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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > あいばしりに関連した英語例文

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あいばしりの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11071



例文

Ni合金膜を有する基板を熱処理してNi合金シリサイド膜を形成する。例文帳に追加

A heat treatment is applied to the substrate including the Ni alloy film to form a Ni alloy silicide film. - 特許庁

シリコン配線基板10上には、各種IP群がチップIPとして搭載可能となっている。例文帳に追加

On a silicon wiring board 10, each kind of IP group can be mounted as a chip IP. - 特許庁

そして、SOI基板のシリコン層を加工してフィンFIN1が形成されている。例文帳に追加

In addition, The silicon layer of the SOI substrate is processed to form a fin FIN1. - 特許庁

この場合、資料画像を提供した端末の端末ID毎に整理して記憶される(S20)。例文帳に追加

In this case, the material image is arranged and stored by each terminal ID of the terminal having provided the material image (S20). - 特許庁

例文

基板1(n型シリコンウエハ)上に、i型a−Si層2及びp型a−Si層3を堆積させてpi接n合を作成する(a)。例文帳に追加

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a). - 特許庁


例文

ICカード1の利用履歴を知りたい場合、履歴確認装置2のICカードリード部2−1にICカード1をセットする。例文帳に追加

When the use history of the IC card is desired to be known, the card 1 is set to the IC card read part 2-1 of a history confirming device 2. - 特許庁

ベース基板(例えばガラス基板)と半導体基板(例えば単結晶シリコン基板)とを貼り合わせてSOI基板を作製する際の半導体層(例えば単結晶シリコン層)の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。例文帳に追加

To prevent roughness of a surface of a semiconductor layer (for instance, a single-crystal silicon layer) when manufacturing an SOI substrate by bonding a base substrate (for instance, a glass substrate) to a semiconductor substrate (for instance a single-crystal silicon substrate). - 特許庁

シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層64と銅層68,70との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜66を用いる。例文帳に追加

In this barrier metal layer interposed between a silicon layer or a silicon, containing layer 64 containing silicon and copper layers 68 and 70 for preventing the suction of the silicon, a TiSiN film 66 is used as the barrier metal layer. - 特許庁

マスタシリンダ液圧の時間に対する増加勾配は、ブレーキ操作部材の操作速度が大きい場合は小さい場合より大きく、ブースタ負圧が真空に近い場合は大気圧に近い場合より大きくなる。例文帳に追加

The increase gradient to time of the master cylinder hydraulic pressure becomes larger than a small case when the operation speed of the brake operation member is large, and becomes larger than a case near to atmospheric pressure when booster negative pressure is near to vacuum. - 特許庁

例文

(c) 工業意匠出願についての資料及び場合によっては優先権についての資料例文帳に追加

(c) the data of filing of the application of the industrial design and, possibly, also data of its priority rights; - 特許庁

例文

シリサイド層を形成する場合に、そのシリサイド層の膜厚の制御性を高める。例文帳に追加

To improve the controllability of the film thickness of a silicide layer when forming the silicide layer. - 特許庁

マスクは二酸化シリコンのアイランドが形成されるシリコン基板表面の領域を画定する。例文帳に追加

The mask demarcates a region on the surface of silicon substrate where the island of silicon dioxide is formed. - 特許庁

n型単結晶シリコン基板1の裏面にi型非晶質シリコン膜4を形成する。例文帳に追加

An i-type amorphous silicon film 4 is formed on a back of an n-type single crystal silicon substrate 1. - 特許庁

印刷する電子教材に付加的な電子資料がある場合には、その電子資料も印刷させる。例文帳に追加

When additional electronic materials are included in the electronic learning material to be printed, the electronic materials are also printed. - 特許庁

大径部2cとシリンダ4との間に、シリンダ上下室4a,4bに連通されるリザーバ10を形成する。例文帳に追加

A reservoir 10 communicated with an upper and a lower cylinder chambers 4a and 4b, respectively, is formed between the large diameter part 2c and the cylinder 4. - 特許庁

シリーズ物であるかどうかを正確に判断し、シリーズ物の場合における処理を効率化する。例文帳に追加

To increase efficiency of processing in the case of the series, while exactly judging whether or not programs are a series. - 特許庁

RIE処理によりシリコン酸化膜12をエッチングし、シリコン基板11を露出させる((d))。例文帳に追加

The silicon oxide film 12 is etched by the RIE treatment, and the silicon substrate 11 is made to be exposed (d). - 特許庁

このシリンダは、自動始動した場合に最初に点火タイミングが到来するシリンダとなる。例文帳に追加

This cylinder becomes a cylinder whose ignition timing arrives in the first time at automatically started time. - 特許庁

シリンダヘッドカバー1に接合された部材とシリンダヘッド4との間のシール性能を確保する。例文帳に追加

To secure sealing performance between a cylinder head 4 and a member joined to a cylinder head cover 1. - 特許庁

SOI基板はシリコン基板上にシリコン酸化膜などの絶縁層を介して単結晶のシリコン半導体層が形成されている。例文帳に追加

Regarding the SOI substrate, a single crystal silicon semiconductor layer is formed on the silicon substrate via an insulating layer such as silicon oxide film. - 特許庁

シリコン単結晶基板51、シリコン酸化層53、シリコン単結晶層55が積層されたSOI基板を準備する。例文帳に追加

An SOI substrate wherein a silicon single crystalline substrate 51, a silicon oxide layer 53 and a silicon single crystalline layer 55 are laminated is prepared. - 特許庁

SOI基板1は、単結晶シリコンからなる支持基板2、酸化シリコン層3、単結晶シリコン層4およびエピタキシャル層7からなる。例文帳に追加

An SOI substrate 1 consists of a support substrate 2, consisting of a single crystal silicon film, a silicon oxide layer 3, a single-crystal silicon layer 4 and epitaxial layers 7. - 特許庁

ストロークシリンダ6のシリンダボディ32内の、コントロールバルブ8とパワーシリンダ2の間にダブルチェックバルブ18を配置している。例文帳に追加

Inside the cylinder body 32 of the stroke cylinder 6 this double check valve 18 is located between the control valve 8 and power cylinder 2. - 特許庁

粘性体からなる試料を測定する場合にも、簡単に試料を投入することができ、バレル中の試料を発生液に完全に溶かし込むこと。例文帳に追加

To easily inject samples and completely dissolve the samples inside a barrel in a generated liquid even in the case of measuring the samples made of viscous bodies. - 特許庁

ラマンファイバに用いられる光ファイバは、シリカ(SiO_2)をベースに酸化チタン(TiO_2)がドープされたファイバである。例文帳に追加

SiO_2 is the basis of fiber optics for the Raman fiber, with which TiO_2 is doped. - 特許庁

この場合、たとえばビード部130とシリンダブロック100の上面との間には所定間隔の隙間Gが形成される。例文帳に追加

In this case, a gap G of a prescribed space is formed between the bead part 130 and the upper surface of the cylinder block 100, for instance. - 特許庁

プリント配線基板1に、製品型番、シリアル番号、IPアドレスが書き込まれたIDタグ2を埋め込む。例文帳に追加

An ID tag 2 in which a product type number, a serial number and an IP address are written is embedded in each printed wiring board 1. - 特許庁

また、場合によっては、中間板と伝熱板との間に良伝導からなるシリコーン系接着剤固定とした。例文帳に追加

In some instances, a silicone-based adhesive composed of a good conductor is fixed between the intermediate plate and the heat transfer plate. - 特許庁

2 事業主が違反の計画を知りその防止に必要な措置を講じなかつた場合、違反行為を知り、その是正に必要な措置を講じなかつた場合又は違反を教唆した場合においては、事業主も行為者として罰する。例文帳に追加

(2) In the event that the business operator knew of the plan for the violation but did not take necessary measures to prevent it, knew of the violation and did not take necessary measures to rectify it, or induced the violation, the business operator shall also be punished as the violator.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

リーダーが特に資料なしで話をする場合、次に見せる資料やメールを探す場合、デスクトップ上でメンバに見せたくない操作をする場合は、画面共有を停止する。例文帳に追加

When the leader talks without any material and searches a material or a mail to be shown next, the leader stops screen sharing if he or she performs an operation in secret on the desktop. - 特許庁

電気化学燃料電池における使用のための複合電解質であって、以下:(i)無機カチオン交換材料;(ii)シリカベースのバインダー;および(iii)ポリマーベースのバインダーを含む、複合電解質。例文帳に追加

The composite electrolyte used for an electrochemical fuel cell contains (i) an inorganic cation exchange material; (ii) a silica-based binder; and (iii) a polymer-based binder. - 特許庁

相乗り管理サーバー101は相乗り相手(利用者A)情報を相乗り容認者である利用者Bへ送信し、利用者Bは相乗り了解情報を相乗り管理サーバー101へ送信する。例文帳に追加

The sharing ride managing server 101 sends sharing ride partner (user A) information to the user B as a sharing ride allowed person and the user B sends sharing ride acceptance information to the sharing ride managing server 101. - 特許庁

社会福祉のはしりとして紹介される場合がある(収容型施設のはしりであることには間違いない)。例文帳に追加

The Seyaku-in has occasionally been described as the beginning of social welfare and actually marked the establishment of housing facilities.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

シリアルデバイス回路に関して、同一シリアルI/Fを持つ複数のデバイスを一つのI/Fにより全ての接続デバイスと通信を確立できるシリアルデバイス回路を提供する。例文帳に追加

To provide a serial device circuit for enabling an establishment of the communication of a plurality of devices each having the same serial I/F with all connection devices by one I/F. - 特許庁

(i)シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、(ii)塗布後の基板を加熱処理し、(iii)加熱後の基板に、ケイ素の不対電子を安定化できる物質を含む雰囲気中で活性エネルギー線を照射して、シリカ系被膜を得る。例文帳に追加

(i) A coating agent for forming the silica-based film is coated on a substrate, (ii) the substrate after coating is heated, and (iii) active energy lines are irradiated on the substrate after heating in the atmosphere containing a substance which can stabilize unpaired electrons of silicon to obtain the silica-based film. - 特許庁

特許商標庁は,次の場合は,出願に出願日を付与する。提出された資料が出願を意図したものである表示を含む場合,提出された資料が出願人の身元を決定し又は出願人に連絡することを可能にする場合,及び提出された資料が説明を含む場合。例文帳に追加

The Patent and Trademark Office shall accord a date of filing to the application if: it contains an indication that the material filed is intended as an application, the material filed makes it possible to determine the applicant's identity or to contact the applicant, and the material filed includes a description.  - 特許庁

室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはFe_3Siのアモルファスが形成され、400℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド(C−FeSi)を含有したFe_3Siが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Fe_3Siの結晶が得られる。例文帳に追加

When vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to room temperature, amorphous Fe_3Si is formed and when vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to 400°C, Fe_3Si containing monosilicide (C-FeSi) is formed, and by carrying out annealing at a suitable temperature in either case, crystal of iron silicide ferromagnetic material Fe_3Si can be obtained. - 特許庁

試料が特別の専門家に限り分譲される場合は,試料分譲請求は問題の専門家を指定しなければならない。例文帳に追加

If a sample may only be issued to a special expert, the request for the issue of the sample shall designate the expert in question. - 特許庁

試料を特別の専門家に限り分譲できる場合は,試料入手の請求書にはそのような専門家を明示しなければならない。例文帳に追加

If a sample may be issued only to a special expert, the request for the sample shall state the person to be called upon as an expert.  - 特許庁

有機シリコンを含む排ガスを触媒燃焼させる場合に、シリコンが燃焼触媒層の表面に付着するのを回避する。例文帳に追加

To avoid the adhesion of silicon on the surface of a combustion catalyst layer when silicone-containing exhaust gas is burned in the catalytic combustion. - 特許庁

シリコン基板上にSi3N4へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE HAVING Si3N4 HETEROEPITAXIAL BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

バスブリッジ228は、第1のシリアルバス226と目的のシリアルバス222との間で情報を転送することができる。例文帳に追加

A bus bridge 228 can transmits information between a first serial bus 226 and a target serial bus 222. - 特許庁

次いで、低融点ガラス薄膜5をシリコン基板6に当接させて、シリコン基板6と第二ガラス基板との間に電圧を印加する。例文帳に追加

Further, a voltage is impressed between a silicon substrate 6 and the second glass substrate 4 while bringing the low melting glass thin film 5 into contact with the silicon substrate 6. - 特許庁

インダクタ3,4は、シリコン基板9の上方から見た場合に、シリコン基板9の主表面の面内方向に沿って並べられる。例文帳に追加

Inductors 3 and 4 are arranged along the in-plane direction of the main surface of a silicon substrate 9 in the case of being viewed from above the silicon substrate 9. - 特許庁

SOI基板は、表面が(111)面であるシリコン基板100上に絶縁層120及びシリコン層200を積層した基板である。例文帳に追加

The SOI substrate is a substrate in which an insulating layer 120 and a silicon layer 200 are laminated on a silicon substrate 100, of which the surface is the (111) plane. - 特許庁

もしリストにない物があった場合には所定の場所に返却してください。例文帳に追加

If there are any items that aren't on the list, please return them to the designated location.  - Weblio Email例文集

もしリストに記載された物以外の物があった場合には所定の場所に返却してください。例文帳に追加

In case there are items that are not entered on the list, please return them to the designated location.  - Weblio Email例文集

もしリスト上にない物があった場合には所定の場所に返却してください。例文帳に追加

In case there are items that are not on the list, please return them to the designated location.  - Weblio Email例文集

もしリスト上にない物があった場合には所定の場所に戻してください。例文帳に追加

In case there are items that are not on the list, please return them to the designated location.  - Weblio Email例文集

例文

あるチャネルサーバ上にあるすべてのパッケージを知りたい場合はremote-list を使用します。例文帳に追加

To see all available packages on the channel server, use remote-list:$ pear remote-list..  - PEAR

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