増粘剤を反応混合物に添加する方法に関する。例文帳に追加

This method for quaternizing a tertiary amine nitrogen-containing compound with an ω-halocarboxylic acid by a known method to prepare the pumpable high concentration betaine aqueous solution having flowability is characterized by adding one or more micelle thickeners to the reaction mixture in an amount of 0.1 to 3 wt.%, preferably 0.1 to 1 wt.%, based on the final product before or during the quaternization reaction. - 特許庁

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。例文帳に追加

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film. - 特許庁