「あいばしり」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明においては、ＳｉＣ基板上にＳｉをエピタキシャル成長させ、Ｓｉ上にシリコン酸化膜を形成して縦型ＭＯＳＦＥＴを形成する。例文帳に追加

Si is epitaxially grown on a SiC substrate, a vertical MOSFET is formed by forming a silicon oxide film on the Si. - 特許庁

Ｓｉ基板１上にＳｉ層１３／ＳｉＧｅ層１１を成膜し、素子領域の外周に沿って溝ｈ１を形成する。例文帳に追加

A Si layer 13 and a SiGe layer 11 are formed on a Si substrate 1 and a groove h1 is also formed along the external circumference of an element region. - 特許庁

更に、第１絶縁膜ＩＬ１は、第２絶縁膜ＩＬ２および第３絶縁膜ＩＬ３よりも、シリコン基板１に対して及ぼす応力が小さい。例文帳に追加

Further, the first insulating film IL1 has less stress exerted on the silicon substrate 1 than the second insulating film IL2 and the third insulating film IL3. - 特許庁

シリコン膜が粒状結晶ＧＧＳＩ，あるいは凝集状態の膜ＡＧＳＩである場合には観測されない。例文帳に追加

When the silicon film is granular crystal GGSI or an aggregated film AGSI, the inspection light PRO1 is not observed. - 特許庁

また、ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスＩ／Ｆ部１０３を介して、アイソクロナス転送モードによって画像データをプリンタ９２に送信可能である。例文帳に追加

The picture data is transmitted to the printer 92 in an isochronous transfer mode via an IEEE1394 serial bus I/F part 103. - 特許庁

ＩＥＥＥ１３９４シリアルバス上のパケットと、ＩＰパケットとの間の変換を高速に行う。例文帳に追加

To provide a packet transfer apparatus for carrying out conversion between packets on an IEEE1394 serial bus and IP packets at a high speed. - 特許庁

一方、堆積微粒子量が所定量よりも多い場合、排気ガスの空燃比を第一の度合よりも大きな第二の度合のリッチとする。例文帳に追加

On the other hand, where the quantity of the accumulated particles is more than the prescribed value, the air-fuel ratio of the exhaust gas is set to a second rate richness larger than the first rate richness. - 特許庁

ソフトＩＤ発行機能、データ送受信機能、ソフトＩＤ管理機能、ソフトＩＤチェック機能、シリアルナンバ管理機能を備える。例文帳に追加

The software illegal usage preventing device includes a software ID issuing function, a data exchange function, a software ID managing function, a software ID checking function and a serial number managing function. - 特許庁

また、ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスＩ／Ｆ部１０３を介して、アイソクロナス転送モードによって画像データをプリンタ９２に送信可能である。例文帳に追加

Further, the image data can be transmitted to the printer 92 in an isochronous transfer mode via an IEEE 1394 serial bus I/F section 103. - 特許庁

ＳＯＩ基板の埋め込みシリコン酸化膜を下部クラッド１０２として使用し、このＳＯＩ基板のシリコン層を加工することによってコア１０３を形成し、ＳＯＩ基板の表面にシリコン酸化膜を堆積することによって上部クラッド１０４を形成する。例文帳に追加

An embedded silicon oxide film of a SOI substrate is used as the lower clad 102 and the core 103 is formed by processing the silicon layer of the SOI substrate. - 特許庁

この３連シリンダ機構の場合、ストリップ２８の引き出し量は、ドライブホイール１４とストリップ２８の固定端２８ａ間でシリンダストロークの６倍となる。例文帳に追加

In the case of this triple cylinder mechanism, a quantity of the strip 28 withdrawn amounts to six times of a cylinder stroke between the drive wheel 14 and the fixed end 28a of the strip 28. - 特許庁

ＳｉＯ_４／２単位、ＲＳｉＯ_３／２単位、Ｒ_２ＳｉＯ_２／２単位、Ｒ_３ＳｉＯ_１／２単位からなる群より選ばれる１単位以上からなり、ＲＳｉＯ_３／２単位の割合が５０モル％以上であるシリコーン系化合物を含有する、フッ素含有中空シリコーン粒子。例文帳に追加

Fluorine-containing hollow silicone particles are provided, each comprising a silicone compound composed of one or more units selected from SiO_4/2 unit, RSiO_3/2 unit, R_2SiO_2/2 unit and R_3SiO_1/2 unit with the RSiO_3/2 units accounting for 50 mol% or greater of the total units. - 特許庁

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。例文帳に追加

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。例文帳に追加

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。例文帳に追加

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3. - 特許庁

但し、特許権者が特許付与日以前に知った場合又は知り得る場合は、特許権付与日より起算する。例文帳に追加

However, the period of limitation for action shall commence from the date when the patent right is granted, if the patentee knows or should have known of the use before the patent right is granted.  - 特許庁

シリコン基板１上の所望部位にＴｉ膜２をパターン形成し、Ｔｉ膜２を覆うように基板１上にＣｏ膜３を形成する。例文帳に追加

This method patternizes a Ti film 2 in a desired area on a silicon substrate 1 and forms a Co film 3 on the substrate 1, covering the Ti film 2. - 特許庁

原料ガスとしてＳｉＨ_４及びＨ_２を用いた場合、基板上に結晶性の良好な微結晶シリコン薄膜を作製することができる。例文帳に追加

The use of SiH_4 and H_2 for the raw material gas can manufacture a microcrystal silicon thin film, having satisfactory crystallinity on the substrate. - 特許庁

貫通電極付き基板（１）は、支持基板層（１０）とシリコン層（３０）との間に埋め込み絶縁層（２０）を有するＳＯＩウェハ（２）を用いる。例文帳に追加

An SOI wafer (2) having an embedded insulating layer (20) between a supporting substrate layer (10) and a silicon layer (30) is used for the substrate (1) with through electrodes. - 特許庁

微細構造体を製造する場合は、まずシリコン基板６の上面にＴｉの導電層８を成膜する。例文帳に追加

When manufacturing the microstructure, first of all, a Ti conductive layer 8 is formed on an upper surface of a silicon substrate 6. - 特許庁

高性能ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラトランジスタＢｉＣＭＯＳを絶縁体上シリコン基板に製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HIGH PERFORMANCE SiGe HETERO- JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR BiCMOS ON SILICON WAFER ON INSULATOR - 特許庁

ＡＰＩサーバ２は、端末装置１からリクエストを受信し、リクエストに含まれるユニークＩＤを取得し、ストレージサーバ３へ送信する。例文帳に追加

The API server 2 receives the request from the terminal device 1, acquires the unique ID included in the request, and transmits it to a storage server 3. - 特許庁

本発明は、シリコン基板上にＢＯＸ層９及びＳＯＩ層１０が積層されたＳＯＩ基板に形成される半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device is the one formed on an SOI substrate wherein a BOX layer 9 and an SOI layer 10 are laminated on a silicon substrate. - 特許庁

その後シリコンチップＬＳｉ1を搭載してＬＳｉの内部回路に用意したインバータ等のドライバ回路に接続して発振回路を形成する。例文帳に追加

Subsequently, the silicon chip LSi 1 is mounted and connected with a driver circuit such as an inverter prepared in the internal circuit of the LSi thus forming an oscillation circuit. - 特許庁

そのまま放置された場合、表示部２にアイコンを表示し、リダイヤルオーバーの送信指令の存在を示す。例文帳に追加

When the call is left as is, the section 1 displays an icon in the displaying section 2 to show the presence of the excess redialing transmission command. - 特許庁

発振装置は、ＩＣ技術又はＭＭＩＣ技術によって形成され、また、シリコン基板又はＧａＡｓ基板が用いられる。例文帳に追加

The oscillator is made by using IC technology or MMIC technology, and uses a silicon substrate or a GaAs substrate. - 特許庁

このコンテンツサーバ１１４は、ＩＥＥＥ１３９４シリアルバス１１１に対して、該コンテンツを蓄積した仮想的なＩＥＥＥ１３９４機器と見なされる。例文帳に追加

This contents server 114 is considered to be virtual IEEE1394 equipment storing contents for the IEEE1394 serial bus 111. - 特許庁

パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。例文帳に追加

A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed. - 特許庁

また、ＭＤＩＯインタフェース４０は、下位シリアルバス４を介してクライアントデバイスとの間でデータの送受信を行なう。例文帳に追加

An MDIO interface 40 transmits and receives data to/from the client device through a lower serial bus 4. - 特許庁

このとき、シリアル通信エラーが発生した場合、ＨＤＤ Ｉ／Ｆ３内のリトライ用バッファに蓄積された画像データを再送する。例文帳に追加

If a serial communication error occurs at that time, the image data accumulated in the retry buffer within the HDD I/F 3 is retransmitted. - 特許庁

すると梁部５１をシリコンによって形成した場合よりも、酸化膜によって形成した場合の方が、梁部５１を厚く設定することができる。例文帳に追加

Consequently, the beam part 51 can be set thicker than in the case of forming from the oxide film, as compared with the case where the beam part 51 is formed from silicon. - 特許庁

ＳｉＣ基板１とニッケル膜３との間においては、バリア膜２の開口部２ａの部分に、ニッケルシリサイドの反応層４が形成されている。例文帳に追加

A reaction layer 4 of nickel silicide is formed between the SiC substrate 1 and the nickel film 3 at the opening part 2a of the barrier film 2. - 特許庁

基板と段差調整板との間の掛合力の向上したシリンダーヘッド用メタルガスケットを提供する。例文帳に追加

To provide a metal gasket for a cylinder head improving a fitting force between a base and a level difference adjusting plate. - 特許庁

この場合、有機化合物の重量平均分子量が１０万未満である場合に比べて、クラックがより入りにくいという利点がある。例文帳に追加

This is more advantageous than the case where the organic compound has a weight-average molecular weight of less than 100,000 in that cracks are harder to occur therein. - 特許庁

隔壁部材２３は、流速が速い場合には下方に変位し、流速が遅い場合には上方に変位する。例文帳に追加

The partition wall member 23 is displaced downward in the case of a high flow velocity, and displaced upward in the case of a low flow velocity. - 特許庁

この場合、エンジン回転速度が停止禁止領域外の値を採る場合に、エンジン停止許可が出力され、エンジンが停止させられる。例文帳に追加

In this case, when the engine has the value out of the stop prohibition region, the engine stop permission is outputted to stop the engine. - 特許庁

ケース１５は、例えば鉄−Ｓｉ（シリコン）系の焼結体によって形成され、センタコア１１とともに閉磁路を形成する。例文帳に追加

The case 15 is formed of an iron-Si-based sintered body and forms a closed magnetic circuit together with the center core 11. - 特許庁

^28Ｓｉのテラス１上に、^29Ｓｉ２をチェーン状に並べ、シリコンが並んだ方向に、１Ｔ／μｍオーダーの磁場勾配をかける。例文帳に追加

^29Si 2 is arranged in a chain shape on a terrace 1 of ^28Si, and the magnetic field gradient in the 1T/μm order is applied in the arrangement direction of the silicon. - 特許庁

リザーバと圧力室との間に圧力差が生じた場合に有効となる流れ接続を有するマスタシリンダを構成部分に関して最適化する。例文帳に追加

To optimize a constitutive part of a master cylinder having the flow connection becoming effective when pressure differential is caused between a reservoir and a pressure chamber. - 特許庁

型締めシリンダ５０は、第１対面部と固定型取付板との間若しくは第２対面部と可動型取付板との間に配される。例文帳に追加

A mold clamping cylinder 50 is arranged between the first facing part and the fixed mold attaching plate or between the second facing part and the movable mold attaching plate. - 特許庁

製造工程を増やすことなく、熱処理後のＳＯＩ基板のシリコン層表面のラフネスを低減できるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI substrate in which the surface roughness of a heat-treated SOI substrate can be reduced without increasing a manufacturing process. - 特許庁

ＭＤＩＯインタフェース３２は、上位シリアルバス２を介してホストデバイスとの間でデータの送受信を行なう。例文帳に追加

An MDIO (management data input/output) interface 32 transmits and receives data to/from a host device through a host serial bus 2. - 特許庁

これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。例文帳に追加

Thereafter, the silicon plate 23 is melted by heat treating them under high vacuum high temperature environment so as to interpose an extremely thin melt layer of Si as solvent between the single crystal SiC substrate 15 and the polycrystalline SiC substrate 20. - 特許庁

本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate. - 特許庁

シリコン基板を純水中に浸漬させて超音波を印加した後、熱処理することにより、シリコン基板表面にＯＳＦ核を形成し、前記シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層、または、ＳｉＧｅ層とＳｉ層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

In the manufacturing method of the semiconductor substrate, a silicon substrate is immersed in pure water, an ultrasonic wave is applied to the substrate, thereafter OSF cores are formed on the surface of the silicon substrate by applying heat treatment to the substrate, and the SiGe layer or the SiGe layer, and a Si layer are formed on the silicon substrate. - 特許庁