「"forming gas"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, the cured layer 16a and the resist film 16 are removed by introducing oxygen gas and forming gas.例文帳に追加

次に、酸素ガスおよびフォーミングガスを導入して硬化層１６ａおよびレジスト膜１６を除去する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which forms a film by induction heat for decomposing film-forming gas having high decomposition temperature stably.例文帳に追加

誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。 - 特許庁

COATING LIQUID FOR FORMING GAS DIFFUSION LAYER OF SOLID POLYMER FUEL CELL, AND FORMING METHOD OF SOLID POLYMER FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER例文帳に追加

固体高分子形燃料電池用ガス拡散層形成用塗工液および固体高分子形燃料電池用ガス拡散層の形成方法 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING GAS BARRIER RESIN LAYER, GAS BARRIER FILM USING THIS AND METHOD FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加

ガスバリア性樹脂層形成用組成物、並びにこれを用いてなるガスバリア性フィルム及びその製造方法 - 特許庁

An upper electrode 103 serving also as the film forming gas shower head is provided inside a reaction chamber 101.例文帳に追加

反応室１０１の内部には、成膜用ガスシャワーヘッドを兼ねる上部電極１０３が設けられている。 - 特許庁

A gas stream is absorbed from both sides of a transfer way, transferring wafers along the transfer way in the direction crossing the gas stream of film forming gas.例文帳に追加

成膜ガスのガス流をよぎる方向の搬送路に沿ってウエハを搬送しつつ、前記搬送路の両側方から前記ガス流を吸い込むこと。 - 特許庁

The apparatus 1 for forming a thin film has a mixer 7 into which a film-forming gas 22 containing a feed gas 20 and a reactant gas 21 can be fed.例文帳に追加

本発明の薄膜形成装置１は、原料ガス２０と反応ガス２１を含有する成膜ガス２２を導入可能な混合器７を有している。 - 特許庁

Then, a second film- forming gas containing TiCl4 and NH3 as a main component is introduced, the second TiN film 8 is formed on the first TiN film 7.例文帳に追加

その後、ＴｉＣｌ_4とＮＨ_3を主成分とする第２の成膜ガスを導入し、第１のＴｉＮ膜７上に第２のＴｉＮ膜８を成膜する。 - 特許庁

To provide a gas introduction device for forming gas flows for efficiently cooling bases to be treated in load lock chambers.例文帳に追加

ロードロックチャンバー内の処理基板を効率よく冷却できるガス流を形成するガス導入装置を提供する。 - 特許庁

GAS-BARRIER MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COATING LIQUID FOR FORMING GAS-BARRIER LAYER, AND PACKAGING MATERIAL HAVING GAS-BARRIER MATERIAL例文帳に追加

ガスバリアー材、その製法、ガスバリアー層形成用コーティング液及びガスバリアー材を備えた包装材 - 特許庁

A dome 5, constituting the chamber 50 of a CVD system, is provided with a gas inlet port 8b through which a film-forming gas, such as SiH_4, is introduced into the chamber 50.例文帳に追加

ＣＶＤ装置のチャンバ５０を構成するドーム５には、ＳｉＨ_4等の成膜用ガスが導入されるガス導入口８ｂが設けられている。 - 特許庁

To greatly reduce the maintenance-time cost of a semiconductor manufacturing apparatus by extending a period of replacement of a film forming gas nozzle replaced each time cleaning is performed, and to shorten a down time of a reaction furnace by eliminating the time required for the film forming gas nozzle replacement.例文帳に追加

クリーニングするたびに行っていた成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、半導体製造装置のメンテナンス時コストを大幅に低減し、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁

By spraying deposition-film forming gas from the gas gun 5 for the protection film on the surface of the sample cooled by the sample-cooling mechanism, the deposition-film forming gas is trapped at the surface of the sample, whereby, a protection film is formed on the surface of the sample.例文帳に追加

試料冷却機構３によって冷却された試料表面に、保護膜用ガス銃５からデポジション膜形成用ガスを吹き付けることにより、デポジション膜形成用ガスは試料表面にトラップされ、試料表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming gas-dissolved water, capable of supplying gas-dissolved water in response to the quantity required by varying the forming quantity of gas-dissolved water in response to the variation of usage quantity of gas-dissolved water in an apparatus for forming gas-dissolved water by means of a direct gas-liquid contacting dissolution method using an ejector.例文帳に追加

エジェクターを用いる直接気液接触溶解方式によるガス溶解水の製造装置において、ガス溶解水の使用量の変動に対応して、ガス溶解水の製造量を変動させ、要求される水量に追随して供給することができるガス溶解水の製造装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on the substrate 11 so as to have the cyclic structure of the Si-O bond by the plasma treatment using the film-forming gas comprising a silane-containing gas and an oxygen gas or the film-forming gas comprising an Si-O bond containing gas.例文帳に追加

また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The film-forming apparatus 10 has an ion source 20 for generating plasma discharge in an inert gas and a mechanism 2 for introducing a film-forming gas, in a vacuum chamber provided with an exhaust system, wherein the mechanism 2 for introducing the film-forming gas is placed in a downstream side of a traveling direction of a support 1 with respect to the ion source 20.例文帳に追加

排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 - 特許庁

A plasma forming gas is supplied between electrodes 1 and 2 arranged to face each other, and voltage is applied between the electrodes 1 and 2 to form plasma.例文帳に追加

対向配置された電極１、２の間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に上記電極１、２間に電圧を印加することによってプラズマを生成する。 - 特許庁

The paint for forming gas barrier layers comprises (A) a polyalcohol polymer, (B) a polycarboxylic acid polymer and (C) an onium salt selected from the group consisting of quaternary ammonium salts and quaternary phosphonium salts.例文帳に追加

ポリアルコール系ポリマー（Ａ）、ポリカルボン酸系ポリマー（Ｂ）、及び４級アンモニウム塩、４級ホスホニウム塩からなる群より選ばれるオニウム塩（Ｃ）を含有することを特徴とするガスバリア層形成用塗料。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus which can surely prevent leakage of gas from between an electrode and members for forming gas passages on the upstream side or the downstream side of the electrode.例文帳に追加

電極とその上流側または下流側のガス通路を形成する部材との間からのガス漏洩を確実に防止可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the step (a), a film forming gas 51 containing a silane-based gas and a hydrogen gas is supplied between a first electrode 33 where a substrate 34 is installed and a second electrode installed away from the first electrode 33.例文帳に追加

（ａ）ステップでは、基板３４が設置された第１電極３３と、第１電極３３から離れて設置された第２電極３２との間にシラン系ガスと水素ガスとを含む製膜ガス５１を供給する。 - 特許庁

To provide a cylinder injection type internal combustion engine with an injector installed above a cavity capable of ensuring a space of installing an ignition plug and forming gas mixture lump with fuel uniformly distributed in the layered combustion.例文帳に追加

インジェクタをキャビティの上方に設置した筒内噴射式内燃機関において、点火プラグを設置するためのスペースを確保するとともに、成層燃焼に際し、燃料が均一に分布した混合気塊を形成する。 - 特許庁

While a protective film forming gas and an etching gas are alternately supplied into a chamber, a trench is formed on a semiconductor substrate in the chamber at high etching speed.例文帳に追加

チャンバー内に保護膜形成ガスとエッチングガスを交互に供給しながら、高いエッチング速度でチャンバー内の半導体基板にトレンチを形成する。 - 特許庁

A control part 100 of a heat treatment apparatus 1 executes more than once a film forming process of forming a thin film by supplying a film forming gas containing hexachlorodisilane and ammonia to semiconductor wafers W.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、半導体ウエハＷにヘキサクロロジシランとアンモニアとを含む成膜用ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理を複数回実行する。 - 特許庁

Since minute air bubble introduced into fuel for the internal combustion engine is supplied into an engine cylinder while it remains in the vicinity of fuel for the internal combustion engine, influence that composition of minute air bubble forming gas gives to combustion is large.例文帳に追加

更に、内燃機関用燃料内に導入する微小気泡は内燃機関用燃料近傍に留まった状態でエンジン筒内に供給されるので、微小気泡形成ガスの組成が燃焼に与える影響は大きい。 - 特許庁

Then, a film forming gas comprising a silicon organic compound is supplied into the processing containers 2 and 21, ozone and the silicon organic compound are made to react, and the silicon oxide film is formed on the substrate.例文帳に追加

そしてシリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器２、２１内に供給しオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて基板上にシリコン酸化膜を成膜する。 - 特許庁

As a 2nd method, a coating film (silicon oxide film) is formed by supplying coating film forming gas containing a silicon- containing inorganic compound (monosilane) and an organic gas (ethylene) and simultaneously silicon oxide fine particles are formed to be incorporated into the coating film.例文帳に追加

第２の方法として、珪素含有無機化合物（モノシラン）と有機ガス（エチレン）を含む被膜形成ガスを供給して被膜（酸化珪素膜）を形成しつつ、珪素酸化物微粒子を生成させ、膜に混入する。 - 特許庁

In a plasma treatment part 2, a plasma forming gas separate from the polymerizable monomer-containing gas is introduced to a discharge space 20a and brought into contact with the part to be treated after the step of deposition.例文帳に追加

プラズマ処理部２では、重合性モノマー含有ガスとは別のプラズマ生成用ガスを放電空間２０ａに導入するとともに上記担持工程後の被処理箇所に接触させる。 - 特許庁

Further, a plasma forming gas is supplied to the lower vicinity of the region opposing to the paired electrodes, along a direction in which the power input electrode 1 and the ground electrode 2 are arranged, to form one gas flow path 7.例文帳に追加

また、電極対が対向する領域の下方近傍領域に、電力投入電極１と接地電極２とが配列される方向に沿ってプラズマ生成ガスを供給し、一のガス流路７を形成する。 - 特許庁

The first porous refractory 1 and the second porous refractory 2 are provided with gas pool chambers 10 and 20 having no iron shell for forming gas pool chamber respectively.例文帳に追加

第１ポーラス耐火物１及び第２ポーラス耐火物２は、ガスプール室１０，２０を、ガスプール室形成用の鉄皮を有しない構造で備えている。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell assuring high sealability when forming gas sealing by using a sheet or the like, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

シート等を用いてガスシールを行う場合に、高いシール性を確保できる固体酸化物形燃料電池及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A protective film having a sufficient film quality can be attained by forming an insulation film in the hole of the porous layer using a mixture gas plasma of a rare gas generated through microwave stimulation and an insulation film forming gas.例文帳に追加

多孔質層内の孔内に、マイクロ波励起により発生させられた希ガスと絶縁膜形成ガスの混合ガスプラズマを用いて形成した絶縁膜を形成することにより、保護膜として十分な膜質を得ることができた。 - 特許庁

The gas guiding pipe 4 shares film-forming gas and purge-gas supply pipes, and guides N2 gas as the purge gas into the reactive pipe after film-forming process with a semiconductor wafer.例文帳に追加

このガス導入管４は成膜ガス及びパ−ジガス供給管を共用しており、半導体ウエハに対して成膜処理が行われた後、パ−ジガスとしてＮ2 ガスを反応管内に導入する。 - 特許庁

Then, an insulating film 15b of a wiring cap, which mainly contains a material having a smaller dielectric constant than silicon nitride, is deposited on the principal plane of the wafer 1W by CVD method using an organic silane compound gas as film-forming gas.例文帳に追加

その後、成膜ガスとして有機系シラン化合物ガスを用いたＣＶＤ法によりウエハ１Ｗの主面上に窒化シリコンよりも誘電率の低い材料を主体とする配線キャップ用の絶縁膜１５ｂを堆積する。 - 特許庁

To provide a gas leak detector which can efficiently detect gas leak of the pipe forming gas passage and identify the gas leak location by simple operation in a short time.例文帳に追加

ガス通路を形成する配管のガス漏れの検知及びガス漏れ位置の特定を簡易な作業で短時間に効率よく実施することのできるガス漏れ検知装置を提供すること。 - 特許庁

This method consists in forming the magnetic recording medium by introducing a polymer forming gas in such a manner that its partial pressure attains ≤0.3 mTorr and dispersing the CoPT magnetic particles into the polymerized high polymer by a sputtering method.例文帳に追加

重合体生成ガスをその分圧が０．３ｍＴｏｒｒ以下となるように導入し、スパッタリング法により重合高分子中ＣｏＰｔ磁性粒子を分散させてなる磁気記録媒体を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Electricity is fed to the working electrodes 30 and separator base B in a state that an electrolyte has been sprayed and fed between the opposing surfaces thereof, thereby electrolytically working recesses for forming gas passages in the surfaces of the separator base B to be worked.例文帳に追加

加工電極３０及びセパレータ基材Ｂの対向面間に電解液を噴射供給した状態で両者に給電することにより、セパレータ基材Ｂの被加工面にガス流路構成用凹部が電解加工される。 - 特許庁

To provide a vessel for forming gas hydrate, and a device and method a for producing the gas hydrate, by which a large amount of gas hydrate can be stably produced with a high speed and the production efficiency of gas hydrate can be increased.例文帳に追加

ガスハイドレートを安定して高速かつ大量に生成することができ、ガスハイドレートの製造効率を高めることのできるガスハイドレート生成容器、ガスハイドレート製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In a casing 10, a division plate 15 dividing the first space R1 and the second space R2 and the first to fourth passage-forming plates 17a to 17d forming gas passages in the first space R1 are provided.例文帳に追加

ケーシング１０の内部には、第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２とを区画する区画板１５と、第１空間Ｒ１にガス流路を形成する第１〜第４流路形成板１７ａ〜１７ｄとが設けられている。 - 特許庁

This equipment has a reaction furnace 2, a stage 3 provided inside the reaction furnace 2, film-forming gas supply systems 13, 14, plasma generation apparatus (9, 10, 12), and a substrate-heating heater 4A provided inside the stage 3.例文帳に追加

反応炉２と、この反応炉２内に配設されたステージ３と、成膜用ガス供給系１３，１４と、プラズマ発生装置（９，１０，１２）と、ステージ３の内部に配設された基板加熱ヒータ４Ａとを有したプラズマCVD装置１である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which a film-forming gas being a mixture of a liquid and a gas, or having an eccentric mixing ratio of gases is prevented from being introduced into a film-forming chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The film can be formed by adding porogen such as 1-methyl-4-isopyr-1, 3-cyclohexadiene or the like or the film can be formed by changing high-frequency electric power for generating plasma, the flow rate of film forming gas or a film forming pressure.例文帳に追加

１−メチル−４−イソピル−１，３−シクロヘキサジエンなどのポロジエンを添加して成膜してもよく、プラズマ発生用高周波電力、成膜用ガスの流量あるいは成膜圧力を変化させて成膜してもよい。 - 特許庁

An electrode 63 is mounted with its surface exposed in the inside wall surface of an annular, film-forming-gas supply part 6 which is mounted to surround the upper region of the base 4.例文帳に追加

また載置台４の上方領域を囲むように設けられたリング状の成膜ガス供給部６の内壁面に真空容器２内に露出するように電極６３を設ける。 - 特許庁

A water gas shift section 2 is formed by arranging partition walls 51, 52 concentrically in a cylindrical vessel body 21, forming gas flow passages 23, 24, 25 in the inside and outside thereof and housing shift catalyst C1, C2, C3 therein.例文帳に追加

水性ガスシフト部２は、筒状容器体２１内に仕切壁５１、５２を同心に配して、その内外にガス流路２３、２４、２５を形成し、それぞれにシフト触媒Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を収容してなる。 - 特許庁

Consequently, the in-plane uniformity of the film forming speed is improved, by concentrically introducing the film forming gas by changing the flow rate of the introduced gas in the plane of the wafer 16.例文帳に追加

これによりガス導入流量を面内で変化させ成膜速度の低い所に集中的にガスを導入して成膜速度の面内均一性を向上させる。 - 特許庁