| 例文 (999件) |
あいばしりの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11071件
元素分析を行う場合は、試料はソニックスプレイイオン源３によってソフトにイオン化される。例文帳に追加
A sample is ionized softly by a sonic spray ion source 3 in the case of elementary analysis. - 特許庁
シリコン（Ｓｉ）基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING ON SILICON(Si) SUBSTRATE CRYSTALLINE ALKALINE-EARTH-METAL OXIDE - 特許庁
分析物が試料中に存在する場合、液相で免疫反応または化学反応が起きる。例文帳に追加
If the analyte is present in the sample, an immuno- or chemical reaction occurs in the liquid phase. - 特許庁
ステレオ再生の場合には、これらの構成を二組有し、両組が同一の電源部を共用する。例文帳に追加
In the case of stereo playback, two sets of the configurations are included and both the sets share the same power supply section. - 特許庁
該コンディショニング組成物は、場合によっては、シリコーン及び／又は有機水不溶性液体を含んでいる。例文帳に追加
The conditioning composition optionally contains a silicone and/or an organic water insoluble liquid. - 特許庁
トンネル酸化物は、フローティングポリシリコンゲートと基板との間に位置する。例文帳に追加
A tunnel oxide is interposed between the floating polysilicon gate and a substrate. - 特許庁
マイナス電極１２９とシリコン基板１０１との間にはＨＦ溶液１３２を満たす。例文帳に追加
A space between the negative electrode 129 and the positive electrode 114 is filled up with an HF solution 132. - 特許庁
試料がいずれかの生物剤を含む場合、メチル化試薬は有機物質をより揮発性に誘導する。例文帳に追加
If the sample includes any biological agents, the methylating reagent derivatizes organic materials to make them more volatile. - 特許庁
ジンバルリング１５と推進ユニット３４との間にはチルトシリンダ４７が連結されている。例文帳に追加
A tilt cylinder 47 is connected between the gimbal ring 15 and the propulsion unit 34. - 特許庁
線路用導体５ａ，５ｂの間におけるシリコン基板１の表面に溝７が形成されている。例文帳に追加
The grooves 7 are formed on the surface of the silicon substrate 1 between the line conductors 5a and 5b. - 特許庁
さらに、半導体基板上には、ＳＯＩ領域２２を囲むように、シリコン領域２３Ａが形成されている。例文帳に追加
Furthermore, a silicon region 23A is formed surrounding the SOI region 22 on the semiconductor substrate. - 特許庁
トレンチ底部に厚いポリシリコン絶縁層を有するトレンチゲート型ＭＩＳデバイスの製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING TRENCH GATE TYPE MIS DEVICE HAVING THICK POLYSILICON INSULATING LAYER AT BOTTOM OF TRENCH - 特許庁
シリコン・ゲルマニウム基板１１に、歪みＳｉ層１４が形成することを特徴としている。例文帳に追加
In this method of manufacturing semiconductor substrate, the strained Si layer 14 is formed on a silicon/germanium substrate 11. - 特許庁
ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。例文帳に追加
A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11. - 特許庁
試料中の化合物の濃度が溶解度限界を超える場合、試験化合物の粒子が沈殿する。例文帳に追加
When the concentration of the compound in the sample exceeds the solubility limit, particles of the test compound precipitate. - 特許庁
電話装置の操作者であるユーザが、予め知り合い等の電話番号を登録しておく。例文帳に追加
As an operator of the telephone, the user previously registers the telephone number of an acquaintance or the like. - 特許庁
Ｓｉ基板１１上の酸化シリコン膜１４上にカーボン膜１５を形成する。例文帳に追加
A carbon film 15 is formed on a silicon oxide film 14 on an Si substrate 11. - 特許庁
シリコン基板１２の表層部には、フォトダイオード１３やＩＣ回路１５が形成されている。例文帳に追加
A photodiode 13 and an IC circuit 15 are formed on a surface layer part of a silicon substrate 12. - 特許庁
シリコン基板１と薄膜誘導素子９との間には低誘電率膜５が設けられている。例文帳に追加
A low dielectric constant film 5 is formed between the silicon substrate 1 and the thin film inductive element 9. - 特許庁
縦形ゴニオメータも用いた場合に、大きな試料を水平にセッティングすることを容易にする。例文帳に追加
To facilitate setting a large sample horizontally when a vertical goniometer is used. - 特許庁
基板上のＨｉｇｈ−ｋ膜よりなる絶縁膜上にポリシリコンを形成する。例文帳に追加
A polysilicon film is formed on an insulating film comprising a High-k film on a substrate. - 特許庁
先ず、シリコン基板１上に第１のＳｉＯ_2膜２を形成し、その上にＡｌ膜３を形成する。例文帳に追加
At first, a first SiO2 film 2 is formed on a silicon substrate 1 and an Al film 3 is formed thereon. - 特許庁
Ｓｉ基板１１１上にシリコン窒化膜からなる下部拡散防止絶縁層１１２が形成されている。例文帳に追加
A lower diffusion preventive insulating layer 112 of silicon nitride is formed on an Si substrate 111. - 特許庁
ＳＯＩ基板１０のｐ型シリコン層１３内に保護用ダイオードが形成される。例文帳に追加
A protective diode is formed in a p-type silicon layer 13 of an SOI substrate 10. - 特許庁
ＰＣ３は、このシリアルＮＯ．を自身のＩＰアドレスと共に、サーバ５へ送信する。例文帳に追加
The PC 3 transmits the serial NO. and its own IP address to a server 5. - 特許庁
ピッキングが行なわれた場合に、直ちに、これを感知することができるシリンダー錠を提供する。例文帳に追加
To provide a cylinder lock capable of immediately sensing a picking when performed. - 特許庁
ＩＰＤインプルメンテーションは基板材料としてシリコンを使用することが好ましい。例文帳に追加
The IPD implementation preferably uses silicon as the substrate material. - 特許庁
定着用シリンダ２と、アンカーへッド７の間には、クサビ抑え盤４を配置する。例文帳に追加
The wedge presser board 4 is arranged between the anchoring cylinder 2 and the anchor head 7. - 特許庁
基板１上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜（ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３）を成膜する。例文帳に追加
Silicon nitride film (ALD-SiN film 3) is formed on the substrate 1 by an atomic layer deposition method. - 特許庁
個片化した半導体装置を個別にシリコン基板１と剥離用樹脂層３との間で剥離する。例文帳に追加
The semiconductor device integrated into pieces is individually peeled between the silicon substrate 1 and the resin layer 3 for peeling. - 特許庁
低屈折率の窒化シリコン膜を用いた場合であっても、電流コラプスを効果的に低減すること。例文帳に追加
To effectively reduce current collapse even when a silicon nitride film having a low refractive index is used. - 特許庁
シリコン基板１上にポーラスＭＳＱ（２）を形成し、その上にＳｉＣマスク３を形成する。例文帳に追加
A porous MSQ(2) is formed on a silicon substrate 1 and an SiC mask 3 is then formed thereon. - 特許庁
この場合、半導体表面は、（１１１）面、（１１０）面、または（５５１）面を有するシリコンである。例文帳に追加
In this case, the surface of the semiconductor is composed of silicon having the (111)-plane, (110)-plane, or (551)-plane. - 特許庁
Ｓｉ（１１１）上にゲ—ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING ULTRA-THIN CRYSTALLINE SILICON NITRIDE FOR GATE DIELECTRIC ON SILICON (111) - 特許庁
シリアルバス機器の送受信回路およびＳｅｌｆ ＩＤプロセスの動作手順例文帳に追加
TRANSMISSION/RECEPTION CIRCUIT FOR SERIAL BUS DEVICE AND OPERATION PROCEDURE FOR SELF ID PROCESS - 特許庁
透過型電子顕微鏡用試料において薄片化を行う場合、崩れの制御を容易とする。例文帳に追加
To facilitate control of collapse when thinning for a transmission electron microscope specimen. - 特許庁
ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスへの接続機器とそのスピードマップ生成方法例文帳に追加
EQUIPMENT TO BE CONNECTED TO IEEE1394 SERIAL BUS AND ITS SPEED MAP GENERATING METHOD - 特許庁
酸化膜１０７は、拡散層１１２”Ａとシリコン基板１０１との間の短絡を防止する。例文帳に追加
The oxide film 107 prevents the diffusion layer 112" A and a silicon substrate 101 from short-circuiting. - 特許庁
ＳＯＩ基板のシリコン酸化膜２上にＣｕ拡散を防止する拡散防止層４を設ける。例文帳に追加
A diffusion preventing layer 4 is provided to prevent Cu diffusion on a silicon oxide film 2 of an SOI substrate. - 特許庁
探針１と試料３との間に、角周波数ωの交番電圧を発振器１５から与える。例文帳に追加
An alternating voltage at an angular frequency ω is given across a probe 1 and the sample 3 from an oscillator 15. - 特許庁
特に本製造方法は負極活物質として非晶質シリコン層を含む場合に効果が大きい。例文帳に追加
Especially, this manufacturing method is most effective when containing a amorphous silicon layer as a negative electrode active material. - 特許庁
シリコン薄膜の製造方法、ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SILICON THIN FILM, FORMING METHOD OF SOI SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
洗車機本体１側とアーム２２側との間にバランス補助シリンダー５１を設けた。例文帳に追加
A balance auxiliary cylinder 51 is provided between the car washing machine body 1 side and the arm 22 side. - 特許庁
また、熱酸化法により、シリコン基板１の表面にＳｉＯ_２層２を形成する。例文帳に追加
Further, the SiO_2 layer 2 is formed in the surface of a silicon substrate 1 by using a thermal oxidation method. - 特許庁
密閉部材２２とカバー３の間にゼリー状のシリコンシート２５を介装する。例文帳に追加
Between the sealing member 22 and the cover 3, a jelly-like silicon sheet 25 is interposed. - 特許庁
スパッタ法を用いて、良質なＢｉＦｅＯ_3膜を直接シリコン基板の上に形成できるようにする。例文帳に追加
To directly form a BiFeO_3 film of high quality on a silicon substrate using a sputtering process. - 特許庁
インターフェース装置１はシリアルデバイス３との間でデータ伝送を行う。例文帳に追加
An interface device 1 transfers data to and from a serial device 3. - 特許庁
耐腐食性を有し、流体が薬品である場合にも用いることができるロータリジョイントの提供。例文帳に追加
To provide a rotary joint having corrosion resistance and used even in a case when the fluid is chemicals. - 特許庁
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