「"variable capacitance"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Their capacitance values are so set that X/Y becomes 1 or more, when the capacitance value of each fixed capacitance element is represented as X, and the capacitance value of each variable capacitance element is represented as Y.例文帳に追加

そして、前記固定容量素子の容量値をＸ、前記可変容量値をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが１以上となるように設定した。 - 特許庁

A high-frequency power source 32 is connected to the ICP electrode 24, and also connected to the flat electrode 26 through a variable capacitor 36 (variable capacitance element).例文帳に追加

高周波電源３２が、ＩＣＰ電極２４に接続され、かつ可変コンデンサ３６（可変容量素子）を介して平面状電極２６にも接続されている。 - 特許庁

To provide a variable capacitance detecting circuit attempting to enhance S/N ratio for signals read from capacitative elements and to enhance sensitivity.例文帳に追加

容量素子から読み出される信号について、Ｓ／Ｎ比の向上が図られ、感度の向上が図られた可変容量値検出回路を提供する。 - 特許庁

A capacitor 8 and a variable capacitance diode 9 are connected between an intermediate terminal 13 provided between the coils 2 and 3 and a grounded end 10.例文帳に追加

基準コイル２と検知コイル３の中間に設けた中間端子１３と接地端１０との間にコンデンサ８と可変容量ダイオード９を接続する。 - 特許庁

A capacitance of a variable capacitance capacitor 23 is controlled to make an RSSI voltage conform to a voltage value V0 during the tuning mode implementation.例文帳に追加

このチューニングモードの実行の際には、ＲＳＳＩ電圧が電圧値Ｖ０に一致させるように可変容量型コンデンサ２３の容量を制御する。 - 特許庁

A control circuit 36 formed in a system device 21 controls a capacitance value of a variable capacitance 35 and instructs a training circuit 45 to execute timing training.例文帳に追加

システム装置２１に形成された制御回路３６は、可変容量３５の容量値を制御し、トレーニング回路４５にタイミングトレーニングを実行させる。 - 特許庁

To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加

可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁

To inexpensively provide a high-accuracy thick film chip capacitor having a variable capacitance without requiring various kinds of screen masks nor a plurality of dielectric materials.例文帳に追加

各種スクリーンマスクや複数の誘電体材料を必要とすることがなく、精度の高い各種容量の厚膜チップコンデンサを低コストで提供すること。 - 特許庁

A control circuit 5 varies voltages Va and Vb, respectively applied to the variable capacitance diodes D1 and D2 in response to the frequency of up-signal.例文帳に追加

上り信号の周波数に応じて、制御回路５は可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２にそれぞれ印加する電圧Ｖａ、Ｖｂの電圧値を可変する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus provided with a variable capacitance diode, capacity of which can be arbitrarily changed during manufacturing process without changing a circuit pattern.例文帳に追加

回路パターンを変更せずに、容量を製造工程で任意に変えることができる可変容量ダイオード等を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching drive circuit 11 is provided with a variable capacitance element 14, connected between the drain electrode D and an gate electrode G of the transistor Tr10.例文帳に追加

スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間に接続される可変容量素子１４を備えている。 - 特許庁

The wireless receiver is provided with a 2nd variable capacitance circuit 14 that changes the resonant frequency of a 2nd matching circuit 5 to match the impedance of a built-in antenna 4.例文帳に追加

内蔵アンテナ４のマッチングをとる第２マッチング回路５の共振周波数を変化させるための第２可変容量回路１４を設ける。 - 特許庁

The frequency tuning sensitivity control section adjusts the change rate of the total capacitance of the variable capacitance circuit with respect to a control voltage, depending on the band used.例文帳に追加

周波数感度制御部は、使用するバンドに応じて、制御電圧に対する可変容量回路全体の容量の変化率を調整する。 - 特許庁

To provide a more simply and more inexpensively configured voltage generation circuit for generating a control voltage for controlling a capacitance of a variable capacitance element.例文帳に追加

可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を発生する電圧発生回路において、より簡易で、かつ、より低価格な構成を提供する。 - 特許庁

A microstrip line forming a resonance circuit is divided into two microstrip lines 11, 12, and a variable-capacitance element 22 and a coupling capacitor 33 are connected in parallel to the division point of the divided microstrip lines 11, 12 to feed the variable capacitance element 22 with a frequency adjusting bias voltage through a bias feed circuit 52.例文帳に追加

共振回路を形成するマイクロストリップ線路を２分割し、２分割されたマイクロストリップ線路１１，１２の分割された箇所に、可変容量素子２２と結合コンデンサー３３とを並列に接続し、バイアス供給回路５２を介して可変容量素子２２へ周波数調整用バイアス電圧を供給する。 - 特許庁

The resonance circuit 11 comprises a variable capacitance diode VD11, inductors L11 to L13, and capacitors C11, C12, and a circuit for outputting a signal resonated by frequencies determined by an LC serial resonance circuit 12, which comprises the variable capacitance diode VD11 and the inductor L11 as a first inductor.例文帳に追加

共振回路１１は、可変容量ダイオードＶＤ１１、インダクタＬ１１〜Ｌ１３、コンデンサＣ１１，Ｃ１２を備え、可変容量ダイオードＶＤ１１及び第１のインダクタであるインダクタＬ１１からなるＬＣ直列共振回路１２で決定される周波数で共振された信号を出力する回路である。 - 特許庁

In the voltage-controlled oscillator (VCO) for performing multi-band operation by being provided with two frequency variable means, variable capacitance elements 11ia, 12ia and 11ib, 12ib (i=1, 2 and 3) can be connected in parallel with one another in the direction where their polarities are opposite to one another and pairs of variable capacitance elements are formed.例文帳に追加

二つの周波数可変手段を具備することでマルチバンド動作を行なう電圧制御発振器（ＶＣＯ）において、可変容量素子１１ｉａと１２ｉａ及び１１ｉｂと１２ｉｂ（ｉ＝１、２、３）をそれぞれ互いに極性が逆になる向きに並列接続可能とし、可変容量素子対を形成する。 - 特許庁

The bias circuit 10 includes: a transistor Tr1 that supplies a bias current to the amplifying transistors RFTr1 and RFTr2 according to a reference voltage; a variable capacitance 18 connected between a collector of the transistor Tr1 and a grounding point; and a logic circuit 20 that controls a capacitance value of the variable capacitance 18.例文帳に追加

バイアス回路１０は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２に参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ１のコレクタと接地点との間に接続された可変容量１８と、可変容量１８の容量値を制御するロジック回路２０とを有する。 - 特許庁

A first terminal 6 for a variable capacitance diode 3 is connected to the oscillation-frequency control terminal 5, a second terminal 7 for the variable capacitance diode 2 is connected to a voltage source 4, and the voltage source 4 is varied so that the voltage of the oscillation-frequency control terminal 5 when a desired oscillation frequency is obtained reaches a desired value.例文帳に追加

可変容量ダイオード３の第１の端子６を前記発振周波数コントロール端子５に接続し、可変容量ダイオード２の第２の端子７を電圧源４に接続し、所望の発振周波数を得るときの発振周波数コントロール端子５の電圧が所望の値となるように電圧源４を可変する。 - 特許庁

The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.例文帳に追加

可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁

An antenna matching circuit 6 comprises a first variable capacitance element 7 connected in series with an antenna element 1, a second variable capacitance element 8 connected in parallel with the antenna element 1, a first inductor 9 connected in series with the antenna element 1, and a second inductor 10 connected in parallel with the antenna element 1.例文帳に追加

アンテナ整合回路６は、アンテナ素子１と直列に接続された第１可変容量素子７と、アンテナ素子１と並列に接続された第２可変容量素子８、アンテナ素子１と直列に接続された第１インダクタ９と、アンテナ素子１と並列に接続された第２インダクタ１０とを有する。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator includes an inductor circuit 110, C-coupling type variable capacitance circuits 120 and 140, a direct-coupling type variable capacitance circuit 130, and a negative resistance circuit 160, which are connected in parallel, and a reference voltage generating section 180 that generates reference voltages Vref1 and Vref2.例文帳に追加

本発明の電圧制御発振器は、並列接続されたインダクタ回路１１０、Ｃ結型可変容量回路１２０及び１４０、直結型可変容量回路１３０、及び負性抵抗回路１６０と、基準電位Ｖｒｅｆ１及びＶｒｅｆ２を生成する基準電位発生部１８０とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is easy and simple for producing a variable capacitance element with a super step junction structure.例文帳に追加

超階段接合構造をもつ可変容量素子を容易かつ簡便に作製することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pressure sensitive materials 16, 20 and 24 have at least one of a variable resistance and a variable capacitance based on the amount or type of pressure that is applied to the materials.例文帳に追加

感圧材料１６，２０，２４は、該材料へと加わる圧力の大きさ又は種類にもとづく可変の抵抗及び可変の容量の少なくとも一方を有している。 - 特許庁

The voltage controlled variable filter employs such capacitive elements as the dielectric constant of a dielectric is varied by the field strength of a control voltage as these variable capacitance elements.例文帳に追加

そして、これら可変容量素子に制御電圧の電界強度によって誘電体の誘電率を変化させた容量素子を用いる電圧制御可変フィルタとする。 - 特許庁

The circuit components of the resonance circuit of a variable capacitance diode 4 and a plurality of chip capacitors 5, and the chip capacitors 5 are composed of large chip components whose outside dimensions are 1.0×0.5 mm.例文帳に追加

共振回路の回路部品はバリキャップダイオード４と複数のチップコンデンサ５からなり、これらチップコンデンサ５を外形寸法が1.0×0.5mmの大きめのチップ部品で構成する。 - 特許庁

Variable capacitance capacitors are adopted for the capacitors C1, C2 in this case to be able to adjust a gain of a differential amplifier for its output resulting from subtracting the mixed signal from the video signal.例文帳に追加

このとき、キャパシタＣ１，Ｃ２の容量を可変とすることで、差動増幅器で映像信号から混合信号を差し引いた出力のゲインを調整することができる。 - 特許庁

In a board 2 of a variable-capacitance type switch 1, a movable body 5 supported by support beams 6 movably in an inclined direction, and a holding protrusion 14 are provided, and in the movable body 5, a movable electrode 12 is provided.例文帳に追加

基板２には、支持梁６により斜め方向に変位可能に支持された可動体５と、保持突起１４とを設け、可動体５には可動電極１２を設ける。 - 特許庁

To provide a variable capacitance element having a structure such that electric field sensitivity to a control voltage can be set irrelevantly to a breakdown voltage for a signal voltage, and an electronic apparatus.例文帳に追加

信号電圧に対する耐圧とは無関係に、制御電圧に対する電界感度を設定できる構造を有する可変容量素子及び、電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance element of such a structure that achieves not only stable operation by required electrostatic capacitance while maintaining the moved position of a movable electrode but also high vibration resistance.例文帳に追加

移動後の可動電極の位置を維持して、所望の静電容量で安定に動作させることができる、外部振動に強い構造の可変容量素子を提供する。 - 特許庁

The capacitance values of the first and second variable-capacitance diodes 4, 5 are controlled by a voltage control circuit 12, and the operating frequency of the antenna is tuned to a desired one.例文帳に追加

第一及び第二の可変容量ダイオード４、５の容量値は、電圧制御回路１２を用いて制御され、アンテナの動作周波数が所望の周波数に同調される。 - 特許庁

A control unit 2 generates a control signal, corresponding to the voltage level of the power source voltage Vdd and causes the control signal to vary the capacity value of a variable capacitance Cp3.例文帳に追加

制御部２は、電源電圧Ｖｄｄの電圧レベルに応じた制御信号を生成し、その制御信号によって可変容量Ｃｐ３の容量値を可変させる。 - 特許庁

To provide a variable capacitor reduced in nonlinear distortion, high in electric power resistance, with the amount of its variable capacitance practically unaffected by high-frequency voltages.例文帳に追加

非線形歪みを低減し、高い耐電力で使用でき、高周波電圧に静電容量の可変量が実質的に影響を受けない可変コンデンサを提供する。 - 特許庁

Further, a side wall frame 110 is formed in a form to surround the periphery of the variable capacitance element, and a ceiling wall 111 is formed on the side wall frame 110.例文帳に追加

また、この可変容量素子の外周を取り囲むような形で側壁枠１１０が形成され、この側壁枠１１０の上に、天井壁１１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a voltage-controlled oscillator that does not require a wide chip area, when a resonance circuit formed of a variable capacitance diode and an inductor is integrated in the oscillator.例文帳に追加

可変容量ダイオードとインダクタとで形成する共振回路を集積化したとき、広いチップ面積を必要としない電圧制御発振器を提供すること。 - 特許庁

The tuning varactor diode C_5 connected to a tuning inductor L is connected to the correction purpose variable capacitance circuit 8 via a negative impedance converter NIC.例文帳に追加

同調用インダクタＬに接続される同調用可変容量ダイオードＣ_５が負性インピーダンス変換器ＮＩＣを介して補正用可変容量回路８に接続されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate comprising a base 1 and an epitaxial layer 2, first and second variable-capacitance diode elements VCD(A) and VCD(B) are formed.例文帳に追加

基材１とエピタキシャル層２からなる半導体基板上に、第１の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ａ）と第２の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ｂ）を形成する。 - 特許庁

The capacitance of the variable capacitance element 14 is such that it is lowered, when the potential difference between the drain electrode D and the gate electrode G of the transistor Tr10 is increased.例文帳に追加

その可変容量素子１４の容量は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間の電位差が増加すると低下することを特徴としている。 - 特許庁

To improve vibration resistance and reliability of a variable- capacitance element, by so displacing its movable body in an inclined direction that its movable body rides on its holding body, and by stabilizing its operations to vibrations, etc.例文帳に追加

可動体が斜め方向に変位して保持体に乗上げることにより、振動等に対する素子の動作を安定させ、耐振性、信頼性を向上させる。 - 特許庁

Since the oscillator 115 is provided with a variable capacitance diode for changing the frequency of the clock signal in accordance with electric capacitance, the frequency of the clock signal is adjusted by changing the electric capacitance of the variable capacitance diode by the command from the MC 114 at the time of judging that the frequency of the radiated radio wave is included within the frequency band of the sound signal.例文帳に追加

クロック信号周波数の調整は、電気容量に応じてクロック信号周波数を変えるための可変容量ダイオードをクロック発振器が備えることにより、輻射される電波の周波数が音声信号の周波数帯域内と判定したとき、マイコンからの指令により可変容量ダイオードの電気容量を変えることにより行う。 - 特許庁

A variable voltage part 12 varies voltage to be applied to the variable capacitance diode 11 according to external setting or an internal state (detected noise quantity, an operation frequency of a logic circuit 14, etc.), so that even after mounting a semiconductor device 10 on a mounting board, the capacity value of the variable capacitance diode 11 can be set to a value suitable for noise.例文帳に追加

可変電圧部１２は、外部からの設定または内部の状態（検出されるノイズ量やロジック回路１４の動作周波数など）に応じて可変容量ダイオード１１に印加する電圧を可変することにより、半導体装置１０を実装基板に実装した後でも、可変容量ダイオード１１の容量値をノイズに適した値に設定できる。 - 特許庁

When RF and OSC signals, having greatly different levels, are superimposed on a DC bias voltage for applying, C-V characteristics in the first variable-capacitance diode element VCD(A) at the side of a local oscillation circuit approaches those of the second variable-capacitance diode element VCD(B) at the side of a high frequency circuit to reduce the tracking errors.例文帳に追加

レベルが格段に違うＲＦ信号とＯＳＣ信号が直流バイアス電圧に重畳して印加されると、局部発振回路側の第１の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ａ）のＣ−Ｖ特性は高周波回路側の第２の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ｂ）のＣ−Ｖ特性に接近し、トラッキングエラーが減少する。 - 特許庁

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁

Also, a variable capacitance diode 100 is mounted on the upper surface of the base substrate 1, a connection electrode 12 is formed on the lower surface side at the almost same position in a horizontal direction as the mounting position of one of the terminals of the variable capacitance diode 100, and the connection electrode 12 is joined to a mounting land 22 on the upper surface of the mother board 2 by the solder.例文帳に追加

また、ベース基板１の上面には可変容量ダイオード１００が実装されており、この可変容量ダイオード１００の一方の端子の実装位置と水平方向に略同一位置の下面側に接続電極１２が形成されており、この接続電極１２はマザー基板２上面の実装ランド２２に半田接合されている。 - 特許庁

The digital control oscillation circuit 11 includes: a loop-like transmission line 15 having odd numbered pieces each of parallel parts 15A where two conductors are disposed in parallel at an interval from each other and crossing parts 15B where the two conductors are electrically insulated and crossed respectively; an active circuit 17; and a first variable capacitance part 21 and a second variable capacitance part 22.例文帳に追加

ディジタル制御発振回路１１は、２本の導体が互いに間隔をおいて並行に配置された並行部１５Ａと、２本の導体が電気的に絶縁されて交差する交差部１５Ｂとをそれぞれ奇数個有するループ状の伝送線路１５と、アクティブ回路１７と、第１の可変容量部２１及び第２の可変容量部２２とを有している。 - 特許庁