「あいばしり」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ゲート電極は、たとえばリンドープポリシリコン３、ＷＳｉ４からなる２層構造とする。例文帳に追加

The gate electrode is set to two layer structure formed of phosphorus dope polysilicon 3 and WSi4. - 特許庁

ゼオライトを触媒とする場合には、シリカ／アルミナ比が２〜４００のものを使用することが好ましい。例文帳に追加

When zeolite is used as catalyst, it is preferable to use one having a silica/alumina ratio of 2-400. - 特許庁

シリコン−オン−インシュレーター構造及びバルク基板に対するＳｉＧｅの堆積例文帳に追加

DEPOSITION OF SILICON GERMANIUM ON SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES AND BULK SUBSTRATES - 特許庁

ＩＣＰ分析用チャンバ及びそれを用いる有機溶媒試料の分析方法例文帳に追加

CHAMBER FOR ICP ANALYSIS AND ANALYTICAL METHOD FOR ORGANIC SOLVENT SAMPLE USING THE SAME - 特許庁

シリコン基板、ＳＯＩ基板、及びＴＦＴ用ＭＯＳ低電力・高速回路例文帳に追加

SILICON SUBSTRATE, SOI SUBSTRATE, AND MOS LOW-POWER AND HIGH-SPEED CIRCUIT FOR TFT - 特許庁

その後、マスタシリンダ液圧が減圧させられた場合には、助勢圧の減少勾配が抑制される。例文帳に追加

The auxiliary energizing pressure is thereafter suppressed in its decreasing gradient when the master cylinder fluid pressure is decreased. - 特許庁

カッターフレーム１６とエアシリンダ４２との間にコイルばね１８を設けた。例文帳に追加

A coil spring 18 is fixed between the cutter frame 16 and the air cylinder 42. - 特許庁

リングとエレメントとの当接部分での不具合を解決し、リングの寿命を延ばす。例文帳に追加

To solve the trouble at an abutment portion between a ring and an element and extend the life of the ring. - 特許庁

このとき、ユーザはコピーされた用紙に頁番号を付す場合のガイダンスを知りたいものとする。例文帳に追加

At this time, it is supposed that the user wishes to know the guidance for giving page numbers to copied paper. - 特許庁

既存のシリアルバスインタフェースと単線バスインタフェースとの間における相互運用を可能にする。例文帳に追加

To enable interoperability between existing serial bus interfaces and a single wire bus interface. - 特許庁

このＣＩＳをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成される基板を備える。例文帳に追加

The CIS-based photovoltaic device further includes a substrate formed from a silicone composition. - 特許庁

リングとエレメントとの当接部分での不具合を解決し、リングの寿命を延ばす。例文帳に追加

To solve the trouble of a contact portion between a ring and an element and, extend the life of the ring. - 特許庁

ロッド１５の上部のばね座１９とシリンダ１１の間にリターンスプリング２０を組込む。例文帳に追加

A return spring 20 is assembled between a spring seat 19 in an upper part of the rod 15 and the cylinder 11. - 特許庁

これにより、主基板１０と副基板２０との間の接続は四つのシリアル線で行われる。例文帳に追加

Thus, the main board 10 and the subboard 20 are connected with the four serial wires. - 特許庁

基板１１とカバー１３との間には、管状の試料液移送路２５が存在する。例文帳に追加

A tubal sample liquid transfer route 25 is present between the substrate 11 and the cover 13. - 特許庁

かいば桶と飼料供給装置の底部分の間の距離は調節可能である。例文帳に追加

The distance between the trough and the bottom of the fodder feeder is adjustable. - 特許庁

バランサシャフトを側方から取り付ける場合において、シリンダブロックの強度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent the reduction in strength of a cylinder block in the mounting of a balancer shaft from the side. - 特許庁

樹脂流路は、垂直部と水平部を持ち、両者の間が曲線の流路によって結ばれている。例文帳に追加

The resin flow channel has a vertical part and a horizontal part both of which are connected by a curved flow channel. - 特許庁

この場合、Ｈラジカルにより、ガラス基板１３上に成膜される酸化シリコン膜が改質される。例文帳に追加

In this case, the silicon oxide film formed on the glass substrate 13 is reformed with the H radical. - 特許庁

ページが読み出しリクエストのターゲットである場合、ページのデータバージョンが使用される。例文帳に追加

When a page is the target of a read request, the data version of the page is used. - 特許庁

前記インバータ基板２１は、前記シリンダ１４ａと前記タンク２３，２４との間に配置した。例文帳に追加

The inverter board 21 is arranged between the cylinder 14a and the two elongated tanks 23, 24. - 特許庁

ＩＥＥＥ１３９４シリアルバスに接続される録画装置、及びバスに接続される記録装置例文帳に追加

VIDEO RECORDER CONNECTED TO IEEE1394 SERIAL BUS, AND RECORER CONNECTED TO BUS - 特許庁

量子リング１は、例えばリング状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成され、量子ドット３は、例えば点状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成される。例文帳に追加

The quantum ring 1 is composed of a ring-shaped Si or Si_1-xGe_x film, and the quantum dot 3 is composed of a dotted Si or Si_1-xGe_x film. - 特許庁

表面層検出装置１１は、シリコン基板２の表面にＳｉＣｌ_ｘ層が形成されている場合のプローブ光の強度と、シリコン基板２の表面にＳｉＣｌ_ｘ層が形成されていない場合のプローブ光の強度とに基づいてＳｉＣｌ_ｘ層の検出を行なっている。例文帳に追加

The surface layer detecting device 11 detects the SiCl_x layer according to the intensity of the probe light when the SiCl_x layer is formed on the surface of the silicon substrate 2 and the intensity of the probe light when the SiCl_x layer is not formed on the surface of the silicon substrate 2. - 特許庁

入力制御部７１は、入力バッファ６０からのシリアルデータＤＩｉ（ｉ＝０〜５１１）を取り込んで、ＤＩＡｉをＷアンプ７２Ａに、ＤＩＢｉをＷアンプ７２Ｂに供給する。例文帳に追加

An input control part 71 takes in serial data DIi (i=0 to 511) from an input buffer 60 and supplies DIAi to a W amplifier 72A and DIBi to a W amplifier 72B. - 特許庁

そして、ゲート電極１０５が設けられたシリコン基板１０１の素子形成面にＮｉ膜を形成し、Ｎｉ膜とシリコン基板１０１とを反応させて、Ｎｉシリサイド層１１１を形成する。例文帳に追加

Further, an Ni film is formed on the element formation surface of the silicon substrate 101 in which the gate electrode 105 is formed, and the Ni silicide layer 111 is formed by making the Ni film and the silicon substrate 101 react with each other. - 特許庁

シリコン支持部２１と酸化膜２２とＳＯＩ部２３からなるＳＯＩウェハ（第１のシリコン基板）のＳＯＩ部２３にキャビティを形成し、この後、第２のシリコン基板３０と貼り合わせを行う。例文帳に追加

In a manufacturing method, a cavity is formed in a silicon-on- insulator(SOI) part 23 on an SOI wafer (a first silicon substrate) which is composed of a silicon support part 21, an oxide film 22 and the SOI part 23, and a second silicon substrate 30 is then pasted. - 特許庁

Ｉ−ＵＩＭ２４は、組込み電子シリアル番号（Ｉ−ＥＳＮ）および組込み加入者情報を含み、Ｒ−ＵＩＭは、取り外し可能電子シリアル番号（Ｒ−ＥＳＮ）およびリモート加入者情報を含む。例文帳に追加

The I-UIM 24 includes an integrated electronic serial number(I-ESN) and integrated subscriber information and the R-UIM includes a removable electronic serial number(R-ESN) and remote subscriber information. - 特許庁

具体的には例えば、Ｏ型コア１０を非配向性材料、Ｉ型コア２０を配構成材料で形成するか又は、Ｉ型コア２０のシリコン含有量をＯ型コア１０のシリコン含有量よりも多い材質で形成する。例文帳に追加

More specifically, the O-type core 10 is formed by a non-orientation material and the I-type core 20 is formed by an orientation material, or the silicon content of the I-type core 20 is made larger than that of the O-type core 10 for formation. - 特許庁

バイアス電圧の絶対値を２００Ｖ以下にすることにより、シリコン基板に到達するプラズマ中のイオン（例えば、Ｂｒ^+ ）のエネルギーを小さくし、Ｓｉ−Ｓｉの共有結合が切断されて活性粒子（例えば、ＳｉＢｒ_3 、ＳｉＢｒ_2 、ＳｉＢｒ等）が生成されることを抑制する。例文帳に追加

The absolute value of the bias voltage is set to not higher than 200 V and then energy of ions (for example, Br^+) in plasma reaching a silicon substrate is made small in order to prevent cutting of a Si-Si covalent bonding, thereby suppressing the generation of active particles (for example, SiBr_3, SiBr_2, SiBr etc.). - 特許庁

チャンバーは、陽極区画と試料コンテナとの間および陰極区画と試料コンテナとの間に配置されている。例文帳に追加

The chamber is provided between the anode compartment and the sample container and between the cathode compartment and the sample container. - 特許庁

機器Ａ２０及び機器Ｂ３０は、ＩＥＥＥ１３９４シリアルインタフェース２３、３３を介してＩＥＥＥ１３９４シリアルバス１０に接続される。例文帳に追加

A device A 20 and a device B 30 are connected to an IEEE1394 serial bus 10 through IEEE1394 serial interfaces 23 and 33. - 特許庁

液圧シリンダ７に不具合が生じた場合には、液圧シリンダ７を単独で分解修理又は交換する。例文帳に追加

When a trouble occurs in the hydraulic cylinder 7, the hydraulic cylinder 7 is independently disassembled and repaired or replaced. - 特許庁

この場合においても、おしりノズル１が前方位置に移動するまでの間、分散旋回流と直線流とが交互に切り替わる。例文帳に追加

Even in this case, the dispersive swirling flow and the straight line flow are alternately switched until the hip nozzle 1 moves to the front position. - 特許庁

試料４を照射する１次Ｘ線の強度が強すぎる場合、メッシュ７がＸ線管５と試料４の間に配置される。例文帳に追加

In a case that the intensity of primary X rays used for irradiating the sample 4 is too intensive, a mesh 7 is arranged between an X-ray tube 5 and the sample 4. - 特許庁

私はその男が老水夫で、酒場をやっており、ブリストルの水夫という水夫がみな知りあいであるということを知りました。例文帳に追加

I found he was an old sailor, kept a public-house, knew all the seafaring men in Bristol,  - Robert Louis Stevenson『宝島』

プラズマ処理して表面活性化させた単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０を低温で貼り合わせ、これに外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルクからシリコン膜を機械的に剥離してシリコン膜（ＳＯＩ膜）１２を備えた半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。例文帳に追加

A single-crystal Si substrate 10 subjected to plasma processing for surface activation is bonded to a quartz substrate 20 at low temperature, external impact is given to it, and a silicon film is mechanically peeled from the bulk of a single-crystal silicon, thus obtaining a semiconductor substrate (SOI substrate) with a silicon film (SOI film) 12. - 特許庁

センタサーバ１は、バーコード７とバーコードリーダ３のシリアル番号とを関連付けたコードデータベース９を有し、受信したバーコード７にシリアル番号が関連付けて登録されている場合、登録されているシリアル番号と、受信したシリアル番号と、を比較する。例文帳に追加

A center server 1 has a code reader database 9 with a barcode 7 correlated to a serial number of a barcode reader 3, and compares a registered serial number with a received serial number, when the serial number is registered relating to the received barcode 7. - 特許庁

本発明のインターフェース・モジュール１０８は、高速シリアル・バス（例えばＩＥＥＥ１３９４）インターフェース２００とＶＸＩインターフェース２０６とを具備し、これらが制御手段２１４の制御に従ってシリアル・バス１０４とＶＸＩバス１１０との間のデータ交換を行う。例文帳に追加

This interface module 108 contains a high speed serial bus (e.g. IEEE 1394) interface 200 and a VXI interface 206, and they perform data exchange between a serial bus 104 and a VXI bus 110 according to the control of a controlling means 214. - 特許庁

このように、ｎ型ＳｉＣ基板１０に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１を形成すれば、エピタキシャル成長工程によらずに、例えばイオン注入によって電流阻止領域を形成することができる。例文帳に追加

If the p-type SiC region 11 is thus formed as a current blocking region on the n-type SiC substrate 10, a current blocking region can be formed by e.g. ion implantation without using the epitaxial growth process. - 特許庁

光散乱部１１は、例えばＳｉＯ_2 （酸化シリコン）からなる媒質部分１３の内部に例えばＳｉ（シリコン）からなる多数の散乱粒子１４を分散したものである。例文帳に追加

For the light scatters 11, a number of scattering particles 14 made of, for example, Si (silicon) are dispersed inside a medium 13 made of, for example, SiO_2 (silicon oxide). - 特許庁

複合基板１Ａは、大判の炭化珪素基板（ＳｉＣ）１０の上に複数の長尺シリコン分割基板片２０Ａを並列配置した状態でアニール処理によって各シリコン分割基板片２０ＡをＳｉＣ１０に接合する。例文帳に追加

In a composite substrate 1a, a plurality of long silicon split substrate pieces 20A are arranged side by side on a large silicon carbide substrate (SiC) 10, and they are annealed to join the respective silicon split substrate pieces 20A with the SiC 10. - 特許庁

そして、ＲＦＩＤタグ１０は、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３０により搬送されたシリアル番号が固有シリアル番号と一致する場合、発光素子１１を発行させる。例文帳に追加

The RFID tag 10 makes a light emitting element 11 emit light, when the serial number conveyed by an RFID reader/writer 30 matches the intrinsic serial number. - 特許庁

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。例文帳に追加

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4. - 特許庁

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。例文帳に追加

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate. - 特許庁